JP2017055146A - 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装構造、およびパワー用半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 より効率よく基板に実装することのできる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 複数のダイパッド部１１と、複数のダイパッド部１１のいずれか一つに各々が配置された複数の半導体チップ４１と、複数のダイパッド部１１のいずれをも露出させる凹部７５が形成され、且つ、複数のダイパッド部１１および複数の半導体チップ４１を覆う封止樹脂部７と、凹部７５に配置された、絶縁性の放熱層６と、を備え、放熱層６は、複数のダイパッド部１１のいずれにも正対しており、放熱層６は、凹部７５が開口する方向に露出している弾性層６９を含み、弾性層６９は、放熱層６の厚さ方向視において、複数のダイパッド部１１のいずれにも重なる。
【選択図】 図４

Description

本発明は、半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装構造、およびパワー用半導体装置に関する。

従来から、種々の半導体装置が知られている。種々の半導体装置の一つとしてＩＰＭ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｐｏｗｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）と称されるものがある。このような半導体装置は、複数の半導体チップと、複数のダイパッド部と、放熱板と、接合層と、封止樹脂と、を備える。複数の半導体チップは複数のダイパッド部にそれぞれ配置されている。各ダイパッド部は、接合層を介して放熱板に接合されている。封止樹脂は、複数の半導体チップと複数のダイパッド部と放熱板と接合層とを覆っている。ＩＰＭと称される半導体装置は、たとえば、特許文献１に記載されている。

このような半導体装置は基板（回路基板）に実装される。半導体装置が基板に実装されている状態においては、放熱板は、半導体装置外部の比較的大きい放熱部材に正対させられる。放熱板と放熱部材との間の熱伝導を良好にするため、放熱板と放熱部材との間には、放熱用のグリースを介在させることが多い。そのため、半導体装置を基板に実装するたびに、放熱用のグリースを放熱板もしくは放熱部材に塗布する必要がある。このことは、半導体装置の実装を効率よく行うことの妨げとなっている。

このような半導体装置における接合層になる接着剤を入手するのには、コストがかさむ。また、このような半導体装置の製造工程においては、封止樹脂部を形成する前に、ダイパッド部と放熱板とを接合している。封止樹脂部を形成する工程と、ダイパッド部と放熱板とを接合する工程とは別個に行われる。このことは、半導体装置の製造の効率化を図る妨げとなっている。

従来から種々の半導体装置が知られている。種々の半導体装置の一つとして、半導体チップと、ダイパッド部と、封止樹脂と、ヒートシンクと、を備えるものがある。半導体チップはダイパッド部に配置されている。ヒートシンクは、ダイパッド部の半導体チップが配置された面とは反対側の面に、接着剤によって接合されている。封止樹脂は、半導体チップ、ダイパッド部、およびヒートシンクを覆っている。このような半導体装置を製造するために用いられるヒートシンクや接着剤は、比較的高価なものである。そのため、半導体装置の製造コストの低減を十分に図ることができていなかった。

特許文献２には、高放熱樹脂によってリードフレームを覆う構成を有する集積回路装置（半導体装置）が記載されている。同文献に記載の集積回路装置によると、ヒートシンクを接着剤でダイパッド部に接合しないので、ヒートシンクおよび接着剤に要するコストを削減できる。

同文献に記載の集積回路装置は、具体的には、リードフレームと、パワー素子と、樹脂とを備える。パワー素子は、リードフレームに搭載されている。樹脂は、低応力樹脂と高放熱樹脂とを含む。低応力樹脂は、パワー素子およびリードフレームを覆っている。高放熱樹脂は、リードフレームのうちパワー素子の配置された面とは反対側の面を覆っている。同文献に記載の集積回路装置では、高放熱樹脂が低応力樹脂から剥離するのを防止することを企図している。しかしながら、高放熱樹脂とリードフレームとが強固に接合していないと、高放熱樹脂と低応力樹脂とをより強固に密着させても、高放熱樹脂がリードフレームから剥離するおそれがある。

特開２００９−１０５３８９号公報 特開２００９−３０２５２６号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、より効率よく基板に実装することのできる半導体装置を提供することを提供することを課題の一つとする。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、製造コストを削減でき、且つ、製造の効率化を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供することを課題の一つとする。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、封止樹脂部が剥離しにくく且つ放熱性に優れた半導体装置を提供することを課題の一つとする。

本発明の第１の側面によると、複数のダイパッド部と、上記複数のダイパッド部のいずれか一つに各々が配置された複数の半導体チップと、上記複数のダイパッド部の少なくとも一部を露出させる凹部が形成され、且つ、上記複数のダイパッド部および上記複数の半導体チップを覆う封止樹脂部と、上記凹部に配置された、絶縁性の放熱層と、を備え、上記放熱層は、上記複数のダイパッド部の少なくとも一部に正対しており、上記放熱層は、上記凹部が開口する方向に露出している弾性層を含み、上記弾性層は、上記放熱層の厚さ方向視において、上記複数のダイパッド部の少なくとも一部に重なる、半導体装置が提供される。

好ましくは、上記封止樹脂部は、樹脂底面を有し、上記凹部は、上記樹脂底面から凹んでおり、上記放熱層は、上記樹脂底面よりも突出している部位を有する。

好ましくは、上記凹部は、上記複数のダイパッド部が露出する凹部底面を有し、上記凹部底面は、上記放熱層に直接接している。

好ましくは、上記複数のダイパッド部はいずれも、上記放熱層に直接接している。

好ましくは、上記凹部は、上記放熱層を囲む凹部側面を有し、上記凹部側面は、上記放熱層から隙間を介して離間している。

好ましくは、上記複数のダイパッド部はそれぞれ、上記放熱層が直接接するダイパッド裏面を有し、上記ダイパッド裏面は凹凸面である。

好ましくは、上記凹部底面は、上記放熱層が直接接しており、且つ、凹凸面である。

好ましくは、上記放熱層は、上記放熱層の厚さ方向視において、上記複数のダイパッド部のいずれの全体とも、重なっている。

好ましくは、上記放熱層は、上記弾性層のみからなる。

好ましくは、上記弾性層は、上記複数のダイパッド部のいずれとも接する。

好ましくは、上記弾性層のヤング率は、上記封止樹脂部のヤング率よりも小さい。

好ましくは、上記放熱層の厚さは、５０〜５００μｍである。

本発明の第２の側面によると、複数の半導体チップと、複数のダイパッド部を含むリードフレームと、を用意し、上記複数の半導体チップをそれぞれ上記複数のダイパッド部のいずれか一つに配置し、上記複数のダイパッド部および上記複数の半導体チップを覆う封止樹脂部を形成し、上記複数のダイパッド部の少なくとも一部に正対する、弾性層を含む放熱層を形成する、各工程を備え、上記封止樹脂部を形成する工程においては、凹部を形成し、上記放熱層を形成する工程においては、上記放熱層を上記凹部に形成し、且つ、上記弾性層を上記凹部から露出させる、半導体装置の製造方法が提供される。

好ましくは、上記封止樹脂部は、樹脂底面を有し、上記凹部は、上記樹脂底面から凹んでおり、上記放熱層を形成する工程においては、上記放熱層を上記樹脂底面から突出させる。

好ましくは、上記凹部は、凹部側面を有し、上記放熱層を形成する工程においては、上記放熱層を上記凹部側面から隙間を介して離間させておく。

好ましくは、上記封止樹脂部を形成する工程の後であり、且つ、上記放熱層を形成する工程の前に、上記複数のダイパッド部に対しブラスト処理を施す工程を更に備える。

好ましくは、上記凹部は、上記複数のダイパッド部のいずれもが露出している凹部底面を有し、上記ブラスト処理を施す工程においては、上記凹部底面に対しブラスト処理を施す。

好ましくは、上記弾性層のヤング率は、上記封止樹脂部のヤング率よりも小さい。

好ましくは、上記放熱層を形成する工程においては、放熱シートを上記凹部にはめ込む。

本発明の第３の側面によると、本発明の第１の側面によって提供される半導体装置と、上記半導体装置が実装された基板と、上記基板に固定され、且つ、上記弾性層に直接接する放熱部材と、を備える、半導体装置の実装構造が提供される。

本発明の第４の側面によると、複数のダイパッド部と、上記複数のダイパッド部のいずれか一つに各々が配置され、且つ、各々が発熱部を有する複数のパワーチップと、上記パワーチップを制御するＬＳＩチップと、上記複数のダイパッド部の少なくとも一部を露出させる凹部が形成され、且つ、上記複数のダイパッド部および上記複数のパワーチップを覆う封止樹脂部と、上記凹部に配置された、絶縁性の放熱層と、を備え、上記放熱層は、上記複数のダイパッド部の少なくとも一部に正対しており、上記放熱層は、上記凹部が開口する方向に露出している弾性層を含み、上記弾性層は、上記放熱層の厚さ方向視において、上記複数のダイパッド部の少なくとも一部に重なる、パワー用半導体装置が提供される。

本発明の第５の側面によると、半導体チップと、放熱板と、ダイパッド部を含むリードフレームと、を用意する工程、上記ダイパッド部に上記半導体チップを接合する工程、上記放熱板を上記ダイパッド部に正対させる工程、ならびに、上記半導体チップと上記放熱板と上記ダイパッド部とを覆う封止樹脂部を形成する工程、を備え、上記封止樹脂部を形成する工程においては、上記封止樹脂部によって上記放熱板および上記ダイパッド部を接合する、半導体装置の製造方法が提供される。

好ましくは、上記ダイパッド部は、ダイパッド主面およびダイパッド裏面を有し、上記半導体チップを接合する工程においては、上記半導体チップを上記ダイパッド主面に接合し、上記ダイパッド部に正対させる工程においては、上記放熱板を上記ダイパッド裏面に正対させる。

好ましくは、上記封止樹脂部を形成する工程においては、上記放熱板を上記封止樹脂部から露出させる。

好ましくは、第１金型および第２金型を用意する工程を更に備え、上記封止樹脂部を形成する工程は、上記第１金型と上記第２金型とによって、上記放熱板と上記ダイパッド部と上記半導体チップを囲む工程、および上記囲む工程の後に、上記第１金型と上記第２金型とに囲まれた空間に樹脂材を注入する工程、を含み、上記樹脂材を注入する時点においては、上記放熱板と上記ダイパッド部とは接着されていない状態である。

好ましくは、上記第１金型には凹部が形成されており、上記封止樹脂部を形成する工程は、上記囲む工程の前に、上記凹部に上記放熱板を配置する工程を含む。

本発明の第６の側面によると、ダイパッド部と、上記ダイパッド部に接合された半導体チップと、上記ダイパッド部から離間している放熱板と、上記ダイパッド部、上記半導体チップ、および上記放熱板の少なくとも上記半導体チップ側を覆う封止樹脂部と、を備え、上記封止樹脂部は、上記放熱板および上記ダイパッド部の間に介在する中間部を含み、上記中間部は、上記放熱板および上記ダイパッド部のいずれにも直接接する、半導体装置が提供される。

本発明の第７の側面によると、ダイパッド部と、上記ダイパッド部に接合された半導体チップと、上記ダイパッド部に直接接する放熱板と、上記ダイパッド部、上記半導体チップ、および上記放熱板の少なくとも上記半導体チップ側を覆う封止樹脂部と、を備える、半導体装置が提供される。

好ましくは、上記ダイパッド部は、ダイパッド主面およびダイパッド裏面を有し、上記半導体チップは、上記ダイパッド主面に接合され、上記放熱板は、上記ダイパッド裏面に正対している放熱板主面を有する。

好ましくは、上記放熱板は、上記放熱板主面とは反対側を向く放熱板裏面を有し、上記放熱板裏面は、上記封止樹脂部から露出している。

好ましくは、上記封止樹脂部は、上記放熱板裏面の向く方向と同一方向を向く樹脂底面を有し、上記放熱板は、上記樹脂底面よりも、上記放熱板裏面の向く方向の側に突出している部位を有する。

好ましくは、上記放熱板は、上記ダイパッド部の厚さ方向視において、上記放熱板裏面からはみ出る脱落防止部を含み、上記脱落防止部は、上記封止樹脂部よりも、上記放熱板主面の向く方向の側に位置する。

好ましくは、上記放熱板は、上記放熱板裏面から直立する放熱板側面を有する。

好ましくは、上記放熱板は、導電性材料よりなる。

好ましくは、上記導電性材料は、アルミニウム、銅、銅合金、もしくは、鉄である。

好ましくは、上記ダイパッド部および上記放熱板との間に介在するスペーサを更に備え、上記スペーサは、絶縁性材料よりなる。

好ましくは、上記放熱板は、絶縁性材料よりなる。

好ましくは、上記絶縁性材料は、セラミックである。

好ましくは、上記セラミックは、アルミナ、窒化アルミニウム、もしくは窒化ケイ素である。

好ましくは、上記放熱板は、その放熱板主面の周辺部に、凹凸形状を呈する凹凸部または溝を含む。

好ましくは、上記半導体チップおよび上記ダイパッド部の間に介在し且つ上記半導体チップおよび上記ダイパッド部を接合する接合層を更に備える。

本発明の第８の側面によると、本発明の第６の側面または第７の側面によって提供される半導体装置と、上記半導体装置が実装された基板と、上記基板に対し固定され且つ上記放熱板に正対する放熱部材と、を備える、半導体装置の実装構造が提供される。

本発明の第９の側面によると、上記半導体チップはパワーチップであり、上記パワーチップを制御するＬＳＩチップを更に備え、上記パワーチップが搭載された上記ダイパッド部の裏面側に上記放熱板が配置されている、ＩＰＭ用の半導体装置が提供される。

本発明の第１０の側面によると、互いに反対側を向くダイパッド主面およびダイパッド裏面を有する、導電性のダイパッド部と、上記ダイパッド主面に配置された半導体チップと、上記ダイパッド主面および上記半導体チップを覆う第１封止樹脂部と、上記第１封止樹脂部に直接接する第２封止樹脂部と、を備え、上記第２封止樹脂部は、上記ダイパッド裏面の向く側に露出している樹脂底面を有し、上記樹脂底面は、上記ダイパッド部の厚さ方向視において上記ダイパッド部と重なり、上記ダイパッド裏面は、上記第２封止樹脂部が直接接する凹凸形状の部位を有する、半導体装置が提供される。

好ましくは、上記第２封止樹脂部を構成する材料の熱伝導率は、上記第１封止樹脂部を構成する材料の熱伝導率よりも大きい。

好ましくは、上記第２封止樹脂部に散在している複数の放熱フィラーを更に備える。

好ましくは、上記複数の放熱フィラーを構成する材料の熱伝導率は、上記第２封止樹脂部を構成する材料の熱伝導率よりも大きい。

好ましくは、上記各放熱フィラーは、破砕フィラーである。

好ましくは、上記破砕フィラーは、アルミナ、二酸化ケイ素、もしくは、窒化ホウ素よりなる。

好ましくは、上記第１封止樹脂部に散在している複数の低熱膨張フィラーを更に備える。

好ましくは、上記低熱膨張フィラーを構成する材料の熱膨張率は、上記第１封止樹脂部を構成する材料の熱膨張率よりも小さい。

好ましくは、上記各低熱膨張フィラーは、球状フィラーである。

好ましくは、上記球状フィラーは、二酸化ケイ素よりなる。

好ましくは、上記第１封止樹脂部は、上記第２封止樹脂部が直接接する第１樹脂面を有し、上記第１樹脂面は、凹凸形状の部位を有する。

好ましくは、上記第１樹脂面は、上記ダイパッド裏面と面一である。

好ましくは、上記第１樹脂面は、上記ダイパッド部の厚さ方向において、上記ダイパッド裏面と上記ダイパッド主面との間に位置する。

好ましくは、上記第１封止樹脂部は、上記第２封止樹脂部に食い込む突出部を含む。

好ましくは、上記第２封止樹脂部は、上記ダイパッド部の厚さ方向視において、上記ダイパッド部の全体に重なる。

好ましくは、上記第１封止樹脂部は、上記ダイパッド主面の向く方向と同一方向を向く樹脂主面を有し、上記樹脂主面は、上記ダイパッド部の厚さ方向視において、上記ダイパッド部に重なる。

好ましくは、上記第１封止樹脂部は、上記半導体チップを囲む樹脂側面を有し、上記樹脂側面は、上記樹脂主面と鈍角をなすように上記樹脂主面に対し傾斜している。

好ましくは、上記樹脂底面は、上記ダイパッド裏面に対し、１００〜２５０μｍ離間している。

好ましくは、上記第２封止樹脂部の熱伝導率は、２〜５Ｗ／ｍＫである。

好ましくは、上記第２封止樹脂部は、上記ダイパッド部の厚さ方向視において上記ダイパッド部を囲む形状の樹脂壁面を有し、上記樹脂壁面は、上記樹脂底面に対し鈍角をなすように上記樹脂底面に対し傾斜している。

本発明の第１１の側面によると、本発明の第１０の側面によって提供される半導体装置と、上記半導体装置が実装された基板と、上記樹脂底面に正対する放熱部材と、を備える、半導体装置の実装構造が提供される。

本発明の第１２の側面によると、半導体チップと、ダイパッド主面およびダイパッド裏面を有するダイパッド部を用意し、上記ダイパッド主面に上記半導体チップを配置し、上記ダイパッド主面および上記半導体チップを覆う第１封止樹脂部を形成し、上記ダイパッド裏面に凹凸形状の部位を形成し、上記ダイパッド裏面における上記凹凸形状の部位を覆う第２封止樹脂部を形成する、各工程を備える、半導体装置の製造方法が提供される。

好ましくは、上記凹凸形状の部位を形成する工程においては、上記ダイパッド裏面に対しブラスト処理を施す。

好ましくは、上記凹凸形状の部位を形成する工程は、上記第１封止樹脂部を形成する工程の後に行い、上記第２封止樹脂部を形成する工程は、上記凹凸形状の部位を形成する工程の後に行う。

