JP2017069584A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017069584A JP2017069584A JP2017001812A JP2017001812A JP2017069584A JP 2017069584 A JP2017069584 A JP 2017069584A JP 2017001812 A JP2017001812 A JP 2017001812A JP 2017001812 A JP2017001812 A JP 2017001812A JP 2017069584 A JP2017069584 A JP 2017069584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- wire
- region
- die pad
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/4901—Structure
- H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】パッケージ7の複数のリードのステッチ部3bcは、最表面にAgめっき8bが施された第1領域3bdと、最表面にNiめっき8aが施された第2領域3beとを有しており、さらに第2領域3beがダイパッド3a側に配置され、第1領域3bdは封止体4の周縁部側に配置されている。したがって、各ステッチ部3bcにおいて、第1領域3bdと第2領域3beとで最表面に施すめっきの種類を分けることができ、太いAlワイヤ6bを第2リード3bbの第2領域3beに接続し、細いAuワイヤ6aを第1リード3baの第1領域3bdに接続することができる。その結果、Auめっきのみを使用するということを避けることができ、パッケージ7のコストの低減化を図る。
【選択図】図5
Description
図1は実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す斜視図、図2は図1の半導体装置の表面側の構造の一例を示す平面図、図3は図1の半導体装置の側面側の構造の一例を示す側面図、図4は図1の半導体装置の裏面側の構造の一例を示す裏面図、図5は図1の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。また、図6は図1のA−A線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図7は図1のB−B線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図8は図1のC−C線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図9は図1のD−D線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。さらに、図10は図1のE−E線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図11は図1のA−A線におけるリード断面構造とめっき構造の一例を示す部分断面図および拡大部分断面図、図12は図1のB−B線におけるリード断面構造とめっき構造の一例を示す部分断面図および拡大部分断面図である。
1a 表面(主面)
1b 裏面
1c 電極パッド
1ca 第1電極パッド
1cb 第2電極パッド
2 半導体チップ
2a 表面(主面)
2b 裏面
2c 電極パッド
3 リードフレーム
3a ダイパッド
3aa 上面
3ab 下面
3ac 第1辺
3ad 第2辺
3ae 第3辺
3af 第4辺
3ag 切り欠き部
3ah,3ai 突起部
3aj 凹部
3aja 突起部
3ak V溝
3am 接合部
3b インナリード
3ba 第1リード
3baa,3bab 中心線
3bb 第2リード
3bba 延在部
3bbb 傾斜部
3bc ステッチ部(ワイヤ接合部)
3bd 第1領域
3be 第2領域
3c アウタリード
3d 吊りリード
3e 放熱板
3f タイバー
4 封止体
4a 裏面
5 ダイボンド材
6 ワイヤ
6a Auワイヤ(第1ワイヤ)
6b Alワイヤ(第2ワイヤ)
7 パッケージ(半導体装置)
8a Niめっき(第2めっき)
8b Agめっき(第1めっき)
9 外装めっき
10,11 マスキングテープ
12 クランパ
13,14 パッケージ(半導体装置)
Claims (12)
- 上面および前記上面と反対側の下面を有するダイパッドと、
主面および前記主面と反対側の裏面を有し、前記主面に複数の電極パッドが形成され、かつ前記裏面が前記ダイパッドの前記上面と対向するように前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、
前記ダイパッドの横に並んで配置された複数のリードと、
前記半導体チップの前記複数の電極パッドのうちの第1電極パッドと、前記複数のリードのうちの第1リードとを電気的に接続する第1ワイヤと、
前記第1ワイヤより直径が太く、かつ前記半導体チップの前記複数の電極パッドのうちの第2電極パッドと、前記複数のリードのうちの第2リードとを電気的に接続する第2ワイヤと、
を有し、
前記複数のリードのそれぞれは、前記ダイパッド側の先端にワイヤ接合部を有し、
前記複数のリードのそれぞれの前記ワイヤ接合部は、前記ダイパッド側に配置され、かつ前記第2ワイヤが接続された第2領域と、前記第2領域より前記ダイパッドから離れた位置に配置され、かつ前記第1ワイヤが接続された第1領域とを備え、
前記第2リードの前記ワイヤ接合部の前記第2領域は、前記第1リードの前記ワイヤ接合部の前記第2領域より前記ダイパッドに近づく方向に延びた延在部を有している半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記ダイパッドは、前記ダイパッドの前記第2リードの前記延在部に対向する位置に切り欠き部を有している半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第2リードの前記延在部は、前記ダイパッドの前記切り欠き部と対向する位置に、前記ダイパッドの前記第2リードと対向する辺に平面視で傾斜するように設けられた傾斜部を有している半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記第2ワイヤは、前記延在部の前記傾斜部を横切っている半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記複数のリードから成るリード列の中心に前記ダイパッドを支持する吊りリードが配置され、
前記第1リードの前記ワイヤ接合部の前記第1領域は、前記第1領域の幅方向の中心線が前記第1リードの幅方向の中心線より前記吊りリード側に位置している半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
前記複数のリードから成るリード列と、前記ダイパッドの1辺とが対向して配置されている半導体装置。 - 請求項6に記載の半導体装置において、
前記複数のリードから成るリード列で、前記第2リードは前記リード列の両端に配置されている半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記複数のリードのそれぞれの前記ワイヤ接合部の前記第1領域の最表面に第1めっきが施され、
前記複数のリードのそれぞれの前記ワイヤ接合部の前記第2領域の最表面に第2めっきが施されている半導体装置。 - (a)上面を有するダイパッドと、前記ダイパッドの横に並んで配置され、かつそれぞれ前記ダイパッド側の先端にワイヤ接合部を有する複数のリードとを備えたリードフレームを準備する工程と、
(b)前記(a)工程の後、主面および前記主面に形成された複数の電極パッドを有する半導体チップを前記ダイパッドの前記上面に搭載する工程と、
(c)前記(b)工程の後、前記半導体チップの前記複数の電極パッドのうちの第1電極パッドと、前記複数のリードのうちの第1リードとを第1ワイヤによって電気的に接続し、前記半導体チップの前記複数の電極パッドのうちの第2電極パッドと、前記複数のリードのうちの第2リードとを第2ワイヤによって電気的に接続する工程と、
を有し、
前記複数のリードのそれぞれの前記ワイヤ接合部は、前記ダイパッド側に配置された第2領域と、前記第2領域より前記ダイパッドから離れた位置に配置された第1領域とを備え、
前記第2リードの前記ワイヤ接合部の前記第2領域は、前記第1リードの前記ワイヤ接合部の前記第2領域より前記ダイパッドに近づく方向に延びた延在部を有し、
前記(c)工程において、前記第1ワイヤを前記第1リードの前記第1領域に接続し、前記第2ワイヤを前記第2リードの前記第2領域に接続し、さらに前記第2リードの前記第2領域に前記第2ワイヤを電気的に接続する際に、前記第2リードの前記ワイヤ接合部の前記第2領域の前記延在部をクランパによって押さえた状態で接続する半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のリードのそれぞれの前記ワイヤ接合部の前記第1領域の最表面に第1めっきが施され、
前記複数のリードのそれぞれの前記ワイヤ接合部の前記第2領域の最表面に第2めっきが施されている半導体装置の製造方法。 - 請求項10に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1めっきおよび第2めっきは、前記ダイパッドおよび前記複数のリードを形成する前に、前記リードフレームにストライプめっき方法によって形成されたものである半導体装置の製造方法。 - 請求項11に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1めっきは、Agめっきであり、前記第2めっきは、Niめっきである半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017001812A JP6408038B2 (ja) | 2017-01-10 | 2017-01-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017001812A JP6408038B2 (ja) | 2017-01-10 | 2017-01-10 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012243289A Division JP6121692B2 (ja) | 2012-11-05 | 2012-11-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017069584A true JP2017069584A (ja) | 2017-04-06 |
