JP2014045161A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置の信頼性の向上を図る。
【解決手段】Ｃｕワイヤを用いたワイヤボンディングにおいて、先端部のチャンファ部とフェイス部とを跨がる彫り込み部が、複数個円周上に配列されて形成されたキャピラリを用いる。このキャピラリを用いてワイヤボンディングを行うことで、２ｎｄ側（リード側）のリード側接合部７ｃに、ステッチ接合部７ｅとテール接合部７ｄに跨がる肉厚部７ｆを部分的に設けることができ、リード側接合部７ｃの強度を高められる。さらに、リード側接合部７ｃの強度を高くすることができるため、ワイヤボンディング時の印加エネルギを大きくできる。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、例えば銅（Ｃｕ）ワイヤを用いたＣｕワイヤボンディングに適用して有効な技術に関するものである。

ワイヤボンディングにおいて、先端面が凹凸面を有したキャピラリの構造が、例えば特開平２−１３７３４２号公報（特許文献１）に開示されている。

また、内側傾斜面部が内外二重に面取りされて形成されたキャピラリの構造が、例えば特開平２−１２５６３１号公報（特許文献２）に開示されている。

また、内部に貫通孔を形成する第一の傾斜面及び第一の傾斜面からワイヤ導出口にかけての第二の傾斜面が設けられ、第二の傾斜面のなす角度が第一の傾斜面のなす角度より大きく形成されたキャピラリの構造が、例えば特開平１１−１８６３１５号公報（特許文献３）に開示されている。

また、内側傾斜面と先端面とがなす角部が面取りされたキャピラリの構造が、例えば特開平４−６９９４２号公報（特許文献４）に開示されている。

特開平２−１３７３４２号公報 特開平２−１２５６３１号公報 特開平１１−１８６３１５号公報 特開平４−６９９４２号公報

近年、金（Ａｕ）のコスト高騰によりＣｕワイヤを用いたワイヤボンディングが採用されつつある。しかしながら、Ｃｕワイヤボンディングでは、Ａｕワイヤボンディングに比べてショートテールという不具合が発生し易い。

ショートテールとは、ＣｕがＡｕに比べて「硬い」、「延性が劣る」、「超音波（ＵＳ：ultrasonic）が伝わりにくい」といった性質を保有していることから、２ｎｄ側のワイヤボンディングでステッチを形成した後、ワイヤを引き出す際、ワイヤが途中で切れてしまう不良現象である。

ショートテールが発生すると、ボンディング終了後、キャピラリの先端からワイヤが突出しなくなる。そのため、１ｓｔボール（初期ボール、イニシャルボール）の形成を行うことができなくなり、その結果、ボンディングを連続して行うことができなくなる。

また、Ｃｕワイヤボンディングでは、Ｃｕが上述した性質を有するため、Ａｕワイヤボンディングに比べて印加する荷重と超音波のパワーが大きくなる傾向にある。そのため、ワイヤにダメージ（傷）が形成され易くなり、ショートテールの発生をより加速させる要因となっている。

さらに、Ｃｕワイヤボンディングには、前述のＡｕワイヤボンディングよりもショートテールが発生し易いという課題が存在すると共に、Ｃｕワイヤボンディングは、最適ボンディング条件の範囲が狭く、製造マージンが少ないという別の課題も存在する。

本願において開示される実施の形態の目的は、半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供することにある。

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

一実施の形態の半導体装置の製造方法は、配線部材の第１端子と半導体チップの第１パッドとを第１金属ワイヤにより電気的に接続する工程を有し、さらに、この工程は、キャピラリに超音波を印加して、キャピラリの先端部で第１金属ワイヤの一部を第１端子上に圧着し、第２接続部を形成すると共に第１接続部と第２接続部との間に第１金属ワイヤを形成する工程を有している。また、キャピラリの先端部は、平面視において、ホール部の周囲に配置された第１先端領域と、第１先端領域の周囲に配置された第２先端領域と、を備え、先端部上には、第１先端領域と第２先端領域とに跨る凹部が形成されている。さらに、キャピラリの中心からキャピラリの第２先端領域の周縁部に向かう方向において、凹部が第２先端領域に形成されている部分の長さは、凹部が第１先端領域に形成されている部分の長さよりも長く、かつ凹部が第２先端領域に形成されている部分の長さは、第２先端領域の周縁部から第２先端領域上に位置する凹部の端部までの長さよりも短くなっている。

また、一実施の形態の半導体装置は、第１端子を含む複数の端子が形成された配線部材と、第１パッドを含む複数のパッドが形成され、配線部材の第１主面上に搭載された半導体チップと、配線部材の複数の端子と半導体チップの複数のパッドとをそれぞれ電気的に接続する第１金属ワイヤを含む複数の金属ワイヤと、半導体チップおよび複数の金属ワイヤを封止する封止体と、を有している。さらに、第１金属ワイヤの一端は、半導体チップの第１パッドに接続され、第１金属ワイヤの他端は、配線部材の第１端子に接続されている。さらに、第１金属ワイヤは、第１パッドと接続された第１接続部、第１端子と接続された第２接続部、および第１および第２接続部との間に位置し、第１および第２接続部とに電気的に接続されたワイヤ部を有し、第２接続部は、第１接続領域と、ワイヤ部と第１接続領域との間に位置する第２接続領域と、を有し、第２接続部上には第１接続領域と第２接続領域とを跨る凸部が形成されている。さらに、第１金属ワイヤが第１接続部から第２接続部に向かって張られている方向において、凸部が第２接続領域に形成されている部分の長さは、ワイヤ部と第２接続領域とが接続している境界線から第２接続領域上に位置する凸部の端部までの長さよりも短くなっている。

一実施の形態によれば、例えば、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。

実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。 図１に示す半導体装置の半導体チップとリードの接続状態の一例を示す部分平面図である。 図１に示す半導体装置におけるリード側（２ｎｄ側）のワイヤ接合部の構造の一例を示す拡大部分断面図および拡大部分平面図である。 図１の半導体装置の組み立て手順の一例を示すプロセスフロー図である。 図５の組み立て手順におけるワイヤボンディング方法の一例を示す斜視図である。 図６のワイヤボンディングにおけるボール形成方法の一例を示す斜視図である。 図６のワイヤボンディングで用いられるキャピラリの構造の一例を示す拡大部分断面図である。 図８のキャピラリの先端の構造の一例を示す平面図である。 図９のＡ部の構造を示す拡大部分平面図である。 図６のワイヤボンディングにおける１ｓｔボンディングの一例を示す部分断面図である。 図６のワイヤボンディングの１ｓｔボンディング後のキャピラリ動作の一例を示す部分断面図である。 図６のワイヤボンディングにおける２ｎｄボンディングの一例を示す部分断面図である。 図１３の２ｎｄボンディングの詳細構造を示す拡大部分断面図である。 図１４の２ｎｄボンディング後のキャピラリ動作の一例を示す拡大部分断面図である。 図６の２ｎｄボンディング時のキャピラリのテールカット動作の一例を示す動作説明図である。 図１４の２ｎｄボンディング後のワイヤ接合部（リード側接合部）の構造の一例を示す拡大部分断面図および拡大部分平面図である。 実施の形態のワイヤボンディングによるステッチ側（２ｎｄ側）接合条件とショートテール発生率の関係の一例を示す相関関係図である。 比較例のワイヤボンディングにおけるリード側（２ｎｄ側）のワイヤ接合部の構造を示す拡大部分断面図および拡大部分平面図である。 図７のワイヤボンディングにおける超音波印加方向の一例を示す部分平面図である。 図２０のＡ部における肉厚部の平面視の形状の一例を示す部分平面図である。 図２１の超音波印加方向と肉厚部の平面視の形状の関係の一例を示す断面図および平面図である。 図２０のＢ部における肉厚部の平面視の形状の一例を示す部分平面図である。 図２３の超音波印加方向と肉厚部の平面視の形状の関係の一例を示す断面図および平面図である。 実施の形態のリード側（２ｎｄ側）のワイヤ接合部の構造の第１変形例を示す部分平面図である。 実施の形態のリード側（２ｎｄ側）のワイヤ接合部の構造の第２変形例を示す部分平面図である。 実施の形態の半導体装置の構造の第３変形例を示す断面図である。

以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。

また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲等についても同様である。

以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。

（実施の形態）
図１は実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図３は図１の半導体装置の半導体チップとリードの接続状態の一例を示す部分平面図、図４は図１に示す半導体装置における２ｎｄ側のワイヤ接合部の構造の一例を示す拡大部分断面図および拡大部分平面図である。

図１〜図３に示す本実施の形態の半導体装置は、後述する図５に示すリードフレーム（配線部材）３を用いて組み立てられるフレームタイプの半導体パッケージ（リード品）であり、本実施の形態では、前記半導体装置の一例として、樹脂封止型のＱＦＰ（Quad Flat Package)８を取り上げ、このＱＦＰ８の構造とその製造方法について説明する。

まず、図１〜図３を用いてＱＦＰ８の構造について説明すると、半導体集積回路が形成された半導体チップ１と、半導体チップ１の周囲に放射状に配置された複数のリード３ｂを有している。なお、複数のリード３ｂのそれぞれは、インナーリード（第１端子）３ｂａと、インナーリード３ｂａと一体に形成されたアウターリード３ｂｂとから構成されている。さらに、複数のリード３ｂのそれぞれのインナーリード３ｂａは、半導体チップ１の主面（表面）１ａの周縁部に形成された複数の電極パッド（パッド）１ｃのそれぞれと複数のワイヤ７を介して電気的に接続されている。

さらに、ＱＦＰ８は、図２に示すように、銀ペースト等のダイボンド材６を介して半導体チップ１が固定されたチップ搭載部（ダイパッド、タブ）３ａと、樹脂封止によって封止用樹脂等から形成され、かつ半導体チップ１、チップ搭載部３ａ、複数のワイヤ７、および複数のインナーリード３ｂａを封止する封止体４を有している。

また、複数のインナーリード３ｂａそれぞれと一体に形成された複数のアウターリード３ｂｂは、図１に示すように、封止体４の側面から外部に向かって４方向に突出しており、各アウターリード３ｂｂは、ガルウィング状に曲げ成形されている。

なお、図２に示すように、ＱＦＰ８はワイヤボンディングタイプであるため、チップ搭載部３ａ上に搭載された半導体チップ１は、その主面（表面）１ａを上方に向けてリードフレーム３のチップ搭載部３ａの上面（第１主面、表面）３ａａ上に搭載されており、チップ搭載部３ａの上面３ａａと半導体チップ１の裏面１ｂとがダイボンド材６を介して接合されている。さらに、前述の通り、半導体チップ１の主面１ａに形成された複数の電極パッド１ｃが、それぞれワイヤ７を介してインナーリード３ｂａと電気的に接続されており、これによって、半導体チップ１と、インナーリード３ｂａおよび外部端子となるアウターリード３ｂｂとが電気的に接続されている。

なお、複数のワイヤ７は、例えば、金（Ａｕ）ワイヤや銅（Ｃｕ）ワイヤ等が挙げられるが、本実施の形態では、ワイヤ７が銅ワイヤの場合について説明する。

ここでは、リードフレーム３の複数のインナーリード３ｂａと半導体チップ１の複数の電極パッド１ｃとが、ワイヤ（第１金属ワイヤ）７ａを含む複数のワイヤ７によってそれぞれ電気的に接続されている。

なお、ワイヤ７ａの一端は、半導体チップ１の電極パッド１ｃのうちの電極パッド（第１パッド）１ｃａに電気的に接続されている。一方、ワイヤ７ａの他端は、リードフレーム３のインナーリード３ｂａに電気的に接続されている。

そこで、ワイヤ７ａは、電極パッド１ｃａと接続された図３の１ｓｔ側のボール部（第１接続部）７ｂと、インナーリード３ｂａと接続されたリード側（２ｎｄ側）の接合部である図４のリード側接合部（第２接続部）７ｃと、ボール部７ｂおよびリード側接合部７ｃとの間に位置し、かつボール部７ｂおよびリード側接合部７ｃとに電気的に接続されたワイヤ部７ｇとを有している。

また、インナーリード３ｂａ、アウターリード３ｂｂおよびチップ搭載部３ａは、例えば銅合金や鉄−ニッケル合金等から成る薄板状の部材によって形成され、さらに封止体４は、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂等から成り、樹脂封止によって形成されたものである。封止体４は、例えば図５に示すような樹脂成形金型１３によって形成されるものであり、リードフレーム３の一部であるインナーリード３ｂａ、チップ搭載部３ａ、半導体チップ１、および複数のワイヤ７を封止している。

本実施の形態のＱＦＰ８では、図４に示すように、ワイヤ７ａのリード側接合部７ｃは、第１接続領域であるテール接合部７ｄと、ワイヤ部７ｇとテール接合部７ｄとの間に位置する第２接続領域であるステッチ接合部７ｅとを有している。すなわち、２ｎｄ側のワイヤボンディングによって形成されるリード側接合部７ｃは、テール接合部７ｄとステッチ接合部７ｅを有している。

さらに、リード側接合部７ｃ上には、テール接合部７ｄとステッチ接合部７ｅとに跨る肉厚部（凸部）７ｆが形成されている。

すなわち、ワイヤ７ａがテール接合部７ｄからステッチ接合部７ｅに向かって張られているワイヤリング方向７ｈにおいて、厚さが厚い肉厚部７ｆがテール接合部７ｄとステッチ接合部７ｅに跨がって形成されている。ここで、肉厚部７ｆは、ワイヤリング方向７ｈと交差する方向の肉厚部７ｆの両側の箇所（Ｂ部）の厚さＴ２に比べてその厚さ（Ｔ１：肉厚部７ｆを含んだ接合部の厚さ）が厚く形成されているものであり、Ｔ１＞Ｔ２となっている。