好ましくは、上記ダイパッド裏面に対しブラスト処理を施す工程と同時に、上記第１封止樹脂部に対しブラスト処理を施す工程を更に備える。

本発明の第１３の側面によると、発熱部を有するパワーチップと、上記パワーチップを制御するＬＳＩチップと、を備え、上記パワーチップおよび上記ＬＳＩチップを樹脂封止したパワー用半導体装置において、上記パワーチップおよび上記ＬＳＩチップを覆う第１封止樹脂部と、上記第１封止樹脂部に直接接する第２封止樹脂部と、を備え、上記第１封止樹脂部と上記第２封止樹脂部とが接する面に、外部に露出する面よりも粗い凹凸部を有する、パワー用半導体装置が提供される。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態の半導体装置の実装構造を示す断面図である。 本発明の第１実施形態の半導体装置のリードを折り曲げる前の平面図（一部構成省略）である。 本発明の第１実施形態の半導体装置のリードを折り曲げる前の底面図である。 図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。 図４の領域Ｖの部分拡大図である。 本発明の第１実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を示す平面図である。 図６に続く一工程を示す断面図である。 図７に続く一工程を示す断面図である。 図８に続く一工程を示す断面図である。 本発明の第１実施形態の半導体装置の実装構造の断面図である。 本発明の第２実施形態の半導体装置の実装構造を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の半導体装置のリードを折り曲げる前の平面図（一部構成省略）である。 本発明の第２実施形態の半導体装置のリードを折り曲げる前の底面図である。 図１２のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う断面図である。 図１２のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。 本発明の第２実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を示す平面図である。 図１６に続く一工程を示す断面図である。 図１６に続く一工程を示す断面図である。 図１７に続く一工程を示す断面図である。 図１８に続く一工程を示す断面図である。 図１９に続く一工程を示す断面図である。 図２０に続く一工程を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の第１変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の第１変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の第１変形例の半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の第１変形例の半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の第２変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の第２変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の第３変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の第３変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の第４変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の第４変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第３実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 本発明の第３実施形態の第１変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態の第１変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態の第２変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態の第２変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態の第３変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態の第３変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態の第４変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態の第４変形例の半導体装置を示す断面図である。 本発明の第４実施形態の半導体装置の実装構造を示す断面図である。 本発明の第４実施形態の半導体装置リードを折り曲げる前の平面図（一部構成省略）である。 本発明の第４実施形態の半導体装置のリードを折り曲げる前の底面図である。 図４６のＸＬＶＩＩＩ−ＸＬＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図４８の領域ＸＬＩＸの部分拡大図である。 本発明の第４実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を示す平面図である。 図５０に続く一工程を示す断面図である。 図５１に続く一工程を示す断面図である。 図５２に続く一工程を示す断面図である。 本発明の第５実施形態の半導体装置のリードを折り曲げる前の底面図である。 図５４のＬＶ−ＬＶ線に沿う断面図である。 本発明の第６実施形態の半導体装置を示す断面図である。 図５６の領域ＬＶＩＩの部分拡大図である。

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態の半導体装置の実装構造を示す断面図である。

図１に示す半導体装置の実装構造８０１は、半導体装置１０１と、基板８０７と、放熱部材８０８とを備える。

基板８０７は、複数の電子部品が実装されるものである。基板８０７は絶縁性の材料よりなる。基板８０７には図示しない配線パターンが形成されている。基板８０７には、複数の孔８０９が形成されている。放熱部材８０８は、熱伝導率の比較的大きな材料、たとえば、アルミニウムなどの金属よりなる。放熱部材８０８は、図示しない支持部材によって基板８０７に対し固定されている。半導体装置１０１は、基板８０７に実装されている。本実施形態において半導体装置１０１は、ＩＰＭ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｐｏｗｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）と称される製品である。半導体装置１０１は、たとえば、エアーコンディショナーやモータ制御機器などの用途に用いられる。

図２は、本発明の第１実施形態の半導体装置のリードを折り曲げる前の平面図（一部構成省略）である。図３は、本発明の第１実施形態の半導体装置のリードを折り曲げる前の底面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、図４の領域Ｖの部分拡大図である。なお、図１は、図２のＩ−Ｉ線に沿う断面に相当する。図４においては理解の便宜上、各構成を模式化して示している。

これらの図に示す半導体装置１０１は、複数の第１電極部１、第２電極部２、および、第３電極部３と、複数の半導体チップ４１，４２と、受動部品チップ４３と、放熱層６と、封止樹脂部７と、ワイヤ８と、を備える。図２においては、放熱層６を点線で示し、封止樹脂部７を仮想線で示している。

封止樹脂部７は、複数の第１電極部１、第２電極部２、および、第３電極部３と、半導体チップ４１，４２と、受動部品チップ４３と、を覆っている。封止樹脂部７は、たとえば、黒色のエポキシ樹脂よりなる。図３、図４に示すように、封止樹脂部７は、樹脂主面７１と、樹脂底面７２と、樹脂側面７３と、を有する。

樹脂主面７１は、方向ｚ１を向き、且つ、ｘｙ平面に沿う平坦な面である。樹脂底面７２は、方向ｚ１とは反対側の方向ｚ２を向き、且つ、ｘｙ平面に沿う平坦な面である。樹脂側面７３は、ｘｙ平面視において半導体チップ４１，４２および受動部品チップ４３を囲む形状である。樹脂側面７３は、樹脂主面７１と樹脂底面７２とにつながる。

図４によく表れているように、封止樹脂部７には凹部７５が形成されている。凹部７５は樹脂底面７２から凹む。凹部７５は、凹部底面７５１および凹部側面７５２を有する。凹部底面７５１はｘｙ平面に沿う形状である。図５に示すように、本実施形態において、凹部底面７５１は微細な凹凸形状が形成された凹凸面である。封止樹脂部７に対しブラスト処理（後述）を施すことにより、凹部底面７５１は凹凸面になる。凹部底面７５１の高低差は、たとえば、０．１μｍ〜１μｍである。

凹部側面７５２は、凹部底面７５１および樹脂底面７２につながる。凹部側面７５２は、方向ｚに対し傾斜するテーパ状である。凹部側面７５２は、方向ｚ２にいくにつれ、ｘｙ平面視において凹部底面７５１から遠ざかるように、方向ｚに対し傾斜している。

図２に示すように、半導体チップ４１，４２および受動部品チップ４３は平面視矩形状を呈する。半導体チップ４１は、たとえば、ＩＧＢＴ，ＭＯＳ，ダイオードなどのパワーチップである。半導体チップ４２は、コントロールＩＣなどのＬＳＩチップである。受動部品チップ４３は、たとえば、抵抗もしくはコンデンサなどの受動部品である。

図２〜４に示す第１電極部１、第２電極部２、および、第３電極部３は、いずれも導電性材料よりなる。このような導電性材料としては、たとえば銅が挙げられる。なお、図２の右下に記載の電極部はグランド接続される。

複数（本実施形態では４つ）の第１電極部１はそれぞれ、ダイパッド部１１（図１、図２、図４参照）と、接続部１２（図１、図２参照）と、ワイヤボンディング部１３（図１、図２参照）と、リード１４（図１〜図３参照）と、を含む。複数の第１電極部１は、方向ｘにおいて互いに離間している。

各ダイパッド部１１は、ｘｙ平面に沿う板状である。ダイパッド部１１には半導体チップ４１が配置されている。図４に示すように、ダイパッド部１１と半導体チップ４１との間には、接合層９９１が介在している。接合層９９１は、導電性材料よりなる。このような導電性材料は、たとえばハンダもしくは銀ペーストである。ハンダは熱伝導率が比較的大きい。接合層９９１としてハンダを用いると、半導体チップ４１からダイパッド部１１に熱を効率よく伝えることができる。複数のダイパッド部１１はいずれも、凹部底面７５１から露出している。

各ダイパッド部１１は、ダイパッド主面１１１とダイパッド裏面１１２とを有する。ダイパッド主面１１１は方向ｚ１を向き、ダイパッド裏面１１２は方向ｚ２を向く。すなわちダイパッド主面１１１およびダイパッド裏面１１２は互いに反対側を向く。ダイパッド主面１１１には、半導体チップ４１が配置されている。ダイパッド主面１１１と半導体チップ４１との間には接合層９９１が介在している。ダイパッド裏面１１２は、凹部底面７５１に対し、ダイパッド部１１の厚さ方向（方向ｚ）において、同位置に位置している。ダイパッド裏面１１２は、凹部底面７５１よりも、凹部７５が開口する方向側に位置していてもよい。図５に示すように、本実施形態において、ダイパッド裏面１１２は、微細な凹凸形状が形成された凹凸面である。ダイパッド部１１に対しブラスト処理（後述）を施すことにより、ダイパッド裏面１１２は凹凸面になる。ダイパッド裏面１１２の高低差（凹部の頂部と底部との高低差）は、たとえば、０．０１〜１μｍである。

図２に示すように、各接続部１２は、ダイパッド部１１とワイヤボンディング部１３との間に位置し且つダイパッド部１１とワイヤボンディング部１３とにつながる。図１に示すように、接続部１２は、ｘｙ平面に傾斜する面に沿う形状である。接続部１２は、ダイパッド部１１から離間するにつれ方向ｚ１に向かうようにｘｙ平面に対し傾斜している。

図１、図２に示す各ワイヤボンディング部１３はｘｙ平面に沿う形状である。各ワイヤボンディング部１３は、方向ｚにおいて、ダイパッド部１１よりも方向ｚ１側に位置する。一のワイヤボンディング部１３と一の半導体チップ４１とには、ワイヤ８がボンディングされている。これにより、一のワイヤボンディング部１３と一の半導体チップ４１とが導通している。リード１４は、ワイヤボンディング部１３につながる。各リード１４は方向ｙに沿って延びる。リード１４は、封止樹脂部７の樹脂側面７３から突出する部位を有する。本実施形態にてリード１４は挿入実装用のものである。図１に示すように、半導体装置１０１の基板８０７への実装時において、リード１４は折れ曲げられ、孔８０９に挿入される。リード１４を基板８０７に固定するために、孔８０９にハンダ層８１０が充填されている。

図２に示すように、複数（本実施形態では３つ）の第２電極部２はそれぞれ、ワイヤボンディング部２３と、リード２４と、を含む。複数の第２電極部２は、方向ｘにおいて互いに離間している。

各ワイヤボンディング部２３はｘｙ平面に沿う形状である。各ワイヤボンディング部２３は、方向ｚにおいて、ダイパッド部１１よりも方向ｚ１側に位置する。一のワイヤボンディング部２３と一の半導体チップ４１とには、ワイヤ８がボンディングされている。これにより、一のワイヤボンディング部２３と一の半導体チップ４１とが導通している。リード２４は、ワイヤボンディング部２３につながる。各リード２４は方向ｙに沿って延びる。リード２４は、封止樹脂部７の樹脂側面７３から突出する部位を有する。本実施形態にてリード２４は挿入実装用のものである。図示しないが、リード１４と同様に、半導体装置１０１の基板８０７への実装時においてリード２４は孔８０９に挿入される。

図１、図２に示す第３電極部３は、複数の制御用ダイパッド部３１と、複数のリード３２とを含む。制御用ダイパッド部３１およびリード３２はいずれも、方向ｚにおいて同じ位置に配置されている。各制御用ダイパッド部３１には、半導体チップ４２もしくは受動部品チップ４３が配置されている。制御用ダイパッド部３１と半導体チップ４２との間、および、制御用ダイパッド部３１と受動部品チップ４３との間には、接合層（図示略）が介在している。制御用ダイパッド部３１の裏面は、放熱層６と対向していなくても良いし、露出していなくても良い。

各リード３２は、封止樹脂部７の樹脂側面７３から突出する部位を有する。本実施形態にてリード３２は挿入実装用のものである。図１に示すように、半導体装置１０１の基板８０７への実装時においてリード３２は孔８０９に挿入される。リード１４に関して述べたように、リード３２を基板８０７に固定するために、孔８０９にハンダ層８１０が充填されている。一のリード３２と一の半導体チップ４２とには、ワイヤ８がボンディングされている。これにより、一のリード３２と一の半導体チップ４２とが導通している。また、ワイヤ８は、一の半導体チップ４２と一の受動部品チップ４３とにもボンディングされている。

放熱層６は、絶縁性であり、図４に示すように、封止樹脂部７における凹部７５に配置されている。放熱層６は、凹部側面７５２に囲まれている。本実施形態において、放熱層６は、ｘｙ平面に沿う板状である。放熱層６は、半導体チップ４１が搭載される複数のダイパッド部１１のいずれにも直接接している。より具体的には、放熱層６は、複数のダイパッド部１１におけるダイパッド裏面１１２に直接接している。放熱層６は、凹部底面７５１にも直接接している。一方、放熱層６は、凹部側面７５２（の少なくとも一部）からは離間している。本実施形態においては、放熱層６は、樹脂底面７２から突出している部位を有する。

放熱層６は、半導体チップ４１にて発生した熱を速やかに半導体装置１０１の外部に放出するために、設けられている。半導体チップ４１にて発生した熱を速やかに半導体装置１０１の外部に放出するには、放熱層６を構成する材料の熱伝導率は大きければ大きいほど良い。好ましくは、放熱層６は、封止樹脂部７を構成する材料の熱伝導率よりも熱伝導率が大きい材料よりなる。放熱層６は、複数のダイパッド部１１のいずれにも正対している。図３に示すように、放熱層６は、ｘｙ平面視（放熱層６の厚さ方向視）において、各ダイパッド部１１の全体に重なる。

放熱層６は、放熱シート（もしくは高熱伝導シート）と称されるものである。放熱層６は弾性層６９を含む。弾性層６９は絶縁性の材料よりなる。本実施形態においては、放熱層６は、弾性層６９のみからなる。弾性層６９は、凹部７５が開口している方向（方向ｚ２）に露出している。図３に示すように、弾性層６９は、放熱層６の厚さ方向ｚ視（ｘｙ平面視）において、複数のダイパッド部１１のいずれにも重なる。弾性層６９は、ヤング率の比較的小さい材料よりなる層である。弾性層６９のヤング率は、封止樹脂部７のヤング率よりも小さいことが好ましい。このような放熱層６は、たとえば、熱硬化性の樹脂シートが硬化する前の、比較的軟らかいシートである。弾性層６９は、たとえば、エポキシ系の樹脂よりなる。弾性層６９は、シリコーンゴムよりなっていてもよい。本実施形態とは異なり、放熱層６は、基材と、基材の両面に塗布された粘着層と、を備える構成であってもよい。この場合、粘着層が弾性層を構成する。本実施形態と異なり、放熱層６は、絶縁性のペーストを凹部７５に塗布することにより形成されていてもよい。

図３、図４に示すように、放熱層６は放熱層主面６１と放熱層裏面６２と放熱層側面６３とを有する。放熱層主面６１は方向ｚ１を向く。放熱層主面６１は、ｘｙ平面視において、各ダイパッド部１１のダイパッド裏面１１２と、凹部底面７５１とに重なる。放熱層主面６１は、ダイパッド裏面１１２および凹部底面７５１に直接接する。図５を参照して上述したように、ダイパッド裏面１１２および凹部底面７５１はいずれも凹凸面であるから、ダイパッド裏面１１２および凹部底面７５１に直接接する放熱層主面６１も、凹凸面となっている。放熱層裏面６２は放熱層主面６１の向く方向とは反対方向である方向ｚ２を向く。放熱層裏面６２は封止樹脂部７に覆われておらず、封止樹脂部７から露出している。放熱層側面６３は、放熱層６の厚さ方向である方向ｚに垂直である方向を向く。放熱層側面６３は凹部側面７５２（の少なくとも一部）から離間している。これは、後述するように、封止樹脂部７を形成後凹部７５に放熱層６としての放熱シートをはめ込みやすくするためである。本実施形態では、放熱層６は弾性層６９のみからなるため、放熱層主面６１、放熱層裏面６２、および放熱層側面６３はいずれも、弾性層６９によって構成されている。

図１０は、半導体装置１０１が基板８０７（図１参照）に実装された際の断面図を示している。同図に示すように、半導体装置１０１が基板８０７に実装された状態において、放熱層６は放熱部材８０８に直接接する。そして、放熱層６の放熱層裏面６２は、凹部底面７５１の位置する側に放熱部材８０８によって押し付けられる。これにより、放熱層６は弾性変形し、放熱層６と凹部側面７５２との隙間がなくなり、放熱層６は凹部側面７５２に直接接している。

次に、半導体装置１０１の製造方法について説明する。製造方法の説明にて用いる図では、上述と同一の構成については、同一の符号を付している。

まず、図６に示すように、複数のダイパッド部１１，３１を含むリードフレーム３００と、複数の半導体チップ４１，４２と、受動部品チップ４３とを用意する。次に、同図に示すように、接合層（図示略）を介して、各半導体チップ４１を複数のダイパッド部１１のいずれか一つに配置する。同様に、各半導体チップ４２および受動部品チップ４３を、接合層（図示略）を介して、複数の制御用ダイパッド部３１のいずれか一つに配置する。次に、同図に示すように、ワイヤ８を各半導体チップ４１，４２等にボンディングする。

次に、図７、図８に示すように、封止樹脂部７を形成する。図７に示すように、封止樹脂部７は、金型８８１を用いたモールド成型により形成する。同図に示すように、金型８８１で複数のダイパッド部１１などを押さえつける。次に、金型８８１内に樹脂材を注入し、当該樹脂材を硬化させる。当該樹脂材が硬化すると、図８に示すように、金型８８１を複数のダイパッド部１１などから取り外す。これにより、封止樹脂部７を形成できる。封止樹脂部７を形成する工程においては、複数のダイパッド部１１を露出させる凹部７５を封止樹脂部７に形成する。樹脂硬化後に金型８８１を封止樹脂部７から抜けやすくするために、凹部７５における凹部側面７５２は上述のようなテーパ状となっている。

封止樹脂部７を形成した後は、ダイパッド部１１を覆う薄い樹脂バリが形成されることがある。この樹脂バリを除去するために複数のダイパッド部１１に対してブラスト処理を施す（図示略）。ブラスト処理とは、珪砂等のような非金属粒や金属粒を高速度で噴きつけ、表面を粗化する方法である。これにより、各ダイパッド部１１のダイパッド裏面１１２および封止樹脂部７の凹部底面７５１は、図５に示したように、微細な凹凸形状が形成された凹凸面となる。

次に、図９に示すように、封止樹脂部７の凹部７５に放熱層６を形成する。より具体的には、凹部７５に、放熱層６としての放熱シートをはめ込む。封止樹脂部７に凹部７５が形成されているのは、各ダイパッド部１１に対する放熱シートの位置決めを容易にできる点において好ましい。放熱シートの表面は、比較的粘性を有するため、放熱シート自体が、凹部底面７５１およびダイパッド裏面１１２に接合する。

次に、図６に示したリードフレーム３００を適宜切断することにより、図２等に示した半導体装置１０１が製造される。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

半導体装置１０１において、放熱層６は弾性層６９を含む。弾性層６９は、凹部７５が開口する方向（方向ｚ２）に露出している。また、弾性層６９は、ｘｙ平面視において、複数のダイパッド部１１のいずれにも重なる。このような構成によると、図１０に示したように、半導体装置１０１が基板８０７に実装される際、弾性層６９は、凹部底面７５１の位置する側に放熱部材８０８によって押し付けられる。そのため弾性層６９は弾性変形し、放熱部材８０８に密着する。弾性層６９と放熱部材８０８とを密着させることができると、弾性層６９と放熱部材８０８との間に、放熱用のグリースを介在させる必要がなくなる。よって、半導体装置１０１を基板８０７に実装するたびに、放熱用のグリースを放熱部材８０８等に塗布する必要がなくなる。したがって、半導体装置１０１を基板８０７に対し、より効率よく実装することが可能となる。

半導体装置１０１は、背景技術の項で述べた放熱板を備えない。そのため、放熱板に要するコストを削減できる。更に、放熱板の厚さ分だけ、半導体装置１０１の厚さを薄くすることができる。

半導体装置１０１においては、図１０に示したように、封止樹脂部７は、樹脂底面７２を有する。凹部７５は、樹脂底面７２から凹んでいる。放熱層６は、樹脂底面７２よりも突出している部位を有する。このような構成によると、放熱層６が弾性変形したとしても、放熱部材８０８が樹脂底面７２に接触しにくい。そのため、放熱層６を放熱部材８０８に確実に密着させることができる。

半導体装置１０１が基板８０７（図１参照）に実装された状態において、放熱層６は弾性変形し、放熱層６と凹部側面７５２との隙間がなくなり、放熱層６は凹部側面７５２に直接接している。このような構成によると、放熱層６としての放熱シートを凹部７５に配置しやすくするために放熱層６と凹部側面７５２とを隙間を介して離間させつつも、半導体装置１０１が基板８０７に実装された状態においては、放熱層６を凹部側面７５２に密着させることができる。放熱層６を凹部側面７５２に密着させることができると、ダイパッド部１１から封止樹脂部７に伝わった熱を、凹部底面７５１および放熱層６を経由させて、放熱部材８０８に伝えることができる。これは、半導体装置１０１の放熱性の向上に適する。

半導体装置１０１においては、複数のダイパッド部１１はそれぞれ、放熱層６が直接接するダイパッド裏面１１２を有する。図５に示したように、ダイパッド裏面１１２は凹凸面である。このような構成によると、ダイパッド裏面１１２と放熱層６との接合面積を大きくすることができる。ダイパッド裏面１１２と放熱層６との接合面積を大きくすることができると、ダイパッド裏面１１２と放熱層６とがより強固に接合するから、放熱層６がダイパッド裏面１１２から剥離しにくくなる。また、ダイパッド裏面１１２と放熱層６との接合面積が大きくなると、半導体チップ４１からダイパッド部１１に伝わった熱を、ダイパッド部１１から放熱層６に伝えやすくなる。そのため、半導体チップ４１にて発生した熱を、放熱層６を経由させて半導体装置１０１の外部（本実施形態においては、放熱部材８０８）に、より効率的に伝えることができる。このような半導体装置１０１は放熱性に優れているといえる。以上より、本実施形態によると、放熱層６が剥離しにくく且つ放熱性に優れた半導体装置１０１が提供される。

半導体装置１０１においては、図５に示したように、凹部底面７５１は、放熱層６が直接接しており、且つ、凹凸面である。このような構成によると、放熱層６と封止樹脂部７との接合面積を大きくすることができる。放熱層６と封止樹脂部７との接合面積を大きくできると、放熱層６が封止樹脂部７から剥離することを抑制できる。

半導体装置１０１の製造工程では、ダイパッド裏面１１２に対しブラスト処理を施す工程と同時に、封止樹脂部７に対しブラスト処理を施す。このような構成によると、ダイパッド裏面１１２に凹凸形状の部位を形成するのとは別に、封止樹脂部７の凹部底面７５１に凹凸形状の部位を形成する必要がない。このような構成は、半導体装置の製造の効率化を図るのに適する。

＜第２実施形態＞
図１１〜図２２を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。

図１１は、本発明の第２実施形態の半導体装置の実装構造を示す断面図である。

図１１に示す半導体装置の実装構造Ａ８０１は、半導体装置Ａ１００と、基板Ａ８０７と、放熱部材Ａ８０８とを備える。

基板Ａ８０７は、複数の電子部品が実装されるものである。基板Ａ８０７は絶縁性の材料よりなる。基板Ａ８０７には図示しない配線パターンが形成されている。基板には、複数の孔Ａ８０９が形成されている。放熱部材Ａ８０８は、熱伝導率の比較的大きな材料、たとえば、アルミニウムなどの金属よりなる。放熱部材Ａ８０８は、図示しない支持部材によって基板Ａ８０７に対し固定されている。半導体装置Ａ１００は、基板Ａ８０７に実装されている。本実施形態において半導体装置Ａ１００は、ＩＰＭ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｐｏｗｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）と称される製品である。半導体装置Ａ１００は、たとえば、エアーコンディショナーやモータ制御機器などの用途に用いられる。

図１２は、本発明の第２実施形態の半導体装置のリードを折り曲げる前の平面図（一部構成省略）である。図１３は、本発明の第２実施形態の半導体装置のリードを折り曲げる前の底面図である。図１４は、図１２のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う断面図である。図１５は、図１２のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。

これらの図に示す半導体装置Ａ１００は、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３と、半導体チップＡ４１，Ａ４２と、受動部品チップＡ４３と、放熱板Ａ６と、封止樹脂部Ａ７と、複数のワイヤＡ８と、接合層Ａ９９１と、を備える。図１２では、封止樹脂部Ａ７を省略し、２点鎖線で示している。

図１３〜図１５に示す封止樹脂部Ａ７は、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３と、半導体チップＡ４１，Ａ４２と、受動部品チップＡ４３と、放熱板Ａ６と、複数のワイヤＡ８と、接合層Ａ９９１と、を覆っている。封止樹脂部Ａ７は、絶縁性の樹脂よりなる。このような絶縁性の樹脂としては、たとえば、黒色のエポキシ樹脂が挙げられる。図１４、図１５に示すように、封止樹脂部Ａ７は、樹脂主面Ａ７１と、樹脂底面Ａ７２と、樹脂側面Ａ７３と、を有する。

樹脂主面Ａ７１は、方向ｚ１を向き、且つ、ｘｙ平面に沿う平坦な面である。樹脂底面Ａ７２は、方向ｚ１とは反対側の方向ｚ２を向き、且つ、ｘｙ平面に沿う平坦な面である。樹脂側面Ａ７３は、ｘｙ平面視において半導体チップＡ４１，Ａ４２および受動部品チップＡ４３を囲む形状である。樹脂側面Ａ７３は、樹脂主面Ａ７１および樹脂底面Ａ７２につながる。

本実施形態において封止樹脂部Ａ７は複数の中間部Ａ７５を含む。中間部Ａ７５については後述する。

図１２に示すように、半導体チップＡ４１，Ａ４２および受動部品チップＡ４３は平面視矩形状を呈する。半導体チップＡ４１は、たとえば、ＩＧＢＴ，ＭＯＳ，ダイオードなどのパワーチップである。半導体チップＡ４２は、コントロールＩＣなどのＬＳＩチップである。受動部品チップＡ４３は、たとえば、抵抗もしくはコンデンサなどの受動部品である。

図１２〜図１５に示す第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３はいずれも導電性を有する。すなわち、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３はいずれも導電性材料よりなる。このような導電性材料としては、たとえば銅が挙げられる。なお、図１２の右下に記載の電極部はグランド接続される。

複数（本実施形態では４つ）の第１電極部Ａ１はそれぞれ、ダイパッド部Ａ１１（図１１〜図１４参照）と、接続部Ａ１２（図１１、図１２参照）と、ワイヤボンディング部Ａ１３（図１１、図１２参照）と、リードＡ１４（図１１、図１２参照）と、を含む。複数の第１電極部Ａ１は、方向ｘにおいて互いに離間している。

各ダイパッド部Ａ１１は、ｘｙ平面に沿う板状である。ダイパッド部Ａ１１には半導体チップＡ４１が配置されている。より具体的には、ダイパッド部Ａ１１に発熱しやすい半導体チップＡ４１が接合されている。

各ダイパッド部Ａ１１は、ダイパッド主面Ａ１１１とダイパッド裏面Ａ１１２とを有する。ダイパッド主面Ａ１１１は方向ｚ１を向き、ダイパッド裏面Ａ１１２は方向ｚ２を向く。すなわちダイパッド主面Ａ１１１およびダイパッド裏面Ａ１１２は互いに反対側を向く。ダイパッド主面Ａ１１１には、半導体チップＡ４１が配置されている。より具体的には、ダイパッド主面Ａ１１１には、半導体チップＡ４１が接合されている。ダイパッド主面Ａ１１１と半導体チップＡ４１との間には接合層Ａ９９１（後述）が介在している。

図１１，図１２に示すように、各接続部Ａ１２は、ダイパッド部Ａ１１とワイヤボンディング部Ａ１３との間に位置し且つダイパッド部Ａ１１とワイヤボンディング部Ａ１３とにつながる。接続部Ａ１２は、ｘｙ平面に傾斜する面に沿う形状である。接続部Ａ１２は、ダイパッド部Ａ１１から離間するにつれ方向ｚ１に向かうようにｘｙ平面に対し傾斜している。

図１１，図１２、図１５に示す各ワイヤボンディング部Ａ１３はｘｙ平面に沿う形状である。各ワイヤボンディング部Ａ１３は、方向ｚにおいて、ダイパッド部Ａ１１よりも方向ｚ１側に位置する。一のワイヤボンディング部Ａ１３と一の半導体チップＡ４１とには、ワイヤＡ８がボンディングされている。これにより、一のワイヤボンディング部Ａ１３と一の半導体チップＡ４１とが導通している。リードＡ１４は、ワイヤボンディング部Ａ１３につながる。各リードＡ１４は方向ｙに沿って延びる。各リードＡ１４は、封止樹脂部Ａ７の樹脂側面Ａ７３から突出する部位を有する。本実施形態にてリードＡ１４は挿入実装用のものである。図１１に示すように、半導体装置Ａ１００の基板Ａ８０７への実装時において、リードＡ１４は折れ曲げられ、孔Ａ８０９に挿入される。リードＡ１４を基板Ａ８０７に固定するために、孔Ａ８０９にハンダ層Ａ８１０が充填されている。

図１２に示すように、複数（本実施形態では３つ）の第２電極部Ａ２はそれぞれ、ワイヤボンディング部Ａ２３と、リードＡ２４と、を含む。複数の第２電極部Ａ２は、方向ｘにおいて互いに離間している。

各ワイヤボンディング部Ａ２３はｘｙ平面に沿う形状である。各ワイヤボンディング部Ａ２３は、方向ｚにおいて、ダイパッド部Ａ１１よりも方向ｚ１側に位置する。一のワイヤボンディング部Ａ２３と一の半導体チップＡ４１とには、ワイヤＡ８がボンディングされている。これにより、一のワイヤボンディング部Ａ２３と一の半導体チップＡ４１とが導通している。リードＡ２４は、ワイヤボンディング部Ａ２３につながる。各リードＡ２４は方向ｙに沿って延びる。各リードＡ２４は、封止樹脂部Ａ７の樹脂側面Ａ７３から突出する部位を有する。本実施形態にてリードＡ２４は挿入実装用のものである。図示しないが、リードＡ１４と同様に、半導体装置Ａ１００の基板Ａ８０７への実装時においてリードＡ２４は孔Ａ８０９に挿入される。

図１１、図１２に示す第３電極部Ａ３は、複数の制御用ダイパッド部Ａ３１と、複数のリードＡ３２とを含む。制御用ダイパッド部Ａ３１およびリードＡ３２はいずれも、方向ｚにおいて同じ位置に配置されている。各制御用ダイパッド部Ａ３１には、半導体チップＡ４２もしくは受動部品チップＡ４３が配置されている。制御用ダイパッド部Ａ３１と半導体チップＡ４２との間、および、制御用ダイパッド部Ａ３１と受動部品チップＡ４３との間には、接合層（図示略）が介在している。制御用ダイパッド部Ａ３１の裏面は、放熱板Ａ６と対向していなくてもよいし、露出していなくてもよい。

各リードＡ３２は、封止樹脂部Ａ７の樹脂側面Ａ７３から突出する部位を有する。本実施形態にてリードＡ３２は挿入実装用のものである。図１１に示すように、半導体装置Ａ１００の基板Ａ８０７への実装時においてリードＡ３２は孔Ａ８０９に挿入される。リードＡ１４に関して述べたように、リードＡ３２を基板Ａ８０７に固定するために、孔Ａ８０９にハンダ層Ａ８１０が充填されている。一のリードＡ３２と一の半導体チップＡ４２とには、ワイヤＡ８がボンディングされている。これにより、一のリードＡ３２と一の半導体チップＡ４２とが導通している。また、ワイヤＡ８は、一の半導体チップＡ４２と一の受動部品チップＡ４３とにもボンディングされている。

図１４、図１５に示すように、接合層Ａ９９１は、ダイパッド部Ａ１１と半導体チップＡ４１との間に介在している。接合層Ａ９９１は、ダイパッド部Ａ１１に半導体チップＡ４１を接合している。接合層Ａ９９１は、たとえば導電材料よりなる。このような導電材料としては、銀ペーストもしくはハンダが挙げられる。ハンダは熱伝導率が比較的大きい。接合層Ａ９９１としてハンダを用いると、半導体チップＡ４１からダイパッド部Ａ１１に熱を効率よく伝えることができる。接合層Ａ９９１は、導電性材料よりなるのではなく、絶縁性材料よりなっていてもよい。

図１３〜図１５に示すように、放熱板Ａ６はダイパッド部Ａ１１に正対している。本実施形態において放熱板Ａ６は、ｘｙ平面に沿う板状である。放熱板Ａ６はダイパッド部Ａ１１に対し離間している。放熱板Ａ６はダイパッド部Ａ１１に対し固定されている。放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１との間に上述の中間部Ａ７５が介在している。放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１とのいずれにも中間部Ａ７５は直接接している。そのため、放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１とは、封止樹脂部Ａ７によって接合されている。中間部Ａ７５は封止樹脂部Ａ７の一部分であるから、中間部Ａ７５を構成する材料と、封止樹脂部Ａ７のうち半導体チップＡ４１，Ａ４２を覆う部位を構成する材料とは同一である。放熱板Ａ６は封止樹脂部Ａ７の樹脂底面Ａ７２から露出している。

放熱板Ａ６は、半導体チップＡ４１にて発生した熱を速やかに半導体装置Ａ１００の外部に放出するために、設けられている。半導体チップＡ４１にて発生した熱を速やかに半導体装置Ａ１００の外部に放出するには、放熱板Ａ６を構成する材料の熱伝導率は大きければ大きいほど良い。好ましくは、放熱板Ａ６は、封止樹脂部Ａ７を構成する材料の熱伝導率よりも熱伝導率が大きい材料よりなる。更に好ましくは、放熱板Ａ６は、ダイパッド部Ａ１１を構成する材料の熱伝導率よりも熱伝導率が大きい材料よりなる。放熱板Ａ６は、たとえば、導電性材料よりなる。このような導電性材料は、たとえば、アルミニウム、銅、銅合金、もしくは、鉄である。放熱板Ａ６は、アルミニウムに銀メッキがされたものであってもよい。一方、放熱板Ａ６は、絶縁性材料よりなっていてもよい。このような絶縁性材料としては、たとえば、セラミックが挙げられる。このようなセラミックは、たとえば、アルミナ、窒化アルミニウム、もしくは、窒化ケイ素である。本実施形態において放熱板Ａ６は導電性材料よりなる。

放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１との離間距離（すなわち中間部Ａ７５の厚さ）は、たとえば、２０〜２００μｍであることが好ましい。放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１との離間距離が小さすぎると、複数のダイパッド部Ａ１１が放熱板Ａ６を経由して導通するおそれが高まる。一方、放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１との離間距離が大きすぎると、半導体チップＡ４１にて発生した熱の放熱板Ａ６への伝導が中間部Ａ７５に遮られ、半導体チップＡ４１にて発生した熱が放熱板Ａ６から半導体チップＡ４１に伝わりにくくなる。

図１２に示すように、放熱板Ａ６は、ｘｙ平面視において、各ダイパッド部Ａ１１の全体に重なる。半導体装置Ａ１００は、一つの放熱板Ａ６のみを備えるが、半導体装置Ａ１００が複数の放熱板を備えていてもよい。半導体装置Ａ１００が複数の放熱板を備える場合、各放熱板は、ｘｙ平面視において、複数のダイパッド部Ａ１１のいずれか一つに重なる。

放熱板Ａ６は、放熱板主面Ａ６１と放熱板裏面Ａ６２と放熱板側面Ａ６３とを有する。放熱板主面Ａ６１は、ダイパッド部Ａ１１のダイパッド裏面Ａ１１２に正対している。放熱板主面Ａ６１は、ダイパッド部Ａ１１に対し離間している。放熱板主面Ａ６１とダイパッド部Ａ１１との間に上述の中間部Ａ７５が介在している。放熱板主面Ａ６１とダイパッド部Ａ１１とのいずれにも中間部Ａ７５は直接接している。本実施形態において放熱板主面Ａ６１は平坦である。放熱板主面Ａ６１が平坦ではなく、凹凸形状の部位を有していてもよい。当該凹凸形状の部位を、中間部Ａ７５に臨む位置に配置してもよい。放熱板裏面Ａ６２は、放熱板主面Ａ６１の向く側とは反対側を向く。放熱板裏面Ａ６２の向く方向と同一方向を、樹脂底面Ａ７２が向く。放熱板裏面Ａ６２は封止樹脂部Ａ７の樹脂底面Ａ７２から露出している。本実施形態においては、放熱板裏面Ａ６２は、樹脂底面Ａ７２と面一となっている。図１１に示すように、半導体装置Ａ１００の使用時にて放熱板裏面Ａ６２は、放熱部材Ａ８０８に正対（本実施形態においては当接）させられる。放熱板側面Ａ６３は平坦であり、放熱板裏面Ａ６２から直立している。放熱板側面Ａ６３の全体は封止樹脂部Ａ７に覆われている。

