CN106921153A - 过压保护装置 - Google Patents

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CN106921153A
CN106921153A CN201611181120.1A CN201611181120A CN106921153A CN 106921153 A CN106921153 A CN 106921153A CN 201611181120 A CN201611181120 A CN 201611181120A CN 106921153 A CN106921153 A CN 106921153A
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田仲纪彦
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage

Abstract

一种过压保护装置，无论电源的导通/截止的状态，均从信号线的过压中保护装置。设置在连接于处理器(12)的通信用端子(122)的内部信号线(SL)与通信线(CL)之间被串联连接的电阻(R)、阴极与内部信号线连接且阳极与地线GND连接的二极管(D)、基极与电源端子(121)连接且发射极与内部信号线连接且集电极与地线GND连接的PNP型的晶体管(Q)。将动作中的晶体管的基极‑发射极间电压(接合部饱和电压)设为VBE，通过晶体管的作用，(a)在电源VDD为导通(电压V1)时，内部信号线的电压被限制成电源VDD+VBE，(b)在电源VDD为截止(电压0V)时，内部信号线的电压被限制成电源0V+VBE。

Description

过压保护装置
技术领域
本发明涉及从信号线的过压中保护使用信号线来传输信号的装置的技术。
背景技术
作为从信号线的过压中保护使用信号线来传输信号的装置的技术已知有如下技术：如图7a所示，装置700的信号传输用的端子710经由电阻701连接有信号线CL，并且设置有阴极与装置700的端子710连接且阳极与地线连接的二极管702、以及阳极与装置700的端子710连接且阴极与电源连接的二极管703，用电阻701来抑制在端子710中流动的电流，并且用二极管702来抑制被施加于端子710电压向比地线电位更低的电位的降低，用二极管703来抑制被施加于端子710的电压向比电源的电位更高的电位的上升(例如，专利文献1)。
另外，作为从信号线的过压中保护使用信号线来传输信号的装置700的技术已知有如下技术：如图7b所示，设置阴极与装置700的信号传输用的端子710连接且阳极与地线连接的齐纳二极管712，用电阻711来抑制在端子710中流动的电流，并且，用齐纳二极管712来抑制被施加于端子710的电压的、向比齐纳二极管712的齐纳电压更高的电位的上升(例如，专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平3-85016号公报
专利文献2：日本特开2009-71373号公报
根据图7a所示的技术，在信号线CL产生过压且经由二极管703流入电源的电流变得比装置700的消耗电流大时，装置700的电源的电位会上升得比装置700的额定电压更高，装置700会被破坏。
另外，根据图7b的技术，在装置700的电源为截止的状态，且在信号线CL产生过压时，被施加到端子710的电压会超过绝对额定电压，装置700会被破坏。
