JP2017092389A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明の実施形態1について、図1から図3に基づき詳細に説明する。
まず、焼結銀ペースト材12と樹脂18との配置を説明するために、図2を参照して周辺領域144と輪郭領域223とについて説明する。
図1に示されるように、焼結銀ペースト材12は、半導体素子14の下側からはみ出ないように、半導体素子14の薄膜銀16とダイパッド部22の銀メッキ領域24との間に設けられている。すなわち、焼結銀ペースト材12は、半導体素子14の下側(ダイパッド部22側)の中央領域142に設けられている。また、焼結銀ペースト材12は、縁取られる様に、樹脂18に囲まれている。
図1に示されるように、樹脂18は、半導体素子14の外側にはみ出るように、半導体素子14の下側の周辺領域144に設けられ、焼結銀ペースト材12を縁どるように囲んでいる。また、樹脂18は、半導体素子14の薄膜銀16とダイパッド部22の銀メッキ領域24との間に充填されている。また、樹脂18は、半導体素子14の上面と下面とを繋ぐ側面の一部を覆っている。
以上のように、焼結銀ペースト材12による接合と樹脂18による接合とが組み合わせられているため、半導体装置1は、熱放散性および温度変化に対する耐久性に優れている。
本発明の実施形態2について、図4に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
図4に示されるように、封止部20は、樹脂により形成され、リードフレーム30のダイパッド部22と、ダイパッド部に接合された半導体素子14と、を封止している。このため、封止部20は、薄膜銀16と焼結銀ペースト材12とが接合している領域を除く、半導体素子14の表面領域の全てを覆っている。
以上のように、焼結銀ペースト材12による接合と封止部20による接合とが組み合わせられているため、実施形態2の半導体装置2は、実施形態1の半導体装置1と同様に、熱放散性および温度変化に対する耐久性に優れている。
本発明の実施形態3について、図5に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
図5に示すように、接合領域221の中央領域222を2つの区画に分割するように、焼結銀ペースト材12は多数のドット状に塗布され、面状に拡げられる。なお、焼結銀ペースト材12は、3つより多い区画に分割されるように、塗布され拡げられてもよい。
樹脂18は、焼結銀ペースト材12を囲むように、接合領域221の内側輪郭領域224のみならず、中央領域222における焼結銀ペースト材12の間にも、充填される。なお、樹脂18の代わりに、実施形態2に係る半導体装置2のように、封止部20を形成する樹脂が充填されてもよい。
本発明の実施形態4について、図6に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
図6に示すように、焼結銀ペースト材12は略十字状に塗布されている。具体的には、半導体素子14の角部をダイパッド部22に焼結銀ペースト材12が接合しないように、焼結銀ペースト材12は、内側輪郭領域224の4つの角部に塗布されていない。また、半導体素子14の輪郭の辺の中央部から外側にはみ出るように、焼結銀ペースト材12は、内側輪郭領域224の4つの辺の中央部から外側にはみ出るように塗布されている。このように、焼結銀ペースト材12は多数のドット状に塗布され、面状に拡げられている。
樹脂18は、焼結銀ペースト材12が形成されない内側輪郭領域224の角部に充填される。なお、角部に充填された樹脂18が一つながりになるように、外側輪郭領域226に樹脂18を充填してもよいが、しなくてもよい。また、樹脂18の代わりに、実施形態2に係る半導体装置2のように、封止部20を形成する樹脂が充填されてもよい。
本発明の実施形態5について、図7に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
本発明の実施形態6について、図8に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
本発明の態様1に係る半導体装置(1,2,5,6)は、半導体素子(14)と、支持体(リードフレーム30、ダイパッド部22)と、前記半導体素子を前記支持体に接合する焼結銀(焼結状態である焼結銀ペースト材12)と、前記半導体素子を前記支持体に接合する樹脂(樹脂18、封止部20を形成する樹脂)と、を備え、前記樹脂は、前記半導体素子の輪郭に沿った輪郭領域(223)の少なくとも一部に形成されていることを特徴とする。
12 結銀ペースト材(焼結銀)
14 半導体素子
16、52 薄膜銀
18 樹脂
20 封止部
22 ダイパッド部(支持体)
24 銀メッキ領域
26 アウターリード部
26D ドレイン用リード端子
26G ゲート用リード端子
26S ソース用リード端子
30 リードフレーム(支持体)
32 アルミ線
34 金線
36 インナーリード部
40 ハンダ
50 GaN−HEMT
60 MOS−FET
70 クラック
72 クラック領域
110 領域
142、222 中央領域
144 周辺領域
221 接合領域
223 輪郭領域
224 内側輪郭領域
226 外側輪郭領域
Claims (5)
- 半導体素子と、支持体と、前記半導体素子を前記支持体に接合する焼結銀と、前記半導体素子を前記支持体に接合する樹脂と、を備え、
前記樹脂は、前記半導体素子の輪郭に沿った輪郭領域の少なくとも一部に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記樹脂は、前記半導体素子を封止する樹脂の一部である
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記樹脂は、前記輪郭の内側における前記輪郭に沿う領域の角部に形成されている
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記焼結銀は、前記輪郭の少なくとも1つの辺の中央部から、外側にはみ出るように形成されている
ことを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記樹脂は、前記半導体素子の側面の少なくとも一部を覆う
ことを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の半導体装置。
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