図１３〜図１５に示すように、放熱板Ａ６は脱落防止部Ａ６９１を含む。脱落防止部Ａ６９１は、放熱板Ａ６が封止樹脂部Ａ７から脱落（脱離）することを防止するために設けられている。脱落防止部Ａ６９１は、ダイパッド部Ａ１１の厚さ方向ｚ視（ｘｙ平面視）において、放熱板裏面Ａ６２からはみ出ている。脱落防止部Ａ６９１は、封止樹脂部Ａ７よりも、放熱板主面Ａ６１の向く方向の側に位置する。すなわち、脱落防止部Ａ６９１の方向ｚ２側に、封止樹脂部Ａ７の一部分が位置している。本実施形態において、脱落防止部Ａ６９１は、放熱板側面Ａ６３から方向ｚに直交する方向に突出している形状である。

次に、半導体装置Ａ１００の製造方法について説明する。以下では、上述と同一もしくは類似の構成については、同一の符号を付し、適宜説明を省略している。

まず、図１６に示すように、複数のダイパッド部Ａ１１，Ａ３１を含むリードフレームＡ３００と、複数の半導体チップＡ４１，Ａ４２と、受動部品チップＡ４３とを用意する。次に、同図に示すように、接合層（図示略）を介して、各半導体チップＡ４１を複数のダイパッド部Ａ１１のいずれか一つに配置する。同様に、各半導体チップＡ４２および受動部品チップＡ４３を、接合層（図示略）を介して、複数の制御用ダイパッド部Ａ３１のいずれか一つに配置する。次に、同図に示すように、ワイヤＡ８を各半導体チップＡ４１，Ａ４２等にボンディングする。

次に、図１７、図１８に示す第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２を用意する。第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２を用いて、封止樹脂部Ａ７を形成する。

まず、第１金型Ａ８８１に放熱板Ａ６を配置する。次に、第１金型Ａ８８１の縁に、リードフレームＡ３００を載せる（図１８参照）。第１金型Ａ８８１の縁にリードフレームＡ３００が載せられた状態において、放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１との間には隙間が形成されている。

次に、図１９、図２０に示すように、第１金型Ａ８８１と第２金型Ａ８８２とによって、放熱板Ａ６と、ダイパッド部Ａ１１、半導体チップＡ４１，Ａ４２、受動部品チップＡ４３、およびワイヤＡ８などを囲む。次に、第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２によって囲まれた空間に樹脂材を注入する。第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２によって囲まれた空間に樹脂材を注入する時点においては、放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１とは接着されていない状態である。

第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２によって囲まれた空間に樹脂材を注入した後に、当該樹脂材を硬化させる。樹脂材が硬化することにより、図２１、図２２に示す封止樹脂部Ａ７が形成される。また、樹脂材が硬化することにより、放熱板Ａ６およびダイパッド部Ａ１１が接合される。次に、図２１、図２２に示すように、第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２を封止樹脂部Ａ７から取り外す。

次に、図１６に示したリードフレームＡ３００を適宜切断することにより、図１２等に示した半導体装置Ａ１００が製造される。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

半導体装置Ａ１００の製造工程では、封止樹脂部Ａ７を形成する工程において、封止樹脂部Ａ７によって放熱板Ａ６およびダイパッド部Ａ１１を接合する。このような構成によると、放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１とを、封止樹脂部Ａ７とは別の接合層を介して接合する必要がない。そのため、放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１とを接合するための接合層に要するコストを削減できる。また、本実施形態の構成によると、封止樹脂部Ａ７を形成するのと同時に、放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１とを接合できる。そのため、封止樹脂部Ａ７を形成する工程とは別に放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１とを接合することが、必要ない。したがって、半導体装置の製造の効率化を図ることができる。以上より、半導体装置Ａ１００の製造方法によると、製造コストを削減でき、且つ、製造の効率化を図ることができる。

＜第２実施形態の第１変形例＞
図２３〜図２６を用いて、本発明の第２実施形態の第１変形例について説明する。

図２３は、本発明の第２実施形態の第１変形例の半導体装置を示す断面図である。図２４は、本発明の第２実施形態の第１変形例の半導体装置を示す断面図である。

これらの図に示す半導体装置Ａ１０１は、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３と、半導体チップＡ４１，Ａ４２と、受動部品チップＡ４３と、放熱板Ａ６と、封止樹脂部Ａ７と、複数のワイヤＡ８と、接合層Ａ９９１と、を備える。放熱板Ａ６を除き、半導体装置Ａ１０１における、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３、半導体チップＡ４１，Ａ４２、受動部品チップＡ４３、封止樹脂部Ａ７、複数のワイヤＡ８、および接合層Ａ９９１の各構成は、半導体装置Ａ１００における各構成とそれぞれ同様であるから、図示および説明を省略する。

放熱板Ａ６は、放熱板主面Ａ６１と放熱板裏面Ａ６２と放熱板側面Ａ６３とを有する。放熱板主面Ａ６１は、半導体装置Ａ１００におけるものと同様であるから説明を省略する。放熱板裏面Ａ６２は、放熱板主面Ａ６１の向く側とは反対側を向く。放熱板裏面Ａ６２は封止樹脂部Ａ７の樹脂底面Ａ７２から露出している。本変形例においては、放熱板Ａ６は、樹脂底面Ａ７２よりも、放熱板裏面Ａ６２の向く方向（方向ｚ２）の側に突出している部位を有する。そのため、放熱板裏面Ａ６２は、樹脂底面Ａ７２よりも方向ｚ２側に位置している。半導体装置Ａ１０１の使用時にて放熱板裏面Ａ６２は、放熱部材Ａ８０８に当接させられる。放熱板側面Ａ６３は平坦であり、放熱板裏面Ａ６２から直立している。放熱板側面Ａ６３の一部は封止樹脂部Ａ７に覆われており、放熱板側面Ａ６３の一部は封止樹脂部Ａ７から露出している。なお、本変形例とは異なり、放熱板側面Ａ６３の全体が封止樹脂部Ａ７に覆われていてもよい。

上記した点を除き、放熱板Ａ６の具体的構成は、半導体装置Ａ１００におけるものと同様であるから、説明を省略する。

次に、半導体装置Ａ１０１の製造方法について説明する。

まず、半導体装置Ａ１００に関して述べたのと同様の工程を経ることにより、図１６に示す製品を製造する。

次に、図２５、図２６に示す第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２を用意する。第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２を用いて、封止樹脂部Ａ７を形成する。本変形例において第１金型Ａ８８１には、凹部Ａ８８５が形成されている。凹部Ａ８８５の平面視の大きさは、放熱板Ａ６の平面視の大きさよりわずかに大きい程度である。

まず、第１金型Ａ８８１に放熱板Ａ６を配置する。本変形例においては、放熱板Ａ６を第１金型Ａ８８１における凹部Ａ８８５に配置する（図２６参照）。次に、第１金型Ａ８８１の縁に、リードフレームＡ３００を載せる。第１金型Ａ８８１の縁にリードフレームＡ３００が載せられた状態において、放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１との間には隙間が形成されている。次に、第１金型Ａ８８１と第２金型Ａ８８２とによって、放熱板Ａ６と、ダイパッド部Ａ１１、半導体チップＡ４１，Ａ４２、受動部品チップＡ４３、およびワイヤＡ８などを囲む。次に、第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２によって囲まれた空間に樹脂材を注入する。第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２によって囲まれた空間に樹脂材を注入する時点においては、放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１とは接着されていない状態である。

第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２によって囲まれた空間に樹脂材を注入した後に、当該樹脂材を硬化させる。樹脂材が硬化することにより、封止樹脂部Ａ７が形成される。また、樹脂材が硬化することにより、放熱板Ａ６およびダイパッド部Ａ１１が接合される。次に、第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２を封止樹脂部Ａ７から取り外す。

次に、半導体装置Ａ１００に関して説明したのと同様に、リードフレームＡ３００を適宜切断することにより、半導体装置Ａ１０１が製造される。

次に、本変形例の作用効果について説明する。

半導体装置Ａ１０１の製造方法によると、半導体装置Ａ１００に関して述べたのと同様の理由により、製造コストを削減でき、且つ、製造の効率化を図ることができる。

半導体装置Ａ１０１においては、放熱板Ａ６は、樹脂底面Ａ７２よりも、放熱板裏面Ａ６２の向く方向（方向ｚ２）の側に突出している部位を有する。そのため、放熱板裏面Ａ６２は、樹脂底面Ａ７２よりも方向ｚ２側に位置している。このような構成によると、放熱部材Ａ８０８が樹脂底面Ａ７２に接触しにくいから、放熱板Ａ６の放熱板裏面Ａ６２を放熱部材Ａ８０８に当接させやすい。そのため、半導体チップＡ４１から放熱板Ａ６に伝わった熱を、放熱部材Ａ８０８に効率よく伝えることができる。

半導体装置Ａ１０１を製造するには、上述のように、凹部Ａ８８５が形成された第１金型Ａ８８１を用いる。凹部Ａ８８５に放熱板Ａ６が配置されるため、第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２によって囲まれた空間に樹脂材を注入する際に、樹脂材の流れによって放熱板Ａ６が上記空間内にて移動してしまうことを防止できる。よって、本変形例によると、所望の位置に放熱板Ａ６を正確に配置することができる。

＜第２実施形態の第２変形例＞
図２７、図２８を用いて、本発明の第２実施形態の第２変形例について説明する。

図２７は、本発明の第２実施形態の第２変形例の半導体装置を示す断面図である。図２８は、本発明の第２実施形態の第２変形例の半導体装置を示す断面図である。

これらの図に示す半導体装置Ａ１０２は、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３と、半導体チップＡ４１，Ａ４２と、受動部品チップＡ４３と、放熱板Ａ６と、封止樹脂部Ａ７と、複数のワイヤＡ８と、接合層Ａ９９１と、を備える。放熱板Ａ６を除き、半導体装置Ａ１０２における、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３、半導体チップＡ４１，Ａ４２、受動部品チップＡ４３、封止樹脂部Ａ７、複数のワイヤＡ８、および接合層Ａ９９１の各構成は、半導体装置Ａ１００における各構成とそれぞれ同様であるから、図示および説明を省略する。

本変形例の放熱板Ａ６は、断面形状が半導体装置Ａ１００における放熱板Ａ６と異なる。放熱板Ａ６は、放熱板主面Ａ６１と放熱板裏面Ａ６２と放熱板側面Ａ６３とを有する。放熱板主面Ａ６１および放熱板裏面Ａ６２は、半導体装置Ａ１００における構成と同様であるから説明を省略する。放熱板側面Ａ６３は曲面状である。放熱板側面Ａ６３の全体は封止樹脂部Ａ７に覆われている。

上記した点を除き、放熱板Ａ６の具体的構成は、半導体装置Ａ１００におけるものと同様であるから、説明を省略する。

次に、本変形例の作用効果について説明する。

半導体装置Ａ１０２の製造方法によると、半導体装置Ａ１００に関して述べたのと同様の理由により、製造コストを削減でき、且つ、製造の効率化を図ることができる。

＜第２実施形態の第３変形例＞
図２９、図３０を用いて、本発明の第２実施形態の第３変形例について説明する。

図２９は、本発明の第２実施形態の第３変形例の半導体装置を示す断面図である。図３０は、本発明の第２実施形態の第３変形例の半導体装置を示す断面図である。

これらの図に示す半導体装置Ａ１０３は、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３と、半導体チップＡ４１，Ａ４２と、受動部品チップＡ４３と、放熱板Ａ６と、封止樹脂部Ａ７と、複数のワイヤＡ８と、接合層Ａ９９１と、を備える。放熱板Ａ６を除き、半導体装置Ａ１０３における、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３、半導体チップＡ４１，Ａ４２、受動部品チップＡ４３、封止樹脂部Ａ７、複数のワイヤＡ８、および接合層Ａ９９１の各構成は、半導体装置Ａ１０２における各構成とそれぞれ同様であるから、図示および説明を省略する。

放熱板Ａ６は、放熱板主面Ａ６１と放熱板裏面Ａ６２と放熱板側面Ａ６３とを有する。放熱板主面Ａ６１は、半導体装置Ａ１０２におけるものと同様であるから説明を省略する。放熱板裏面Ａ６２は、放熱板主面Ａ６１の向く側とは反対側を向く。放熱板裏面Ａ６２は封止樹脂部Ａ７の樹脂底面Ａ７２から露出している。本変形例においては、放熱板Ａ６は、樹脂底面Ａ７２よりも、放熱板裏面Ａ６２の向く方向（方向ｚ２）の側に突出している部位を有する。そのため、放熱板裏面Ａ６２は、樹脂底面Ａ７２よりも方向ｚ２側に位置している。半導体装置Ａ１０３の使用時にて放熱板裏面Ａ６２は、放熱部材Ａ８０８に当接させられる。放熱板側面Ａ６３は曲面状である。放熱板側面Ａ６３の一部は封止樹脂部Ａ７に覆われており、放熱板側面Ａ６３の一部は封止樹脂部Ａ７から露出している。なお、本変形例とは異なり、放熱板側面Ａ６３の全体が封止樹脂部Ａ７に覆われていてもよい。

上記した点を除き、放熱板６の具体的構成は、半導体装置Ａ１０２におけるものと同様であるから、説明を省略する。

半導体装置Ａ１０３を製造するには、半導体装置Ａ１０１を製造する際に用いたのと同様の、凹部Ａ８８５が形成された第１金型Ａ８８１を用いるとよい。

次に、本変形例の作用効果について説明する。

半導体装置Ａ１０３の製造方法によると、半導体装置Ａ１００に関して述べたのと同様の理由により、製造コストを削減でき、且つ、製造の効率化を図ることができる。

半導体装置Ａ１０３によると、半導体装置Ａ１０１に関して述べたのと同様の理由により、半導体チップＡ４１から放熱板Ａ６に伝わった熱を、放熱部材Ａ８０８に効率よく伝えることができる。

半導体装置Ａ１０３によると、半導体装置Ａ１０１に関して述べたのと同様の理由により、所望の位置に放熱板Ａ６を正確に配置することができる。

＜第２実施形態の第４変形例＞
図３１、図３２を用いて、本発明の第２実施形態の第４変形例について説明する。

図３１は、本発明の第２実施形態の第４変形例の半導体装置を示す断面図である。図３２は、本発明の第２実施形態の第４変形例の半導体装置を示す断面図である。

これらの図に示す半導体装置Ａ１０４は、複数のスペーサＡ７９９を更に備える点において、半導体装置Ａ１００と異なる。各スペーサＡ７９９は、ダイパッド部Ａ１１と放熱板Ａ６との間に介在している。各スペーサＡ７９９は、ダイパッド部Ａ１１と放熱板Ａ６とに直接接している。各スペーサＡ７９９は、絶縁性の材料よりなる。本変形例において各スペーサＡ７９９は立方体状であるが、スペーサＡ７９９は、球状、棒状、などの他の形状であってもよい。スペーサＡ７９９は封止樹脂部Ａ７における中間部Ａ７５に覆われている。本変形例によると、スペーサＡ７９９がダイパッド部Ａ１１と放熱板Ａ６との離間距離を規定する。そのため、ダイパッド部Ａ１１の放熱板Ａ６に対する位置決めをより正確に行うことができる。

スペーサＡ７９９を備える構成を、半導体装置Ａ１０１，Ａ１０２，Ａ１０３のいずれかに適用してもよい。

＜第３実施形態＞
図３３〜図３６を用いて、本発明の第３実施形態について説明する。

図３３は、本発明の第３実施形態の半導体装置を示す断面図である。図３４は、本発明の第３実施形態の半導体装置を示す断面図である。

これらの図に示す半導体装置Ａ２００は、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３と、半導体チップＡ４１，Ａ４２と、受動部品チップＡ４３と、放熱板Ａ６と、封止樹脂部Ａ７と、複数のワイヤＡ８と、接合層Ａ９９１と、を備える。放熱板Ａ６および封止樹脂部Ａ７を除き、半導体装置Ａ２００における、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３、半導体チップＡ４１，Ａ４２、受動部品チップＡ４３、封止樹脂部Ａ７、複数のワイヤＡ８、および接合層Ａ９９１の各構成は、半導体装置Ａ１００における各構成とそれぞれ同様であるから、図示および説明を省略する。

本実施形態において封止樹脂部Ａ７は、上述の中間部Ａ７５を含まない点を除き、半導体装置Ａ１００における構成と同様である。

放熱板Ａ６はダイパッド部Ａ１１に正対している。本実施形態において放熱板Ａ６は、ｘｙ平面に沿う板状である。放熱板Ａ６はダイパッド部Ａ１１に直接接している。放熱板Ａ６は封止樹脂部Ａ７の樹脂底面Ａ７２から露出している。

放熱板Ａ６は、半導体チップＡ４１にて発生した熱を速やかに半導体装置Ａ２００の外部に放出するために、設けられている。半導体チップＡ４１にて発生した熱を速やかに半導体装置Ａ２００の外部に放出するには、放熱板Ａ６を構成する材料の熱伝導率は大きければ大きいほど良い。好ましくは、放熱板Ａ６は、封止樹脂部Ａ７を構成する材料の熱伝導率よりも熱伝導率が大きい材料よりなる。更に好ましくは、放熱板Ａ６は、ダイパッド部Ａ１１を構成する材料の熱伝導率よりも熱伝導率が大きい材料よりなる。本実施形態において放熱板Ａ６は、絶縁性材料よりなっていてもよい。このような絶縁性材料としては、たとえば、セラミックが挙げられる。このようなセラミックは、たとえば、アルミナ、窒化アルミニウム、もしくは、窒化ケイ素である。

放熱板Ａ６は、ｘｙ平面視において、各ダイパッド部Ａ１１の全体に重なる（図１３参照）。半導体装置Ａ２００は、一つの放熱板Ａ６のみを備えるが、半導体装置Ａ２００が複数の放熱板を備えていてもよい。半導体装置Ａ２００が複数の放熱板を備える場合、各放熱板は、ｘｙ平面視において、複数のダイパッド部Ａ１１のいずれか一つに重なる。