即，例如，若端子710的绝对额定电压为地线电位-0.5V与电源电位+0.5V之间的范围，电源导通时的电源电压为5V，齐纳二极管712的齐纳电压为5V，则在电源为导通时，绝对额定电压的范围为-0.5V和5.5V(5V+0.5V)的范围。进而，在电源为导通时，被施加于端子710的电压被限制为齐纳电压的5V以下，因此，被施加于端子710的电压为绝对额定电压的范围内。另一方面，在装置700的电源为截止的状态下，电源电位为0V时，绝对额定电压为-0.5V与+0.5V之间的范围，因此，即使将被施加于端子710的电压限制为齐纳电压的5V以下，也会变得不能够将被施加于端子710的电压限制到绝对额定电压的范围内。
另外，还存在对于普通的齐纳二极管的齐纳电压，个体差异大的问题。
发明内容
于是，本发明的问题是，无论装置的电源的导通/截止的状态，都会从信号线的过压中保护使用信号线来传输信号的装置。
为了解决上述问题，本发明在从过压中保护使用信号线来传输信号的装置的过压保护装置中具备开关，该开关在信号端子的电压变得比电源端子的电压大规定电平以上时成为导通状态，连接上述装置的上述信号端子与上述装置的地线，上述信号端子是输入或输出用上述信号线进行传输的信号的上述装置的端子，上述电源端子是被供给上述装置的电源的该装置的端子。
根据这样的过压保护装置，在装置的信号端子的电压变得比装置的电源端子的电压大规定电平以上时，通过开关来连接电源端子与地线。因此，在对装置的电源端子供给电源电压时，信号端子的电压被限制为不会变成将电源电压与上述规定的电平相加后得到的电压以上，在对装置的电源端子没有供给电源电压时，信号端子的电压被限制为不会变成上述规定的电平的电压以上。即，信号端子的电压通常被限制为将电源端子的电压与上述规定的电平相加后得到的电压以下。所以，通过适当地设定规定的电平，由此，能够抑制信号端子的电压脱离到装置的额定电压的范围外。另外，并不是直接连接信号端子与电源端子，因此，还能够抑制电源端子的电压上升。
另外，为了解决上述问题，本发明在从过压中保护使用信号线来传输信号的装置的过压保护装置中具备PNP型的晶体管，该晶体管的发射极与信号端子连接，该晶体管的基极与电源端子连接，该晶体管的集电极与上述装置的地线连接，上述信号端子是输入或输出用上述信号线进行传输的信号的上述装置的端子，上述电源端子是被供给上述装置的电源的该装置的端子。
在此，优选地，在该过压保护装置中具备二极管，该二极管的阴极与上述晶体管的发射极连接，该二极管的阳极与上述装置的地线连接。另外，在该情况下，优选地，上述过压保护装置具备电阻，该电阻的第1端与上述二极管的阴极连接，该电阻的第2端与上述信号线连接。
根据这些样式的过压保护装置，在装置的信号端子的电压变得比装置的电源端子的电压大晶体管的接合部饱和电压(VBE)以上时，通过晶体管来连接电源端子与地线。因此，在对装置的电源端子供给电源电压时，信号端子的电压被限制为将电源电压与晶体管的接合部饱和电压(VBE)相加后得到的电压以上，在对装置的电源端子没有供给电源电压时，信号端子的电压被限制为不会变成晶体管的接合部饱和电压(VBE)的电压以上。也就是说，信号端子的电压通常被限制为将电源端子的电压与晶体管的接合部饱和电压(VBE)相加后得到的电压以下。所以，通过使用适当的接合部饱和电压(VBE)的晶体管，由此，能够抑制信号端子的电压脱离到装置的额定电压的范围外。另外，并不是直接连接信号端子与电源端子，因此，还能够抑制电源端子的电压上升。
另外，为了解决上述问题，本发明在从过压中保护使用信号线来传输信号的装置的过压保护装置中设置有通过上述装置来控制导通状态与截止状态的切换的第一开关、电阻、以及第二开关。在此，上述第一开关在导通状态时，将电源端子与上述电阻的第1端连接，上述电源端子是被供给上述装置的电源的该装置的端子，上述电阻的第2端与上述装置的地线连接，上述第二开关在信号端子的电压变得比上述电阻的上述第1端的电压大规定电平以上时成为导通状态，连接上述装置的上述信号端子与上述装置的地线，上述信号端子是输入或输出用上述信号线进行传输的信号的上述装置的端子。
在此，优选地，在该过压保护装置中，使用达林顿连接电路作为上述第二开关。