JP6408038B2 JP6408038B2 (ja) | 2018-10-17 |
Family
ID=58495306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017001812A Active JP6408038B2 (ja) | 2017-01-10 | 2017-01-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6408038B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021199635A1 (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5568646A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Hitachi Ltd | Clamper for ultrasonic bonding |
WO1998024128A1 (fr) * | 1996-11-28 | 1998-06-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semi-conducteur |
JP2000503491A (ja) * | 1996-11-11 | 2000-03-21 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | パワースイッチのためのチップと回路板とのパワー接続部の最適化 |
JP2003209132A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Sanken Electric Co Ltd | リードフレーム組立体及びそれを使用した半導体装置 |
JP2005353976A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Denso Corp | 電子装置 |
JP2007294530A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Sanken Electric Co Ltd | リードフレーム組立体 |
JP2008042100A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びリードフレーム組立体の製法 |
WO2011039795A1 (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-07 | パナソニック株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP2011129875A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-30 | Panasonic Corp | 半導体装置及びそのリードフレーム |
-
2017
- 2017-01-10 JP JP2017001812A patent/JP6408038B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5568646A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Hitachi Ltd | Clamper for ultrasonic bonding |
JP2000503491A (ja) * | 1996-11-11 | 2000-03-21 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | パワースイッチのためのチップと回路板とのパワー接続部の最適化 |
WO1998024128A1 (fr) * | 1996-11-28 | 1998-06-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semi-conducteur |
JP2003209132A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Sanken Electric Co Ltd | リードフレーム組立体及びそれを使用した半導体装置 |
JP2005353976A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Denso Corp | 電子装置 |
JP2007294530A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Sanken Electric Co Ltd | リードフレーム組立体 |
JP2008042100A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びリードフレーム組立体の製法 |
WO2011039795A1 (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-07 | パナソニック株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP2011129875A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-30 | Panasonic Corp | 半導体装置及びそのリードフレーム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021199635A1 (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6408038B2 (ja) | 2018-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6121692B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4388586B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4294161B2 (ja) | スタックパッケージ及びその製造方法 | |
US20200203264A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device | |
JP2002299540A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2012138476A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3470111B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPS60167454A (ja) | 半導体装置 | |
JP6408038B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2569400B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
KR100422608B1 (ko) | 적층칩패키지 | |
JP4764608B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009231322A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100281122B1 (ko) | 반도체패키지 | |
JP2005150294A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH01231333A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05251502A (ja) | フィルムキャリア半導体装置 | |
JP2003338601A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014045161A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2003249619A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20000031818A (ko) | 반도체패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2002064175A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2002280493A (ja) | 半導体装置および装置の製造方法並びに実装構造体 | |
JPH07211741A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170110 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180904 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6408038 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |