JP6613489B2 - 起動回路 - Google Patents
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Description
以下に、実施の形態1を図1に基づいて説明する。図1は、実施の形態1における起動回路を示す回路図である。起動回路10は、上位コントローラ90と接続され、イグニッション信号IGが入力されるイグニッション信号入力端子11と、後段インターフェース(図示なし)に接続され、出力電圧V1、すなわち起動信号を出力する出力端子12と、コレクタ端子が出力端子12と接続されたPNPトランジスタTr1、すなわちスイッチング素子と、PNPトランジスタTr1のエミッタ端子とイグニッション信号入力端子11とを接続する高電位ラインLH、すなわち第1のラインと、カソード端子が抵抗R1を介して高電位ラインLHに接続され、アノード端子がグランドGNDに接続されたツェナーダイオードZ1、すなわち逆方向に接続された定電圧素子とを備えている。抵抗R1及びツェナーダイオードZ1の接続点とPNPトランジスタTr1のベース端子とは、抵抗R2が直列に設けられたラインL1、すなわち第2のラインにより接続されている。
以下に、実施の形態2を図2に基づいて説明する。図2は、実施の形態2における起動回路を示す回路図である。なお、図1と同一又は相当部分については同一の符号を付し、その説明を省略する。起動回路20は、上位コントローラ90と接続され、イグニッション信号IGが入力されるイグニッション信号入力端子21と、後段インターフェース(図示なし)に接続され、出力電圧V1を出力する出力端子22と、出力端子22に接続されたラインL2にコレクタ端子が接続されたPNPトランジスタTr1と、PNPトランジスタTr1のエミッタ端子とイグニッション信号入力端子21とを接続する高電位ラインLHと、カソード端子が抵抗R1を介して高電位ラインLHに接続され、アノード端子がグランドGNDに接続されたツェナーダイオードZ1とを備えている。抵抗R1及びツェナーダイオードZ1の接続点とPNPトランジスタTr1のベース端子とは、抵抗R2が直列に設けられたラインL1により接続されている。
その他については実施の形態1と同様であるので、その説明を省略する。
以下に、実施の形態3を図3に基づいて説明する。図3は、実施の形態3における起動回路を示す回路図である。なお、図1、図2と同一又は相当部分については同一の符号を付し、その説明を省略する。起動回路30は、上位コントローラ90と接続され、イグニッション信号IGが入力されるイグニッション信号入力端子31と、後段インターフェース(図示なし)に接続され、出力電圧V2、すなわち起動信号を出力する出力端子32と、コレクタ端子が出力端子32と接続され、エミッタ端子がグランドGNDに接続されたNPNトランジスタTr3、すなわちスイッチング素子と、高電位ラインLHを介してカソード端子がイグニッション信号入力端子31と接続され、アノード端子が抵抗R5を介してグランドGNDに接続されたツェナーダイオードZ2、すなわち定電圧素子とを備えている。ツェナーダイオードZ2のツェナー電圧V2は、バッテリBattのバッテリ電圧よりも小さい。ツェナーダイオードZ2及び抵抗R5の接続点とNPNトランジスタTr3のベース端子とは、抵抗R6が直列に設けられたラインL3、すなわち第2のラインにより接続されている。ラインL3は、抵抗R5を介してグランドGNDに接続されている。
その他については実施の形態1と同様であるので、その説明を省略する。
以下に、実施の形態4を図4に基づいて説明する。図4は、実施の形態4における起動回路を示す回路図である。なお、図1から図3と同一又は相当部分については同一の符号を付し、その説明を省略する。起動回路40は、上位コントローラ90と接続され、イグニッション信号IGが入力されるイグニッション信号入力端子41と、後段インターフェース(図示なし)に接続され、出力電圧V2を出力する出力端子42と、出力端子42に接続されたラインL4にコレクタ端子が接続され、エミッタ端子がグランドGNDに接続されたNPNトランジスタTr3と、抵抗R8が設けられ、イグニッション信号入力端子41とラインL4とを接続する高電位ラインLHと、カソード端子がイグニッション信号入力端子41と接続され、アノード端子が抵抗R5を介してグランドGNDに接続されたツェナーダイオードZ2とを備えている。ツェナーダイオードZ2及び抵抗R5の接続点とNPNトランジスタTr3のベース端子とは、抵抗R6が直列に設けられたラインL3により接続されている。
その他については実施の形態3と同様であるので、その説明を省略する。
Claims (5)
- バッテリから供給されるイグニッション電圧が予め定められた起動判定値以上であるときに起動信号を出力する起動回路において、
前記イグニッション電圧が印加される入力端子と、
前記入力端子に接続された第1のラインと、
前記起動信号を出力する出力端子と、
コレクタ端子又はドレイン端子が前記出力端子に接続され、オンになったときに前記出力端子に前記起動信号を出力するスイッチング素子と、
前記第1のラインとグランドとの間で逆方向に接続され、予め定められたクランプ電圧でクランプする定電圧素子と、
前記定電圧素子と直列に接続された抵抗と、
前記定電圧素子と前記抵抗の接続点を前記スイッチング素子のベース端子又はゲート端子に接続する第2のラインと、
前記スイッチング素子と並列に接続され、前記スイッチング素子のコレクタ電圧によりオンになる第2のスイッチング素子とを備え、
前記定電圧素子は前記第1のラインとグランドとの間で1つ接続され、
前記第2のスイッチング素子のコレクタ端子又はドレイン端子は、抵抗を介して前記第2のラインに接続されて、オンとなっている前記第2のスイッチング素子により前記スイッチング素子のベース・エミッタ間電圧又はゲート・ソース間電圧が拡大されることを特徴とする起動回路。 - 前記スイッチング素子は、エミッタ端子が前記第1のラインに接続されたPNPトランジスタであり、前記抵抗は、前記定電圧素子と前記第1のラインの間に接続されている請求項1に記載の起動回路。
- 前記第2のスイッチング素子は、エミッタ端子が前記グランドに接続されたNPNトランジスタである請求項1または2に記載の起動回路。
- 前記スイッチング素子は、エミッタ端子が前記グランドに接続されたNPNトランジスタであり、前記抵抗は、前記定電圧素子と前記グランドの間に接続されている請求項1に記載の起動回路。
- 前記第2のスイッチング素子は、エミッタ端子が前記第1のラインに接続されたPNPトランジスタである請求項1または4に記載の起動回路。
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