根据这样的过压保护装置，在将第一开关导通时，信号端子的电压被限制为将电源电压与上述规定的电平相加后得到的电压以下，在将第一开关截止时，信号端子的电压被限制为上述规定的电平的电压以下。另外，在将第一开关截止时，从电源到电压保护电路的电力的供给被切断。
所以，在装置进行伴随信号的传输动作的通常动作的期间中，将第一开关设为导通状态时，能够将信号端子的电压限制为将电源电压与上述规定的电平相加后得到的电压以下。另外，在对装置的电源端子没有供给电源电压的期间中，以第一开关变成截止状态的方式构成过压保护装置，由此，在对装置的电源端子没有供给电源电压的期间中，能够将信号端子的电压限制为不会变成上述规定的电平的电压以上。因此，在这些期间中，通常能够将信号端子的电压限制为将电源端子的电压与上述规定的电平相加后得到的电压以下，因此，通过适当地设定规定的电平，由此，能够抑制信号端子的电压脱离到装置的额定电压的范围外。
另外，在处于装置没有进行信号的传输动作的待机状态时，将第一开关设定为截止状态，能够将信号端子的电压限制为不会变成上述规定的电平的电压以上且抑制信号端子的电压脱离到装置的额定电压的范围外，并且能够抑制由过压保护装置引起的电源的电力的消耗。
另外，为了解决上述问题，本发明在从过压中保护使用信号线来传输信号的装置的过压保护装置中具备第1晶体管、第2晶体管、第3晶体管、第1二极管、第1电阻、以及第2电阻。在此，上述第1晶体管是PNP型的晶体管，该第1晶体管的发射极与电源端子连接，该第1晶体管的基极与上述装置的用于输出该过压保护装置的控制信号的端子连接，该第1晶体管的集电极与上述第1二极管的阳极连接，上述电源端子是被供给上述装置的电源的该装置的端子，上述第1二极管的阴极与上述第1电阻的第1端连接，上述第1电阻的第2端与上述装置的地线连接，上述第2晶体管是PNP型的晶体管，该第2晶体管的发射极与信号端子连接，该第2晶体管的基极与上述第1电阻的上述第1端连接，该第2晶体管的集电极与上述第2电阻的第1端连接，上述信号端子是输入或输出用上述信号线进行传输的信号的上述装置的端子，上述第2电阻的第2端与上述装置的地线连接，上述第3晶体管是NPN型的晶体管，该第3晶体管的集电极与上述装置的上述信号端子连接，该第3晶体管的基极与上述第2电阻的第1端连接，该第3晶体管的发射极与上述装置的地线连接。
在此，优选地，在该过压保护装置中，上述第1二极管的正向电压与上述第2晶体管的接合部饱和电压(VBE)相等。
另外，优选地，在该过压保护装置中具备第2二极管，该第2二极管的阴极与上述第3晶体管的集电极连接，该第2二极管的阳极与上述装置的地线连接。另外，在该情况下，优选地，在上述过压保护装置中设置电阻，该电阻的第1端与上述第2二极管的阴极连接，该电阻的第2端与上述信号线连接。
根据以上那样的过压保护装置，在通过装置的控制信号输出将第1晶体管导通时，信号端子的电压被限制为将电源电压与第2晶体管的接合部饱和电压(VBE)相加后得到的电压以下，在通过装置的控制信号输出将第1晶体管截止时，信号端子的电压被限制为第2晶体管的接合部饱和电压(VBE)以下。另外，在将第1晶体管截止时，从电源到电压保护电路的电力的供给被切断。
所以，在装置进行伴随信号的传输动作的通常动作的期间中，将第1晶体管设为导通状态时，能够将信号端子的电压限制为将电源电压与第2晶体管的接合部饱和电压(VBE)相加后得到的电压以下。另外，在对装置的电源端子没有供给电源电压的期间中，第1晶体管为截止状态，因此，信号端子的电压被限制为不会变成第2晶体管的接合部饱和电压(VBE)的电压以上。
因此，在这些期间中，能够将信号端子的电压限制为将电源端子的电压与第2晶体管的接合部饱和电压(VBE)相加后得到的电压以下，因此，通过使用适当的接合部饱和电压(VBE)的第2晶体管，由此，能够抑制信号端子的电压脱离到装置的额定电压的范围外。