放熱板Ａ６は、放熱板主面Ａ６１と放熱板裏面Ａ６２と放熱板側面Ａ６３とを有する。放熱板主面Ａ６１は、ダイパッド部Ａ１１のダイパッド裏面Ａ１１２に正対している。放熱板主面Ａ６１はダイパッド裏面Ａ１１２に直接接している。本実施形態において放熱板主面Ａ６１は平坦である。放熱板裏面Ａ６２および放熱板側面Ａ６３は、半導体装置Ａ１００におけるものと同様であるから、説明を省略する。

放熱板Ａ６は脱落防止部Ａ６９１を含む。脱落防止部Ａ６９１は、半導体装置Ａ１００におけるものと同様であるから、説明を省略する。

次に、半導体装置Ａ２００の製造方法について説明する。

まず、半導体装置Ａ１００に関して述べたのと同様の工程を経ることにより、図１６に示す製品を製造する。

次に、図３５、図３６に示す第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２を用意する。第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２を用いて、封止樹脂部Ａ７を形成する。

まず、第１金型Ａ８８１に放熱板Ａ６を配置する。次に、第１金型Ａ８８１の縁に、リードフレームＡ３００を載せる。第１金型Ａ８８１の縁にリードフレームＡ３００が載せられた状態において、放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１とは直接接している。次に、第１金型Ａ８８１と第２金型Ａ８８２とによって、放熱板Ａ６と、ダイパッド部Ａ１１、半導体チップＡ４１，Ａ４２、受動部品チップＡ４３、およびワイヤＡ８などを囲む（図示略）。次に、第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２によって囲まれた空間に樹脂材を注入する。第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２によって囲まれた空間に樹脂材を注入する時点においては、放熱板Ａ６とダイパッド部Ａ１１とは接着されていない状態である。

第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２によって囲まれた空間に樹脂材を注入した後に、当該樹脂材を硬化させる。樹脂材が硬化することにより、封止樹脂部Ａ７が形成される。また、樹脂材が硬化することにより、放熱板Ａ６およびダイパッド部Ａ１１が接合される。次に、第１金型Ａ８８１および第２金型Ａ８８２を封止樹脂部Ａ７から取り外す。

次に、半導体装置Ａ１００に関して説明したのと同様に、リードフレームＡ３００を適宜切断することにより、半導体装置Ａ２００が製造される。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

半導体装置Ａ２００の製造方法によると、半導体装置Ａ１００に関して述べたのと同様の理由により、製造コストを削減でき、且つ、製造の効率化を図ることができる。

＜第３実施形態の第１変形例＞
図３７、図３８を用いて、本発明の第３実施形態の第１変形例について説明する。

図３７は、本発明の第３実施形態の第１変形例の半導体装置を示す断面図である。図３８は、本発明の第３実施形態の第１変形例の半導体装置を示す断面図である。

半導体装置Ａ２０１は、半導体装置Ａ２００の構成と、半導体装置Ａ１０１の構成とを組み合わせたものに相当する。より具体的には次のとおりである。

半導体装置Ａ２０１は、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３と、半導体チップＡ４１，Ａ４２と、受動部品チップＡ４３と、放熱板Ａ６と、封止樹脂部Ａ７と、複数のワイヤＡ８と、接合層Ａ９９１と、を備える。放熱板Ａ６を除き、半導体装置Ａ２０１における、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３、半導体チップＡ４１，Ａ４２、受動部品チップＡ４３、封止樹脂部Ａ７、複数のワイヤＡ８、および接合層Ａ９９１の各構成は、半導体装置Ａ２００における各構成とそれぞれ同様であるから、図示および説明を省略する。

放熱板Ａ６は、放熱板主面Ａ６１と放熱板裏面Ａ６２と放熱板側面Ａ６３とを有する。放熱板主面Ａ６１は、半導体装置Ａ２００におけるものと同様であるから説明を省略する。放熱板裏面Ａ６２は、放熱板主面Ａ６１の向く側とは反対側を向く。放熱板裏面Ａ６２は封止樹脂部Ａ７の樹脂底面Ａ７２から露出している。本変形例においては、放熱板Ａ６は、樹脂底面Ａ７２よりも、放熱板裏面Ａ６２の向く方向（方向ｚ２）の側に突出している部位を有する。そのため、放熱板裏面Ａ６２は、樹脂底面Ａ７２よりも方向ｚ２側に位置している。半導体装置Ａ２０１の使用時にて放熱板裏面Ａ６２は、放熱部材Ａ８０８に当接させられる。放熱板側面Ａ６３は平坦であり、放熱板裏面Ａ６２から直立している。放熱板側面Ａ６３の一部は封止樹脂部Ａ７に覆われており、放熱板側面Ａ６３の一部は封止樹脂部Ａ７から露出している。なお、本変形例とは異なり、放熱板側面Ａ６３の全体が封止樹脂部Ａ７に覆われていてもよい。

上記した点を除き、放熱板Ａ６の具体的構成は、半導体装置Ａ２００におけるものと同様であるから、説明を省略する。

半導体装置Ａ２０１を製造するには、半導体装置Ａ１０１を製造するのと同様に製造すればよい。

次に、本変形例の作用効果について説明する。

半導体装置Ａ２０１の製造方法によると、半導体装置Ａ１００に関して述べたのと同様の理由により、製造コストを削減でき、且つ、製造の効率化を図ることができる。

半導体装置Ａ２０１によると、半導体装置Ａ１０１に関して述べたのと同様の理由により、半導体チップＡ４１から放熱板Ａ６に伝わった熱を、放熱部材Ａ８０８に効率よく伝えることができる。

半導体装置Ａ２０１によると、半導体装置Ａ１０１に関して述べたのと同様の理由により、所望の位置に放熱板Ａ６を正確に配置することができる。

＜第３実施形態の第２変形例＞
図３９、図４０を用いて、本発明の第３実施形態の第２変形例について説明する。

図３９は、本発明の第３実施形態の第２変形例の半導体装置を示す断面図である。図４０は、本発明の第３実施形態の第２変形例の半導体装置を示す断面図である。

半導体装置Ａ２０２は、半導体装置Ａ２００の構成と、半導体装置Ａ１０２の構成とを組み合わせたものに相当する。より具体的には次のとおりである。

半導体装置Ａ２０２は、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３と、半導体チップＡ４１，Ａ４２と、受動部品チップＡ４３と、放熱板Ａ６と、封止樹脂部Ａ７と、複数のワイヤＡ８と、接合層Ａ９９１と、を備える。放熱板Ａ６を除き、半導体装置Ａ２０２における、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３、半導体チップＡ４１，Ａ４２、受動部品チップＡ４３、封止樹脂部Ａ７、複数のワイヤＡ８、および接合層Ａ９９１の各構成は、半導体装置Ａ２００における各構成とそれぞれ同様であるから、図示および説明を省略する。

本変形例の放熱板Ａ６は、断面形状が半導体装置Ａ２００における放熱板Ａ６と異なる。放熱板Ａ６は、放熱板主面Ａ６１と放熱板裏面Ａ６２と放熱板側面Ａ６３とを有する。放熱板主面Ａ６１および放熱板裏面Ａ６２は、半導体装置Ａ２００における構成と同様であるから説明を省略する。放熱板側面Ａ６３は曲面状である。放熱板側面Ａ６３の全体は封止樹脂部Ａ７に覆われている。

上記した点を除き、放熱板Ａ６の具体的構成は、半導体装置Ａ２００におけるものと同様であるから、説明を省略する。

次に、本変形例の作用効果について説明する。

半導体装置Ａ２０２の製造方法によると、半導体装置Ａ１００に関して述べたのと同様の理由により、製造コストを削減でき、且つ、製造の効率化を図ることができる。

＜第３実施形態の第３変形例＞
図４１、図４２を用いて、本発明の第３実施形態の第３変形例について説明する。

図４１は、本発明の第３実施形態の第３変形例の半導体装置を示す断面図である。図４２は、本発明の第３実施形態の第３変形例の半導体装置を示す断面図である。

半導体装置Ａ２０３は、半導体装置Ａ２００の構成と、半導体装置Ａ１０３の構成とを組み合わせたものに相当する。より具体的には次のとおりである。

半導体装置Ａ２０３は、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３と、半導体チップＡ４１，Ａ４２と、受動部品チップＡ４３と、放熱板Ａ６と、封止樹脂部Ａ７と、複数のワイヤＡ８と、接合層Ａ９９１と、を備える。放熱板Ａ６を除き、半導体装置Ａ２０３における、第１電極部Ａ１、第２電極部Ａ２、および第３電極部Ａ３、半導体チップＡ４１，Ａ４２、受動部品チップＡ４３、封止樹脂部Ａ７、複数のワイヤＡ８、および接合層Ａ９９１の各構成は、半導体装置Ａ２０２における各構成とそれぞれ同様であるから、図示および説明を省略する。

放熱板Ａ６は、放熱板主面Ａ６１と放熱板裏面Ａ６２と放熱板側面Ａ６３とを有する。放熱板主面Ａ６１は、半導体装置Ａ２０２におけるものと同様であるから説明を省略する。放熱板裏面Ａ６２は、放熱板主面Ａ６１の向く側とは反対側を向く。放熱板裏面Ａ６２は封止樹脂部Ａ７の樹脂底面Ａ７２から露出している。本変形例においては、放熱板Ａ６は、樹脂底面Ａ７２よりも、放熱板裏面Ａ６２の向く方向（方向ｚ２）の側に突出している部位を有する。そのため、放熱板裏面Ａ６２は、樹脂底面Ａ７２よりも方向ｚ２側に位置している。半導体装置Ａ２０３の使用時にて放熱板裏面Ａ６２は、放熱部材Ａ８０８に当接させられる。放熱板側面Ａ６３は曲面状である。放熱板側面Ａ６３の一部は封止樹脂部Ａ７に覆われており、放熱板側面Ａ６３の一部は封止樹脂部Ａ７から露出している。なお、本変形例とは異なり、放熱板側面Ａ６３の全体が封止樹脂部Ａ７に覆われていてもよい。

上記した点を除き、放熱板Ａ６の具体的構成は、半導体装置Ａ２０２におけるものと同様であるから、説明を省略する。

半導体装置Ａ２０３を製造するには、半導体装置Ａ２０１を製造する際に用いたのと同様の、凹部Ａ８８５が形成された第１金型Ａ８８１を用いるとよい。

次に、本変形例の作用効果について説明する。

半導体装置Ａ２０３の製造方法によると、半導体装置Ａ１００に関して述べたのと同様の理由により、製造コストを削減でき、且つ、製造の効率化を図ることができる。

半導体装置Ａ２０３によると、半導体装置Ａ１０１に関して述べたのと同様の理由により、半導体チップＡ４１から放熱板Ａ６に伝わった熱を、放熱部材Ａ８０８に効率よく伝えることができる。

半導体装置Ａ２０３によると、半導体装置Ａ１０１に関して述べたのと同様の理由により、所望の位置に放熱板Ａ６を正確に配置することができる。

＜第３実施形態の第４変形例＞
図４３、図４４を用いて、本発明の第３実施形態の第４変形例について説明する。

図４３は、本発明の第３実施形態の第４変形例の半導体装置を示す断面図である。図４４は、本発明の第３実施形態の第４変形例の半導体装置を示す断面図である。

これらの図に示す半導体装置Ａ２０４は、放熱板Ａ６が凹凸形状の凹凸部Ａ６８や溝を含む点において、半導体装置Ａ２００と異なり、その他の点は半導体装置Ａ２００と同様である。このような構成によると、ダイパッド部Ａ１１と放熱部材Ａ８０８（図１１参照）との沿面距離を大きくすることができる。これにより、ダイパッド部Ａ１１と放熱部材Ａ８０８との間の耐湿性が低下したり導通する不具合を抑制できる。

本変形例の構成を、半導体装置Ａ２０１，Ａ２０２，Ａ２０３のいずれかに適用してもよい。

以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。

［付記１］
半導体チップと、放熱板と、ダイパッド部を含むリードフレームと、を用意する工程、
上記ダイパッド部に上記半導体チップを接合する工程、
上記放熱板を上記ダイパッド部に正対させる工程、ならびに、
上記半導体チップと上記放熱板と上記ダイパッド部とを覆う封止樹脂部を形成する工程、を備え、
上記封止樹脂部を形成する工程においては、上記封止樹脂部によって上記放熱板および上記ダイパッド部を接合する、半導体装置の製造方法。
［付記２］
上記ダイパッド部は、ダイパッド主面およびダイパッド裏面を有し、
上記半導体チップを接合する工程においては、上記半導体チップを上記ダイパッド主面に接合し、
上記ダイパッド部に正対させる工程においては、上記放熱板を上記ダイパッド裏面に正対させる、付記１に記載の半導体装置の製造方法。
［付記３］
上記封止樹脂部を形成する工程においては、上記放熱板を上記封止樹脂部から露出させる、付記２に記載の半導体装置の製造方法。
［付記４］
第１金型および第２金型を用意する工程を更に備え、
上記封止樹脂部を形成する工程は、
上記第１金型と上記第２金型とによって、上記放熱板と上記ダイパッド部と上記半導体チップを囲む工程、および
上記囲む工程の後に、上記第１金型と上記第２金型とに囲まれた空間に樹脂材を注入する工程、を含み、
上記樹脂材を注入する時点においては、上記放熱板と上記ダイパッド部とは接着されていない状態である、付記１ないし付記３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
［付記５］
上記第１金型には凹部が形成されており、
上記封止樹脂部を形成する工程は、上記囲む工程の前に、上記凹部に上記放熱板を配置する工程を含む、付記４に記載の半導体装置の製造方法。
［付記６］
ダイパッド部と、
上記ダイパッド部に接合された半導体チップと、
上記ダイパッド部から離間している放熱板と、
上記ダイパッド部、上記半導体チップ、および上記放熱板の少なくとも上記半導体チップ側を覆う封止樹脂部と、を備え、
上記封止樹脂部は、上記放熱板および上記ダイパッド部の間に介在する中間部を含み、上記中間部は、上記放熱板および上記ダイパッド部のいずれにも直接接する、半導体装置。
［付記７］
ダイパッド部と、
上記ダイパッド部に接合された半導体チップと、
上記ダイパッド部に直接接する放熱板と、
上記ダイパッド部、上記半導体チップ、および上記放熱板の少なくとも上記半導体チップ側を覆う封止樹脂部と、を備える、半導体装置。
［付記８］
上記ダイパッド部は、ダイパッド主面およびダイパッド裏面を有し、
上記半導体チップは、上記ダイパッド主面に接合され、
上記放熱板は、上記ダイパッド裏面に正対している放熱板主面を有する、付記６または付記７に記載の半導体装置。
［付記９］
上記放熱板は、上記放熱板主面とは反対側を向く放熱板裏面を有し、上記放熱板裏面は、上記封止樹脂部から露出している、付記８に記載の半導体装置。
［付記１０］
上記封止樹脂部は、上記放熱板裏面の向く方向と同一方向を向く樹脂底面を有し、
上記放熱板は、上記樹脂底面よりも、上記放熱板裏面の向く方向の側に突出している部位を有する、付記９に記載の半導体装置。
［付記１１］
上記放熱板は、上記ダイパッド部の厚さ方向視において、上記放熱板裏面からはみ出る脱落防止部を含み、
上記脱落防止部は、上記封止樹脂部よりも、上記放熱板主面の向く方向の側に位置する、付記９または付記１０に記載の半導体装置。
［付記１２］
上記放熱板は、上記放熱板裏面から直立する放熱板側面を有する、付記９ないし付記１１のいずれかに記載の半導体装置。
［付記１３］
上記放熱板は、導電性材料よりなる、付記６ないし付記１２のいずれかに記載の半導体装置。
［付記１４］
上記導電性材料は、アルミニウム、銅、銅合金、もしくは、鉄である、付記１３に記載の半導体装置。
［付記１５］
上記ダイパッド部および上記放熱板との間に介在するスペーサを更に備え、
上記スペーサは、絶縁性材料よりなる、付記１３または付記１４に記載の半導体装置。［付記１６］
上記放熱板は、絶縁性材料よりなる、付記６ないし付記１２のいずれかに記載の半導体装置。
［付記１７］
上記絶縁性材料は、セラミックである、付記１６に記載の半導体装置。
［付記１８］
上記セラミックは、アルミナ、窒化アルミニウム、もしくは窒化ケイ素である、付記１７に記載の半導体装置。
［付記１９］
上記放熱板は、その放熱板主面の周辺部に、凹凸形状を呈する凹凸部または溝を含む、付記１７または付記１８に記載の半導体装置。
［付記２０］
上記半導体チップおよび上記ダイパッド部の間に介在し且つ上記半導体チップおよび上記ダイパッド部を接合する接合層を更に備える、付記６ないし付記１９のいずれかに記載の半導体装置。
［付記２１］
付記６ないし付記２０のいずれかに記載の半導体装置と、
上記半導体装置が実装された基板と、
上記基板に対し固定され且つ上記放熱板に正対する放熱部材と、を備える、半導体装置の実装構造。
［付記２２］
上記半導体チップはパワーチップであり、
上記パワーチップを制御するＬＳＩチップを更に備え、
上記パワーチップが搭載された上記ダイパッド部の裏面側に、上記放熱板が配置されている、付記６ないし付記２０のいずれかに記載のＩＰＭ用の半導体装置。

＜第４実施形態＞
図４５〜図５３を用いて、本発明の第４実施形態について説明する。

図４５は、本実施形態にかかる半導体装置の実装構造の断面図である。

図４５に示す半導体装置の実装構造Ｂ８０１は、半導体装置Ｂ１０１と、基板Ｂ８０７と、放熱部材Ｂ８０８とを備える。

基板Ｂ８０７は、複数の電子部品が実装されるものである。基板Ｂ８０７は絶縁性の材料よりなる。基板Ｂ８０７には図示しない配線パターンが形成されている。基板Ｂ８０７には、複数の孔Ｂ８０９が形成されている。放熱部材Ｂ８０８は、熱伝導率の比較的大きな材料、たとえば、アルミニウムなどの金属よりなる。放熱部材Ｂ８０８は、図示しない支持部材によって基板Ｂ８０７に対し固定されている。半導体装置Ｂ１０１は、基板Ｂ８０７に実装されている。本実施形態において半導体装置Ｂ１０１は、ＩＰＭ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｐｏｗｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）と称される製品である。半導体装置Ｂ１０１は、たとえば、エアーコンディショナーやモータ制御機器などの用途に用いられる。

