WO2021199635A1

WO2021199635A1 - 半導体装置

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Publication number: WO2021199635A1
Application number: PCT/JP2021/003011
Authority: WO
Inventors: 大地丹羽; 光俊齊藤
Original assignee: ローム株式会社
Priority date: 2020-03-30
Filing date: 2021-01-28
Publication date: 2021-10-07
Also published as: DE212021000164U1; CN115380375A; US20230105834A1; JPWO2021199635A1

Abstract

半導体装置（１）は、主面（１０ａ）を有する基板（１０）と、半導体素子（４０）と、接続パッド（２１，３１）と、めっき層（７１，７２）と、ワイヤ（５０，６０）と、封止樹脂（８０）と、を含む。半導体素子（４０）は、主面（１０ａ）に実装され、主面電極（４１，４３）を有する。接続パッド（２１，３１）は、Ｃｕよりなり、基板（１０）に対して離間して配置され、接続面（３４）を有する。めっき層（７１，７２）は、Ｎｉよりなり、接続面（３４）の一部を覆う。ワイヤ（５０，６０）は、Ａｌよりなり、主面電極（４１，４３）とめっき層（７１，７２）とに接合される。封止樹脂（８０）は、半導体素子（４０）、接続パッド（２１，３１）、めっき層（７１，７２）、及びワイヤ（５０，６０）を封止する。

Description

半導体装置

　本開示は、半導体装置に関するものである。

　半導体装置は、基板と、基板に実装されたパワートランジスタ等の半導体素子と、半導体素子のソース電極と複数の駆動ワイヤを介して接続される駆動パッドを有する駆動リードと、半導体素子のゲート電極と制御ワイヤを介して接続される制御パッドを有する制御リードと、半導体素子を少なくとも封止する封止樹脂とを備える（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１７－１７４９５１号公報

　ところで、上記の駆動ワイヤや制御ワイヤにアルミニウムのワイヤが用いることが提案されている。この場合、上記の基板と駆動リード及び制御リードには、銅が用いられているため、ワイヤとリードとの間に金属間化合物が生じる。そして、半導体装置の動作等による熱によって金属間化合物の成長が進み、信頼性が低下するおそれがある。

　本開示の目的は、アルミニウムからなるワイヤを用いるとともに接続信頼性の低下を抑制可能とした半導体装置を提供することにある。

　本開示の一態様である半導体装置は、主面を有する基板と、前記主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く主面電極を有する半導体素子と、Ｃｕよりなり、前記基板に対して前記主面と平行な第１方向に前記基板に対して離間して配置され、前記主面と同じ方向を向く接続面を有する接続パッドと、Ｎｉよりなり、前記接続面の一部を覆うめっき層と、Ａｌよりなり、第１端が前記主面電極に接合され、第２端が前記めっき層に接合されたワイヤと、前記半導体素子、前記接続パッド、めっき層、及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、を備える。

　本開示の別の一態様である半導体装置は、主面を有する基板と、前記主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く主面電極を有する半導体素子と、前記基板に対して前記主面と平行な第１方向に前記基板に対して離間して配置された接続パッドと、前記主面電極に第１端が接合され、前記接続パッドに第２端が接合されたワイヤと、前記半導体素子、前記接続パッド、及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、を備え、前記ワイヤはＡｌよりなり、前記接続パッドは、Ｃｕよりなり、前記主面と同じ方向を向く上面を有する基材と、Ｎｉよりなり、前記基材の前記上面を覆うめっき層と、を有し、前記めっき層は、前記表面が前記基材の前記上面よりも粗い粗面めっき層である。

　本開示の一態様によれば、アルミニウムからなるワイヤを用いるとともに接続信頼性の低下を抑制可能とした半導体装置を提供できる。

図１は、第１実施形態の半導体装置を示す概略斜視図である。図２は、第１実施形態の半導体装置の概略平面図である。図３は、第１実施形態の半導体装置の概略裏面図である。図４は、図２の４－４線断面図である。図５は、第１実施形態の半導体装置の概略側面図である。図６は、第１実施形態の半導体装置を示す一部拡大平面図である。図７は、第１実施形態の変更例の半導体装置を示す一部拡大平面図である。図８は、第１実施形態の変更例の半導体装置を示す一部拡大平面図である。図９は、第２実施形態の半導体装置を示す概略斜視図である。図１０は、第２実施形態の半導体装置の概略平面図である。図１１は、第２実施形態の半導体装置の概略裏面図である。図１２は、図１０の１２－１２線断面図である。図１３は、第２実施形態の半導体装置の概略側面図である。図１４は、第２実施形態の半導体装置の概略側面図である。図１５は、駆動パッド及び封止樹脂を示す断面写真である。

　以下、半導体装置の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。

　（第１実施形態）
　図１～図６を参照して、第１実施形態の半導体装置を説明する。
　図１に示すように、半導体装置１は、基板１０と、駆動リード２０と、制御リード３０と、半導体素子４０と、駆動ワイヤ５０と、制御ワイヤ６０と、封止樹脂８０とを備える。封止樹脂８０は、半導体素子４０と制御ワイヤ６０と駆動ワイヤ５０とを封止する。封止樹脂８０は、基板１０と駆動リード２０と制御リード３０の一部を露出するように形成されている。

　駆動リード２０は、封止樹脂８０から突出したアウターリード２０Ａ、及び封止樹脂８０内に設けられ、アウターリード２０Ａと電気的に接続されたインナーリード２０Ｂを有する。本実施形態では、アウターリード２０Ａ及びインナーリード２０Ｂは一体化された単一部品である。制御リード３０は、封止樹脂８０から突出したアウターリード３０Ａ、及び封止樹脂８０内に設けられ、アウターリード３０Ａと電気的に接続されたインナーリード３０Ｂを有する。本実施形態では、アウターリード３０Ａ及びインナーリード３０Ｂは一体化された単一部品である。本実施形態の半導体装置１は、パッケージ外形規格（ＪＥＩＴＡ規格）に規定されたＴＯ（Transistor Outline）－２５２のパッケージである。また、半導体装置１は、封止樹脂８０の１つの面から駆動リード２０のアウターリード２０Ａ及び制御リード３０のアウターリード３０Ａがそれぞれ延びる、いわゆるＳＩＰ（Single Inline Package ）タイプである。

　図１に示すように、封止樹脂８０の形状は、直方体である。なお、図１，図２、図６では、便宜上、封止樹脂８０を二点鎖線にて示し、封止樹脂８０内の部品を実線で示している。

　封止樹脂８０は、電気絶縁性を有する合成樹脂である。一例では、封止樹脂８０は、エポキシ樹脂である。封止樹脂８０は、第１封止樹脂側面８１、第２封止樹脂側面８２、第３封止樹脂側面８３、第４封止樹脂側面８４、封止樹脂裏面８５、及び封止樹脂天面８６の６面を有する。第１封止樹脂側面８１及び第２封止樹脂側面８２は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。第３封止樹脂側面８３及び第４封止樹脂側面８４は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。封止樹脂裏面８５及び封止樹脂天面８６は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。以降の説明において、封止樹脂裏面８５と封止樹脂天面８６とが配列される方向を厚さ方向Ｚとし、第１封止樹脂側面８１と第２封止樹脂側面８２とが配列される方向を縦方向Ｘとし、第３封止樹脂側面８３と第４封止樹脂側面８４とが配列される方向を横方向Ｙとする。縦方向Ｘ及び横方向Ｙは、厚さ方向Ｚと直交する方向である。縦方向Ｘは、横方向Ｙと直交する方向である。ここで、厚さ方向Ｚは第１方向に相当し、縦方向Ｘは第２方向に相当し、横方向Ｙは第３方向に相当する。

　封止樹脂８０の形状は、直方体である。封止樹脂８０は、電気絶縁性を有する合成樹脂である。一例では、封止樹脂８０は、エポキシ樹脂である。封止樹脂８０は、第１封止樹脂側面８１、第２封止樹脂側面８２、第３封止樹脂側面８３、第４封止樹脂側面８４、封止樹脂裏面８５、及び封止樹脂天面８６の６面を有する。第１封止樹脂側面８１及び第２封止樹脂側面８２は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。第３封止樹脂側面８３及び第４封止樹脂側面８４は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。封止樹脂裏面８５及び封止樹脂天面８６は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。以降の説明において、封止樹脂裏面８５と封止樹脂天面８６とが配列される方向を厚さ方向Ｚとし、第１封止樹脂側面８１と第２封止樹脂側面８２とが配列される方向を縦方向Ｘとし、第３封止樹脂側面８３と第４封止樹脂側面８４とが配列される方向を横方向Ｙとする。縦方向Ｘ及び横方向Ｙは、厚さ方向Ｚと直交する方向である。縦方向Ｘは、横方向Ｙと直交する方向である。ここで、縦方向Ｘは第１方向に相当し、横方向Ｙは第２方向に相当する。

　図２は、半導体装置１を厚さ方向Ｚの封止樹脂天面８６からみた図である。
　図２に示すとおり、半導体装置１を厚さ方向Ｚの封止樹脂天面８６から視て、封止樹脂８０の形状は、縦方向Ｘが長辺方向となり、横方向Ｙが短辺方向となる略矩形状である。厚さ方向Ｚから視ることを、以下平面視という。平面視において、第１封止樹脂側面８１及び第２封止樹脂側面８２は横方向Ｙに沿う側面であり、第３封止樹脂側面８３及び第４封止樹脂側面８４は縦方向Ｘに沿う側面である。

　基板１０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面１０ａ及び裏面１０ｂ（図３参照）を有する。主面１０ａは、封止樹脂天面８６と同じ方向を向き、裏面１０ｂは、封止樹脂裏面８５と同じ方向を向いている。基板１０は、例えばＣｕ（銅）よりなる。なお、本実施形態において、Ｃｕよりなるとは、Ｃｕ、又はＣｕを含む合金により形成されていることを意図している。基板１０は、平板状の基板本体部１１と、リード部１６とを有する。本実施形態では、基板本体部１１とリード部１６とが一体化した単一部品である。

　基板本体部１１は、封止樹脂８０に覆われた内側本体部１２と、封止樹脂８０から突出した突出部１３とに区分できる。内側本体部１２及び突出部１３は、縦方向Ｘに隣り合っている。突出部１３は、第１封止樹脂側面８１から縦方向Ｘに突出している。本実施形態では、突出部１３の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１２の横方向Ｙの大きさよりも小さい。なお、突出部１３の横方向Ｙの大きさは任意に変更可能である。一例では、突出部１３の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１２の横方向Ｙの大きさと等しくてもよい。

　平面視において、内側本体部１２は、その縦方向Ｘの中心が封止樹脂８０の縦方向Ｘの中心よりも第１封止樹脂側面８１寄りとなるように配置されている。内側本体部１２は、主面１２ａ、裏面１２ｂ（図３参照）、第１側面１２ｃ、第２側面１２ｄ、及び第３側面１２ｅを有する。主面１２ａと裏面１２ｂとは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向いている。主面１２ａは基板１０の主面１０ａの一部を構成し、裏面１２ｂは基板１０の裏面１０ｂを構成している。このため、主面１２ａは封止樹脂天面８６側に面し、裏面１２ｂは封止樹脂裏面８５側を面している。また、第１側面１２ｃは第２封止樹脂側面８２に面し、第２側面１２ｄは第３封止樹脂側面８３に面し、第３側面１２ｅは第４封止樹脂側面８４に面している。第１側面１２ｃは横方向Ｙに沿って延びている。第２側面１２ｄ及び第３側面１２ｅは、横方向Ｙにおいて間隔をあけて対向している。第２側面１２ｄ及び第３側面１２ｅは、縦方向Ｘに沿って延びている。

