JP2017118704A - 過電圧保護装置 - Google Patents
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Abstract
Description
そこで、本発明は、信号線を用いて信号を伝送する装置を、装置の電源のオン/オフの状態に関わらずに信号線の過電圧から保護することを課題とする。
このような過電圧保護装置によれば、第1のスイッチをオンしているときには、信号端子の電圧は、電源電圧に前記所定のレベルを加算した電圧以下に制限され、第1のスイッチをオフしているときには、信号端子の電圧は、前記所定のレベルの電圧以下に制限される。また、第1のスイッチをオフしているときには、電源から電圧保護回路への電力の供給は遮断される。
また、この過電圧保護装置には、前記第3のトランジスタのコレクタにカソードが接続し、前記装置のグランドにアノードが接続した第2のダイオードを備えることが好ましい。また、この場合には前記第2のダイオードのカソードに第1端が、前記信号線に第2端が接続された抵抗を設けることも好ましい。
まず、第1の実施形態について説明する
図1に、本第1実施形態に係る処理装置の構成を示す。
処理装置は、たとえば自動車に搭載される電子機器であり、他の処理装置との間で、信号線SLを用いて信号やデータを伝送する装置である。
そして、図示するように、処理装置1は、電源回路11、プロセッサ12、保護回路13を備えている。
電願回路11は、外部電源VCCから、内部電源VDDを生成し処理装置1の各部に供給する。なお、外部電源は、たとえば、自動車のバッテリである。
プロセッサ12は、マイクロコンピュータなどのデータ処理を行う装置であり、電源端子121に供給される電源VDDで動作し、通信用端子122から信号を送信、または、通信用端子122で信号を受信する。
図示するように、保護回路13は、プロセッサ12の通信用端子122に接続した内部信号線SLと通信線CLとの間に直列に接続された電流制限用の抵抗Rと、内部信号線SLにカソードが接続し、グランドGNDにアノードが接続したダイオードDと、プロセッサ12の電源端子121にベースが接続し、内部信号線SLにエミッタが接続し、グランドGNDにコレクタが接続したPNP型のトランジスタQを備えている。
したがって、適当なVBEの値を持つトランジスタをトランジスタQとして用いることにより、定格電圧の範囲外の過電圧がプロセッサ12に印加されてしまうことを抑止できる。
したがって、適当なVBEの値を持つトランジスタをトランジスタQとして用いることにより、電源VDDがオフのときでも、定格電圧の範囲外の過電圧がプロセッサ12に印加されてしまうことを抑止できる。
以下、本発明の第2の実施形態について説明する。
図4に、本第2実施形態に係る処理装置1の構成を示す。
図示するように、第2実施形態に係る処理装置1の構成は、図1に示した第1実施形態に化かつ処理装置1の構成と、プロセッサ12から保護回路13に制御線CNTを接続している点のみが異なる。また、本第2実施形態では、プロセッサ12は、動作モードとして、信号線CLを介した信号の伝送を含む通常の動作を行う通常動作モードと、低消費電力で動作する待機モードを備えているものとする。
図示するように、保護回路13は、電流制限用の第1抵抗R1と、第2抵抗R2と、第3抵抗R3と、第1ダイオードD1と、第2ダイオードD2と、第1トランジスタQ1と、第2トランジスタQ2と、第3トランジスタQ3を備えている。
第2トランジスタQ2は、PNP型のトランジスタであり、ベースが第2ダイオードD2のカソードと第2抵抗R2の第1端に接続し、エミッタが内部信号線SLに接続している。
そして、第3トランジスタQ3のベースは、NPN型のトランジスタであり、ベースが第2トランジスタQ2のコレクタと第3抵抗R3の第1端に接続し、コレクタが内部信号線SLに接続し、エミッタがグランドGNDに接続している。
さて、図6aに示すように、電源VDDがオンの状態で電圧V1の電源をプロセッサ12の電源端子121に供給しており、プロセッサ12が通常動作モードにあるとき、プロセッサ12は、制御線CNTに第1トランジスタQ1をオン状態に維持する信号を印加する。
よって、電源VDDがオンの状態、かつ、プロセッサ12の動作モードが待機モードのときには、内部信号線SLの電圧は、VBE_Q2を超えないように制限される。
なお、プロセッサ12の動作モードが待機モードのときに、通信線SLを用いた通信は行われない。また、電流をグランドGNDに引き抜く回路として、hfe(増幅率)の大きいダーリントン接続回路500を用いているので、第2抵抗R2を流れる第2トランジスタQ2のベース電流は小さく、第2抵抗R2の第1端はほぼ0Vに維持される。
Claims (10)
- 信号線を用いて信号を伝送する装置を過電圧から保護する過電圧保護装置であって、
前記信号線で伝送する信号を入力もしくは出力する前記装置の端子である信号端子の電圧が、前記装置の電源が供給される当該装置の端子である電源端子の電圧よりも所定レベル以上大きくなったときにオン状態となり、前記装置の前記信号端子と前記装置のグランドとを接続するスイッチを備えていることを特徴とする過電圧保護装置。 - 信号線を用いて信号を伝送する装置を過電圧から保護する過電圧保護装置であって、
