JP2015186008A - 入力保護回路 - Google Patents
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Abstract
Description
[第1実施形態]
図1に示す本実施形態の制御回路1は、車両に搭載され、車両における特定の機能を実現する。制御回路1は、図1に示すように、マイコン11と、DC/DCコンバータ12と、入力保護回路13とを備える。
アナログ信号入力端子22には、アナログの入力信号(入力電圧Vin)が入力される。入力電圧Vinは、ACC電圧Vaが、2つの入力分圧抵抗R3,R4により分圧された電圧である。この入力電圧Vinが、入力信号としてマイコン11のアナログ信号入力端子22に入力される。より詳しくは、ACC電圧Vaよりも第1のダイオードD1の順方向電圧だけ低い電圧が2つの入力分圧抵抗R3,R4により分圧されるのだが、ここでは、第1のダイオードD1による電圧降下分は無視する。
入力保護回路13は、トランジスタ15と、第1抵抗R1と、第2抵抗R2とを備える。トランジスタ15は、本実施形態では、PNP形バイポーラトランジスタである。トランジスタ15は、エミッタがマイコン11のアナログ信号入力端子22に接続され、コレクタがグランドラインに接続され、ベースが各抵抗R1,R2の一端に接続されている。
図2を用いて、第2実施形態の制御回路50について説明する。本第2実施形態の制御回路50は、図1に示した第1実施形態の制御回路1と比較して、主に次の3つの点で異なり、それ以外は第1実施形態の制御回路1と基本的に同じである。そのため、以下の説明では、第1実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付してその詳細説明を省略する。そして、第1実施形態と異なる部分について具体的に説明する。
(1)入力保護回路13を構成する、制御電圧Vbを決定付ける2つの抵抗R1,R2の抵抗値は、保護すべき入力電圧Vinの上限値に応じて適宜決めることができる。例えば第1実施形態において、2つの抵抗R1,R2の分圧比(R2/R1)を大きくすればするほど、制御電圧Vbを電源電圧VDDよりも低く抑えることができ、入力電圧Vinをより低い電圧でクランプすることができる。第2実施形態についても同様であり、分圧比(R2/R1)を大きくすればするほど、制御電圧Vbを電源電圧VCCよりも低く抑えることができる。
(4)入力電圧VinがACC電圧Vaを分圧した電圧であることや、入力電圧Vinが入力される機能回路がマイコンであることは、あくまでも一例である。あらゆる入力電圧Vin(アナログ、デジタルを問わず)に対して本発明を適用でき、また、あらゆる種類の機能回路に対して本発明を適用できる。つまり、入力電圧が上限値(保護電圧閾値)を超えないように抑える必要があるようなあらゆる回路、システムに対して本発明を適用可能である。
(6)その他、本発明は、上記の実施形態に示された具体的手段や構造等に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の形態を採り得る。例えば、上記実施形態における1つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を1つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、同様の機能を有する公知の構成に置き換えてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を、課題を解決できる限りにおいて省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本発明の実施形態である。
Claims (6)
- 入力信号に基づいて動作する機能回路(11,51)における、前記入力信号が入力される入力端子(22)に接続される入力保護回路であって、
前記入力端子とグランドラインとの間を導通させることが可能な保護導通部であって、前記入力信号の電圧である入力電圧が、当該保護導通部の外部から指定された保護電圧閾値を超えようとする場合に、前記入力端子と前記グランドラインとの間を導通させる保護導通部(15,R1)と、
前記保護導通部に対して前記保護電圧閾値を指定する閾値指定部(R1,R2)と、
を備えることを特徴とする入力保護回路(13)。 - 請求項1に記載の入力保護回路であって、
前記閾値指定部は、前記保護電圧閾値の指定を、前記機能回路に対してその動作用の電源として供給される主電源電圧、又はその主電源電圧に基づいて前記機能回路内で生成される内部電源電圧を、そのまま又は分圧して、前記保護電圧閾値に対応した閾値指定電圧として前記保護導通部に入力することにより行う
ことを特徴とする入力保護回路。 - 請求項1又は請求項2に記載の入力保護回路であって、
前記保護導通部は、
前記入力端子と前記グランドラインとの間を導通・遮断する半導体スイッチング素子(15)と、
前記入力電圧が前記保護電圧閾値を超えようとする場合に前記半導体スイッチング素子をオンさせて前記入力端子と前記グランドラインとの間を導通させるスイッチ駆動部(R1)と、
を備えることを特徴とする入力保護回路。 - 請求項3に記載の入力保護回路であって、
前記半導体スイッチング素子は、前記入力端子に接続される第1の端子と、前記グランドラインに接続される第2の端子と、前記第1の端子と前記第2の端子の間の導通・遮断を制御するための制御電圧が入力される制御端子と、を有するトランジスタであり、
前記スイッチ駆動部は、前記トランジスタの前記制御端子と前記グランドラインとの間に接続された第1の抵抗(R1)を有し、前記トランジスタの前記制御端子に対し、前記制御電圧として、前記保護電圧閾値に対応した閾値指定電圧を入力するよう構成されており、
前記半導体スイッチング素子は、前記第1の端子の電圧が前記保護電圧閾値を超えようとする場合にオンして前記第1の端子と前記第2の端子の間が導通する
ことを特徴とする入力保護回路。 - 請求項4に記載の入力保護回路であって、
前記閾値指定部は、一端が前記トランジスタの前記制御端子に接続された第2の抵抗(R2)を有し、前記第2の抵抗の他端に、前記機能回路に対してその動作用の電源として供給される主電源電圧、又はその主電源電圧に基づいて前記機能回路内で生成される内部電源電圧を印加することによって前記制御端子に前記閾値指定電圧を入力するよう構成されている
ことを特徴とする入力保護回路。 - 請求項4又は請求項5に記載の入力保護回路であって、
前記トランジスタは、PNP形バイポーラトランジスタであり、エミッタが前記第1の端子として前記入力端子に接続され、コレクタが前記第2の端子として前記グランドラインに接続され、前記制御端子としてのベースに前記閾値指定電圧が入力される
ことを特徴とする入力保護回路。
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