　内側本体部１２において突出部１３側の端部には、幅狭部１４が形成されている。幅狭部１４は、第２側面１２ｄから横方向Ｙの第４封止樹脂側面８４側に向けて凹む凹部１４ａと、第３側面１２ｅから横方向Ｙの第３封止樹脂側面８３側に向けて凹む凹部１４ｂとによって形成されている。幅狭部１４の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１２のうちの幅狭部１４以外の部分の横方向Ｙの大きさよりも小さい。また幅狭部１４の横方向Ｙの大きさは、突出部１３の横方向Ｙの大きさよりも小さい。幅狭部１４は、封止樹脂８０の第１封止樹脂側面８１と縦方向Ｘに隣り合うように設けられている。幅狭部１４には、厚さ方向Ｚにおいて幅狭部１４を貫通している貫通孔１５が設けられている。平面視における貫通孔１５の形状は、横方向Ｙが長手方向となる長円である。

　内側本体部１２は、内側本体部１２の本体側面から突出するフランジ部１９ａ，１９ｂを有している。フランジ部１９ａは、内側本体部１２の第２側面１２ｄから第３封止樹脂側面８３に向けて突出している。フランジ部１９ｂは、内側本体部１２の第３側面１２ｅから第４封止樹脂側面８４に向けて突出している。

　各フランジ部１９ａ，１９ｂはそれぞれ、内側本体部１２の主面１２ａと面一となるように設けられている。このため、基板１０の主面１０ａは、内側本体部１２の主面１２ａと、フランジ部１９ａ，１９ｂとによって構成されている。また、フランジ部１９ａ，１９ｂはそれぞれ、内側本体部１２の裏面１２ｂよりも主面１２ａ側となるように設けられている。このため、基板１０の裏面１０ｂは、内側本体部１２の裏面１２ｂによって構成されている。これらのフランジ部１９ａ，１９ｂにより、基板１０と封止樹脂８０との分離が抑制される。

　図３に示すように、基板１０の裏面１０ｂ（内側本体部１２の裏面１２ｂ）は、封止樹脂裏面８５から露出している。これにより、基板１０の熱を半導体装置１の外部へ放熱できる。封止樹脂８０は、内側本体部１２の幅狭部１４の凹部１４ａ，１４ｂ及び貫通孔１５のそれぞれに入り込んでいる。これにより、基板１０と封止樹脂８０との分離を一層抑制できる。

　図２及び図４に示すように、リード部１６は、内側本体部１２の第１側面１２ｃ側の端部から第２封止樹脂側面８２に向けて延びているとともに第２封止樹脂側面８２から突出している。リード部１６は、第２封止樹脂側面８２から突出した端子部１７と、端子部１７と内側本体部１２とを連結している連結部１８とに区分できる。

　図２に示すように、連結部１８は、横方向Ｙにおいて内側本体部１２の中央部よりも第２側面１２ｄ側の部分に位置している。連結部１８は、フランジ部１９ａから連続している。すなわち、連結部１８のうちの内側本体部１２に接続されている部分の厚さは、フランジ部１９ａ，１９ｂの厚さよりも厚く、内側本体部１２の厚さよりも薄い。

　図２、図４に示すように、連結部１８は、傾斜部１８ａを有する。傾斜部１８ａは、内側本体部１２の第１側面１２ｃから第２封止樹脂側面８２に向かうにつれて封止樹脂天面８６に向けて傾斜している。連結部１８のうちの傾斜部１８ａと端子部１７との間の中間部１８ｂは、内側本体部１２の主面１２ａよりも封止樹脂天面８６側に位置している。平面視において、中間部１８ｂは、第４封止樹脂側面８４側に屈曲する屈曲部１８ｃを有する。中間部１８ｂのうちの第２封止樹脂側面８２と接触する部分は、横方向Ｙにおいて第２封止樹脂側面８２の中央部に位置している。

　端子部１７は、第２封止樹脂側面８２の横方向Ｙの中央部から突出している。厚さ方向Ｚにおいて、端子部１７の位置は、中間部１８ｂの位置と同じである。すなわち端子部１７は、内側本体部１２の主面１２ａよりも封止樹脂天面８６側に位置している。

　図２に示すように、平面視において、基板１０よりも封止樹脂８０の第２封止樹脂側面８２側には、駆動リード２０及び制御リード３０が基板１０に対して縦方向Ｘに離間した状態で配置されている。駆動リード２０及び制御リード３０は、横方向Ｙにおいて互いに離間した状態で配置されている。駆動リード２０と制御リード３０との横方向Ｙの間には、リード部１６が配置されている。

　駆動リード２０は、駆動パッド２１、駆動端子２２、及び、駆動パッド２１と駆動端子２２とを連結する連結部２３を有する。駆動パッド２１及び連結部２３はインナーリード２０Ｂを構成し、駆動端子２２はアウターリード２０Ａを構成している。駆動パッド２１及び連結部２３は、縦方向Ｘにおいて基板１０と第２封止樹脂側面８２との間に配置されている。駆動パッド２１及び連結部２３は、横方向Ｙにおいて封止樹脂８０の横方向Ｙの中央部よりも第４封止樹脂側面８４側に配置されている。駆動リード２０は、本実施形態において、Ｃｕよりなる。つまり、駆動リード２０は、基板１０と同じ材料により形成されている。

　平面視における駆動パッド２１の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。駆動パッド２１は、横方向Ｙの両端部である第１端部２１ａ及び第２端部２１ｂを有する。図５に示すように、駆動パッド２１は、厚さ方向Ｚにおいて、内側本体部１２の主面１２ａよりも封止樹脂天面８６側に位置している。また駆動パッド２１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子４０の主面４０ａよりも封止樹脂天面８６側に位置している。図４及び図５に示すように、本実施形態では、駆動パッド２１は、厚さ方向Ｚにおいてリード部１６の中間部１８ｂと同じ位置である。

　図２に示すように、連結部２３は、駆動パッド２１のうちの第２封止樹脂側面８２側の端部から連続している。連結部２３は、横方向Ｙにおいて駆動パッド２１の中央部よりも第４封止樹脂側面８４側に位置している。駆動端子２２は、ソース端子を構成している。図５に示すように、駆動端子２２は、第２封止樹脂側面８２の第１傾斜面８２ａから突出している。

　図２に示すように、制御リード３０は、制御パッド３１、制御端子３２、及び、制御パッド３１と制御端子３２とを連結する連結部３３を有する。制御パッド３１及び連結部３３はインナーリード３０Ｂを構成し、制御端子３２はアウターリード３０Ａを構成している。制御パッド３１及び連結部３３は、縦方向Ｘにおいて基板１０と第２封止樹脂側面８２との間に配置されている。制御パッド３１及び連結部３３は、横方向Ｙにおいて封止樹脂８０の中央部よりも第３封止樹脂側面８３側に配置されている。制御リード３０は、本実施形態において、Ｃｕよりなる。つまり、制御リード３０は、基板１０及び駆動リード２０と同じ材料により形成されている。

　平面視における制御パッド３１の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる略矩形状である。制御パッド３１は、横方向Ｙの両端部である第１端部３１ａ及び第２端部３１ｂを有する。横方向Ｙにおける制御パッド３１の大きさは、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさよりも小さい。制御パッド３１は、厚さ方向Ｚにおいて、内側本体部１２の主面１２ａよりも封止樹脂天面８６側に位置している。また制御パッド３１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子４０の主面４０ａよりも封止樹脂天面８６側に位置している。本実施形態では、制御パッド３１は、厚さ方向Ｚにおいてリード部１６の中間部１８ｂと同じ位置である。

　連結部３３は、制御パッド３１のうちの第２封止樹脂側面８２側の端部から連続している。連結部３３は、横方向Ｙにおいて制御パッド３１のうちの第３封止樹脂側面８３寄りに位置している。制御端子３２は、ゲート端子を構成している。制御端子３２は、第２封止樹脂側面８２の第１傾斜面８２ａから突出している。

　駆動パッド２１は、基板１０の主面１０ａと同じ方向を向く接続面２４を有している。接続面２４には、この接続面２４の一部を覆うめっき層７１が形成されている。めっき層７１は、例えばＮｉ（ニッケル）よりなる。Ｎｉよりなるとは、Ｎｉ、又はＮｉを含む合金により形成されていることを意図している。めっき層７１は、駆動パッド２１の短辺方向、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の中央に形成されている。また、めっき層７１は、駆動パッド２１の長辺方向、つまり横方向Ｙに沿って、駆動パッド２１の第１端部２１ａから第２端部２１ｂまで延びている。したがって、駆動パッド２１の接続面２４は、めっき層７１により覆われた部分２４ａと、めっき層７１から露出する部分２４ｂとを有している。

　制御パッド３１は、基板１０の主面１０ａと同じ方向を向く接続面３４を有している。接続面３４には、この接続面３４の一部を覆うめっき層７２が形成されている。めっき層７２は、例えばＮｉよりなる。Ｎｉよりなるとは、Ｎｉ、又はＮｉを含む合金により形成されていることを意図している。めっき層７２は、制御パッド３１の短辺方向、縦方向Ｘにおいて、制御パッド３１の中央に形成されている。また、めっき層７２は、制御パッド３１の長辺方向、つまり横方向Ｙに沿って、制御パッド３１の第１端部３１ａから第２端部３１ｂまで延びている。したがって、制御パッド３１の接続面３４は、めっき層７２により覆われた部分３４ａと、めっき層７２から露出する部分３４ｂとを有している。

　本実施形態において、駆動パッド２１に形成されためっき層７１と、制御パッド３１に形成されためっき層７２は、縦方向Ｘにおいて同じ位置である。また、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１に形成されためっき層７１の幅Ｗ７１は、制御パッド３１に形成されためっき層７２の幅Ｗ７２と等しい。したがって、駆動パッド２１に形成されためっき層７１と、制御パッド３１に形成されためっき層７２は、横方向Ｙから視て互いに重なり合う。

　なお、本実施形態において、リード部１６の中間部１８ｂにおいて、傾斜部１８ａの側の端部は、駆動パッド２１及び制御パッド３１と同じ高さに位置している。めっき層７１，７２は、本実施形態において、例えば、したがって、この中間部１８ｂの上面には、横方向Ｙから視て、めっき層７１，７２と重なるめっき層７３が形成されている。

　図４及び図５に示すように、半導体素子４０は、内側本体部１２の主面１２ａにはんだＳＤによって実装されている。図２に示すように、本実施形態では、半導体素子４０は、内側本体部１２の中央部に配置されている。また、半導体素子４０と駆動パッド２１とは縦方向Ｘにずれている。また半導体素子４０と制御パッド３１とは縦方向Ｘにずれている。