図４６は、本発明の第４実施形態の半導体装置リードを折り曲げる前の平面図（一部構成省略）である。図４７は、本発明の第４実施形態の半導体装置のリードを折り曲げる前の底面図である。図４８は、図４６のＸＬＶＩＩＩ−ＸＬＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図４９は、図４８の領域ＸＬＩＸの部分拡大図である。

これらの図に示す半導体装置Ｂ１０１は、第１電極部Ｂ１と、第２電極部Ｂ２と、第３電極部Ｂ３と、半導体チップＢ４１，Ｂ４２と、受動部品チップＢ４３と、第１封止樹脂部Ｂ６と、第２封止樹脂部Ｂ７と、複数のワイヤＢ８と、接合層Ｂ９９１と、を備える。図４６においては、第１封止樹脂部Ｂ６を省略し、第１封止樹脂部Ｂ６を２点鎖線で示している。図４５の半導体装置は、図４６のＸＬＶ−ＸＬＶ線に沿う断面図に相当する。

図４６に示すように、半導体チップＢ４１，Ｂ４２および受動部品チップＢ４３は平面視矩形状を呈する。半導体チップＢ４１は、たとえば、ＩＧＢＴ，ＭＯＳ，ダイオードなどのパワーチップである。半導体チップＢ４２は、コントロールＩＣなどのＬＳＩチップである。受動部品チップＢ４３は、たとえば、抵抗もしくはコンデンサなどの受動部品である。

図４５〜図４８に示す、第１電極部Ｂ１、第２電極部Ｂ２、および、第３電極部Ｂ３は、いずれも導電性を有する。すなわち、第１電極部Ｂ１、第２電極部Ｂ２、および、第３電極部Ｂ３はいずれも導電性材料よりなる。このような導電性材料としては、たとえば銅が挙げられる。なお、図４６の右下に記載の電極部はグランド接続される。

複数（本実施形態では４つ）の第１電極部Ｂ１はそれぞれ、ダイパッド部Ｂ１１（図４５〜図４８参照）と、接続部Ｂ１２（図４５、図４６参照）と、ワイヤボンディング部Ｂ１３（図４５、図４６参照）と、リードＢ１４（図４５、図４６参照）と、を含む。複数の第１電極部Ｂ１は、方向ｘにおいて互いに離間している。

各ダイパッド部Ｂ１１は、ｘｙ平面に沿う板状である。ダイパッド部Ｂ１１には半導体チップＢ４１が配置されている。

各ダイパッド部Ｂ１１は、ダイパッド主面Ｂ１１１とダイパッド裏面Ｂ１１２とダイパッド側面Ｂ１１３とを有する。ダイパッド主面Ｂ１１１は方向ｚ１を向き、ダイパッド裏面Ｂ１１２は方向ｚ２を向く。すなわちダイパッド主面Ｂ１１１およびダイパッド裏面Ｂ１１２は互いに反対側を向く。ダイパッド主面Ｂ１１１には、半導体チップＢ４１が配置されている。ダイパッド主面Ｂ１１１と半導体チップＢ４１との間には接合層Ｂ９９１（後述）が介在している。図４９に示すように、ダイパッド裏面Ｂ１１２は、凹凸形状の部位を有する。ダイパッド裏面Ｂ１１２における凹凸形状の部位の高低差（頂部と底部との高低差）は、たとえば、０．０１〜１μｍである。本実施形態において、ダイパッド裏面Ｂ１１２は、微細な凹凸形状が形成された凹凸面である。ダイパッド部Ｂ１１に対しブラスト処理（後述）を施すことにより、ダイパッド裏面Ｂ１１２は凹凸形状になる。ダイパッド裏面Ｂ１１２は全面が凹凸形状であってもよいし、ダイパッド裏面Ｂ１１２の一部が凹凸形状であってもよい。図４８に示すように、ダイパッド側面Ｂ１１３は、ダイパッド部Ｂ１１の厚さ方向（方向ｚ）に交差する方向を向く。互いに隣接する２つのダイパッド部Ｂ１１におけるダイパッド側面Ｂ１１３は、互いに対向する部位を有する。

図４５，図４６に示すように、各接続部Ｂ１２は、各ダイパッド部Ｂ１１と各ワイヤボンディング部Ｂ１３との間に各々位置し且つダイパッド部Ｂ１１とワイヤボンディング部Ｂ１３とにつながる。接続部Ｂ１２は、ｘｙ平面に傾斜する面に沿う形状である。接続部Ｂ１２は、ダイパッド部Ｂ１１から離間するにつれ方向ｚ１に向かうようにｘｙ平面に対し傾斜している。

図４５，図４６に示す各ワイヤボンディング部Ｂ１３はｘｙ平面に沿う形状である。各ワイヤボンディング部Ｂ１３は、方向ｚにおいて、ダイパッド部Ｂ１１よりも方向ｚ１側に位置する。一のワイヤボンディング部Ｂ１３と一の半導体チップＢ４１とには、ワイヤＢ８がボンディングされている。これにより、一のワイヤボンディング部Ｂ１３と一の半導体チップＢ４１とが導通している。リードＢ１４は、ワイヤボンディング部Ｂ１３につながる。各リードＢ１４は方向ｙに沿って延びる。本実施形態にてリードＢ１４は挿入実装用のものである。図４５に示すように、半導体装置Ｂ１０１の基板Ｂ８０７への実装時において、リードＢ１４は折れ曲げられ、孔Ｂ８０９に挿入される。リードＢ１４を基板Ｂ８０７に固定するために、孔Ｂ８０９にハンダ層Ｂ８１０が充填されている。

図４６に示すように、複数（本実施形態では３つ）の第２電極部Ｂ２はそれぞれ、ワイヤボンディング部Ｂ２３と、リードＢ２４と、を含む。複数の第２電極部Ｂ２は、方向ｘにおいて互いに離間している。

各ワイヤボンディング部Ｂ２３はｘｙ平面に沿う形状である。各ワイヤボンディング部Ｂ２３は、方向ｚにおいて、ダイパッド部Ｂ１１よりも方向ｚ１側に位置する。一のワイヤボンディング部Ｂ２３と一の半導体チップＢ４１とには、ワイヤＢ８がボンディングされている。これにより、一のワイヤボンディング部Ｂ２３と一の半導体チップＢ４１とが導通している。リードＢ２４は、ワイヤボンディング部Ｂ２３につながる。各リードＢ２４は方向ｙに沿って延びる。本実施形態にてリードＢ２４は挿入実装用のものである。図示しないが、リードＢ１４と同様に、半導体装置Ｂ１０１の基板Ｂ８０７への実装時においてリードＢ２４は孔Ｂ８０９に挿入される。

図４５、図４６に示す第３電極部Ｂ３は、複数の制御用ダイパッド部Ｂ３１と、複数のリードＢ３２とを含む。制御用ダイパッド部Ｂ３１およびリードＢ３２はいずれも、方向ｚにおいて同じ位置に配置されている。各制御用ダイパッド部Ｂ３１には、半導体チップＢ４２もしくは受動部品チップＢ４３が配置されている。制御用ダイパッド部Ｂ３１と半導体チップＢ４２との間、および、制御用ダイパッド部Ｂ３１と受動部品チップＢ４３との間には、接合層（図示略）が介在している。

本実施形態にてリードＢ３２は挿入実装用のものである。図４５に示すように、半導体装置Ｂ１０１の基板Ｂ８０７への実装時においてリードＢ３２は孔Ｂ８０９に挿入される。リードＢ１４に関して述べたように、リードＢ３２を基板Ｂ８０７に固定するために、孔Ｂ８０９にハンダ層Ｂ８１０が充填されている。一のリードＢ３２と一の半導体チップＢ４２とには、ワイヤＢ８がボンディングされている。これにより、一のリードＢ３２と一の半導体チップＢ４２とが導通している。また、ワイヤＢ８は、一の半導体チップＢ４２と一の受動部品チップＢ４３とにもボンディングされている。

図４８に示すように、接合層Ｂ９９１は、ダイパッド部Ｂ１１と半導体チップＢ４１との間に介在している。接合層Ｂ９９１は、たとえば導電材料よりなる。このような導電材料としては、銀ペーストもしくはハンダが挙げられる。ハンダは熱伝導率が比較的大きい。接合層Ｂ９９１としてハンダを用いると、半導体チップＢ４１からダイパッド部Ｂ１１に熱を効率よく伝えることができる。接合層Ｂ９９１は、導電材料よりなるのではなく、絶縁材料よりなっていてもよい。

図４５、図４８等に示す第１封止樹脂部Ｂ６は、半導体チップＢ４１，Ｂ４２と、受動部品チップＢ４３と、第１電極部Ｂ１、第２電極部Ｂ２、および、第３電極部Ｂ３と、接合層Ｂ９９１と、ワイヤＢ８と、を覆っている。より具体的には、第１封止樹脂部Ｂ６は、第１電極部Ｂ１におけるダイパッド部Ｂ１１と、接続部Ｂ１２と、ワイヤボンディング部Ｂ１３と、ワイヤボンディング部Ｂ２３と、制御用ダイパッド部Ｂ３１と、を覆っている。更に具体的には、第１封止樹脂部Ｂ６は、ダイパッド部Ｂ１１におけるダイパッド主面Ｂ１１１とダイパッド側面Ｂ１１３とを覆っている。第１封止樹脂部Ｂ６は、リードＢ１４の一部と、リードＢ２４の一部と、リードＢ３２の一部と、を覆っている。リードＢ１４、リードＢ２４、およびリードＢ３２はいずれも、第１封止樹脂部Ｂ６から突出している部位を有する。第１封止樹脂部Ｂ６から、ダイパッド部Ｂ１１におけるダイパッド裏面Ｂ１１２が露出している。

第１封止樹脂部Ｂ６は、絶縁性の樹脂よりなる。このような樹脂としては、たとえば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、ポッティング、コンポジットが挙げられる。第１封止樹脂部Ｂ６の熱伝導率は、第２封止樹脂部Ｂ７の熱伝導率よりも小さいことが好ましい。第１封止樹脂部Ｂ６の熱伝導率は、たとえば、０．１〜１Ｗ／ｍＫである。第１封止樹脂部Ｂ６は熱膨張しにくい方が好ましい。半導体装置Ｂ１０１を使用している際に第１封止樹脂部Ｂ６が熱膨張すると、ワイヤＢ８と半導体チップＢ４１との断線や、ワイヤＢ８とワイヤボンディング部Ｂ１３との断線が生じるおそれがあるからである。

図４８に示すように、第１封止樹脂部Ｂ６は、樹脂主面Ｂ６１と、樹脂側面Ｂ６２と、第１樹脂面Ｂ６３と、を有する。

樹脂主面Ｂ６１は、ダイパッド主面Ｂ１１１の向く方向と同一方向（すなわち方向ｚ１）を向く。樹脂主面Ｂ６１は平坦である。樹脂側面Ｂ６２は、半導体チップＢ４１，Ｂ４２および受動部品チップＢ４３を囲んでいる。樹脂側面Ｂ６２は、樹脂主面Ｂ６１と鈍角をなすように、樹脂主面Ｂ６１に対し傾斜している。第１樹脂面Ｂ６３は、ダイパッド裏面Ｂ１１２の向く方向と同一方向（すなわち方向ｚ２）を向く。本実施形態において、第１樹脂面Ｂ６３は、ダイパッド裏面Ｂ１１２と面一となっている。図４９に示すように、第１樹脂面Ｂ６３は、凹凸形状の部位を有する。第１樹脂面Ｂ６３における凹凸形状の部位の高低差は、たとえば、０．１〜１μｍである。

図４５、図４８等に示す第２封止樹脂部Ｂ７は、ダイパッド部Ｂ１１を覆っている。より具体的には、第２封止樹脂部Ｂ７は、ダイパッド裏面Ｂ１１２を覆っている。第２封止樹脂部Ｂ７は、ダイパッド裏面Ｂ１１２に直接接している。本実施形態においては更に、第２封止樹脂部Ｂ７は、複数のダイパッド裏面Ｂ１１２の各々の全体に直接接している。図４９に示すように、第２封止樹脂部Ｂ７は、ダイパッド裏面Ｂ１１２における凹凸形状の部位に、直接接している。第２封止樹脂部Ｂ７は、第１樹脂面Ｂ６３に直接接している。ダイパッド部Ｂ１１の厚さ方向ｚ視において、第２封止樹脂部Ｂ７が占める領域内に、各ダイパッド部Ｂ１１が配置されている。

第２封止樹脂部Ｂ７は、絶縁性の樹脂よりなる。このような樹脂としては、たとえば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、ポッティング、コンポジットが挙げられる。第２封止樹脂部Ｂ７の熱伝導率は、第１封止樹脂部Ｂ６の熱伝導率よりも大きいことが好ましい。第２封止樹脂部Ｂ７の熱伝導率は、たとえば、２〜５Ｗ／ｍＫである。なお、本実施形態とは異なり、第２封止樹脂部Ｂ７を構成する材料は、第１封止樹脂部Ｂ６を構成する材料と同一の材料であってもよい。

図４８に示すように、第２封止樹脂部Ｂ７は、樹脂底面Ｂ７１と、樹脂壁面Ｂ７２と、第２樹脂面Ｂ７３と、を有する。

樹脂底面Ｂ７１は、ダイパッド裏面Ｂ１１２の向く方向と同一方向（すなわち方向ｚ２）を向く。樹脂底面Ｂ７１は、ダイパッド裏面Ｂ１１２の向く側に露出している。樹脂底面Ｂ７１は、ダイパッド部Ｂ１１の厚さ方向ｚ視において、ダイパッド部Ｂ１１に重なっている。図４７に示すように、そして、本実施形態においては、樹脂底面Ｂ７１は、方向ｚ視においてダイパッド部Ｂ１１からはみ出た部位を有する。樹脂底面Ｂ７１は、平坦である。半導体装置Ｂ１０１が基板Ｂ８０７に実装された状態において、樹脂底面Ｂ７１は放熱部材Ｂ８０８に正対する。樹脂底面Ｂ７１は、ダイパッド裏面Ｂ１１２に対し、１００〜２５０μｍ離間している。樹脂底面Ｂ７１とダイパッド裏面Ｂ１１２との離間距離が１００μｍ以上であることは、複数のダイパッド部Ｂ１１どうしが第２封止樹脂部Ｂ７を経由して導通することを防止できる点において好ましい。また、樹脂底面Ｂ７１とダイパッド裏面Ｂ１１２との離間距離が２５０μｍ以下であると、ダイパッド部Ｂ１１から樹脂底面Ｂ７１を経由して半導体チップＢ４１にて発生した熱を、半導体装置Ｂ１０１の外部に放出しやすい点において好ましい。

樹脂壁面Ｂ７２は、方向ｚ視において、半導体チップＢ４１，Ｂ４２および受動部品チップＢ４３を囲む形状である。樹脂壁面Ｂ７２は、樹脂底面Ｂ７１と鈍角をなすように、樹脂底面Ｂ７１に対し傾斜している。図４８、図４９に示すように、第２樹脂面Ｂ７３は、第１樹脂面Ｂ６３およびダイパッド裏面Ｂ１１２に直接接している。本実施形態においては、第１樹脂面Ｂ６３およびダイパッド裏面Ｂ１１２は凹凸形状の部位を有するため、第２樹脂面Ｂ７３も、凹凸形状の部位を有している。

図４８に示すように、複数の低熱膨張フィラーＢ８１１は、第１封止樹脂部Ｂ６に散在している。各低熱膨張フィラーＢ８１１を構成する材料の熱膨張率は、第１封止樹脂部Ｂ６を構成する材料の熱膨張率よりも小さい。各低熱膨張フィラーＢ８１１を構成する材料の熱膨張率は、たとえば、５〜１００ｐｐｍ／℃である。各低熱膨張フィラーＢ８１１を構成する材料としては、たとえば、二酸化ケイ素が挙げられる。低熱膨張フィラーＢ８１１は球形状であることが好ましい。低熱膨張フィラーＢ８１１が球形状であると、低熱膨張フィラーＢ８１１に尖った部分が無いので、低熱膨張フィラーＢ８１１が半導体チップＢ４１，Ｂ４２、ないし、受動部品チップＢ４３に傷を付けることを防止できる。

図４８に示すように、複数の放熱フィラーＢ８１２は、第２封止樹脂部Ｂ７に散在している。各放熱フィラーＢ８１２を構成する材料の熱伝導率は、第２封止樹脂部Ｂ７を構成する材料の熱伝導率よりも大きい。本実施形態において放熱フィラーＢ８１２は、破砕フィラーである。破砕フィラーは、たとえば、アルミナ、二酸化ケイ素、窒化ホウ素よりなる。破砕フィラーは、材料を砕いたままのフィラーであり、破砕フィラーには角があるため、破砕フィラーを含有する樹脂の表面には凹凸が生じやすいとともに、球状フィラーよりも熱伝導性が良くなる。一方、球状フィラーは、砕いた材料を溶融して丸く加工した球形のフィラーであり、球状フィラーを含有する樹脂の表面は、破砕フィラーを含有する樹脂の表面よりは滑らかとなる。

次に、半導体装置Ｂ１０１の製造方法について説明する。以下では、上述と同一もしくは類似の構成については、同一の符号を付し、適宜説明を省略している。

まず、図５０に示すように、複数のダイパッド部Ｂ１１，Ｂ３１を含むリードフレームＢ３００と、複数の半導体チップＢ４１，Ｂ４２と、受動部品チップＢ４３とを用意する。次に、同図に示すように、接合層（図示略）を介して、各半導体チップＢ４１を複数のダイパッド部Ｂ１１のいずれか一つに配置する。同様に、各半導体チップＢ４２および受動部品チップＢ４３を、接合層（図示略）を介して、複数の制御用ダイパッド部Ｂ３１のいずれか一つに配置する。次に、同図に示すように、ワイヤＢ８を各半導体チップＢ４１，Ｂ４２等にボンディングする。

次に、図５１、図５２に示すように、第１封止樹脂部Ｂ６を形成する。第１封止樹脂部Ｂ６は、図５１に示すように、第１金型Ｂ８８１を用いたトランスファモールド法により形成する。同図に示すように、第１金型Ｂ８８１でリードフレームＢ３００を押さえつける。次に、第１金型Ｂ８８１内に樹脂材を注入し、当該樹脂材を硬化させる。当該樹脂材が硬化すると、図５２に示すように第１金型Ｂ８８１をリードフレームＢ３００などから取り外す。これにより、第１封止樹脂部Ｂ６を形成できる。

第１封止樹脂部Ｂ６を形成する際、図５２おける下側の第１金型Ｂ８８１の平坦な面は、ダイパッド裏面Ｂ１１２に当接している。そのため、第１封止樹脂部Ｂ６には、ダイパッド裏面Ｂ１１２と面一となっている第１樹脂面Ｂ６３が形成される。一方、同図における上側の第１金型Ｂ８８１が第１封止樹脂部Ｂ６から抜けやすくするべく、同図における上側の第１金型Ｂ８８１は逆テーパ状となっている。そのため、樹脂側面Ｂ６２は、上述のように樹脂主面Ｂ６１に対し傾斜している。

なお、第１封止樹脂部Ｂ６に低熱膨張フィラーＢ８１１が散在している構成の半導体装置Ｂ１０１を得るには、第１封止樹脂部Ｂ６を形成するための樹脂材に、低熱膨張フィラーＢ８１１を混入させておくとよい。

第１封止樹脂部Ｂ６を形成した後は、ダイパッド部Ｂ１１を覆う薄い樹脂バリが形成されることがある。この樹脂バリを除去するために複数のダイパッド部Ｂ１１に対してブラスト処理を施す（図示略）。ブラスト処理とは、珪砂等のような非金属粒や金属粒を高速度で噴きつけ、表面を粗化する方法である。これにより、各ダイパッド部Ｂ１１のダイパッド裏面Ｂ１１２および第１封止樹脂部Ｂ６の第１樹脂面Ｂ６３は、図４９に示したように、微細な凹凸形状が形成された凹凸面となる。

次に、第２封止樹脂部Ｂ７を形成する。第２封止樹脂部Ｂ７は、図５３に示すように、第２金型Ｂ８８４を用いたトランスファモールド法により形成する。同図に示すように、第２金型Ｂ８８４内に樹脂材を注入し、当該樹脂材を硬化させる。当該樹脂材が硬化すると、第２金型Ｂ８８４をリードフレームＢ３００などから取り外す。これにより、第２封止樹脂部Ｂ７を形成できる。

第２封止樹脂部Ｂ７を形成する際、図５３における下側の第２金型Ｂ８８４が第２封止樹脂部Ｂ７から抜けやすくするべく、図５３における下側の第２金型Ｂ８８４は逆テーパ状となっている。そのため、樹脂壁面Ｂ７２は、上述のように樹脂底面Ｂ７１に対し傾斜している。

なお、第２封止樹脂部Ｂ７に放熱フィラーＢ８１２が散在している構成の半導体装置Ｂ１０１を得るには、第２封止樹脂部Ｂ７を形成するための樹脂材に、放熱フィラーＢ８１２を混入させておくとよい。

次に、図５０に示したリードフレームＢ３００を適宜切断することにより、図４６等に示した半導体装置Ｂ１０１が製造される。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

半導体装置Ｂ１０１においては、ダイパッド裏面Ｂ１１２は、第２封止樹脂部Ｂ７が直接接する凹凸形状の部位を有する。このような構成によると、ダイパッド裏面Ｂ１１２と第２封止樹脂部Ｂ７との接合面積を大きくすることができる。ダイパッド裏面Ｂ１１２と第２封止樹脂部Ｂ７との接合面積を大きくすることができると、ダイパッド裏面Ｂ１１２と第２封止樹脂部Ｂ７とがより強固に接合するから、第２封止樹脂部Ｂ７がダイパッド裏面Ｂ１１２から剥離しにくくなる。また、ダイパッド裏面Ｂ１１２と第２封止樹脂部Ｂ７との接合面積が大きくなると、半導体チップＢ４１からダイパッド部Ｂ１１に伝わった熱を、ダイパッド部Ｂ１１から第２封止樹脂部Ｂ７に伝えやすくなる。そのため、半導体チップＢ４１にて発生した熱を、樹脂底面Ｂ７１を経由させて半導体装置Ｂ１０１の外部（本実施形態においては、放熱部材Ｂ８０８）に、より効率的に伝えることができる。このような半導体装置Ｂ１０１は放熱性に優れているといえる。以上より、本実施形態によると、第２封止樹脂部Ｂ７が剥離しにくく且つ放熱性に優れた半導体装置Ｂ１０１が提供される。

半導体装置Ｂ１０１においては、第２封止樹脂部Ｂ７を構成する材料は、第１封止樹脂部Ｂ６を構成する材料の熱伝導率よりも大きい。このような構成によると、半導体チップＢ４１にて発生した熱を第１封止樹脂部Ｂ６に伝わりにくくするとともに、半導体チップＢ４１にて発生した熱をダイパッド部Ｂ１１および第２封止樹脂部Ｂ７を経由させて、半導体装置Ｂ１０１の外部により伝えやすくことができる。すなわち、本実施形態によると、半導体チップＢ４１にて発生した熱を、より効率的に半導体装置Ｂ１０１の外部に伝えることができる。

半導体装置Ｂ１０１においては、第１封止樹脂部Ｂ６は第１樹脂面Ｂ６３を有する。第１樹脂面Ｂ６３は、第２封止樹脂部Ｂ７が直接接する。また第１樹脂面Ｂ６３は、凹凸形状の部位を有する。このような構成によると、第２封止樹脂部Ｂ７と第１封止樹脂部Ｂ６との接合面積を大きくすることができる。第２封止樹脂部Ｂ７と第１封止樹脂部Ｂ６との接合面積を大きくできると、第２封止樹脂部Ｂ７が第１封止樹脂部Ｂ６から剥離することを抑制できる。

半導体装置Ｂ１０１は、複数の放熱フィラーＢ８１２を備える。各放熱フィラーＢ８１２を構成する材料の熱伝導率は、第２封止樹脂部Ｂ７を構成する樹脂材料の熱伝導率よりも大きい。このような構成によっても、半導体チップＢ４１にて発生した熱を、より効率的に半導体装置Ｂ１０１の外部に伝えることができる。

半導体装置Ｂ１０１においては、各放熱フィラーＢ８１２は、破砕フィラーである。破砕フィラーは球形フィラーに比べて熱伝導率が大きいことが多い。そのため、本実施形態によると、半導体チップＢ４１にて発生した熱を、より効率的に半導体装置Ｂ１０１の外部に伝えることができる。なお、第２封止樹脂部Ｂ７は半導体チップＢ４１に接していないため、第２封止樹脂部Ｂ７に散在している破砕フィラーが、半導体チップＢ４１に接触しない。そのため、半導体チップＢ４１が破砕フィラーによって傷つけられるおそれを回避できる。

半導体装置Ｂ１０１の製造工程においては、ダイパッド裏面Ｂ１１２に凹凸形状の部位を形成する。また、ダイパッド裏面Ｂ１１２に凹凸形状の部位を形成する工程においては、ダイパッド裏面Ｂ１１２に対しブラスト処理を施す。ダイパッド裏面Ｂ１１２に凹凸形状の部位を形成する工程は、第１封止樹脂部Ｂ６を形成する工程の後に行い、第２封止樹脂部Ｂ７を形成する工程は、ダイパッド裏面Ｂ１１２に凹凸形状の部位を形成する工程の後に行う。このような構成によると、ブラスト処理を行う時、半導体チップＢ４１は第１封止樹脂部Ｂ６に覆われている。そのため、ブラスト処理を行うためにダイパッド裏面Ｂ１１２に対し噴きつける非金属粒や金属粒は、半導体チップＢ４１に衝突せずに、第１封止樹脂部Ｂ６ないしダイパッド部Ｂ１１に衝突する。よって、ブラスト処理を行う際に半導体チップＢ４１に非金属粒や金属粒が衝突することにより半導体チップＢ４１が損傷することを、防止できる。同様の理由により、ブラスト処理を行う際に半導体チップＢ４２、受動部品チップＢ４３、およびワイヤＢ８が損傷することを、防止できる。

半導体装置Ｂ１０１を製造工程では、ダイパッド裏面Ｂ１１２に対しブラスト処理を施す工程と同時に、第１封止樹脂部Ｂ６に対しブラスト処理を施す。このような構成によると、ダイパッド裏面Ｂ１１２に凹凸形状の部位を形成するのとは別途、第１封止樹脂部Ｂ６の第１樹脂面Ｂ６３に凹凸形状の部位を形成する必要がない。よって、このような構成は、半導体装置の製造の効率化を図るのに適する。

＜第５実施形態＞
図５４、図５５を用いて、本発明の第５実施形態について説明する。

図５４は、本発明の第５実施形態の半導体装置のリードを折り曲げる前の底面図である。図５５は、図５４のＬＶ−ＬＶ線に沿う断面図である。

これらの図に示す半導体装置Ｂ１０２は、第１電極部Ｂ１、第２電極部Ｂ２、および、第３電極部Ｂ３と、半導体チップＢ４１，Ｂ４２と、受動部品チップＢ４３と、第１封止樹脂部Ｂ６と、第２封止樹脂部Ｂ７と、複数のワイヤＢ８と、接合層Ｂ９９１と、を備える。第１封止樹脂部Ｂ６と第２封止樹脂部Ｂ７とを除き、半導体装置Ｂ１０２における、第１電極部Ｂ１、第２電極部Ｂ２、および、第３電極部Ｂ３、半導体チップＢ４１，Ｂ４２、受動部品チップＢ４３、複数のワイヤＢ８、および接合層Ｂ９９１の各構成は、上述の半導体装置Ｂ１０１と同様であるから、説明を省略する。

第１封止樹脂部Ｂ６は、複数の突出部Ｂ６５を更に含む点を除き、上述の半導体装置Ｂ１０１における構成と同様である。各突出部Ｂ６５は、第１樹脂面Ｂ６３から突出する形状である。各突出部Ｂ６５は、円柱形状であってもよいし四角柱形状であってもよい。各突出部Ｂ６５は、第２封止樹脂部Ｂ７に食い込んでいる。本実施形態においては、各突出部Ｂ６５は、第２封止樹脂部Ｂ７を貫通している。そのため、各突出部Ｂ６５は、樹脂底面Ｂ７１から露出している。各突出部Ｂ６５は、樹脂底面Ｂ７１と面一である面を有する。なお、各突出部Ｂ６５は第２封止樹脂部Ｂ７を貫通している必要は必ずしもない。

第２封止樹脂部Ｂ７は、突出部Ｂ６５が食い込んでいる点を除き、上述の半導体装置Ｂ１０１における構成と同様であるから、説明を省略する。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

半導体装置Ｂ１０２においては、ダイパッド裏面Ｂ１１２は、第２封止樹脂部Ｂ７が直接接する凹凸形状の部位を有する。このような構成によると、第４実施形態で述べたのと同様の理由により、第２封止樹脂部Ｂ７が剥離しにくく且つ放熱性に優れた半導体装置Ｂ１０２が提供される。

半導体装置Ｂ１０２においては、第１封止樹脂部Ｂ６は、第２封止樹脂部Ｂ７に食い込む突出部Ｂ６５を含む。このような構成によると、突出部Ｂ６５と第２封止樹脂部Ｂ７との接合面積と同程度の面積だけ、半導体装置Ｂ１０１における第１封止樹脂部Ｂ６と第２封止樹脂部Ｂ７との接合面積を大きくすることができる。よって、第２封止樹脂部Ｂ７と第１封止樹脂部Ｂ６とをより強固に接合でき、第２封止樹脂部Ｂ７が剥離することを防止できる。

半導体装置Ｂ１０２においては、第２封止樹脂部Ｂ７を構成する材料は、第１封止樹脂部Ｂ６を構成する材料の熱伝導率よりも大きい。このような構成によると、第４実施形態で述べたのと同様の理由により、半導体チップＢ４１にて発生した熱を、より効率的に半導体装置Ｂ１０２の外部に伝えることができる。

半導体装置Ｂ１０２においては、第１封止樹脂部Ｂ６は第１樹脂面Ｂ６３を有する。第１樹脂面Ｂ６３は、第２封止樹脂部Ｂ７が直接接する。また第１樹脂面Ｂ６３は、凹凸形状の部位を有する。このような構成によると、第４実施形態で述べたのと同様の理由により、第２封止樹脂部Ｂ７が第１封止樹脂部Ｂ６から剥離することを抑制できる。

半導体装置Ｂ１０２は、複数の放熱フィラーＢ８１２を備える。各放熱フィラーＢ８１２を構成する材料の熱伝導率は、第２封止樹脂部Ｂ７を構成する材料の熱伝導率よりも大きい。このような構成によっても、半導体チップＢ４１にて発生した熱を、より効率的に半導体装置Ｂ１０２の外部に伝えることができる。

半導体装置Ｂ１０２においては、各放熱フィラーＢ８１２は、破砕フィラーである。破砕フィラーは球形フィラーに比べて熱伝導率が大きいことが多い。そのため、本実施形態によると、半導体チップＢ４１にて発生した熱を、より効率的に半導体装置Ｂ１０２の外部に伝えることができる。なお、第２封止樹脂部Ｂ７は半導体チップＢ４１に接していないため、第２封止樹脂部Ｂ７に散在している破砕フィラーが、半導体チップＢ４１に接触しない。そのため、半導体チップＢ４１が破砕フィラーに傷つけられるおそれを回避できる。

図示しないが、半導体装置Ｂ１０２の製造工程においては、ダイパッド裏面Ｂ１１２に凹凸形状の部位を形成する。また、ダイパッド裏面Ｂ１１２に凹凸形状の部位を形成する工程においては、ダイパッド裏面Ｂ１１２に対しブラスト処理を施す。ダイパッド裏面Ｂ１１２に凹凸形状の部位を形成する工程は、第１封止樹脂部Ｂ６を形成する工程の後に行い、第２封止樹脂部Ｂ７を形成する工程は、ダイパッド裏面Ｂ１１２に凹凸形状の部位を形成する工程の後に行う。このような構成によると、第４実施形態で述べたのと同様の理由により、ブラスト処理を行う際に半導体チップＢ４１に非金属粒や金属粒が衝突することにより半導体チップＢ４１が損傷することを、防止できる。同様の理由により、ブラスト処理を行う際に半導体チップＢ４２、受動部品チップＢ４３、およびワイヤＢ８が損傷することを、防止できる。

図示しないが、半導体装置Ｂ１０２を製造工程では、ダイパッド裏面Ｂ１１２に対しブラスト処理を施す工程と同時に、第１封止樹脂部Ｂ６に対しブラスト処理を施す。このような構成によると、第４実施形態で述べたのと同様の理由により、半導体装置の製造の効率化を図ることができる。

＜第６実施形態＞
図５６、図５７を用いて、本発明の第６実施形態について説明する。

図５６は、本発明の第６実施形態の半導体装置を示す断面図である。図５７は、図５６の領域ＬＶＩＩの部分拡大図である。

これらの図に示す半導体装置Ｂ１０３は、第１電極部Ｂ１、第２電極部Ｂ２、および、第３電極部Ｂ３と、半導体チップＢ４１，Ｂ４２と、受動部品チップＢ４３と、第１封止樹脂部Ｂ６と、第２封止樹脂部Ｂ７と、複数のワイヤＢ８と、接合層Ｂ９９１と、を備える。第１電極部Ｂ１と第１封止樹脂部Ｂ６と第２封止樹脂部Ｂ７とを除き、半導体装置Ｂ１０３における、第２電極部Ｂ２および第３電極部Ｂ３、半導体チップＢ４１，Ｂ４２、受動部品チップＢ４３、複数のワイヤＢ８、および接合層Ｂ９９１の各構成は、上述の半導体装置Ｂ１０１と同様であるから説明を省略する。第２電極部Ｂ２および第３電極部Ｂ３と、半導体チップＢ４２と、受動部品チップＢ４３と、ワイヤＢ８と、についての図示は省略している。

複数の第１電極部Ｂ１はそれぞれ、ダイパッド部Ｂ１１と、接続部Ｂ１２と、ワイヤボンディング部Ｂ１３と、リードＢ１４と、を含む。接続部Ｂ１２、ワイヤボンディング部Ｂ１３、およびリードＢ１４の各構成は、上述の半導体装置Ｂ１０１における構成と同様であるから、説明および図示を省略する。

各ダイパッド部Ｂ１１は、ｘｙ平面に沿う板状である。ダイパッド部Ｂ１１には半導体チップＢ４１が配置されている。

各ダイパッド部Ｂ１１は、ダイパッド主面Ｂ１１１とダイパッド裏面Ｂ１１２とダイパッド側面Ｂ１１３とを有する。ダイパッド主面Ｂ１１１およびダイパッド裏面Ｂ１１２は上述の半導体装置Ｂ１０１における構成と同様であるから、説明を省略する。

ダイパッド側面Ｂ１１３は、ダイパッド部Ｂ１１の厚さ方向（方向ｚ）に交差する方向を向く。互いに隣接する２つのダイパッド部Ｂ１１におけるダイパッド側面Ｂ１１３は、互いに対向する部位を有する。図５７に示すように、本実施形態において、ダイパッド側面Ｂ１１３は、微細な凹凸形状の部位を有する。ダイパッド側面Ｂ１１３における凹凸形状の部位は、ダイパッド裏面Ｂ１１２につながっている。ダイパッド側面Ｂ１１３のうちダイパッド主面Ｂ１１１側の領域は、第１封止樹脂部Ｂ６に覆われている。ダイパッド側面Ｂ１１３のうちダイパッド主面Ｂ１１１側の領域は、第１封止樹脂部Ｂ６に直接接する。一方、ダイパッド側面Ｂ１１３のうちダイパッド裏面Ｂ１１２側の領域は、第２封止樹脂部Ｂ７に覆われている。ダイパッド側面Ｂ１１３のうちダイパッド裏面Ｂ１１２側の領域は、第２封止樹脂部Ｂ７に直接接する。ダイパッド側面Ｂ１１３における凹凸形状の部位は、ダイパッド側面Ｂ１１３のうちの第２封止樹脂部Ｂ７に直接接する領域である。ダイパッド側面Ｂ１１３における凹凸形状の部位の高低差は、たとえば、０．０１〜１μｍである。ダイパッド部Ｂ１１に対しブラスト処理（上述）を施すことにより、ダイパッド側面Ｂ１１３に凹凸形状の部位が形成される。

第１封止樹脂部Ｂ６における第１樹脂面Ｂ６３は、方向ｚにおいて、ダイパッド主面Ｂ１１１およびダイパッド裏面Ｂ１１２との間に位置している。この点を除き、第１封止樹脂部Ｂ６は上述の半導体装置Ｂ１０１における構成と同様であるから、説明を省略する。