また、肉厚部７ｆがステッチ接合部７ｅに形成されている部分の長さＬ１は、ワイヤ部７ｇとステッチ接合部７ｅとが接続している境界線７ｉからステッチ接合部７ｅ上に位置する肉厚部７ｆの端部までの長さＬ３よりも短い（Ｌ１＜Ｌ３）。

別の表現をすると、ワイヤリング方向７ｈにおける肉厚部７ｆのステッチ接合部７ｅ上での長さＬ１は、ワイヤリング方向７ｈにおけるステッチ接合部７ｅ上での肉厚部７ｆの端部からステッチ接合部７ｅの端までの長さＬ３よりも短い（Ｌ１＜Ｌ３）。

つまり、ステッチ接合部７ｅ上における平面視で、肉厚部７ｆの面積に比べて、肉厚部７ｆが形成されていない領域の面積は遥かに大きい。

また、肉厚部７ｆがステッチ接合部７ｅに形成されている部分の長さＬ１は、肉厚部７ｆがテール接合部７ｄに形成されている部分の長さＬ２よりも長い（Ｌ１＞Ｌ２）。言い換えると、ワイヤリング方向７ｈにおける肉厚部７ｆのステッチ接合部７ｅ上での長さＬ１は、肉厚部７ｆのテール接合部７ｄ上での長さＬ２よりも長い（Ｌ１＞Ｌ２）。

つまり、ステッチ接合部７ｅとテール接合部７ｄに跨がる肉厚部７ｆは、平面視で、テール接合部７ｄ側よりもステッチ接合部７ｅ側が大きく（長く）なるように形成されている。

なお、肉厚部７ｆは、ワイヤボンディングのリード側（２ｎｄ側）のボンディングの際に、後述する図８に示すキャピラリ１１の先端部１１ａに設けられた凹部によって形成されるものである。

また、図４に示すように、本実施の形態の肉厚部７ｆは、平面視でワイヤリング方向７ｈに沿った方向が長軸となるような楕円形に形成されており、１つのリード側接合部７ｃ上に複数個（ここでは３個）の楕円形の肉厚部７ｆが形成されている。

このようにテール接合部７ｄとステッチ接合部７ｅを備えたリード側接合部７ｃにおいて、両接合部に跨がるように肉厚部７ｆが形成されていることにより、リード側接合部７ｃの強度を高めることができ、ワイヤ７ａを切れにくくすることができる。

なお、肉厚部７ｆの平面視の形状は、楕円形に限定されるものではなく、その他の形状であってもよい。また、肉厚部７ｆの数も３個に限定されるものではなく、３個以外の複数個であってもよく、また１個であってもよい。肉厚部７ｆを１個でも設ければ、肉厚部７ｆを全く設けない場合に比べて、リード側接合部７ｃの強度を確実に高めることができ、ワイヤ７ａを切れにくくすることができる。さらに、肉厚部７ｆを複数個設けることにより、１個設ける場合に比べて強度を高めた部分が増えるので、ワイヤ７ａをさらに切れにくくすることができる。

次に、本実施の形態の半導体装置（ＱＦＰ８）の組み立て手順を、図５に示す製造フロー図に沿って説明する。

図５は図１の半導体装置の組み立て手順の一例を示すプロセスフロー図、図６は図５の組み立て手順におけるワイヤボンディング方法の一例を示す斜視図、図７は図６のワイヤボンディングにおけるボール形成方法の一例を示す斜視図である。また、図８は図６のワイヤボンディングで用いられるキャピラリの構造の一例を示す拡大部分断面図、図９は図８のキャピラリの先端の構造の一例を示す平面図、図１０は図９のＡ部の構造を示す拡大部分平面図である。さらに、図１１は図６のワイヤボンディングにおける１ｓｔボンディングの一例を示す部分断面図、図１２は図６のワイヤボンディングの１ｓｔボンディング後のキャピラリ動作の一例を示す部分断面図、図１３は図６のワイヤボンディングにおける２ｎｄボンディングの一例を示す部分断面図、図１４は図１３の２ｎｄボンディングの詳細構造を示す拡大部分断面図である。

また、図１５は図１４の２ｎｄボンディング後のキャピラリ動作の一例を示す拡大部分断面図、図１６は図６の２ｎｄボンディング時のキャピラリのテールカット動作の一例を示す動作説明図、図１７は図１４の２ｎｄボンディング後のリード側接合部の構造の一例を示す拡大部分断面図および拡大部分平面図である。さらに、図１８は実施の形態のワイヤボンディングによるステッチ側（２ｎｄ側）接合条件とショートテール発生率の関係の一例を示す相関関係図、図１９は比較例のワイヤボンディングにおける２ｎｄ側のワイヤ接合部の構造を示す拡大部分断面図および拡大部分平面図である。

まず、図５のステップＳ１に示すダイシングを行って良品の半導体チップ１を取得する。

その後、ステップＳ２に示すダイボンドを行う。まず、図２に示すような複数のリード（端子、第１端子）３ｂとチップ搭載部３ａを有する図５のリードフレーム（配線部材）３を準備し、その後、チップ搭載部３ａの上面３ａａ上に半導体チップ１を搭載する。

ここでは、図３に示すように主面１ａに複数の電極パッド（第１パッド）１ｃが形成された半導体チップ１を、図５のリードフレーム３のチップ搭載部３ａの上面３ａａ上に、図２に示すダイボンド材６を介して搭載する。すなわち、半導体チップ１の裏面１ｂとチップ搭載部３ａの上面３ａａとをダイボンド材６によって接合する。

その後、ステップＳ３に示すワイヤボンドを行う。すなわち、図２に示すように、半導体チップ１の主面１ａの電極パッド１ｃと、これに対応するリードフレーム３のインナーリード３ｂａとをワイヤ７（７ａ）によって電気的に接続する。なお、ワイヤ７は、例えば、ＣｕワイヤやＡｕワイヤであるが、ここではＣｕワイヤの場合を説明する。

ワイヤボンド工程では、図６に示すように、超音波ホーン１２の先端に設けられたキャピラリ１１内にワイヤ７を通した状態で半導体チップ１の電極パッド１ｃに１ｓｔ側のボンディングを行い、その後、インナーリード３ｂａに対して２ｎｄ側のボンディングを行って半導体チップ１の電極パッド１ｃとインナーリード３ｂａとを電気的に接続する。

この時、１ｓｔ側のワイヤボンディングでは、図７に示すように、まず、トーチ１６によって放電１６ａを行ってワイヤ７の先端にボール（初期ボール、イニシャルボール）７ｊを形成し、その後、ワイヤボンディングを行う。

ここで、本実施の形態で用いるキャピラリ１１の構造について説明する。キャピラリ１１は、主にセラミックスや工業用ルビーを研削したものからなる。図８に示すようにキャピラリ１１の先端部１１ａには、図４に示すワイヤ７を通し、かつ最も小さい孔径となるホール部１１ｂと、ホール部１１ｂの周囲に配置され、かつワイヤ７のテール接合部７ｄを形成するチャンファ部（第１先端領域）１１ｃと、チャンファ部１１ｃの周囲に配置され、かつワイヤ７のステッチ接合部７ｅを形成するフェイス部（第２先端領域）１１ｄとが形成されている。

つまり、図９、図１０示すように、キャピラリ１１の先端部１１ａには、平面視において、ホール部１１ｂがほぼ先端部１１ａの中心に配置され、ホール部１１ｂの周囲を囲うようにチャンファ部（第１先端領域、テール接合部形成領域、第１接続領域形成部（第１接続領域を形成する部分））１１ｃが形成・配置されている。さらに、チャンファ部１１ｃの周囲を囲うようにフェイス部（第２先端領域、ステッチ接合部形成領域、第２接続領域形成部（第２接続領域を形成する部分））１１ｄが形成・配置されている。

なお、図８に示すように、チャンファ部１１ｃは、キャピラリ１１の断面視において、テーパ形状となっており、図４に示すテール接合部７ｄのテーパ部分を形成する部分である。

また、図９、図１０に示すように、キャピラリ１１の先端部１１ａ上には、チャンファ部１１ｃとフェイス部１１ｄとを跨がる凹部である彫り込み部（肉厚部形成部、凸部形成部）１１ｅが、複数個円周上に配列されて形成されている。

なお、彫り込み部１１ｅは、平面視の形状が、キャピラリ１１のホール部１１ｂの直径方向１１ｆに沿った方向の長軸を有する楕円形状となっている。

また、キャピラリ１１の中心１１ｇからキャピラリ１１の周縁部に向かう直径方向１１ｆ（ホール部１１ｂの直径方向１１ｆ）において、図１０に示すように彫り込み部１１ｅがフェイス部１１ｄに形成されている部分の長さＭ１は、彫り込み部１１ｅがチャンファ部１１ｃに形成されている部分の長さＭ２よりも長くなるように形成されている（Ｍ１＞Ｍ２）。

さらに、彫り込み部１１ｅがフェイス部１１ｄに形成されている部分の長さＭ１は、フェイス部１１ｄの周縁部からフェイス部１１ｄ上に位置する彫り込み部１１ｅの端部までの長さＭ３よりも短くなるように形成されている（Ｍ１＜Ｍ３）。

すなわち、２ｎｄボンディングにおいて、キャピラリ１１の先端部１１ａでワイヤ７をインナーリード３ｂａに押し付けた際に、先端部１１ａに凹状の彫り込み部１１ｅが形成されているため、図４に示すようにステッチ接合部７ｅとテール接合部７ｄとに跨がって肉厚部７ｆを形成することができる。さらに、ステッチ接合部７ｅ上における平面視で肉厚部７ｆの面積に比べて、肉厚部７ｆが形成されていない領域の面積を遥かに大きく形成することができる。

ワイヤボンディングでは、まず、図１１に示すようにチップ側（１ｓｔ側）のボンディングを行う。

その際、まず、図７に示すように、トーチ１６によって放電１６ａを行ってワイヤ７の先端にボール７ｊを形成する。その後、キャピラリ１１の図８のホール部１１ｂから突出したワイヤ７の一部である上記ボール７ｊを、半導体チップ１の電極パッド１ｃａ上に接続し、図１１に示すようにボール部（第１接続部）７ｂを形成する。

その後、図１２に示すように、キャピラリ１１を上方に移動させ、キャピラリ１１の上記ホール部１１ｂからワイヤ７を引き出す。

さらに、キャピラリ１１をインナーリード（第１端子）３ｂａに向けて降下させ、図１３に示すように、ワイヤ７の一部をキャピラリ１１の上記先端部１１ａでインナーリード３ｂａ上に押し付ける。この状態でキャピラリ１１に超音波を印加することで、キャピラリ１１の上記先端部１１ａによりワイヤ７（７ａ）の一部をインナーリード３ｂａ上に圧着し、図４に示すようなリード側接合部（第２接続部）７ｃを形成するとともに、上記ボール部７ｂと上記リード側接合部７ｃとの間にワイヤ（第１金属ワイヤ）７ａを形成する。

この時、２ｎｄ側（リード側）のワイヤボンディングでは、キャピラリ１１の先端部１１ａでワイヤ７をインナーリード３ｂａに対して押圧した際に、キャピラリ１１の先端部１１ａに彫り込み部１１ｅが形成されているため、図１４、図１５に示すように、ワイヤ７のリード側接合部７ｃに、ステッチ接合部７ｅとテール接合部７ｄに跨がる肉厚部７ｆが彫り込み部１１ｅによって形成される。

すなわち、キャピラリ１１の先端部１１ａの彫り込み部１１ｅとインナーリード３ｂａとの間にワイヤ７が位置するようにキャピラリ１１を配置し、その後、キャピラリ１１の先端部１１ａをインナーリード３ｂａに押し付けることにより、肉厚部７ｆおよびリード側接合部７ｃを形成してワイヤ７をインナーリード３ｂａに接合する。

ワイヤ７を接合した後、図１５に示すように、キャピラリ１１を上昇させてキャピラリ１１のホール部１１ｂからワイヤ７を引き出し、ワイヤ７をリード側接合部７ｃから切断する。

ここで、図１６に示すキャピラリ１１のテールカット動作について説明する。

２ｎｄ側（リード側）の接合完了後、クランパ１７を開放した状態でキャピラリ１１を引き上げてワイヤ７（テール）を出す（Ａ：引き上げ）。その後、クランパ１７を閉じてワイヤ７をクランプし（Ｂ：クランプ）、クランパ１７によってワイヤ７を上方に引き上げることで、ワイヤ７をテール接合部７ｄから切断する（Ｃ：引き上げ（切断））。

以上、本実施の形態の２ｎｄ側のワイヤボンディングでは、ボンディング後、図１７に示すように、インナーリード３ｂａ上に形成されたリード側接合部７ｃにおいて、ステッチ接合部７ｅとテール接合部７ｄとに跨がる位置に、平面視が楕円形を成す肉厚部７ｆが形成される。

ここで、肉厚部７ｆは、ワイヤリング方向７ｈと交差する方向の肉厚部７ｆの両側の箇所（Ｂ部）の厚さＴ２に比べてその厚さ（Ｔ１：肉厚部７ｆを含んだ接合部の厚さ）が厚く形成されているものであり、Ｔ１＞Ｔ２となっている。

また、肉厚部７ｆは、平面視でワイヤリング方向７ｈに沿った方向が長軸となるような楕円形に形成されており、本実施の形態では、１つのリード側接合部７ｃ上に複数個（ここでは３個）の楕円形の肉厚部７ｆが形成されている。ただし、肉厚部７ｆの平面視の形状は、楕円形に限定されるものではなく、またその数も３個に限定されるものではなく、３個以外の複数個であってもよく、また１個であってもよい。

また、肉厚部７ｆがステッチ接合部７ｅに形成されている部分の長さＬ１は、ワイヤ部７ｇとステッチ接合部７ｅとが接続している境界線７ｉからステッチ接合部７ｅ上に位置する肉厚部７ｆの端部までの長さＬ３よりも短い（Ｌ１＜Ｌ３）。

別の表現をすると、ワイヤリング方向７ｈにおける肉厚部７ｆのステッチ接合部７ｅ上での長さＬ１は、ワイヤリング方向７ｈにおけるステッチ接合部７ｅ上での肉厚部７ｆの端部からステッチ接合部７ｅの端までの長さＬ３よりも短い（Ｌ１＜Ｌ３）。

つまり、ステッチ接合部７ｅ上における平面視で、肉厚部７ｆの面積に比べて、肉厚部７ｆが形成されていない領域の面積は遥かに大きい。

また、肉厚部７ｆがステッチ接合部７ｅに形成されている部分の長さＬ１は、肉厚部７ｆがテール接合部７ｄに形成されている部分の長さＬ２よりも長い（Ｌ１＞Ｌ２）。言い換えると、ワイヤリング方向７ｈにおける肉厚部７ｆのステッチ接合部７ｅ上での長さＬ１は、肉厚部７ｆのテール接合部７ｄ上での長さＬ２よりも長い（Ｌ１＞Ｌ２）。

つまり、ステッチ接合部７ｅとテール接合部７ｄに跨がる肉厚部７ｆは、平面視で、テール接合部７ｄ側よりもステッチ接合部７ｅ側が大きく（長く）なるように形成されている。

このようにテール接合部７ｄとステッチ接合部７ｅを含むリード側接合部７ｃにおいて、両方に跨がるように肉厚部７ｆが形成され、かつ肉厚部７ｆにおいてはステッチ接合部７ｅ側が大きくなるように形成されたことにより、ステッチ接合部７ｅの接合力を高めることができるとともに、テール接合部７ｄを含むリード側接合部７ｃの強度を高めることができる。

また、本実施の形態の主な特徴は、ステッチ接合部７ｅにおいて、平面視で広い面積に亘って肉厚化を行わず、肉厚部７ｆを１個もしくは複数個に分割して設けている点にある。その理由について説明する。ステッチ接合部７ｅにおいて、平面視で広い面積に亘って肉厚化を行った場合、ワイヤボンディング時の超音波の伝達が低下し、ステッチ接合部７ｅの接合力が低下する場合がある。しかしながら、本実施の形態の主な特徴のように、ステッチ接合部７ｅの一部のみを肉厚化することにより、広い面積に亘って肉厚化を行った場合に比べて超音波の伝達が阻害されることが少なくなるので、ステッチ接合部７ｅの接合強度を高く保ち、ワイヤ７を切れにくくすることができる。さらに、リード側接合部７ｃ全体の強度が高くなったことで、超音波印加時の印加エネルギも大きくすることが可能となり、テール接合部７ｄの接合性も高めることができる。このことは、冒頭で説明したＣｕワイヤボンディングは、最適ボンディング条件の範囲が狭く、製造マージンが少ないという課題についても解決することを意味し、最適ボンディング条件の範囲を広げ、製造マージンを大きく確保することができるようになる。

ここで、図１８を用いて、図１７の肉厚部７ｆが設けられたリード側接合部７ｃと、図１９の肉厚部が設けられていない比較例のリード側接合部１８とで、２ｎｄ側のワイヤボンディングの接合条件（ステッチ側接合条件）の範囲について説明する。

図１８はその横軸が荷重や超音波等のステッチ側接合条件であり、また縦軸がショートテールの発生率（線分Ｉ）を示すものである。すなわち、荷重・超音波は小さ過ぎてもショートテールが発生し（Ｄ領域）、大き過ぎてもショートテールが発生する（Ｅ領域またはＧ領域）。

なお、ショートテールの発生については、テール接合性不足と、荷重・超音波印加時のワイヤダメージが主の要因と考えられている。そのうち、テール接合性不足については、銅（Ｃｕ）は金（Ａｕ）に比べて合金生成速度が遅いため、途中で切れ易い。これは図１８の領域Ｄに相当し、荷重・超音波が小さ過ぎる場合に起こるテール接合性不足が原因である。図１７に示すテール接合部７ｄがインナーリード３ｂａに対してしっかりと接合していないと、ワイヤ７のテール部分を十分に引き出せない。

つまり、テール接合部７ｄがしっかりとインナーリード３ｂａと接合していないと、キャピラリ１１とワイヤ７の摩擦抵抗により、キャピラリ１１を引き上げた時にワイヤ７が切れてショートテールとなってしまう。ショートテールが発生すると、２ｎｄ側の接合を行ってキャピラリ１１の引き上げ動作を行った際に、キャピラリ１１の先端部１１ａに突出するワイヤ７の長さが十分得られず、次のワイヤボンディングのためのボール形成ができずに連続ボンディングが不可能になってしまう。

そこで、テール接合性不足を解消するためには、荷重・超音波の条件（印加エネルギ）を大きくする必要がある。

一方、ワイヤダメージについては、銅（Ｃｕ）が金（Ａｕ）に比べて延性に劣るため、ワイヤが脆く、かつ切れ易い。これは、図１８の領域Ｅに相当し、荷重・超音波が大き過ぎる場合に起こるワイヤへのダメージが原因である。

つまり、ショートテールの発生を抑えるために、荷重・超音波の条件（印加エネルギ）を大きくし過ぎると、ワイヤダメージを引き起こすことになる。

したがって、図１９の比較例のリード側接合部１８の場合には、荷重・超音波のステッチ側接合条件は、小さ過ぎても、大き過ぎてもショートテールの原因となるため、荷重・超音波の最適条件が領域Ｄと領域Ｅの間のＦの範囲となり、その範囲が非常に狭く、マージンが少ない。

これに対して、図１７に示す本実施の形態のリード側接合部７ｃでは、部分的に肉厚部７ｆを設けたことにより、リード側接合部７ｃの強度を高めることができ、その結果、ワイヤ７を切れにくくすることができる。すなわち、ステッチ接合部７ｅとテール接合部７ｄとに跨がり、かつ部分的な箇所に肉厚部７ｆを設けたことにより、切れてほしくない箇所、つまりステッチ接合部７ｅとテール接合部７ｄの境界線の強度を高めることができる。

これにより、ワイヤダメージに対してマージンを広げることができる。つまり、ワイヤダメージを受けにくくすることができる（ワイヤダメージの発生領域を領域Ｅから領域Ｇに狭くすることができる）。

また、リード側接合部７ｃの強度が高まるため、荷重・超音波の印加エネルギを大きくすることができる。これにより、銅の合金生成速度を速めることができ、テール接合性不足を解消することができる。

したがって、荷重・超音波の印加エネルギを大きくすることができ、その結果、荷重・超音波が大きいことによるショートテール発生の領域がＧとなり、Ｇ＜Ｅであるため、図１７の本実施の形態のリード側接合部７ｃの場合には、荷重・超音波の最適条件がＨの範囲となり、Ｆ＜Ｈであるため、荷重・超音波の最適条件を広くすることができる。

なお、ステッチ接合部７ｅにおける肉厚部７ｆ以外の領域は、図１７のワイヤリング方向７ｈにおける肉厚部７ｆのステッチ接合部７ｅ上での長さＬ１と、ステッチ接合部７ｅ上での肉厚部７ｆの端部からステッチ接合部７ｅの端までの長さＬ３の関係（Ｌ３＞Ｌ１）から、広い面積で肉厚化されていない。つまり、ステッチ接合部７ｅにおいては、広い面積で肉厚化されていない領域が存在しており、これにより、ワイヤボンディング時の超音波を十分に伝播することができる。

以上により、ワイヤボンド工程を終了する。

ワイヤボンド終了後、図５のステップＳ４に示すモールドを行う。本実施の形態のモールド工程では、上金型１４と下金型１５の両方にキャビティ１４ａ，１５ａが形成された樹脂成形金型１３を用いて樹脂封止（モールド）を行う。

モールド工程では、リードフレーム３の一部であるチップ搭載部３ａや複数のインナーリード３ｂａ、さらに半導体チップ１および複数のワイヤ７（７ａ）をキャビティ１４ａ，１５ａに配置した後、絶縁樹脂１０をキャビティ１４ａ，１５ａに充填し、その後、絶縁樹脂１０を硬化させてこれらの部材を封止する封止体４を形成する。

樹脂モールド完了後、図５のステップＳ５のマークを行って目的とするマークを封止体４に付し、その後、ステップＳ６の個片カットを行ってＱＦＰ８の組み立て完了となる。なお、個片カットの際には各アウターリード３ｂｂの切断を行った後、ガルウィング形状となるようにアウターリード３ｂｂの曲げ成形を行う。

本実施の形態の半導体装置（ＱＦＰ８）の製造方法および半導体装置によれば、２ｎｄ側（リード側）のワイヤボンディングにおいて、ステッチ接合部７ｅとテール接合部７ｄに跨がる肉厚部７ｆを部分的に設けることにより、リード側接合部７ｃの強度を高めることができ、ワイヤ７（７ａ）を切れにくくすることができる。

さらに、リード側接合部７ｃの強度を高くすることができるため、ワイヤボンディング時の荷重・超音波の印加エネルギを大きくすることができる。

これにより、銅（Ｃｕ）の合金生成速度を速くすることができ、テール接合部７ｄの接合性を高めることができる。

したがって、ワイヤボンディング時の荷重・超音波の最適条件の範囲を広げることができる。すなわち、ワイヤボンディング時の荷重・超音波の最適条件のマージンを増やすことができる。

なお、ステッチ接合部７ｅにおける肉厚部７ｆと肉厚部７ｆ以外の領域とのワイヤリング方向７ｈの長さの関係が、図１７に示すＬ３＞Ｌ１であることから、ステッチ接合部７ｅにおいて広い面積で肉厚化されていない領域が存在しており、これにより、ワイヤボンディング時の超音波を十分に伝播することができる。

すなわち、本実施の形態のＱＦＰ８の組み立てにおけるワイヤボンディング（２ｎｄ側）では、超音波を確実に伝えることができるとともに、リード側接合部７ｃの接合強度も高めることができる。

以上により、ワイヤボンディングにおいてショートテールが発生しにくくなるため、ＱＦＰ（半導体装置）８の信頼性を向上させることができる。

また、ショートテールが発生しにくくなるため、２ｎｄ側のワイヤボンディング後、キャピラリ１１の引き上げ動作を行った際に、キャピラリ１１の先端部１１ａに飛び出すワイヤ７の長さを十分得ることができる。

これにより、キャピラリ１１から飛び出したワイヤ７の先端に次のワイヤボンディングのためのボール７ｊを形成することができ、その結果、連続ボンディングを行うことができる。

次に、本実施の形態のワイヤボンディングにおける超音波の印加方向と肉厚部の形状の関係について説明する。

図２０は図７のワイヤボンディングにおける超音波印加方向の一例を示す部分平面図、図２１は図２０のＡ部における肉厚部の平面視の形状の一例を示す部分平面図、図２２は図２１の超音波印加方向と肉厚部の平面視の形状の関係の一例を示す断面図および平面図である。また、図２３は図２０のＢ部における肉厚部の平面視の形状の一例を示す部分平面図、図２４は図２３の超音波印加方向と肉厚部の平面視の形状の関係の一例を示す断面図および平面図である。

図２０に示すように、平面視が略四角形の半導体チップ１は、第１方向１９に延びる第１辺１ｄと、第１方向１９に直交する（交差する）方向の第２方向２０に延びる第２辺１ｅとを有している。

また、主面１ａには、その周縁部に沿って複数の電極パッド１ｃが形成されており、これら複数の電極パッド１ｃは、複数の電極パッド（第１パッド）１ｃａと複数の電極パッド（第２パッド）１ｃｂを含んでいる。

また、複数の電極パッド１ｃｂのそれぞれには、複数のワイヤ（第２金属ワイヤ）７ａａのそれぞれの一端が接続され、一方、複数のワイヤ７ａａのそれぞれの他端が複数のインナーリード（第２端子）３ｂｃのそれぞれに接続されている。

なお、複数のワイヤ７ａａのそれぞれは、電極パッド１ｃｂのそれぞれと接続されたボール部７ｂ、複数のインナーリード３ｂｃのそれぞれと接続されたリード側接合部７ｃ、およびボール部７ｂとリード側接合部７ｃの間に位置し、かつボール部７ｂとリード側接合部７ｃに電気的に接続されたワイヤ部７ｇを有している（図１３、図１４参照）。

また、図２１に示すように、リード側接合部７ｃは、テール接合部７ｄと、ワイヤ部７ｇとテール接合部７ｄとの間に位置するステッチ接合部７ｅとを有しており、リード側接合部７ｃ上にはテール接合部７ｄとステッチ接合部７ｅとを跨がる肉厚部７ｆが形成されている。

ここで、複数の電極パッド１ｃａのそれぞれは、第１辺１ｄに沿って配置されており、さらに複数のインナーリード（第１端子）３ｂｃのそれぞれは、平面視において複数のワイヤ（第１金属ワイヤ）７ａのそれぞれが第１辺１ｄと重なる（交差する）ように配置されている。

また、複数の電極パッド１ｃｂのそれぞれは、第２辺１ｅに沿って配置されており、さらに複数のインナーリード３ｂｃのそれぞれは、平面視において複数のワイヤ７ａａのそれぞれが第２辺１ｅと重なる（交差する）ように配置されている。

このような半導体チップ１と各インナーリードと各ワイヤの配置関係において、図２１に示す第１方向１９におけるワイヤ７ａの肉厚部７ｆの幅Ｂ１は、図２３に示す第２方向２０におけるワイヤ７ａａの肉厚部７ｆの幅Ｂ２よりも狭い（Ｂ１＜Ｂ２）。

これは、図２２に示すように、超音波の印加方向１２ａに対してキャピラリ１１が振幅動作するため、キャピラリ１１の彫り込み部１１ｅの内壁部１１ｈ（図２２参照）によって肉厚部７ｆの端部が引きずられて肉厚部７ｆの両側に引きずり痕７ｋが形成される。彫り込み部１１ｅの幅は一定であるため、内壁部１１ｈによって引きずられた分、肉厚部７ｆの幅は超音波の印加方向１２ａに対して小さくなる。

一方、図２１に示す第２方向２０におけるワイヤ７ａの肉厚部７ｆの幅Ａ１は、図２３に示す第１方向１９におけるワイヤ７ａａの肉厚部７ｆの幅Ａ２よりも広い（Ａ１＞Ａ２）。

これは、図２４に示すように、超音波の印加方向１２ａに対してキャピラリ１１が振幅動作し、同様にキャピラリ１１の彫り込み部１１ｅの片側の内壁部１１ｈによって肉厚部７ｆの片側の端部のみが引きずられて肉厚部７ｆの片側のみに引きずり痕７ｋが形成される。この場合、超音波の印加方向１２ａに対して、キャピラリ１１の彫り込み部１１ｅの片側（図８のキャピラリ１１のホール部１１ｂ側）は、ホール部１１ｂに向けて開口しているため、上記内壁部１１ｈが形成されておらず、引きずり痕７ｋは形成されない。したがって、引きずり痕７ｋは、肉厚部７ｆの超音波の印加方向１２ａの片側にしか形成されない。

なお、図１７に示す肉厚部７ｆがステッチ接合部７ｅに形成されている部分の長さＬ１は、肉厚部７ｆがテール接合部７ｄに形成されている部分の長さＬ２よりも長い（Ｌ１＞Ｌ２）。ただし、キャピラリ１１の振幅の大きさ等に起因して引きずり痕７ｋの大きさの影響により、肉厚部７ｆがステッチ接合部７ｅに形成されている部分の長さＬ１は、肉厚部７ｆがテール接合部７ｄに形成されている部分の長さＬ２以下となってもよい（Ｌ１≦Ｌ２）。

次に、本実施の形態の変形例について説明する。

図２５は実施の形態の２ｎｄ側のワイヤ接合部の構造の第１変形例を示す部分平面図、図２６は実施の形態の２ｎｄ側のワイヤ接合部の構造の第２変形例を示す部分平面図、図２７は実施の形態の半導体装置の構造の第３変形例を示す断面図である。

図２５に示す第１変形例は、ワイヤ７のリード側接合部７ｃのステッチ接合部７ｅとテール接合部７ｄに跨がって形成される肉厚部７ｆの平面視の形状を三角形としたものであり、この肉厚部７ｆを形成する図８のキャピラリ１１の先端部１１ａの彫り込み部１１ｅの平面視の形状を同様の三角形とするものである。また、図２６に示す第２変形例も肉厚部７ｆの平面視の形状を三角形としたものであり、図２５の第１変形例の三角形と向きを逆にした三角形の肉厚部７ｆを形成するものである。

図２５および図２６のそれぞれの変形例においても、図４に示すリード側接合部７ｃが形成された実施の形態と同様の効果を得ることができる。

また、図２７に示す第３変形例は、半導体装置がＢＧＡ（Ball Grid Array)９の場合である。

ＢＧＡ９は、半導体チップ１が配線基板（配線部材）２上に搭載された半導体パッケージ（基板品）であり、配線基板２上に形成された複数のランド（端子、第１端子）２ｃと半導体チップ１が電気的に接続されている。

すなわち、ＢＧＡ９は、半導体チップ１が配線基板２の上面（第１主面）２ａ上にダイボンド材６を介して搭載され、かつ封止体４によって樹脂封止されるとともに、半導体チップ１の電極パッド１ｃが配線基板２のランド２ｃとワイヤ７ａ（７）を介して電気的に接続されて成る基板タイプの半導体パッケージである。

また、ＢＧＡ９は、配線基板２の下面２ｂに複数の外部端子である半田ボール５が、例えば格子状（グリッド状）に設けられている。

このようなＢＧＡ９においても、ワイヤ７の２ｎｄ側の接合部である図４に示すようなリード側接合部７ｃに、ステッチ接合部７ｅとテール接合部７ｄに跨がる肉厚部７ｆを部分的に設けることにより、リード側接合部７ｃの強度を高めることができ、ワイヤ７ａ（７）を切れにくくすることができる。

すなわち、図２７に示すＢＧＡ９においても、図１および図２に示すＱＦＰ８と同様の効果を得ることができる。

なお、ＢＧＡ９によって得られるその他の効果については、ＱＦＰ８によって得られる効果と同様であるため、その重複説明は省略する。

以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、上記実施の形態では、半導体装置のリード品の一例としてＱＦＰ８を取り上げて説明したが、上記半導体装置は、ＱＦＰ以外のＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) やＳＯＰ（Small Outline Package)等であってもよい。

また、基板品の半導体装置の一例としてＢＧＡ９を取り上げて説明したが、上記半導体装置は、ＢＧＡ以外のＬＧＡ（Land Grid Array)等であってもよい。

また、上記実施の形態では、１つのリード側接合部７ｃに３つの肉厚部７ｆが形成されている場合を説明したが、１つのリード側接合部７ｃに設けられる肉厚部７ｆの数は、１つであってもよく、また、２つ以上の複数個であってもよい。

さらに、ステッチ接合部７ｅとテール接合部７ｄに跨がって形成される肉厚部７ｆの平面視の形状は、楕円形や三角形以外の他の形状であってもよい。

１ 半導体チップ
１ａ 主面
１ｂ 裏面
１ｃ，１ｃａ，１ｃｂ 電極パッド
１ｄ 第１辺
１ｅ 第２辺
２ 配線基板
２ａ 上面
２ｂ 下面
２ｃ ランド
３ リードフレーム
３ａ チップ搭載部
３ａａ 上面
３ｂ リード
３ｂａ，３ｂｃ インナーリード
３ｂｂ アウターリード
４ 封止体
５ 半田ボール
６ ダイボンド材
７，７ａ，７ａａ ワイヤ
７ｂ ボール部
７ｃ リード側接合部
７ｄ テール接合部
７ｅ ステッチ接合部
７ｆ 肉厚部
７ｇ ワイヤ部
７ｈ ワイヤリング方向
７ｉ 境界線
７ｊ ボール
７ｋ 引きずり痕
８ ＱＦＰ
９ ＢＧＡ
１０ 絶縁樹脂
１１ キャピラリ
１１ａ 先端部
１１ｂ ホール部
１１ｃ チャンファ部
１１ｄ フェイス部
１１ｅ 彫り込み部
１１ｆ 直径方向
１１ｇ 中心
１１ｈ 内壁部
１２ 超音波ホーン
１２ａ 印加方向
１３ 樹脂成形金型
１４ 上金型
１４ａ キャビティ
１５ 下金型
１５ａ キャビティ
１６ トーチ
１６ａ 放電
１７ クランパ
１８ リード側接合部
１９ 第１方向
２０ 第２方向

Claims (17)

1. （ａ）第１端子を含む複数の端子が形成された第１主面を有する配線部材を準備する工程と、
   （ｂ）第１パッドを含む複数のパッドが形成された表面を有する半導体チップを前記配線部材の前記第１主面上に搭載する工程と、
   （ｃ）前記配線部材の前記第１端子と前記半導体チップの前記第１パッドとを第１金属ワイヤにより電気的に接続する工程と、
   （ｄ）前記配線部材の一部、前記半導体チップ、および前記第１金属ワイヤを絶縁樹脂により封止し、封止体を形成する工程と、を有し、
   前記（ｃ）工程は、
   （ｃ１）キャピラリのホール部から突出した金属ワイヤの一部を前記半導体チップの前記第１パッド上に接続し、第１接続部を形成する工程と、
   （ｃ２）前記キャピラリの前記ホール部から前記金属ワイヤを引き出す工程と、
   （ｃ３）前記キャピラリの先端部で前記金属ワイヤの一部を前記第１端子上に押し付ける工程と、
   （ｃ４）前記キャピラリに超音波を印加することにより、前記キャピラリの前記先端部で前記第１金属ワイヤの一部を前記第１端子上に圧着し、第２接続部を形成すると共に前記第１接続部と前記第２接続部との間に前記第１金属ワイヤを形成する工程と、
   （ｃ５）前記金属ワイヤを前記第２接続部から切断する工程と、を有し、
   前記キャピラリの前記先端部は、平面視において、前記ホール部の周囲に配置された第１先端領域と、前記第１先端領域の周囲に配置された第２先端領域と、を備え、
   前記先端部上には、前記第１先端領域と前記第２先端領域とに跨る凹部が形成されており、
   前記キャピラリの中心から前記キャピラリの前記第２先端領域の周縁部に向かう方向において、前記凹部が前記第２先端領域に形成されている部分の長さは、前記凹部が前記第１先端領域に形成されている部分の長さよりも長く、かつ前記凹部が前記第２先端領域に形成されている部分の長さは、前記第２先端領域の前記周縁部から前記第２先端領域上に位置する前記凹部の端部までの長さよりも短い半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記（ｃ３）工程は、前記キャピラリの前記凹部と前記第１端子との間に前記金属ワイヤが位置するように行う半導体装置の製造方法。
3. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記キャピラリの前記先端部には、前記凹部が複数形成されている半導体装置の製造方法。
4. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記（ｃ５）工程は、前記金属ワイヤを上方に引き上げることにより行う半導体装置の製造方法。
5. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記キャピラリの断面視において、前記第１先端領域はテーパ形状となっている半導体装置の製造方法。
6. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記凹部は、平面視において楕円形状となっている半導体装置の製造方法。
7. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第１金属ワイヤは、銅ワイヤである半導体装置の製造方法。
8. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記配線部材は、リードフレーム、もしくは配線基板のいずれかである半導体装置の製造方法。
9. 第１端子を含む複数の端子が形成された第１主面を有する配線部材と、
   第１パッドを含む複数のパッドが形成された表面を有し、前記配線部材の前記第１主面上に搭載された半導体チップと、
   前記配線部材の前記複数の端子と前記半導体チップの前記複数のパッドとをそれぞれ電気的に接続する第１金属ワイヤを含む複数の金属ワイヤと、
   前記配線部材の一部、前記半導体チップ、および前記複数の金属ワイヤを封止する封止体と、を有し、
   前記第１金属ワイヤの一端は、前記半導体チップの前記第１パッドに接続され、
   前記第１金属ワイヤの他端は、前記配線部材の前記第１端子に接続され、
   前記第１金属ワイヤは、前記第１パッドと接続された第１接続部、前記第１端子と接続された第２接続部、および前記第１および第２接続部との間に位置し、前記第１および第２接続部とに電気的に接続されたワイヤ部を有し、
   前記第２接続部は、第１接続領域と、前記ワイヤ部と前記第１接続領域との間に位置する第２接続領域と、を有し、
   前記第２接続部上には前記第１接続領域と前記第２接続領域とに跨る凸部が形成されており、
   前記第１金属ワイヤが前記第１接続部から前記第２接続部に向かって張られている方向において、前記凸部が前記第２接続領域に形成されている部分の長さは、前記ワイヤ部と前記第２接続領域とが接続している境界線から前記第２接続領域上に位置する前記凸部の端部までの長さよりも短い半導体装置。
10. 請求項９に記載の半導体装置において、
    前記凸部が前記第２接続領域に形成されている部分の長さは、前記凸部が前記第１接続領域に形成されている部分の長さよりも長い半導体装置。
11. 請求項１０に記載の半導体装置において、
    前記凸部は、前記第２接続部上に複数形成されている半導体装置。
12. 請求項９に記載の半導体装置において、
    前記半導体チップは、第２パッドを有し、
    前記配線部材は、第２端子を有し、
    前記第２パッドには、第２金属ワイヤの一端が接続され、
    前記第２端子には、前記第２金属ワイヤの他端が接続され、
    前記第２金属ワイヤは、前記第２パッドと接続された第１接続部、前記第２端子と接続された第２接続部、および前記第１および第２接続部との間に位置し、前記第１および第２接続部とに電気的に接続されたワイヤ部を有し、
    前記第２接続部は、第１接続領域と、前記ワイヤ部と前記第１接続領域との間に位置する第２接続領域と、を有し、
    前記第２接続部上には前記第１接続領域と前記第２接続領域とに跨る凸部が形成されており、
    前記第２金属ワイヤが前記第１接続部から前記第２接続部に向かって張られている方向において、前記凸部が前記第２接続領域に形成されている部分の長さは、前記ワイヤ部と前記第２接続領域とが接続している境界線から前記第２接続領域上に位置する前記凸部の端部までの長さよりも短く、
    前記半導体チップは略四角形であって、第１方向に延びる第１辺と、前記第１方向に直交する方向の第２方向に延びる第２辺と、を有し、
    前記第１パッドは、前記第１辺に沿って配置され、
    前記第１端子は、平面視において、前記第１金属ワイヤが前記第１辺と重なるように配置され、
    前記第２パッドは、前記第２辺に沿って配置され、
    前記第２端子は、平面視において、前記第２金属ワイヤが前記第２辺と重なるように配置され、
    前記第１方向における前記第１金属ワイヤの前記凸部の幅は、前記第２方向における前記第２金属ワイヤの前記凸部の幅よりも狭い半導体装置。
13. 請求項１２に記載の半導体装置において、
    前記第２方向における前記第１金属ワイヤの前記凸部の幅は、前記第１方向における前記第２金属ワイヤの前記凸部の幅よりも広い半導体装置。
14. 請求項９に記載の半導体装置において、
    前記凸部が前記第２接続領域に形成されている部分の長さは、前記凸部が前記第１接続領域に形成されている部分の長さ以下である半導体装置。
15. 請求項９に記載の半導体装置において、
    前記複数の金属ワイヤは、銅ワイヤである半導体装置。
16. 請求項１５に記載の半導体装置において、
    前記半導体チップはチップ搭載部上に搭載されており、前記複数の端子は、複数のリードである半導体装置。
17. 請求項１５に記載の半導体装置において、
    前記半導体チップは配線基板上に搭載されており、前記複数の端子は、前記配線基板上に形成された複数のランドである半導体装置。

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