　半導体素子４０は、炭化シリコン（ＳｉＣ）チップである。本実施形態では、半導体素子４０はＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）が用いられている。半導体素子４０（ＳｉＣＭＯＳＦＴ）は、高速スイッチングが可能な素子である。スイッチング周波数は、例えば1ｋＨｚ以上かつ数百ｋＨｚ以下である。

　半導体素子４０は、平板状に形成されている。具体的には、平面視において、半導体素子４０の形状は、例えば正方形状である。図２及び図４に示すように、半導体素子４０は、主面４０ａ、裏面４０ｂ、複数の側面４０ｃ～側面４０ｆを有する。主面４０ａ及び裏面４０ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対方向を向いている。主面４０ａは、封止樹脂天面８６に面している。すなわち、主面４０ａは、基板１０の主面１０ａと同じ方向を向いている。裏面４０ｂは、封止樹脂裏面８５に面している。裏面４０ｂは、内側本体部１２の主面１２ａに対向している。側面４０ｃは第１封止樹脂側面８１に面し、側面４０ｄは第２封止樹脂側面８２に面し、側面４０ｅは第３封止樹脂側面８３に面し、側面４０ｆは第４封止樹脂側面８４に面している。

　主面４０ａには、主面側駆動電極４１及び制御電極４３が形成されている。主面側駆動電極４１及び制御電極４３は、半導体素子４０の主面４０ａに形成された主面電極を構成する。裏面４０ｂには、裏面側駆動電極４２（図４参照）が形成されている。本実施形態では、主面側駆動電極４１がソース電極を構成し、裏面側駆動電極４２がドレイン電極を構成している。制御電極４３はゲート電極を構成している。裏面側駆動電極４２は、はんだＳＤによって内側本体部１２に電気的に接続されている。はんだＳＤは、例えば鉛はんだである。

　半導体素子４０は、主面４０ａに形成されたパッシベーション膜を有する。パッシベーション膜には、半導体素子４０の主面４０ａの側の電極を主面側駆動電極４１及び制御電極４３として露出する開口部が形成されている。

　図１、図２に示すように、半導体装置１は、１本の駆動ワイヤ５０と１本の制御ワイヤ６０を備える。
　本実施形態において、駆動ワイヤ５０と制御ワイヤ６０は、同一の金属からなる。本実施形態において、駆動ワイヤ５０と制御ワイヤ６０は、Ａｌ（アルミニウム）からなる。Ａｌからなるとは、Ａｌ、又はＡｌを含む合金により形成されていることを意図している。

　駆動ワイヤ５０は、中央付近において長軸方向に垂直な断面形状が円形である。制御ワイヤ６０は、中央付近において長軸方向に垂直な断面形状が円形である。駆動ワイヤ５０の線径は、制御ワイヤ６０の線径よりも大きい。つまり、駆動ワイヤ５０は、太径のアルミニウムワイヤである。駆動ワイヤ５０の線径は、例えば２００μｍ以上６００μｍ以下である。制御ワイヤ６０の線径は、例えば４０μｍ以上１００μｍ以下である。

　駆動ワイヤ５０の第１端５１は、半導体素子４０の主面側駆動電極４１に接合され、駆動ワイヤ５０の第２端５２は、駆動パッド２１の接続面２４の一部を覆うめっき層７１に接合されている。駆動ワイヤ５０は、例えば超音波接合により、主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接合されている。本実施形態において、駆動ワイヤ５０の第２端５２の接合部分５３は、めっき層７１の上面に接合された部分５３ａと、駆動パッド２１の接続面２４のうちのめっき層７１から露出する部分２４ｂに接合された部分５３ｂとを有している。図６に示すように、めっき層７１の上面のうち、駆動ワイヤ５０の第２端５２とめっき層７１とが接合された部分５３ａの面積は、駆動ワイヤ５０の長軸方向に垂直な断面の面積以上である。つまり、めっき層７１は、めっき層７１に接合される駆動ワイヤ５０との間の接合面積を、その駆動ワイヤ５０の断面の面積以上とするように縦方向Ｘの幅Ｗ７１が設定されている。なお、本実施形態では、接合部分５３は、部分５３ａと、部分５３ｂとを有する例を示しているが、接合部分５３が全てめっき層７１と接合されるようにめっき層７１の幅Ｗ７１を設定してもよい。

　図１、図２に示すように、制御ワイヤ６０の第１端６１は、半導体素子４０の制御電極４３に接合され、制御ワイヤ６０の第２端６２は、制御パッド３１の接続面３４の一部を覆うめっき層７２に接合されている。制御ワイヤ６０は、例えば超音波接合により、制御電極４３と制御パッド３１とに接合されている。図６に示すように、本実施形態において、制御ワイヤ６０の第２端６２の接合部分６３は、めっき層７２の上面にのみ接合されている。つまり、めっき層７２は、接合される制御ワイヤ６０の第２端６２の接合部分６３がはみ出さないように縦方向Ｘの幅Ｗ７２が設定されている。

　［作用］
　本実施形態の作用について説明する。
　本実施形態の半導体装置１は、基板１０の主面１０ａに半導体素子４０が実装され、Ｃｕよりなる駆動パッド２１及び制御パッド３１の接続面２４，３４には、Ｎｉよりなり、接続面２４，３４の一部を覆うめっき層７１，７２が形成されている。Ａｌよりなる駆動ワイヤ５０の第１端５１は、半導体素子４０の主面側駆動電極４１に接合され、駆動ワイヤ５０の第２端５２は、駆動パッド２１の接続面２４の上のめっき層７１に接合されている。Ａｌよりなる制御ワイヤ６０の第１端６１は、半導体素子４０の制御電極４３に接合され、制御ワイヤ６０の第２端６２は、制御パッド３１の接続面３４の上のめっき層７２に接合されている。半導体素子４０、駆動パッド２１及び制御パッド３１、めっき層７１，７２、駆動ワイヤ５０及び制御ワイヤ６０は、封止樹脂８０により封止されている。

　駆動パッド２１の接続面２４は、めっき層７１により覆われた部分２４ａと、めっき層７１から露出する部分２４ｂとを有している。Ｎｉよりなるめっき層７１は、駆動パッド２１から駆動ワイヤ５０が離れることを抑制する。Ａｌよりなる駆動ワイヤ５０を、Ｃｕよりなる駆動パッド２１に直接接合した場合、駆動ワイヤ５０と駆動パッド２１との間において姿勢される金属間化合物は、熱によって成長が進み、駆動ワイヤ５０が駆動パッド２１から離れてしまう、等が生じる。したがって、Ｎｉよりなるめっき層７１は、金属間化合物の生成を防止し、駆動ワイヤ５０が駆動パッド２１から離れることを抑制する。

　駆動パッド２１の接続面２４においてめっき層７１から露出する部分２４ｂは、Ｃｕからなる駆動パッド２１の表面であり、封止樹脂８０との密着性がよい。従って、この部分２４ｂは、駆動パッド２１に対する封止樹脂８０の剥離を抑制する。封止樹脂８０が駆動パッド２１から剥離すると、その剥離によって駆動パッド２１に接合された駆動ワイヤ５０が断線する場合がある。したがって、めっき層７１から露出する部分２４ｂは、駆動パッド２１に対する封止樹脂８０の剥離を抑制し、駆動ワイヤ５０の断線を抑制する。

　制御パッド３１の接続面３４は、めっき層７２により覆われた部分３４ａと、めっき層７２から露出する部分３４ｂとを有している。Ｎｉよりなるめっき層７２は、制御パッド３１から制御ワイヤ６０が離れることを抑制する。Ａｌよりなる制御ワイヤ６０を、Ｃｕよりなる制御パッド３１に直接接合した場合、制御ワイヤ６０と制御パッド３１との間において姿勢される金属間化合物は、熱によって成長が進み、制御ワイヤ６０が制御パッド３１から離れてしまう、等が生じる。したがって、Ｎｉよりなるめっき層７２は、金属間化合物の生成を防止し、制御ワイヤ６０が制御パッド３１から離れることを抑制する。

　制御パッド３１の接続面３４においてめっき層７２から露出する部分３４ｂは、Ｃｕからなる制御パッド３１の表面であり、封止樹脂８０との密着性がよい。従って、この部分３４ｂは、制御パッド３１に対する封止樹脂８０の剥離を抑制する。封止樹脂８０が制御パッド３１から剥離すると、その剥離によって制御パッド３１に接合された制御ワイヤ６０が断線する場合がある。したがって、めっき層７２から露出する部分３４ｂは、制御パッド３１に対する封止樹脂８０の剥離を抑制し、制御ワイヤ６０の断線を抑制する。

　ＳｉＣを含む半導体素子４０を備える半導体装置１では、大電流を流すことから、半導体素子４０の主面側駆動電極４１と駆動パッド２１との間にＡｌよりなる太径の駆動ワイヤ５０が用いられている。Ａｕ（金）やＣｕなどのワイヤを用いる場合、電流に応じて複数本のワイヤを接続しなければならず、接続のための工数増加やパッド面積の増加、つまり半導体装置の大型化を招く。これに対し、本実施形態の半導体装置１は、１本の駆動ワイヤ５０により、必要となる電流を流すことができ、工数の増加や大型化を抑制できる。

　本実施形態の半導体装置１によれば、以下の効果が得られる。
　（１）基板１０の主面１０ａに半導体素子４０が実装され、Ｃｕよりなる駆動パッド２１及び制御パッド３１の接続面２４，３４には、Ｎｉよりなり、接続面２４，３４の一部を覆うめっき層７１，７２が形成されている。Ａｌよりなる駆動ワイヤ５０の第１端５１は、半導体素子４０の主面側駆動電極４１に接合され、駆動ワイヤ５０の第２端５２は、駆動パッド２１の接続面２４の上のめっき層７１に接合されている。Ａｌよりなる制御ワイヤ６０の第１端６１は、半導体素子４０の制御電極４３に接合され、制御ワイヤ６０の第２端６２は、制御パッド３１の接続面３４の上のめっき層７２に接合されている。半導体素子４０、駆動パッド２１及び制御パッド３１、めっき層７１，７２、駆動ワイヤ５０及び制御ワイヤ６０は、封止樹脂８０により封止されている。Ｎｉよりなるめっき層７２により、制御パッド３１から制御ワイヤ６０が離れることを抑制できる。駆動パッド２１の接続面２４においてめっき層７１から露出する部分２４ｂは、封止樹脂８０との密着性がよく、駆動パッド２１に対する封止樹脂８０の剥離を抑制し、駆動ワイヤ５０の断線を抑制できる。また、Ｎｉよりなるめっき層７１により、駆動パッド２１から駆動ワイヤ５０が離れることを抑制できる。駆動パッド２１の接続面３４においてめっき層７１から露出する部分２４ｂは、封止樹脂８０との密着性がよく、駆動パッド２１に対する封止樹脂８０の剥離を抑制し、駆動ワイヤ５０の断線を抑制できる。

　（第２実施形態）
　図９～図１４を参照して、第２実施形態の半導体装置を説明する。
　図９に示すように、半導体装置１０１は、基板１１０と、駆動リード１２０と、制御リード１３０と、半導体素子１４０と、駆動ワイヤ１５０と、制御ワイヤ１６０と、封止樹脂１８０とを備える。封止樹脂１８０は、半導体素子１４０と制御ワイヤ１６０と駆動ワイヤ１５０とを封止する。封止樹脂１８０は、基板１１０と駆動リード１２０と制御リード１３０の一部を露出するように形成されている。