另外，在处于装置没有进行信号的传输动作的待机状态时，通过将第1晶体管设定为截止状态，由此，能够将信号端子的电压限制为不会变成第2晶体管的接合部饱和电压(VBE)以上且抑制信号端子的电压脱离到装置的额定电压的范围外，并且，能够抑制由过压保护装置引起的电源的电力的消耗。
发明效果
如上所述，根据本发明，无论装置的电源的导通/截止的状态，均能够从信号线的过压中保护使用信号线来传输信号的装置。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式涉及的处理装置的构成的框图。
图2是表示本发明的第1实施方式涉及的保护电路的构成的电路图。
图3是表示本发明的第1实施方式涉及的保护电路的动作的图。
图4是表示本发明的第2实施方式涉及的处理装置的构成的框图。
图5是表示本发明的第2实施方式涉及的保护电路的构成的电路图。
图6是表示本发明的第2实施方式涉及的保护电路的动作的图。
图7是表示以往的过压保护的技术的图。
符号说明
1…处理装置，11…电源电路，12…处理器，13…保护电路，121…电源端子，122…通信用端子，500…达林顿连接电路，D、D1、D2…二极管，R、R1、R2、R3…电阻，Q、Q1、Q2、Q3…晶体管。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。
首先，对第1实施方式进行说明。
图1表示本第1实施方式涉及的处理装置的构成。
处理装置是例如搭载于汽车的电子设备，是在与其他处理装置之间，使用信号线SL来传输信号、数据的装置。
进而，如图所示，处理装置1具备电源电路11、处理器12以及保护电路13。
电源电路11从外部电源VCC生成内部电源VDD并供给到处理装置1的各部分。另外，外部电源例如是汽车的电池。
处理器12是进行微型计算机等的数据处理的装置，通过被供给到电源端子121的电源VDD进行动作，从通信用端子122发送信号，或者，以通信用端子122接收信号。
保护电路13配置于用于与其他处理装置1的通信的通信线CL与连接于处理器12的通信用端子122的内部信号线SL之间，连接通信线CL与内部信号线SL，并且从通信线CL的过压中保护处理器12。
随后，图2表示保护电路13的构成。
如图所示，保护电路13具备：在连接于处理器12的通信用端子122的内部信号线SL与通信线CL之间串联连接的电流限制用的电阻R；阴极与内部信号线SL连接，阳极与地线GND连接的二极管D；以及基极与处理器12的电源端子121连接，发射极与内部信号线SL连接，集电极与地线GND连接的PNP型的晶体管Q。
根据这样的保护电路13，如图3a所示，在电源VDD为导通的状态且电压V1的电源被供给到处理器12的电源端子121时，若对通信线CL施加过压，则内部信号线SL的电压上升，晶体管Q的发射极的电位变得比基极的电位V1大晶体管Q的接合部饱和电压VBE以上。另外，所谓接合部饱和电压VBE是在晶体管中流动有基极电流时的、发射极-集电极间电压，不管基极电流的大小，成为几乎恒定。
进而，在发射极的电位变得比基极的电位V1大晶体管Q的接合部饱和电压VBE以上时，基极电流IB流动，从内部信号线SL起，电流通过晶体管Q的发射极、集电极向地线GND流动。进而，此时，内部信号线SL的电位被钳位成V1+VBE。
因此，在电源VDD为导通的状态时，被施加于通信线CL的电压被限制成不超过V1+VBE。
所以，通过使用带有适当的VBE的值的晶体管作为晶体管Q，由此，能够抑制额定电压的范围外的过压被施加于处理器12。
另外，根据这样的保护电路13，如图3b所示，在电源VDD为截止的状态，即，被供给到处理器12的电源端子121的电源VDD为0V的状态下，若对通信线CL施加过压，内部信号线SL的电压上升，晶体管Q的发射极的电位变得比0V大晶体管Q的接合部饱和电压VBE以上，则基极电流IB流动，从内部信号线SL起，电流通过晶体管Q的发射极、集电极向地线GND流动。进而，此时，内部信号线SL的电位被钳位成0V+VBE。
因此，在电源VDD为截止的状态时，被施加于通信线CL的电压被限制为不超过VBE。
所以，通过使用带有适当的VBE的值的晶体管作为晶体管Q，由此，即使电源VDD为截止时，也能够抑制额定电压的范围外的过压被施加于处理器12。
另外，根据这样的保护电路13，如图3c所示，在对通信线CL施加比地线GND更低的电压的情况下，内部信号线SL经由二极管D与地线GND连接，内部信号线SL的电位被维持成从地线GND的电位减去二极管D的正向电压VF后得到的电位。
以上，对本发明的第1实施方式进行说明。
以下，对本发明的第2实施方式进行说明。
图4表示本第2实施方式涉及的处理装置1的构成。
如图所示，第2实施方式涉及的处理装置1的构成仅在图1所示的第1实施方式涉及的处理装置1的构成、以及从处理器12到保护电路13连接着控制线CNT这点上不同。另外，在本第2实施方式中，处理器12具备进行通常的动作的通常动作模式和以低消耗电力进行动作的待机模式来作为动作模式，该通常的动作包括经由信号线CL的信号的传输。
图5表示本第2实施方式涉及的保护电路13的构成。
如图所示，保护电路13具备：电流限制用的第1电阻R1；第2电阻R2；第3电阻R3；第1二极管D1；第2二极管D2；第1晶体管Q1；第2晶体管Q2；以及第3晶体管Q3。
在此，第1电阻R1被串联连接于与处理器12的通信用端子122连接的内部信号线SL与通信线CL之间。另外，第1二极管D1的阴极与内部信号线SL连接，阳极与地线GND连接。
另外，第1晶体管Q1是PNP型的晶体管，发射极与处理器12的电源端子121连接，基极连接有来自处理器12的控制线CNT，集电极连接有第2二极管D2的阳极。
进而，第2电阻R2的第1端与第2二极管D2的阴极连接，第2端与地线GND连接。
第2晶体管Q2是PNP型的晶体管，基极与第2二极管D2的阴极以及第2电阻R2的第1端连接，发射极与内部信号线SL连接。
第3电阻R3的第1端与第2晶体管Q2的集电极连接，第2端与地线GND连接。
进而，第3晶体管Q3是NPN型的晶体管，基极与第2晶体管Q2的集电极以及第3电阻R3的第1端连接，集电极与内部信号线SL连接，发射极与地线GND连接。
在此，第2晶体管Q2、第3电阻R3以及第3晶体管Q3形成达林顿连接电路500。
如图6a所示，在电源VDD为导通的状态下，将电压V1的电源供给到处理器12的电源端子121，在处理器12处于通常动作模式时，处理器12对控制线CNT施加将第1晶体管Q1维持成导通状态的信号。
由此，在保护电路13中，经由被控制为导通状态的第1晶体管Q1、第2二极管D2，对第2晶体管Q2的基极施加电位V1-VF的电压。在此，VF是第2二极管VF的正向电压。
进而，在该状态下，对通信线CL施加过压时，内部信号线SL的电压上升，第2晶体管Q2的发射极的电位变得比基极的电位V1-VF大第2晶体管Q2的接合部饱和电压VBE以上。
进而，在变得比基极的电位V1-VF大第2晶体管Q2的接合部饱和电压VBE以上时，在第2晶体管Q2中流动基极电流IB，从内部信号线SL起，电流通过第2晶体管Q2的发射极、集电极以及第3电阻R3向地线GND流动，第3电阻R3的第1端的电位被施加于第3晶体管Q3。
进而，由此，第3晶体管Q3的基极的电位变得比发射极的电位大第3晶体管Q3的接合部饱和电压VBE以上，从内部信号线SL起，电流通过第3晶体管Q3的集电极、发射极向地线GND流动。
进而，此时，将第2晶体管Q2的接合部饱和电压VBE设为VBE_Q2，内部信号线SL的电位被钳位成V1-VF+VBE_Q2。
因此，在电源VDD为导通的状态，并且，处理器12的动作模式为通常动作模式时，被施加于通信线CL的电压被限制为不超过V1-VF+VBE_Q2。
所以，通过使用带有适当的VBE的值的晶体管作为第2晶体管Q2，使用带有适当的VF的值的二极管作为第2二极管D2，由此，能够抑制额定电压的范围外的过压被施加于处理器12。
尤其是，为了第2二极管D2的VF与第2晶体管Q2的VBE一致，通过选定作为第2晶体管Q2而使用的晶体管、以及作为第2二极管D2而使用的二极管，由此，被施加于通信线CL的电压成为V1-VF+VBE_Q2＝V1，能够设为内部信号线SL的电压不超过电源VDD的电压V1。
另外，根据这样的保护电路13，使用hfe(放大率)大的达林顿连接电路500，作为从内部信号线SL起，将电流拉到地线GND的电路，因此，能够将电源VDD为导通的状态并且处理器12的动作模式为通常动作模式时的、基于保护电路13的、电源VDD的电力消耗抑制得较小，并且能够将第1电阻R1的电阻值设定得较小，能够进行使用了通信线CL的高速的通信。
随后，如图6b所示，电源VDD为导通的状态，将电压V1的电源供给到处理器12的电源端子121，在处理器12处于待机模式时，处理器12将输出到控制线CNT的信号设为将第1晶体管Q1维持成截止状态的信号。
由此，在保护电路13中，第1晶体管Q1为截止状态，第2晶体管Q2的基极的电位通过第2电阻R2被下拉到地线GND，成为0V。
进而，在该状态下，对通信线CL施加过压时，内部信号线SL的电压上升，第2晶体管Q2的发射极的电位变得比0V大第2晶体管Q2的接合部饱和电压VBE以上。
进而，在第2晶体管Q2的发射极的电位变得比0V大第2晶体管Q2的接合部饱和电压VBE以上时，在第2晶体管Q2中流动基极电流IB，从内部信号线SL起，电流通过第2晶体管Q2的发射极、集电极以及第3电阻R3向地线GND流动，第3电阻R3的第1端的电位被施加于第3晶体管Q3。
进而，由此，第3晶体管Q3的基极的电位变得比发射极的电位大第3晶体管Q3的接合部饱和电压VBE以上，从内部信号线SL起，电流通过第3晶体管Q3的集电极、发射极向地线GND流动。
进而，此时，将第2晶体管Q2的接合部饱和电压VBE设为VBE_Q2，内部信号线SL的电位被钳位成0V+VBE_Q2。
因此，在电源VDD为导通的状态，并且，处理器12的动作模式为待机模式时，内部信号线SL的电压被限制为不超过VBE_Q2。
另外，在处理器12的动作模式为待机模式时，不进行使用了通信线SL的通信。另外，使用hfe(放大率)大的达林顿连接电路500作为将电流拉到地线GND的电路，因此，在第2电阻R2流动的第2晶体管Q2的基极电流小，第2电阻R2的第1端被维持成大致0V。
所以，通过使用带有适当的VBE的值的晶体管作为第2晶体管Q2，由此，在电源VDD为导通的状态，并且，处理器12的动作模式为待机模式时，能够抑制额定电压的范围外的过压被施加于处理器12。
另外，根据这样的保护电路13，电源VDD在导通的状态下供给电压V1的电源，处理器12处于待机模式时，能够将第1晶体管Q1控制为截止状态，并且能够将基于保护电路13的电源VDD的电力的消耗设为0。
随后，电源VDD为截止的状态，即，被供给到处理器12的电源端子121的电源VDD为0V，或者处理器12的电源端子121没有与电源VDD连接的状态下的保护电路13的动作与图5b所示的电源VDD为导通的状态并且处理器12的动作模式为待机模式时的动作相同，内部信号线SL的电压被限制为不超过VBE_Q2。
随后，在这样的保护电路13中，如图6c所示，在对通信线CL施加比地线GND更低的电压的情况下，经由第1二极管D1，内部信号线SL与地线GND连接，内部信号线SL的电位被维持成从地线GND的电位减去第1二极管D1的正向电压VF_D1后得到的电位。
