JP2017079330A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 第１の絶縁体上に酸化物半導体を形成し、
   前記第１の絶縁体上および前記酸化物半導体上に第２の絶縁体を成膜し、
   前記第２の絶縁体上に第１の導電体を成膜し、
   前記第１の導電体をエッチングすることで、前記酸化物半導体と重なる領域を有する第２の導電体を形成し、
   前記第２の絶縁体上および前記第２の導電体上に水素含有層を成膜した後、加熱処理を行う半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記水素含有層の形成前に、前記第２の導電体の側面に接する第３の絶縁体を形成する半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第２の絶縁体は酸化シリコンを有する半導体装置の作製方法。
4. 第１の絶縁体上に第１の導電体を形成し、
   前記第１の絶縁体上および前記第１の導電体上に第２の絶縁体を成膜し、
   前記第２の絶縁体上に第１の酸化物半導体および第２の酸化物半導体を形成し、
   前記第２の絶縁体上および前記第１の酸化物半導体上に第３の絶縁体を形成し、
   前記第２の酸化物半導体上および前記第３の絶縁体上に第４の絶縁体を成膜し、
   前記第４の絶縁体上に水素含有層を成膜した後、加熱処理を行う半導体装置の作製方法。
5. 請求項４において、
   前記加熱処理の後、前記水素含有層を除去し、
   前記第４の絶縁体上に第２の導電体を成膜し、
   前記第２の導電体をエッチングすることで、前記第２の酸化物半導体と重なる領域を有する第３の導電体を形成する半導体装置の作製方法。
6. 請求項４において、
   前記加熱処理の後、前記水素含有層をエッチングすることで、前記第２の酸化物半導体と重なる領域を有する水素含有層を形成する半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記水素含有層は、二次イオン質量分析法において水素濃度が１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記水素含有層は、非晶質シリコンを有する半導体装置の作製方法。