　駆動リード１２０は、封止樹脂１８０から突出したアウターリード１２０Ａ、及び封止樹脂１８０内に設けられ、アウターリード１２０Ａと電気的に接続されたインナーリード１２０Ｂを有する。本実施形態では、アウターリード１２０Ａ及びインナーリード１２０Ｂは一体化された単一部品である。制御リード１３０は、封止樹脂１８０から突出したアウターリード１３０Ａ、及び封止樹脂１８０内に設けられ、アウターリード１３０Ａと電気的に接続されたインナーリード１３０Ｂを有する。本実施形態では、アウターリード１３０Ａ及びインナーリード１３０Ｂは一体化された単一部品である。本実施形態の半導体装置１０１は、パッケージ外形規格（ＪＥＩＴＡ規格）に規定されたＴＯ（Transistor Outline）－２５２のパッケージである。また、半導体装置１０１は、封止樹脂１８０の１つの面から駆動リード１２０のアウターリード１２０Ａ及び制御リード１３０のアウターリード１３０Ａがそれぞれ延びる、いわゆるＳＩＰ（Single Inline Package ）タイプである。

　図９に示すように、封止樹脂１８０の形状は、直方体である。なお、図９，図１０、図１４では、便宜上、封止樹脂１８０を二点鎖線にて示し、封止樹脂１８０内の部品を実線で示している。

　封止樹脂１８０は、電気絶縁性を有する合成樹脂である。一例では、封止樹脂１８０は、エポキシ樹脂である。封止樹脂１８０は、第１封止樹脂側面１８１、第２封止樹脂側面１８２、第３封止樹脂側面８３、第４封止樹脂側面１８４、封止樹脂裏面１８５、及び封止樹脂天面１８６の６面を有する。第１封止樹脂側面１８１及び第２封止樹脂側面１８２は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。第３封止樹脂側面８３及び第４封止樹脂側面１８４は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。封止樹脂裏面１８５及び封止樹脂天面１８６は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。以降の説明において、封止樹脂裏面１８５と封止樹脂天面１８６とが配列される方向を厚さ方向Ｚとし、第１封止樹脂側面１８１と第２封止樹脂側面１８２とが配列される方向を縦方向Ｘとし、第３封止樹脂側面８３と第４封止樹脂側面１８４とが配列される方向を横方向Ｙとする。縦方向Ｘ及び横方向Ｙは、厚さ方向Ｚと直交する方向である。縦方向Ｘは、横方向Ｙと直交する方向である。ここで、厚さ方向Ｚは第１方向に相当し、縦方向Ｘは第２方向に相当し、横方向Ｙは第３方向に相当する。

　封止樹脂１８０の形状は、直方体である。封止樹脂１８０は、電気絶縁性を有する合成樹脂である。一例では、封止樹脂１８０は、エポキシ樹脂である。封止樹脂１８０は、第１封止樹脂側面１８１、第２封止樹脂側面１８２、第３封止樹脂側面８３、第４封止樹脂側面１８４、封止樹脂裏面１８５、及び封止樹脂天面１８６の６面を有する。第１封止樹脂側面１８１及び第２封止樹脂側面１８２は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。第３封止樹脂側面８３及び第４封止樹脂側面１８４は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。封止樹脂裏面１８５及び封止樹脂天面１８６は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。以降の説明において、封止樹脂裏面１８５と封止樹脂天面１８６とが配列される方向を厚さ方向Ｚとし、第１封止樹脂側面１８１と第２封止樹脂側面１８２とが配列される方向を縦方向Ｘとし、第３封止樹脂側面８３と第４封止樹脂側面１８４とが配列される方向を横方向Ｙとする。縦方向Ｘ及び横方向Ｙは、厚さ方向Ｚと直交する方向である。縦方向Ｘは、横方向Ｙと直交する方向である。ここで、縦方向Ｘは第１方向に相当し、横方向Ｙは第２方向に相当する。

　図１０は、半導体装置１０１を厚さ方向Ｚの封止樹脂天面１８６からみた図である。
　図１０に示すとおり、半導体装置１０１を厚さ方向Ｚの封止樹脂天面１８６から視て、封止樹脂１８０の形状は、縦方向Ｘが長辺方向となり、横方向Ｙが短辺方向となる略矩形状である。厚さ方向Ｚから視ることを、以下平面視という。平面視において、第１封止樹脂側面１８１及び第２封止樹脂側面１８２は横方向Ｙに沿う側面であり、第３封止樹脂側面８３及び第４封止樹脂側面１８４は縦方向Ｘに沿う側面である。

　基板１１０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面１１０ａ及び裏面１１０ｂ（図１１参照）を有する。主面１１０ａは、封止樹脂天面１８６と同じ方向を向き、裏面１１０ｂは、封止樹脂裏面１８５と同じ方向を向いている。基板１１０は、平板状の基板本体部１１１と、リード部１１６とを有する。本実施形態では、基板本体部１１１とリード部１１６とが一体化した単一部品である。基板本体部１１１は、半導体素子１４０が実装されるダイボンディングパッドである。

　基板本体部１１１は、封止樹脂１８０に覆われた内側本体部１１２と、封止樹脂１８０から突出した突出部１１３とに区分できる。内側本体部１１２及び突出部１１３は、縦方向Ｘに隣り合っている。突出部１１３は、第１封止樹脂側面１８１から縦方向Ｘに突出している。本実施形態では、突出部１１３の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１１２の横方向Ｙの大きさよりも小さい。なお、突出部１１３の横方向Ｙの大きさは任意に変更可能である。一例では、突出部１１３の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１１２の横方向Ｙの大きさと等しくてもよい。

　平面視において、内側本体部１１２は、その縦方向Ｘの中心が封止樹脂１８０の縦方向Ｘの中心よりも第１封止樹脂側面１８１寄りとなるように配置されている。内側本体部１１２は、主面１１２ａ、裏面１１２ｂ（図１１参照）、第１側面１１２ｃ、第２側面１１２ｄ、及び第３側面１１２ｅを有する。主面１１２ａと裏面１１２ｂとは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向いている。主面１１２ａは基板１１０の主面１１０ａの一部を構成し、裏面１１２ｂは基板１１０の裏面１１０ｂを構成している。このため、主面１１２ａは封止樹脂天面１８６側に面し、裏面１１２ｂは封止樹脂裏面１８５側を面している。また、第１側面１１２ｃは第２封止樹脂側面１８２に面し、第２側面１１２ｄは第３封止樹脂側面８３に面し、第３側面１１２ｅは第４封止樹脂側面１８４に面している。第１側面１１２ｃは横方向Ｙに沿って延びている。第２側面１１２ｄ及び第３側面１１２ｅは、横方向Ｙにおいて間隔をあけて対向している。第２側面１１２ｄ及び第３側面１１２ｅは、縦方向Ｘに沿って延びている。

　内側本体部１１２において突出部１１３側の端部には、幅狭部１１４が形成されている。幅狭部１１４は、第２側面１１２ｄから横方向Ｙの第４封止樹脂側面１８４側に向けて凹む凹部１１４ａと、第３側面１１２ｅから横方向Ｙの第３封止樹脂側面８３側に向けて凹む凹部１１４ｂとによって形成されている。幅狭部１１４の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１１２のうちの幅狭部１１４以外の部分の横方向Ｙの大きさよりも小さい。また幅狭部１１４の横方向Ｙの大きさは、突出部１１３の横方向Ｙの大きさよりも小さい。幅狭部１１４は、封止樹脂１８０の第１封止樹脂側面１８１と縦方向Ｘに隣り合うように設けられている。幅狭部１１４には、厚さ方向Ｚにおいて幅狭部１１４を貫通している貫通孔１１５が設けられている。平面視における貫通孔１１５の形状は、横方向Ｙが長手方向となる長円である。

　内側本体部１１２は、内側本体部１１２の本体側面から突出するフランジ部１１９ａ，１１９ｂを有している。フランジ部１１９ａは、内側本体部１１２の第２側面１１２ｄから第３封止樹脂側面８３に向けて突出している。フランジ部１１９ｂは、内側本体部１１２の第３側面１１２ｅから第４封止樹脂側面１８４に向けて突出している。

　各フランジ部１１９ａ，１１９ｂはそれぞれ、内側本体部１１２の主面１１２ａと面一となるように設けられている。このため、基板１１０の主面１１０ａは、内側本体部１１２の主面１１２ａと、フランジ部１１９ａ，１１９ｂとによって構成されている。また、フランジ部１１９ａ，１１９ｂはそれぞれ、内側本体部１１２の裏面１１２ｂよりも主面１１２ａ側となるように設けられている。このため、基板１１０の裏面１１０ｂは、内側本体部１１２の裏面１１２ｂによって構成されている。これらのフランジ部１１９ａ，１１９ｂにより、基板１１０と封止樹脂１８０との分離が抑制される。

　図１１に示すように、基板１１０の裏面１１０ｂ（内側本体部１１２の裏面１１２ｂ）は、封止樹脂裏面１８５から露出している。これにより、基板１１０の熱を半導体装置１０１の外部へ放熱できる。封止樹脂１８０は、内側本体部１１２の幅狭部１１４の凹部１１４ａ，１１４ｂ及び貫通孔１１５のそれぞれに入り込んでいる。これにより、基板１１０と封止樹脂１８０との分離を一層抑制できる。

　図１０及び図１２に示すように、リード部１１６は、内側本体部１１２の第１側面１１２ｃ側の端部から第２封止樹脂側面１８２に向けて延びているとともに第２封止樹脂側面１８２から突出している。リード部１１６は、第２封止樹脂側面１８２から突出した端子部１１７と、端子部１１７と内側本体部１１２とを連結している連結部１１８とに区分できる。

　図１０に示すように、連結部１１８は、横方向Ｙにおいて内側本体部１１２の中央部よりも第２側面１１２ｄ側の部分に位置している。連結部１１８は、フランジ部１１９ａから連続している。すなわち、連結部１１８のうちの内側本体部１１２に接続されている部分の厚さは、フランジ部１１９ａ，１１９ｂの厚さよりも厚く、内側本体部１１２の厚さよりも薄い。

　図１０、図１２に示すように、連結部１１８は、傾斜部１１８ａを有する。傾斜部１１８ａは、内側本体部１１２の第１側面１１２ｃから第２封止樹脂側面１８２に向かうにつれて封止樹脂天面１８６に向けて傾斜している。連結部１１８のうちの傾斜部１１８ａと端子部１１７との間の中間部１１８ｂは、内側本体部１１２の主面１１２ａよりも封止樹脂天面１８６側に位置している。平面視において、中間部１１８ｂは、第４封止樹脂側面１８４側に屈曲する屈曲部１１８ｃを有する。中間部１１８ｂのうちの第２封止樹脂側面１８２と接触する部分は、横方向Ｙにおいて第２封止樹脂側面１８２の中央部に位置している。

　端子部１１７は、第２封止樹脂側面１８２の横方向Ｙの中央部から突出している。厚さ方向Ｚにおいて、端子部１１７の位置は、中間部１１８ｂの位置と同じである。すなわち端子部１１７は、内側本体部１１２の主面１１２ａよりも封止樹脂天面１８６側に位置している。

　図１０に示すように、平面視において、基板１１０よりも封止樹脂１８０の第２封止樹脂側面１８２側には、駆動リード１２０及び制御リード１３０が基板１１０に対して縦方向Ｘに離間した状態で配置されている。駆動リード１２０及び制御リード１３０は、横方向Ｙにおいて互いに離間した状態で配置されている。駆動リード１２０と制御リード１３０との横方向Ｙの間には、リード部１１６が配置されている。

　駆動リード１２０は、駆動パッド１２１、駆動端子１２２、及び、駆動パッド１２１と駆動端子１２２とを連結する連結部１１２３を有する。駆動パッド１２１及び連結部１１２３はインナーリード１２０Ｂを構成し、駆動端子１２２はアウターリード１２０Ａを構成している。駆動パッド１２１及び連結部１１２３は、縦方向Ｘにおいて基板１１０と第２封止樹脂側面１８２との間に配置されている。駆動パッド１２１及び連結部１１２３は、横方向Ｙにおいて封止樹脂１８０の横方向Ｙの中央部よりも第４封止樹脂側面１８４側に配置されている。

　平面視における駆動パッド１２１の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。図１０、図１３に示すように、駆動パッド１２１は、上面１２１ａ、下面１２１ｂ、複数の側面１２１ｃを有している。上面１２１ａと下面１２１ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く。上面１２１ａは、基板１１０の主面１１０ａと同じ方向を向く。各側面１２１ｃは、縦方向Ｘと横方向Ｙのいずれかを向く。

　図１３に示すように、駆動パッド１２１は、厚さ方向Ｚにおいて、内側本体部１１２の主面１１２ａよりも封止樹脂天面１８６側に位置している。また駆動パッド１２１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子１４０の主面１４０ａよりも封止樹脂天面１８６側に位置している。図１２及び図１３に示すように、本実施形態では、駆動パッド１２１は、厚さ方向Ｚにおいてリード部１１６の中間部１１８ｂと同じ位置である。

　図１０に示すように、連結部１１２３は、駆動パッド１２１のうちの第２封止樹脂側面１８２側の端部から連続している。連結部１１２３は、横方向Ｙにおいて駆動パッド１２１の中央部よりも第４封止樹脂側面１８４側に位置している。駆動端子１２２は、ソース端子を構成している。図１３に示すように、駆動端子１２２は、第２封止樹脂側面１８２の第１傾斜面１８２ａから突出している。

　図１０に示すように、制御リード１３０は、制御パッド１３１、制御端子１３２、及び、制御パッド１３１と制御端子１３２とを連結する連結部１１３３を有する。制御パッド１３１及び連結部１１３３はインナーリード１３０Ｂを構成し、制御端子１３２はアウターリード１３０Ａを構成している。制御パッド１３１及び連結部１１３３は、縦方向Ｘにおいて基板１１０と第２封止樹脂側面１８２との間に配置されている。制御パッド１３１及び連結部１１３３は、横方向Ｙにおいて封止樹脂１８０の中央部よりも第３封止樹脂側面８３側に配置されている。

　平面視における制御パッド１３１の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる略矩形状である。図１０、図１３に示すように、制御パッド１３１は、上面１３１ａ、下面１３１ｂ、複数の側面１３１ｃを有している。上面１３１ａと下面１３１ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く。上面１３１ａは、基板１１０の主面１１０ａと同じ方向を向く。各側面１３１ｃは、縦方向Ｘと横方向Ｙのいずれかを向く。

　横方向Ｙにおける制御パッド１３１の大きさは、横方向Ｙにおける駆動パッド１２１の大きさよりも小さい。制御パッド１３１は、厚さ方向Ｚにおいて、内側本体部１１２の主面１１２ａよりも封止樹脂天面１８６側に位置している。また制御パッド１３１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子１４０の主面１４０ａよりも封止樹脂天面１８６側に位置している。本実施形態では、制御パッド１３１は、厚さ方向Ｚにおいてリード部１１６の中間部１１８ｂと同じ位置である。

　連結部１１３３は、制御パッド１３１のうちの第２封止樹脂側面１８２側の端部から連続している。連結部１１３３は、横方向Ｙにおいて制御パッド１３１のうちの第３封止樹脂側面８３寄りに位置している。制御端子１３２は、ゲート端子を構成している。制御端子１３２は、第２封止樹脂側面１８２の第１傾斜面１８２ａから突出している。

　図１２に示すように、基板１１０は、第１基材（基板基材）２０１と第１めっき層（基板めっき層）２０２とを備えている。
　第１基材２０１は、Ｃｕ（銅）よりなる。なお、本実施形態において、Ｃｕよりなるとは、Ｃｕ、又はＣｕを含む合金により形成されていることを意図している。第１基材２０１は、例えば圧延によって形成された金属板を用いて形成される。第１基材２０１は、金属板をプレス加工して形成された上述のフランジ部１１９ａ，１１９ｂやリード部１１６となる部分を有している。第１めっき層２０２は、第１基材２０１の表面を覆うように形成されている。第１めっき層２０２は、Ｎｉ（ニッケル）よりなる。Ｎｉよりなるとは、Ｎｉ、又はＮｉを含む合金により形成されていることを意図している。

　第１基材２０１及び第１めっき層２０２は、基板１１０の各部分を形成する。つまり、第１基材２０１は、平板状の基板本体部１１１を形成する部分と、リード部１１６を形成する部分とを備えている。第１基材２０１を覆う第１めっき層２０２の表面は、基板１１０の表面、つまり基板本体部１１１の各面と、リード部１１６の各面を形成する。

　図１３に示すように、駆動リード１２０は、第２基材１２４と第２めっき層１２５とを備えている。
　第２基材１２４は、駆動パッド１２１を形成するパッド部１２６と、駆動端子１２２及び連結部１２３を形成するリード部１２７とを有している。

　図１０及び図１３に示すように、パッド部１２６は、直方体状に形成されている。パッド部１２６は、上面１２６ａ、下面１２６ｂ、複数の側面１２６ｃを有している。上面１２６ａと下面１２６ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対方向を向く。上面１２６ａは、基板１１０の主面１１０ａと同じ方向を向く。各側面１２６ｃは、縦方向Ｘと横方向Ｙのいずれかを向く。第２めっき層１２５は、パッド部１２６の表面を覆う、つまりパッド部１２６の上面１２６ａと下面１２６ｂと側面１２６ｃとを覆う。したがって、パッド部１２６を覆う第２めっき層１２５の表面は、駆動パッド１２１の上面１２１ａと下面１２１ｂと側面１２１ｃである。

　リード部１２７は、パッド部１２６から縦方向Ｘに延び、封止樹脂１８０から突出している。リード部１２７は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く上面１２７ａ及び下面１２７ｂと、横方向Ｙを向く側面１２７ｃと、縦方向Ｘを向く端面１２７ｄを有している。端面１２７ｄは、封止樹脂１８０から突出するリード部１２７の先端の面である。第２めっき層１２５は、リード部１２７の上面１２７ａと下面１２７ｂと側面１２７ｃとを覆うように形成されている。したがって、リード部１２７を覆う第２めっき層１２５の表面は、駆動端子１２２及び連結部１２３の表面である。

　本実施形態において、端面１２７ｄ、つまりリード部１２７の先端の面である端面１２７ｄは、第２めっき層１２５により覆われていない。つまり、リード部１２７の端面１２７ｄは、第２めっき層１２５から露出している。言い換えると、駆動端子１２２の先端面は第２めっき層１２５から第２基材１２４が露出している。

　第２基材１２４は、Ｃｕよりなる。第２基材１２４は、第１基材２０１と同様に、例えば圧延によって形成された金属板を用いて形成される。第２基材１２４は、金属板をプレス加工して形成されたパッド部１２６とリード部１２７とを有する。第２めっき層１２５はＮｉよりなる。図１５に示すように、第２めっき層１２５は、表面が第２基材１２４の表面よりも粗い粗面めっき層である。粗面めっき層である第２めっき層１２５は、例えば、駆動リード１２０を構成する第２基材１２４に電解めっき処理を施すことにより得られる。

　図１４に示すように、制御リード１３０は、第３基材１３４と第３めっき層１３５とを備えている。
　第３基材１３４は、制御パッド１３１を形成するパッド部１３６と、制御端子１３２及び連結部１３３を形成するリード部１３７とを有している。

　図１０及び図１３に示すように、パッド部１３６は、直方体状に形成されている。パッド部１３６は、上面１２７ａ、下面１２７ｂ、複数の側面１２７ｃを有している。上面１２７ａと下面１２７ｂは、厚さ方向において互いに反対方向を向く。上面１２７ａは、基板１１０の主面１１０ａと同じ方向を向く。各側面１２７ｃは、縦方向Ｘと横方向Ｙのいずれかを向く。第３めっき層１３５は、パッド部１３６の表面を覆う、つまりパッド部１３６の上面１３６ａと下面１３６ｂと側面１３６ｃとを覆う。したがって、パッド部１３６を覆う第３めっき層１３５の表面は、制御パッド１３１の上面１３１ａと下面１３１ｂと側面１３１ｃである。

　リード部１３７は、パッド部１３６から縦方向Ｘに延び、封止樹脂１８０から突出している。リード部１３７は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く上面１３７ａ及び下面１３７ｂと、横方向Ｙを向く側面１３７ｃと、縦方向Ｘを向く端面１３７ｄを有している。端面１３７ｄは、封止樹脂１８０から突出するリード部１３７の先端の面である。第３めっき層１３５は、リード部１３７の上面１３７ａと下面１３７ｂと側面１３７ｃとを覆うように形成されている。したがって、リード部１３７を覆う第３めっき層１３５の表面は、制御端子１３２及び連結部１３３の表面である。

　本実施形態において、端面１３７ｄ、つまりリード部１３７の先端の面である端面１３７ｄは、第３めっき層１３５により覆われていない。つまり、リード部１３７の端面１３７ｄは、第３めっき層１３５から露出している。言い換えると、制御端子１３２の先端面は第３めっき層１３５から第３基材１３４が露出している。

　第３基材１３４は、Ｃｕよりなる。第３基材１３４は、第１基材２０１と同様に、例えば圧延によって形成された金属板を用いて形成される。第３基材１３４は、金属板をプレス加工して形成されたパッド部１３６とリード部１３７とを有する。第３めっき層１３５はＮｉよりなる。第３めっき層１３５は、第２めっき層１２５と同様に、表面が第３基材１３４の表面よりも粗い粗面めっき層である。粗面めっき層である第３めっき層１３５は、例えば、制御リード１３０を構成する第３基材１３４に電解めっき処理を施すことにより得られる。

　本実施形態において、基板１１０を構成する第１めっき層２０２は、第２，第３めっき層１２５，１３５と同様に、基板１１０を構成する第１基材２０１の表面よりも表面が粗い粗面めっき層である。基板１１０と駆動リード１２０と制御リード１３０は、リードフレームを用いて形成できる。基板１１０と駆動リード１２０と制御リード１３０とを含むリードフレームは、上記の金属板をプレス加工して形成できる。そのリードフレームに対して例えば電解めっき法により粗面めっき層である第１めっき層２０２と第２めっき層１２５と第３めっき層１３５とを形成する。

　半導体素子１４０の実装と、駆動ワイヤ１５０と制御ワイヤ１６０の接合と、封止樹脂１８０の形成と、を行った後、リードフレームの所定の箇所を切断して半導体装置１０１を個片化する。リードフレームの切断により、駆動リード１２０の端面１３７ｄと制御リード１３０の端面１３７ｄとにおいて、第２基材１２４と第３基材１３４とが露出する。また、図１２に示すように、基板１１０においても、駆動リード１２０及び制御リード１３０と同様に、切断箇所、例えば突出部１１３において縦方向Ｘに向かう面において、第１基材２０１が露出する。また、図９～図１１、図１２，図１３に示すように、駆動リード１２０と制御リード１３０は、側面に突出部１１２０Ｔ，１３０Ｔを有している。この突出部１１２０Ｔ，１３０Ｔは、駆動リード１２０となる第２基材１２４と制御リードとなる第３基材１３４とをリードフレームの枠材に連結する連結部材（タイバー）を切断して残る部分である。この突出部１１２０Ｔ，１３０Ｔにおいても、第２基材１２４と第３基材１３４とが露出する。

　図１２及び図１３に示すように、半導体素子１４０は、内側本体部１１２の主面１１２ａにはんだＳＤによって実装されている。図１０に示すように、本実施形態では、半導体素子１４０は、内側本体部１１２の中央部に配置されている。また、半導体素子１４０と駆動パッド１２１とは縦方向Ｘにずれている。また半導体素子１４０と制御パッド１３１とは縦方向Ｘにずれている。

　半導体素子１４０は、炭化シリコン（ＳｉＣ）チップである。本実施形態では、半導体素子１４０はＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）が用いられている。半導体素子１４０（ＳｉＣＭＯＳＦＴ）は、高速スイッチングが可能な素子である。スイッチング周波数は、例えば１ｋＨｚ以上かつ数百ｋＨｚ以下である。

　半導体素子１４０は、平板状に形成されている。具体的には、平面視において、半導体素子１４０の形状は、例えば正方形状である。図１０及び図１２に示すように、半導体素子１４０は、主面１４０ａ、裏面１４０ｂ、複数の側面１４０ｃ～側面１４０ｆを有する。主面１４０ａ及び裏面１４０ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対方向を向いている。主面１４０ａは、封止樹脂天面１８６に面している。すなわち、主面１４０ａは、基板１１０の主面１１０ａと同じ方向を向いている。裏面１４０ｂは、封止樹脂裏面１８５に面している。裏面１４０ｂは、内側本体部１１２の主面１１２ａに対向している。側面１４０ｃは第１封止樹脂側面１８１に面し、側面１４０ｄは第２封止樹脂側面１８２に面し、側面１４０ｅは第３封止樹脂側面８３に面し、側面１４０ｆは第４封止樹脂側面１８４に面している。

　主面１４０ａには、主面側駆動電極１４１及び制御電極１４３が形成されている。主面側駆動電極１４１及び制御電極１４３は、半導体素子１４０の主面１４０ａに形成された主面電極を構成する。裏面１４０ｂには、裏面側駆動電極（裏面電極）１４２（図１２～図１４参照）が形成されている。本実施形態では、主面側駆動電極１４１がソース電極を構成し、裏面側駆動電極１４２がドレイン電極を構成している。制御電極１４３はゲート電極を構成している。裏面側駆動電極１４２は、はんだＳＤによって内側本体部１１２に電気的に接続されている。はんだＳＤは、例えば鉛はんだである。

　半導体素子１４０は、主面１４０ａに形成されたパッシベーション膜を有する。パッシベーション膜には、半導体素子１４０の主面１４０ａの側の電極を主面側駆動電極１４１及び制御電極１４３として露出する開口部が形成されている。

　図９、図１０に示すように、半導体装置１０１は、１本の駆動ワイヤ１５０と１本の制御ワイヤ１６０を備える。
　本実施形態において、駆動ワイヤ１５０と制御ワイヤ１６０は、同一の金属からなる。本実施形態において、駆動ワイヤ１５０と制御ワイヤ１６０は、Ａｌ（アルミニウム）からなる。Ａｌからなるとは、Ａｌ、又はＡｌを含む合金により形成されていることを意図している。

　駆動ワイヤ１５０は、中央付近において長軸方向に垂直な断面形状が円形である。制御ワイヤ１６０は、中央付近において長軸方向に垂直な断面形状が円形である。駆動ワイヤ１５０の線径は、制御ワイヤ１６０の線径よりも大きい。つまり、駆動ワイヤ１５０は、太径のアルミニウムワイヤである。駆動ワイヤ１５０の線径は、例えば１２００μｍ以上１６００μｍ以下である。制御ワイヤ１６０の線径は、例えば１４０μｍ以上１００μｍ以下である。

　駆動ワイヤ１５０の第１端１５１は、半導体素子１４０の主面側駆動電極１４１に接合され、駆動ワイヤ１５０の第２端１５２は、駆動パッド１２１の上面１２１ａを形成する第２めっき層１２５に接合されている。駆動ワイヤ１５０は、例えば超音波接合により、主面側駆動電極１４１と駆動パッド１２１とに接合されている。

　図９、図１０に示すように、制御ワイヤ１６０の第１端１６１は、半導体素子１４０の制御電極１４３に接合され、制御ワイヤ１６０の第２端１６２は、制御パッド１３１の上面１３１ａを形成する第３めっき層１３５に接合されている。制御ワイヤ１６０は、例えば超音波接合により、制御電極１４３と制御パッド１３１とに接合されている。

　［作用］
　本実施形態の作用について説明する。
　本実施形態の半導体装置１０１は、基板１１０と、基板１１０に対して縦方向Ｘに配置された駆動パッド１２１及び制御パッド１３１を有している。半導体素子１４０は、基板１１０の主面１１０ａに実装されている。Ａｌよりなる駆動ワイヤ１５０の第１端１５１は、半導体素子１４０の主面側駆動電極１４１に接合され、駆動ワイヤ１５０の第２端１５２は、駆動パッド１２１に接合されている。Ａｌよりなる制御ワイヤ１６０の第１端１６１は、半導体素子１４０の制御電極１４３に接合され、制御ワイヤ１６０の第２端１６２は、制御パッド１３１に接合されている。駆動パッド１２１は、Ｃｕよりなる第２基材１２４と、Ｎｉからなり、第２基材１２４の表面を覆う第２めっき層１２５とを備えている。制御パッド１３１は、Ｃｕよりなる第３基材１３４と、Ｎｉからなり、第２基材１２４の表面を覆う第３めっき層１３５とを備えている。第２めっき層１２５は、その表面が第２基材１２４の表面より粗い粗面めっき層である。第３めっき層１３５は、その表面が第３基材１３４の表面よりも粗い粗面めっき層である。半導体素子１４０、駆動パッド１２１及び制御パッド１３１、駆動ワイヤ１５０及び制御ワイヤ１６０は、封止樹脂１８０により封止されている。

　Ｎｉよりなる第２めっき層１２５は、駆動パッド１２１から駆動ワイヤ１５０が離れることを抑制する。駆動パッド１２１をＣｕのみから構成した場合、Ａｌよりなる駆動ワイヤ１５０と駆動パッド１２１との間において生成される金属間化合物は、熱によって成長が進み、駆動ワイヤ１５０が駆動パッド１２１から離れてしまう、等が生じる。したがって、Ｎｉよりなる第２めっき層１２５は、金属間化合物の生成を防止し、駆動ワイヤ１５０が駆動パッド１２１から離れることを抑制する。

　駆動パッド１２１を構成する第２めっき層１２５は、第２めっき層１２５の表面が、駆動パッド１２１を構成する第２基材１２４の表面よりも粗い粗面めっき層である。したがって、この第２めっき層１２５の表面は、駆動パッド１２１を封止する封止樹脂１８０との間の密着性がよい。したがって、第２めっき層１２５は、駆動パッド１２１に対する封止樹脂１８０の剥離を抑制する。封止樹脂１８０が駆動パッド１２１から剥離すると、その剥離によって駆動パッド１２１に接合された駆動ワイヤ１５０が断線する場合がある。したがって、第２めっき層１２５は、駆動パッド１２１に対する封止樹脂１８０の剥離を抑制し、駆動ワイヤ１５０の断線を抑制する。

　Ｎｉよりなる第３めっき層１３５は、制御パッド１３１から制御ワイヤ１６０が離れることを抑制する。制御パッド１３１をＣｕのみから構成した場合、Ａｌよりなる制御ワイヤ１６０と制御パッド１３１との間において生成される金属間化合物は、熱によって成長が進み、制御ワイヤ１６０が制御パッド１３１から離れてしまう、等が生じる。したがって、Ｎｉよりなる第３めっき層１３５は、金属間化合物の生成を防止し、制御ワイヤ１６０が制御パッド１３１から離れることを抑制する。

　制御パッド１３１を構成する第３めっき層１３５は、第３めっき層１３５の表面が、制御パッド１３１を構成する第３基材１３４の表面よりも粗い粗面めっき層である。したがって、この第３めっき層１３５の表面は、制御パッド１３１を封止する封止樹脂１８０との間の密着性がよい。したがって、第３めっき層１３５は、制御パッド１３１に対する封止樹脂１８０の剥離を抑制する。封止樹脂１８０が制御パッド１３１から剥離すると、その剥離によって制御パッド１３１に接合された制御ワイヤ１６０が断線する場合がある。したがって、第３めっき層１３５は、制御パッド１３１に対する封止樹脂１８０の剥離を抑制し、制御ワイヤ１６０の断線を抑制する。

　ＳｉＣを含む半導体素子１４０を備える半導体装置１０１では、大電流を流すことから、半導体素子１４０の主面側駆動電極１４１と駆動パッド１２１との間にＡｌよりなる太径の駆動ワイヤ１５０が用いられている。Ａｕ（金）やＣｕなどのワイヤを用いる場合、電流に応じて複数本のワイヤを接続しなければならず、接続のための工数増加やパッド面積の増加、つまり半導体装置の大型化を招く。これに対し、本実施形態の半導体装置１０１は、１本の駆動ワイヤ１５０により、必要となる電流を流すことができ、工数の増加や大型化を抑制できる。

　本実施形態の半導体装置１０１によれば、以下の効果が得られる。
　（２－１）Ｎｉよりなる第２めっき層１２５は、駆動パッド１２１から駆動ワイヤ１５０が離れることを抑制する。駆動パッド１２１をＣｕのみから構成した場合、Ａｌよりなる駆動ワイヤ１５０と駆動パッド１２１との間において生成される金属間化合物は、熱によって成長が進み、駆動ワイヤ１５０が駆動パッド１２１から離れてしまう、等が生じる。したがって、Ｎｉよりなる第２めっき層１２５は、金属間化合物の生成を防止し、駆動ワイヤ１５０が駆動パッド１２１から離れることを抑制できる。

　（２－２）駆動パッド１２１を構成する第２めっき層１２５は、第２めっき層１２５の表面が、駆動パッド１２１を構成する第２基材１２４の表面よりも粗い粗面めっき層である。したがって、この第２めっき層１２５の表面は、駆動パッド１２１を封止する封止樹脂１８０との間の密着性がよい。したがって、第２めっき層１２５は、駆動パッド１２１に対する封止樹脂１８０の剥離を抑制する。封止樹脂１８０が駆動パッド１２１から剥離すると、その剥離によって駆動パッド１２１に接合された駆動ワイヤ１５０が断線する場合がある。したがって、第２めっき層１２５は、駆動パッド１２１に対する封止樹脂１８０の剥離を抑制し、駆動ワイヤ１５０の断線を抑制できる。

　（２－３）Ｎｉよりなる第３めっき層１３５は、制御パッド１３１から制御ワイヤ１６０が離れることを抑制する。制御パッド１３１をＣｕのみから構成した場合、Ａｌよりなる制御ワイヤ１６０と制御パッド１３１との間において生成される金属間化合物は、熱によって成長が進み、制御ワイヤ１６０が制御パッド１３１から離れてしまう、等が生じる。したがって、Ｎｉよりなる第３めっき層１３５は、金属間化合物の生成を防止し、制御ワイヤ１６０が制御パッド１３１から離れることを抑制できる。

　（２－４）制御パッド１３１を構成する第３めっき層１３５は、第３めっき層１３５の表面が、制御パッド１３１を構成する第３基材１３４の表面よりも粗い粗面めっき層である。したがって、この第３めっき層１３５の表面は、制御パッド１３１を封止する封止樹脂１８０との間の密着性がよい。したがって、第３めっき層１３５は、制御パッド１３１に対する封止樹脂１８０の剥離を抑制する。封止樹脂１８０が制御パッド１３１から剥離すると、その剥離によって制御パッド１３１に接合された制御ワイヤ１６０が断線する場合がある。したがって、第３めっき層１３５は、制御パッド１３１に対する封止樹脂１８０の剥離を抑制し、制御ワイヤ１６０の断線を抑制できる。

　（２－５）ＳｉＣを含む半導体素子１４０を備える半導体装置１０１では、大電流を流すことから、半導体素子１４０の主面側駆動電極１４１と駆動パッド１２１との間にＡｌよりなる太径の駆動ワイヤ１５０が用いられている。Ａｕ（金）やＣｕなどのワイヤを用いる場合、電流に応じて複数本のワイヤを接続しなければならず、接続のための工数増加やパッド面積の増加、つまり半導体装置の大型化を招く。これに対し、本実施形態の半導体装置１０１は、１本の駆動ワイヤ１５０により、必要となる電流を流すことができ、工数の増加や大型化を抑制できる。

　（変更例）
　上記各実施形態の半導体装置は例えば以下のように変更できる。上記実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、上記実施形態と共通する部分については、上記実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

　・第１実施形態の半導体装置１において、図１に示すめっき層７１～７３を、表面が基材である駆動パッド２１，３１の表面、たとえば接続面２４，３４よりも粗い粗面めっき層としてもよい。これらのめっき層７１～７３の表面は、駆動パッド２１，３１および連結部１８を封止する封止樹脂８０との間の密着性がよい。したがって、めっき層７１～７３は、駆動パッド２１，３１および連結部１８に対する封止樹脂８０の剥離を抑制する。封止樹脂８０が駆動パッド２１，３１から剥離すると、その剥離によって駆動パッド２１，３１に接合されたワイヤ５０，６０が断線する場合がある。したがって、めっき層７１，７２は、駆動パッド２１，３１に対する封止樹脂８０の剥離を抑制し、ワイヤ５０，６０の断線を抑制する。

　・駆動ワイヤ５０の本数は、半導体装置１に必要な電流量に応じて、２本以上とすることもできる。この場合であっても、駆動ワイヤ５０の本数は、ＡｕやＣｕのワイヤを用いる場合と比べて本数が遙かに少ないため、やはり工数の増加や大型化を抑制できる。この場合、図８に示すように、複数本の駆動ワイヤ５０のそれぞれの第２端５２の接合部分５３が、めっき層７１の上面に接合された部分５３ａと、駆動パッド２１の接続面２４のうちのめっき層７１から露出する部分２４ｂに接合された部分５３ｂとを有していてもよい。また、複数の駆動ワイヤ５０のそれぞれの接合部分５３が全てめっき層７１と接合されるようにめっき層７１の幅Ｗ７１を設定してもよい。

　・めっき層７１は、図７に示すように、駆動パッド２１の中央部分を覆うようにしてもよい。同様に、めっき層７２は、制御パッド３１の中央部分を覆うようにしてもよい。
　・リード部１６にめっき層７３は省略されてもよい。

　・駆動パッド２１のめっき層７１の幅Ｗ７１と、制御パッド３１のめっき層７２との幅Ｗ７２とを、互いに異なるようにしてもよい。例えば、駆動ワイヤ５０の第２端５２の接合部分５３がめっき層７１からはみ出さないようにしてもよい。また、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の端部までめっき層７１により接続面２４を覆うようにしてもよい。

　・駆動ワイヤ１５０の本数は、半導体装置１０１に必要な電流量に応じて、２本以上とすることもできる。この場合であっても、駆動ワイヤ１５０の本数は、ＡｕやＣｕのワイヤを用いる場合と比べて本数が遙かに少ないため、やはり工数の増加や大型化を抑制できる。

　・第２めっき層１２５は、第２基材１２４のパッド部１２６の上面１２６ａの一部又は全部を覆うように形成されてもよい。同様に、第３めっき層１３５は、第３基材１３４のパッド部１３６の上面１３６あの一部又は全部を覆うように形成されてもよい。

　・基板１１０の第１めっき層２０２は省略されてもよい。
　・半導体素子４０，１４０を、ダイオードやＬＳＩとしてもよい。
　（付記）
　上記各実施形態及び上記各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。

　（付記１）
　主面を有する基板と、
　前記主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く主面電極を有する半導体素子と、
　Ｃｕよりなり、前記基板に対して前記主面と平行な第１方向に前記基板に対して離間して配置され、前記主面と同じ方向を向く接続面を有する接続パッドと、
　Ｎｉよりなり、前記接続面の一部を覆うめっき層と、
　Ａｌよりなり、第１端が前記主面電極に接合され、第２端が前記めっき層に接合されたワイヤと、
　前記半導体素子、前記接続パッド、めっき層、及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
　を備えた半導体装置。

　（付記２）
　前記主面電極は、制御電極と駆動電極とを含み、
　前記接続パッドは、前記基板に対して前記主面と平行な第１方向に前記基板と離間して配置され、前記主面と平行かつ前記第１方向と直交する第２方向に沿って互いに離間して配列された制御パッド及び駆動パッドとを含み、
　前記ワイヤは、前記制御電極と前記制御パッドとを接続する制御ワイヤと、前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する駆動ワイヤとを含む、
　付記１に記載の半導体装置。

　（付記３）
　前記制御ワイヤの線径は、前記駆動ワイヤの線径よりも小さい、付記２に記載の半導体装置。

　（付記４）
　前記制御ワイヤの線径は、４０μｍ以上１００μｍ以下であり、
　前記駆動ワイヤの線径は、２００μｍ以上６００μｍ以下である、
　付記３に記載の半導体装置。

　（付記５）
　前記制御パッドに接合された前記制御ワイヤの接合部は、前記制御パッドの上のめっき層の上に形成され、
　前記駆動パッドに接合された前記制御ワイヤの接合部は、前記駆動パッドの上のめっき層から前記駆動パッドの前記接続面にはみ出して形成されている、
　付記２から付記４のいずれか一項に記載の半導体装置。

　（付記６）
　前記駆動ワイヤの前記接合部において、前記めっき層の上面に接合ざれた部分の面積は、前記駆動ワイヤの断面の面積以上である、付記５に記載の半導体装置。

　（付記７）
　前記制御パッドの前記接続面は、前記めっき層により覆われた部分と、前記めっき層から露出する部分とを有する、付記２から付記６のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。

　（付記８）
　前記駆動パッドの前記接続面は、全体が前記めっき層により覆われている、付記２から付記７のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。

　（付記９）
　前記ワイヤは、超音波接合によって前記接続パッドに接合されている、付記１から付記８のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。

　（付記１０）
　前記半導体素子は、前記主面電極と反対側を向く裏面電極を有し、
　前記基板は、Ｃｕよりなり、
　前記裏面電極は、はんだにより前記基板に接続されている、
　付記１から付記９のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。

　（付記１１）
　前記めっき層は、表面が前記基材の前記上面よりも粗い粗面めっき層である、付記１から付記１０のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。

　（付記１２）
　主面を有する基板と、
　前記主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く主面電極を有する半導体素子と、
　前記基板に対して前記主面と平行な第１方向に前記基板に対して離間して配置された接続パッドと、
　前記主面電極に第１端が接合され、前記接続パッドに第２端が接合されたワイヤと、
　前記半導体素子、前記接続パッド、及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
　を備え、
　前記ワイヤはＡｌよりなり、
　前記接続パッドは、
　Ｃｕよりなり、前記主面と同じ方向を向く上面を有する基材と、
　Ｎｉよりなり、前記基材の前記上面を覆うめっき層と、
　を有し、
　前記めっき層は、表面が前記基材の前記上面よりも粗い粗面めっき層である、
　半導体装置。

　（付記１３）
　前記基材は、前記主面と反対側を向く裏面と、前記主面と前記裏面との間の側面とを有し、
　前記めっき層は、前記基材の前記主面と前記裏面と前記側面とを覆う、
　付記１２に記載の半導体装置。

　（付記１４）
　前記接続パッドから前記第１方向に沿って延び、前記封止樹脂の第１側面から突出する端子を備え、
　前記基材は、前記接続パッドを構成するパッド部と、前記端子を構成するリード部とを備え、
　前記めっき層は、前記パッド部と前記リード部の表面を覆う、
　付記１２又は付記１３に記載の半導体装置。

　（付記１５）
　前記端子の端面は、前記基材が露出している、付記１４に記載の半導体装置。
　（付記１６）
　前記基板は、Ｃｕよりなる基板基材と、前記基板基材の表面を覆う基板めっき層とを備え、
　前記基板めっき層の表面は、前記基板基材の表面よりも粗い粗面めっき層である、
　付記１２から付記１５のいずれか一項に記載の半導体装置。

　（付記１７）
　前記ワイヤは、超音波接合によって前記接続パッドに接合されている、付記１２から付記１６のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。

　（付記１８）
　前記半導体素子はトランジスタであり、前記主面電極は、制御電極と駆動電極とを含み、
　前記接続パッドは、前記基板に対して前記主面と平行な第１方向に前記基板と離間して配置され、前記主面と平行かつ前記第１方向と直交する第２方向に沿って互いに離間して配列された制御パッド及び駆動パッドとを含み、
　前記ワイヤは、前記制御電極と前記制御パッドとを接続する制御ワイヤと、前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する駆動ワイヤとを含む、
　付記１２から付記１７のいずれか一項に記載の半導体装置。

　（付記１９）
　前記制御ワイヤの線径は、前記駆動ワイヤの線径よりも小さい、付記１８に記載の半導体装置。

　（付記２０）
　前記制御ワイヤの線径は、４０μｍ以上１００μｍ以下であり、
　前記駆動ワイヤの線径は、２００μｍ以上６００μｍ以下である、
　付記１８又は付記１９に記載の半導体装置。

　（付記２１）
　前記基板は、Ｃｕよりなるフレームと、前記フレームの表面を覆う粗面めっき層と、を含む、付記１２から付記２０のいずれか一項に記載の半導体装置。

　（付記２２）
　前記基板は、前記主面と反対側を向く裏面を有し、
　前記裏面は、前記封止樹脂から露出している、
　付記１２から付記２１のいずれか一項に記載の半導体装置。

　（付記２３）
　前記半導体素子は、前記主面電極と反対側を向く裏面電極を有し、
　前記裏面電極は、はんだにより前記基板に接続されている、
　付記１２から付記２２のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。

　（付記２４）
　前記半導体素子は、Ｓｉチップ、又はＳｉＣチップである、付記１から付記２３のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。

　１　半導体装置
　１０　基板
　１０ａ　主面
　１０ｂ　裏面
　１１　基板本体部
　１２　内側本体部
　１２ａ　主面
　１２ｂ　裏面
　１２ｃ　第１側面
　１２ｄ　第２側面
　１２ｅ　第３側面
　１３　突出部
　１４　幅狭部
　１４ａ　凹部
　１４ｂ　凹部
　１５　貫通孔
　１６　リード部
　１７　端子部
　１８　連結部
　１８ａ　傾斜部
　１８ｂ　中間部
　１８ｃ　屈曲部
　１９ａ　フランジ部
　１９ｂ　フランジ部
　２０　駆動リード
　２０Ａ　アウターリード
　２０Ｂ　インナーリード
　２１　駆動パッド
　２１ａ　第１端部
　２１ｂ　第２端部
　２２　駆動端子
　２３　連結部
　２４　接続面
　２４ａ　部分
　２４ｂ　部分
　３０　制御リード
　３０Ａ　アウターリード
　３０Ｂ　インナーリード
　３１　制御パッド
　３１ａ　第１端部
　３１ｂ　第２端部
　３２　制御端子
　３３　連結部
　３４　接続面
　３４ａ　部分
　３４ｂ　部分
　４０　半導体素子
　４０ａ　主面
　４０ｂ　裏面
　４０ｃ　側面
　４０ｄ　側面
　４０ｅ　側面
　４０ｆ　側面
　４１　主面側駆動電極（主面電極）
　４２　裏面側駆動電極（裏面電極）
　４３　制御電極（主面電極）
　５０　駆動ワイヤ
　５１　第１端
　５２　第２端
　５３　接合部分
　５３ａ　部分
　５３ｂ　部分
　６０　制御ワイヤ
　６１　第１端
　６２　第２端
　７１～７３　めっき層
　８０　封止樹脂
　８１　第１封止樹脂側面
　８２　第２封止樹脂側面
　８２ａ　第１傾斜面
　８３　第３封止樹脂側面
　８４　第４封止樹脂側面
　８５　封止樹脂裏面
　８６　封止樹脂天面
　１０１　半導体装置
　１１０　基板
　１１０ａ　主面
　１１０ｂ　裏面
　１１１　基板本体部
　１１２　内側本体部
　１１２ａ　主面
　１１２ｂ　裏面
　１１２ｃ　第１側面
　１１２ｄ　第２側面
　１１２ｅ　第３側面
　１１３　突出部
　１１４　幅狭部
　１１４ａ　凹部
　１１４ｂ　凹部
　１１５　貫通孔
　１１６　リード部
　１１７　端子部
　１１８　連結部
　１１８ａ　傾斜部
　１１８ｂ　中間部
　１１８ｃ　屈曲部
　１１９ａ　フランジ部
　１１９ｂ　フランジ部
　１２０　駆動リード
　１２０Ａ　アウターリード
　１２０Ｂ　インナーリード
　１２０Ｔ　突出部
　１２１　駆動パッド
　１２１ａ　上面
　１２１ｂ　下面
　１２１ｃ　側面
　１２２　駆動端子
　１２３　連結部
　１２４　第２基材
　１２５　第２めっき層
　１２６　パッド部
　１２６ａ　上面
　１２６ｂ　下面
　１２６ｃ　側面
　１２７　リード部
　１２７ａ　上面
　１２７ｂ　下面
　１２７ｃ　側面
　１２７ｄ　端面
　１３０　制御リード
　１３０Ａ　アウターリード
　１３０Ｂ　インナーリード
　１３０Ｔ　突出部
　１３１　制御パッド
　１３１ａ　上面
　１３１ｂ　下面
　１３１ｃ　側面
　１３２　制御端子
　１３３　連結部
　１３４　第３基材
　１３５　第３めっき層
　１３６　パッド部
　１３６ａ　上面
　１３６ｂ　下面
　１３６ｃ　側面
　１３７　リード部
　１３７ａ　上面
　１３７ｂ　下面
　１３７ｃ　側面
　１３７ｄ　端面
　１４０　半導体素子
　１４０ａ　主面
　１４０ｂ　裏面
　１４０ｃ　側面
　１４０ｄ　側面
　１４０ｅ　側面
　１４０ｆ　側面
　１４１　主面側駆動電極
　１４２　裏面側駆動電極
　１４３　制御電極
　１５０　駆動ワイヤ
　１５１　第１端
　１５２　第２端
　１５４　第３封止樹脂側面
　１６０　制御ワイヤ
　１６１　第１端
　１６２　第２端
　１８０　封止樹脂
　１８１　第１封止樹脂側面
　１８２　第２封止樹脂側面
　１８２ａ　第１傾斜面
　１８３　第３封止樹脂側面
　１８４　第４封止樹脂側面
　１８５　封止樹脂裏面
　１８６　封止樹脂天面
　２０１　第１基材
　２０２　第１めっき層
　Ｗ７１，Ｗ７２　幅
　Ｘ　縦方向
　Ｙ　横方向
　Ｚ　厚さ方向

Claims

　主面を有する基板と、
　前記主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く主面電極を有する半導体素子と、
　Ｃｕよりなり、前記基板に対して前記主面と平行な第１方向に前記基板に対して離間して配置され、前記主面と同じ方向を向く接続面を有する接続パッドと、
　Ｎｉよりなり、前記接続面の一部を覆うめっき層と、
　Ａｌよりなり、第１端が前記主面電極に接合され、第２端が前記めっき層に接合されたワイヤと、
　前記半導体素子、前記接続パッド、めっき層、及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
　を備えた半導体装置。
　前記主面電極は、制御電極と駆動電極とを含み、
　前記接続パッドは、前記基板に対して前記主面と平行な第１方向に前記基板と離間して配置され、前記主面と平行かつ前記第１方向と直交する第２方向に沿って互いに離間して配列された制御パッド及び駆動パッドとを含み、
　前記ワイヤは、前記制御電極と前記制御パッドとを接続する制御ワイヤと、前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する駆動ワイヤとを含む、
　請求項１に記載の半導体装置。
　前記制御ワイヤの線径は、前記駆動ワイヤの線径よりも小さい、請求項２に記載の半導体装置。
　前記制御ワイヤの線径は、４０μｍ以上１００μｍ以下であり、
　前記駆動ワイヤの線径は、２００μｍ以上６００μｍ以下である、
　請求項３に記載の半導体装置。
　前記制御パッドに接合された前記制御ワイヤの接合部は、前記制御パッドの上のめっき層の上に形成され、
　前記駆動パッドに接合された前記制御ワイヤの接合部は、前記駆動パッドの上のめっき層から前記駆動パッドの前記接続面にはみ出して形成されている、
　請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記駆動ワイヤの前記接合部において、前記めっき層の上面に接合ざれた部分の面積は、前記駆動ワイヤの断面の面積以上である、請求項５に記載の半導体装置。
　前記制御パッドの前記接続面は、前記めっき層により覆われた部分と、前記めっき層から露出する部分とを有する、請求項２から請求項６のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記駆動パッドの前記接続面は、全体が前記めっき層により覆われている、請求項２から請求項７のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記ワイヤは、超音波接合によって前記接続パッドに接合されている、請求項１から請求項８のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記半導体素子は、前記主面電極と反対側を向く裏面電極を有し、
　前記基板は、Ｃｕよりなり、
　前記裏面電極は、はんだにより前記基板に接続されている、
　請求項１から請求項９のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記めっき層は、表面が前記接続パッドの前記接続面よりも粗い粗面めっき層である、請求項１から請求項１０のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
　主面を有する基板と、
　前記主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く主面電極を有する半導体素子と、
　前記基板に対して前記主面と平行な第１方向に前記基板に対して離間して配置された接続パッドと、
　前記主面電極に第１端が接合され、前記接続パッドに第２端が接合されたワイヤと、
　前記半導体素子、前記接続パッド、及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
　を備え、
　前記ワイヤはＡｌよりなり、
　前記接続パッドは、
　Ｃｕよりなり、前記主面と同じ方向を向く上面を有する基材と、
　Ｎｉよりなり、前記基材の前記上面を覆うめっき層と、
　を有し、
　前記めっき層は、表面が前記基材の前記上面よりも粗い粗面めっき層である、
　半導体装置。
　前記基材は、前記主面と反対側を向く裏面と、前記主面と前記裏面との間の側面とを有し、
　前記めっき層は、前記基材の前記主面と前記裏面と前記側面とを覆う、
　請求項１２に記載の半導体装置。
　前記接続パッドから前記第１方向に沿って延び、前記封止樹脂の第１側面から突出する端子を備え、
　前記基材は、前記接続パッドを構成するパッド部と、前記端子を構成するリード部とを備え、
　前記めっき層は、前記パッド部と前記リード部の表面を覆う、
　請求項１２又は請求項１３に記載の半導体装置。
　前記端子の端面は、前記基材が露出している、請求項１４に記載の半導体装置。
　前記基板は、Ｃｕよりなる基板基材と、前記基板基材の表面を覆う基板めっき層とを備え、
　前記基板めっき層の表面は、前記基板基材の表面よりも粗い粗面めっき層である、
　請求項１２から請求項１５のいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記ワイヤは、超音波接合によって前記接続パッドに接合されている、請求項１２から請求項１６のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記半導体素子はトランジスタであり、前記主面電極は、制御電極と駆動電極とを含み、
　前記接続パッドは、前記基板に対して前記主面と平行な第１方向に前記基板と離間して配置され、前記主面と平行かつ前記第１方向と直交する第２方向に沿って互いに離間して配列された制御パッド及び駆動パッドとを含み、
　前記ワイヤは、前記制御電極と前記制御パッドとを接続する制御ワイヤと、前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する駆動ワイヤとを含む、
　請求項１２から請求項１７のいずれか一項に記載の半導体装置。
　前記制御ワイヤの線径は、前記駆動ワイヤの線径よりも小さい、請求項１８に記載の半導体装置。
　前記制御ワイヤの線径は、４０μｍ以上１００μｍ以下であり、
　前記駆動ワイヤの線径は、２００μｍ以上６００μｍ以下である、
　請求項１８又は請求項１９に記載の半導体装置。