前記信号線で伝送する信号を入力もしくは出力する前記装置の端子である信号端子にエミッタが接続し、前記装置の電源が供給される当該装置の端子である電源端子にベースが接続し、前記装置のグランドにコレクタが接続したPNP型のトランジスタを備えていることを特徴とする過電圧保護装置。 - 請求項2記載の過電圧保護装置であって、
前記トランジスタのエミッタにカソードが接続し、前記装置のグランドにアノードが接続したダイオードを備えていることを特徴とする過電圧保護装置。 - 請求項3記載の過電圧保護装置であって、
前記ダイオードのカソードに第1端が、前記信号線に第2端が接続された抵抗を備えていることを特徴とする過電圧保護装置。 - 信号線を用いて信号を伝送する装置を過電圧から保護する過電圧保護装置であって、
前記装置によってオン状態とオフ状態の切り替えが制御される第1のスイッチと、抵抗と、第2のスイッチとを有し、
前記第1スイッチは、オン状態のときに、前記装置の電源が供給される当該装置の端子である電源端子と、前記抵抗の第1端とを接続し、
前記抵抗の第2端は前記装置のグランドに接続しており、
前記第2のスイッチは、前記信号線で伝送する信号を入力もしくは出力する前記装置の端子である信号端子の電圧が、前記抵抗の前記第1端の電圧よりも所定レベル以上大きくなったときにオン状態となり、前記装置の前記信号端子と前記装置のグランドとを接続することを特徴とする過電圧保護装置。 - 請求項5記載の過電圧保護装置であって、
前記第2のスイッチは、ダーリントン接続回路であることを特徴とする過電圧保護装置。 - 信号線を用いて信号を伝送する装置を過電圧から保護する過電圧保護装置であって、
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第1のダイオードと、第1の抵抗と、第2の抵抗とを備え、
前記第1のトランジスタは、前記装置の電源が供給される当該装置の端子である電源端子にエミッタが接続し、前記装置の当該過電圧保護装置の制御信号出力用の端子にベースが接続し、前記第1のダイオードのアノードにコレクタが接続した PNP型トランジスタであり、
前記第1のダイオードのカソードは、前記第1の抵抗の第1端に接続し、
前記第1の抵抗の第2端は前記装置のグランドに接続し、
前記第2のトランジスタは、前記信号線で伝送する信号を入力もしくは出力する前記装置の端子である信号端子にエミッタが接続し、前記第1の抵抗の前記第1端にベースが接続し、前記第2の抵抗の第1端にコレクタが接続したPNP型のトランジスタであり、
前記第2の抵抗の第2端は前記装置のグランドに接続し、
前記第3のトランジスタは、前記装置の前記信号端子にコレクタが接続し、前記第2の抵抗の第1端にベースが接続し、前記装置のグランドにエミッタが接続したNPN型のトランジスタであることを特徴とする過電圧保護装置。 - 請求項7記載の過電圧保護装置であって、
前記第1のダイオードの順電圧は、前記第2のトランジスタの接合部飽和電圧(VBE)に等しいことを特徴とする過電圧保護装置。 - 請求項7または8記載の過電圧保護装置であって、
前記第3のトランジスタのコレクタにカソードが接続し、前記装置のグランドにアノードが接続した第2のダイオードを備えていることを特徴とする過電圧保護装置。 - 請求項9記載の過電圧保護装置であって、
前記第2のダイオードのカソードに第1端が、前記信号線に第2端が接続された抵抗を備えていることを特徴とする過電圧保護装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020137022A (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-31 | 富士通フロンテック株式会社 | ポート制御回路 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS63316475A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Toshiba Corp | 入力保護回路 |
JPH0521714A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 過電圧保護回路 |
JPH1174468A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Sony Corp | 半導体装置 |
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2015
- 2015-12-24 JP JP2015252307A patent/JP6534345B2/ja active Active
-
2016
- 2016-12-20 CN CN201611181120.1A patent/CN106921153A/zh active Pending
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