以上，对本发明的实施方式进行了说明。

Claims (10)

1.一种过压保护装置，从过压中保护使用信号线来传输信号的装置，其特征在于，
上述过压保护装置具备开关，该开关在信号端子的电压变得比电源端子的电压大规定电平以上时成为导通状态，连接上述装置的上述信号端子与上述装置的地线，上述信号端子是输入或输出用上述信号线进行传输的信号的上述装置的端子，上述电源端子是被供给上述装置的电源的该装置的端子。
2.一种过压保护装置，从过压中保护使用信号线来传输信号的装置，其特征在于，
上述过压保护装置具备PNP型的晶体管，该晶体管的发射极与信号端子连接，该晶体管的基极与电源端子连接，该晶体管的集电极与上述装置的地线连接，上述信号端子是输入或输出用上述信号线进行传输的信号的上述装置的端子，上述电源端子是被供给上述装置的电源的该装置的端子。
3.如权利要求2所述的过压保护装置，其特征在于，
上述过压保护装置具备二极管，该二极管的阴极与上述晶体管的发射极连接，该二极管的阳极与上述装置的地线连接。
4.如权利要求3所述的过压保护装置，其特征在于，
上述过压保护装置具备电阻，该电阻的第1端与上述二极管的阴极连接，该电阻的第2端与上述信号线连接。
5.一种过压保护装置，从过压中保护使用信号线来传输信号的装置，其特征在于，
上述过压保护装置具有通过上述装置来控制导通状态与截止状态的切换的第一开关、电阻、以及第二开关，
上述第一开关在导通状态时，将电源端子与上述电阻的第1端连接，上述电源端子是被供给上述装置的电源的该装置的端子，
上述电阻的第2端与上述装置的地线连接，
上述第二开关在信号端子的电压变得比上述电阻的上述第1端的电压大规定电平以上时成为导通状态，连接上述装置的上述信号端子与上述装置的地线，上述信号端子是输入或输出用上述信号线进行传输的信号的上述装置的端子。
6.如权利要求5所述的过压保护装置，其特征在于，
上述第二开关是达林顿连接电路。
7.一种过压保护装置，从过压中保护使用信号线来传输信号的装置，其特征在于，
上述过压保护装置具备第1晶体管、第2晶体管、第3晶体管、第1二极管、第1电阻、以及第2电阻，
上述第1晶体管是PNP型的晶体管，该第1晶体管的发射极与电源端子连接，该第1晶体管的基极与上述装置的用于输出该过压保护装置的控制信号的端子连接，该第1晶体管的集电极与上述第1二极管的阳极连接，上述电源端子是被供给上述装置的电源的该装置的端子，
上述第1二极管的阴极与上述第1电阻的第1端连接，
上述第1电阻的第2端与上述装置的地线连接，
上述第2晶体管是PNP型的晶体管，该第2晶体管的发射极与信号端子连接，该第2晶体管的基极与上述第1电阻的上述第1端连接，该第2晶体管的集电极与上述第2电阻的第1端连接，上述信号端子是输入或输出用上述信号线进行传输的信号的上述装置的端子，
上述第2电阻的第2端与上述装置的地线连接，
上述第3晶体管是NPN型的晶体管，该第3晶体管的集电极与上述装置的上述信号端子连接，该第3晶体管的基极与上述第2电阻的第1端连接，该第3晶体管的发射极与上述装置的地线连接。
8.如权利要求7所述的过压保护装置，其特征在于，
上述第1二极管的正向电压与上述第2晶体管的接合部饱和电压(VBE)相等。
9.如权利要求8所述的过压保护装置，其特征在于，
上述过压保护装置具备第2二极管，该第2二极管的阴极与上述第3晶体管的集电极连接，该第2二极管的阳极与上述装置的地线连接。
10.如权利要求9所述的过压保护装置，其特征在于，
上述过压保护装置具备电阻，该电阻的第1端与上述第2二极管的阴极连接，该电阻的第2端与上述信号线连接。
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