第２封止樹脂部Ｂ７における第２樹脂面Ｂ７３は、方向ｚにおいて、ダイパッド主面Ｂ１１１およびダイパッド裏面Ｂ１１２との間に位置している。この点を除き、第２封止樹脂部Ｂ７は上述の半導体装置Ｂ１０１における構成と同様であるから、説明を省略する。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

半導体装置Ｂ１０３においては、ダイパッド側面Ｂ１１３は、第２封止樹脂部Ｂ７と直接接する凹凸形状の部位を有する。このような構成によると、第２封止樹脂部Ｂ７とダイパッド部Ｂ１１との接合面積を大きくでき、第４実施形態で述べたのと同様の理由により、放熱性の向上、および、第２封止樹脂部Ｂ７の剥離の防止、を図ることができる。

半導体装置Ｂ１０３においては、ダイパッド裏面Ｂ１１２は、第２封止樹脂部Ｂ７が直接接する凹凸形状の部位を有する。このような構成によると、第４実施形態で述べたのと同様の理由により、第２封止樹脂部Ｂ７が剥離しにくく且つ放熱性に優れた半導体装置Ｂ１０３が提供される。

半導体装置Ｂ１０３においては、第２封止樹脂部Ｂ７を構成する材料は、第１封止樹脂部Ｂ６を構成する材料の熱伝導率よりも大きい。このような構成によると、第４実施形態で述べたのと同様の理由により、半導体チップＢ４１にて発生した熱を、より効率的に半導体装置Ｂ１０３の外部に伝えることができる。

半導体装置Ｂ１０３においては、第１封止樹脂部Ｂ６は第１樹脂面Ｂ６３を有する。第１樹脂面Ｂ６３は、第２封止樹脂部Ｂ７が直接接する。また第１樹脂面Ｂ６３は、凹凸形状の部位を有する。このような構成によると、第４実施形態で述べたのと同様の理由により、第２封止樹脂部Ｂ７が第１封止樹脂部Ｂ６から剥離することを抑制できる。

半導体装置Ｂ１０３は、複数の放熱フィラーＢ８１２を備える。各放熱フィラーＢ８１２を構成する材料の熱伝導率は、第２封止樹脂部Ｂ７を構成する樹脂材料の熱伝導率よりも大きい。このような構成によっても、半導体チップＢ４１にて発生した熱を、より効率的に半導体装置Ｂ１０３の外部に伝えることができる。

半導体装置Ｂ１０３においては、各放熱フィラーＢ８１２は、破砕フィラーである。破砕フィラーは球形フィラーに比べて熱伝導率が大きいことが多い。そのため、本実施形態によると、半導体チップＢ４１にて発生した熱を、より効率的に半導体装置Ｂ１０３の外部に伝えることができる。なお、第２封止樹脂部Ｂ７は半導体チップＢ４１に接していないため、第２封止樹脂部Ｂ７に散在している破砕フィラーが、半導体チップＢ４１に接触しない。そのため、半導体チップＢ４１が破砕フィラーによって傷つけられるおそれを回避できる。

図示しないが、半導体装置Ｂ１０３の製造工程においては、ダイパッド裏面Ｂ１１２およびダイパッド側面Ｂ１１３に凹凸形状の部位を形成する。また、ダイパッド裏面Ｂ１１２に凹凸形状の部位を形成する工程においては、ダイパッド裏面Ｂ１１２およびダイパッド側面Ｂ１１３に対しブラスト処理を施す。ダイパッド裏面Ｂ１１２に凹凸形状の部位を形成する工程は、第１封止樹脂部Ｂ６を形成する工程の後に行い、第２封止樹脂部Ｂ７を形成する工程は、ダイパッド裏面Ｂ１１２およびダイパッド側面Ｂ１１３に凹凸形状の部位を形成する工程の後に行う。このような構成によると、第４実施形態で述べたのと同様の理由により、ブラスト処理を行う際に半導体チップＢ４１に非金属粒や金属粒が衝突することにより半導体チップＢ４１が損傷することを、防止できる。同様の理由により、ブラスト処理を行う際に半導体チップＢ４２、受動部品チップＢ４３、およびワイヤＢ８が損傷することを、防止できる。

半導体装置Ｂ１０３における構成を、半導体装置Ｂ１０２の構成と組み合わせてもよい。

ダイパッド裏面Ｂ１１２に凹凸形状を形成するのはブラスト処理をするのに限られず、リードフレームＢ３００を形成する際にダイパッド裏面Ｂ１１２に凹凸形状を形成しておいてもよい。また、第１樹脂面Ｂ６３や第２樹脂面Ｂ７３を形成する金型Ｂ８１１の表面に凹凸を形成するようにしてもよい。

以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。

［付記２３］
互いに反対側を向くダイパッド主面およびダイパッド裏面を有する、導電性のダイパッド部と、
上記ダイパッド主面に配置された半導体チップと、
上記ダイパッド主面および上記半導体チップを覆う第１封止樹脂部と、
上記第１封止樹脂部に直接接する第２封止樹脂部と、を備え、
上記第２封止樹脂部は、上記ダイパッド裏面の向く側に露出している樹脂底面を有し、上記樹脂底面は、上記ダイパッド部の厚さ方向視において上記ダイパッド部と重なり、上記ダイパッド裏面は、上記第２封止樹脂部が直接接する凹凸形状の部位を有する、半導体装置。
［付記２４］
上記第２封止樹脂部を構成する材料の熱伝導率は、上記第１封止樹脂部を構成する材料の熱伝導率よりも大きい、付記２３に記載の半導体装置。
［付記２５］
上記第２封止樹脂部に散在している複数の放熱フィラーを更に備え、
上記各放熱フィラーは、破砕フィラーである、付記２３または付記２４に記載の半導体装置。
［付記２６］
上記破砕フィラーは、アルミナ、二酸化ケイ素、もしくは、窒化ホウ素よりなる、付記２５に記載の半導体装置。
［付記２７］
上記第１封止樹脂部に散在している複数の低熱膨張フィラーを更に備え、
上記各低熱膨張フィラーは、球状フィラーである、付記２３ないし付記２６のいずれかに記載の半導体装置。
［付記２８］
上記第１封止樹脂部は、上記第２封止樹脂部が直接接する第１樹脂面を有し、上記第１樹脂面は、凹凸形状の部位を有する、付記２３ないし付記２７のいずれかに記載の半導体装置。
［付記２９］
上記第１樹脂面は、上記ダイパッド裏面と面一である、付記２８に記載の半導体装置。［付記３０］
上記第１樹脂面は、上記ダイパッド部の厚さ方向において、上記ダイパッド裏面と上記ダイパッド主面との間に位置する、付記２８に記載の半導体装置。
［付記３１］
上記第１封止樹脂部は、上記第２封止樹脂部に食い込む突出部を含む、付記２３ないし付記３０のいずれかに記載の半導体装置。
［付記３２］
上記第２封止樹脂部は、上記ダイパッド部の厚さ方向視において、上記ダイパッド部の全体に重なる、付記２３ないし付記３１のいずれかに記載の半導体装置。
［付記３３］
上記第１封止樹脂部は、上記ダイパッド主面の向く方向と同一方向を向く樹脂主面を有し、上記樹脂主面は、上記ダイパッド部の厚さ方向視において、上記ダイパッド部に重なる、付記２３ないし付記３２のいずれかに記載の半導体装置。
［付記３４］
上記第１封止樹脂部は、上記半導体チップを囲む樹脂側面を有し、上記樹脂側面は、上記樹脂主面と鈍角をなすように上記樹脂主面に対し傾斜している、付記３３に記載の半導体装置。
［付記３５］
上記樹脂底面は、上記ダイパッド裏面に対し、１００〜２５０μｍ離間している、付記２３ないし付記３４のいずれかに記載の半導体装置。
［付記３６］
上記第２封止樹脂部の熱伝導率は、２〜５Ｗ／ｍＫである、付記３５に記載の半導体装置。
［付記３７］
上記第２封止樹脂部は、上記ダイパッド部の厚さ方向視において上記ダイパッド部を囲む形状の樹脂壁面を有し、上記樹脂壁面は、上記樹脂底面に対し鈍角をなすように上記樹脂底面に対し傾斜している、付記２３ないし付記３６のいずれかに記載の半導体装置。
［付記３８］
付記２３ないし付記３７のいずれかに記載の半導体装置と、 上記半導体装置が実装された基板と、
上記樹脂底面に正対する放熱部材と、を備える、半導体装置の実装構造。
［付記３９］
半導体チップと、ダイパッド主面およびダイパッド裏面を有するダイパッド部を用意し、
上記ダイパッド主面に上記半導体チップを配置し、
上記ダイパッド主面および上記半導体チップを覆う第１封止樹脂部を形成し、
上記ダイパッド裏面に凹凸形状の部位を形成し、
上記ダイパッド裏面における上記凹凸形状の部位を覆う第２封止樹脂部を形成する、各工程を備える、半導体装置の製造方法。
［付記４０］
上記凹凸形状の部位を形成する工程においては、上記ダイパッド裏面に対しブラスト処理を施す、付記３９に記載の半導体装置の製造方法。
［付記４１］
上記ダイパッド裏面に対しブラスト処理を施す工程と同時に、上記第１封止樹脂部に対しブラスト処理を施す工程を更に備える、付記４０に記載の半導体装置の製造方法。
［付記４２］
発熱部を有するパワーチップと、
上記パワーチップを制御するＬＳＩチップと、を備え、
上記パワーチップおよび上記ＬＳＩチップを樹脂封止したパワー用半導体装置において、
上記パワーチップおよび上記ＬＳＩチップを覆う第１封止樹脂部と、
上記第１封止樹脂部に直接接する第２封止樹脂部と、を備え、
上記第１封止樹脂部と上記第２封止樹脂部とが接する面に、外部に露出する面よりも粗い凹凸部を有する、パワー用半導体装置。

８０１ 実装構造
８０７ 基板
８０８ 放熱部材
８０９ 孔
８１０ ハンダ層
１０１ 半導体装置
１ 第１電極部
１１ ダイパッド部
１１１ ダイパッド主面
１１２ ダイパッド裏面
１２ 接続部
１３ ワイヤボンディング部
１４ リード
２ 第２電極部
２３ ワイヤボンディング部
２４ リード
３００ リードフレーム
３ 第３電極部
３１ 制御用ダイパッド部
３２ リード
４１ 半導体チップ
４２ 半導体チップ
４３ 受動部品チップ６ 放熱層
６１ 放熱層主面
６２ 放熱層裏面
６３ 放熱層側面
６９ 弾性層
７ 封止樹脂部
７１ 樹脂主面
７２ 樹脂底面
７３ 樹脂側面
７５ 凹部
７５１ 凹部底面
７５２ 凹部側面
８ ワイヤ
８８１ 金型
９９１ 接合層

Ａ８０１ 実装構造
Ａ８０７ 基板
Ａ８０８ 放熱部材
Ａ８０９ 孔
Ａ８１０ ハンダ層
Ａ１００，Ａ１０１，Ａ１０２，Ａ１０３，Ａ１０４，Ａ２００，Ａ２０１，Ａ２０２，Ａ２０３，Ａ２０４ 半導体装置
Ａ１ 第１電極部
Ａ１１ ダイパッド部
Ａ１１１ ダイパッド主面
Ａ１１２ ダイパッド裏面
Ａ１２ 接続部
Ａ１３ ワイヤボンディング部
Ａ１４ リード
Ａ２ 第２電極部
Ａ２３ ワイヤボンディング部
Ａ２４ リード
Ａ３００ リードフレーム
Ａ３ 第３電極部
Ａ３１ 制御用ダイパッド部
Ａ３２ リード
Ａ４１ 半導体チップ
Ａ４２ 半導体チップ
Ａ４３ 受動部品チップ
Ａ６ 放熱板
Ａ６１ 放熱板主面
Ａ６２ 放熱板裏面
Ａ６３ 放熱板側面
Ａ６８ 凹凸部
Ａ６９１ 脱落防止部
Ａ７ 封止樹脂部
Ａ７１ 樹脂主面
Ａ７２ 樹脂底面
Ａ７３ 樹脂側面Ａ７５ 中間部
Ａ７９９ スペーサ
Ａ８ ワイヤ
Ａ８８１ 第１金型
Ａ８８２ 第２金型
Ａ８８５ 凹部
Ａ９９１ 接合層

Ｂ８０１ 実装構造
Ｂ８０７ 基板
Ｂ８０８ 放熱部材
Ｂ８０９ 孔
Ｂ８１０ ハンダ層
Ｂ１０１，Ｂ１０２，Ｂ１０３ 半導体装置
Ｂ１ 第１電極部
Ｂ１１ ダイパッド部
Ｂ１１１ ダイパッド主面
Ｂ１１２ ダイパッド裏面
Ｂ１１３ ダイパッド側面
Ｂ１２ 接続部
Ｂ１３ ワイヤボンディング部
Ｂ１４ リード
Ｂ２ 第２電極部
Ｂ２３ ワイヤボンディング部
Ｂ２４ リード
Ｂ３００ リードフレーム
Ｂ３ 第３電極部
Ｂ３１ 制御用ダイパッド部
Ｂ３２ リード
Ｂ４１ 半導体チップ
Ｂ４２ 半導体チップ
Ｂ４３ 受動部品チップ
Ｂ６ 第１封止樹脂部
Ｂ６１ 樹脂主面
Ｂ６２ 樹脂側面
Ｂ６３ 第１樹脂面
Ｂ６５ 突出部
Ｂ７ 第２封止樹脂部
Ｂ７１ 樹脂底面
Ｂ７２ 樹脂壁面
Ｂ７３ 第２樹脂面
Ｂ８ ワイヤ
Ｂ８１１ 低熱膨張フィラー
Ｂ８１２ 放熱フィラー
Ｂ８８１ 第１金型
Ｂ８８４ 第２金型
Ｂ９９１ 接合層

Claims (22)

1. 半導体チップと、放熱板と、ダイパッド部を含むリードフレームと、を用意する工程、
   上記ダイパッド部に上記半導体チップを接合する工程、
   上記放熱板を上記ダイパッド部に正対させる工程、ならびに、
   上記半導体チップと上記放熱板と上記ダイパッド部とを覆う封止樹脂部を形成する工程、を備え、
   上記封止樹脂部を形成する工程においては、上記封止樹脂部によって上記放熱板および上記ダイパッド部を接合する、半導体装置の製造方法。
2. 上記ダイパッド部は、ダイパッド主面およびダイパッド裏面を有し、
   上記半導体チップを接合する工程においては、上記半導体チップを上記ダイパッド主面に接合し、
   上記ダイパッド部に正対させる工程においては、上記放熱板を上記ダイパッド裏面に正対させる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 上記封止樹脂部を形成する工程においては、上記放熱板を上記封止樹脂部から露出させる、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 第１金型および第２金型を用意する工程を更に備え、
   上記封止樹脂部を形成する工程は、
   上記第１金型と上記第２金型とによって、上記放熱板と上記ダイパッド部と上記半導体チップを囲む工程、および
   上記囲む工程の後に、上記第１金型と上記第２金型とに囲まれた空間に樹脂材を注入する工程、を含み、
   上記樹脂材を注入する時点においては、上記放熱板と上記ダイパッド部とは接着されていない状態である、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
5. 上記第１金型には凹部が形成されており、
   上記封止樹脂部を形成する工程は、上記囲む工程の前に、上記凹部に上記放熱板を配置する工程を含む、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. ダイパッド部と、
   上記ダイパッド部に接合された半導体チップと、
   上記ダイパッド部から離間している放熱板と、
   上記ダイパッド部、上記半導体チップ、および上記放熱板の少なくとも上記半導体チップ側を覆う封止樹脂部と、を備え、
   上記封止樹脂部は、上記放熱板および上記ダイパッド部の間に介在する中間部を含み、上記中間部は、上記放熱板および上記ダイパッド部のいずれにも直接接する、半導体装置。
7. ダイパッド部と、
   上記ダイパッド部に接合された半導体チップと、
   上記ダイパッド部に直接接する放熱板と、
   上記ダイパッド部、上記半導体チップ、および上記放熱板の少なくとも上記半導体チップ側を覆う封止樹脂部と、を備える、半導体装置。
8. 上記ダイパッド部は、ダイパッド主面およびダイパッド裏面を有し、
   上記半導体チップは、上記ダイパッド主面に接合され、
   上記放熱板は、上記ダイパッド裏面に正対している放熱板主面を有する、請求項６または請求項７に記載の半導体装置。
9. 上記放熱板は、上記放熱板主面とは反対側を向く放熱板裏面を有し、上記放熱板裏面は、上記封止樹脂部から露出している、請求項８に記載の半導体装置。
10. 上記封止樹脂部は、上記放熱板裏面の向く方向と同一方向を向く樹脂底面を有し、
    上記放熱板は、上記樹脂底面よりも、上記放熱板裏面の向く方向の側に突出している部位を有する、請求項９に記載の半導体装置。
11. 上記放熱板は、上記ダイパッド部の厚さ方向視において、上記放熱板裏面からはみ出る脱落防止部を含み、
    上記脱落防止部は、上記封止樹脂部よりも、上記放熱板主面の向く方向の側に位置する、請求項９または請求項１０に記載の半導体装置。
12. 上記放熱板は、上記放熱板裏面から直立する放熱板側面を有する、請求項９ないし請求項１１のいずれかに記載の半導体装置。
13. 上記放熱板は、導電性材料よりなる、請求項６ないし請求項１２のいずれかに記載の半導体装置。
14. 上記導電性材料は、アルミニウム、銅、銅合金、もしくは、鉄である、請求項１３に記載の半導体装置。
15. 上記ダイパッド部および上記放熱板との間に介在するスペーサを更に備え、
    上記スペーサは、絶縁性材料よりなる、請求項１３または請求項１４に記載の半導体装置。
16. 上記放熱板は、絶縁性材料よりなる、請求項６ないし請求項１２のいずれかに記載の半導体装置。
17. 上記絶縁性材料は、セラミックである、請求項１６に記載の半導体装置。
18. 上記セラミックは、アルミナ、窒化アルミニウム、もしくは窒化ケイ素である、請求項１７に記載の半導体装置。
19. 上記放熱板は、その放熱板主面の周辺部に、凹凸形状を呈する凹凸部または溝を含む、請求項１７または請求項１８に記載の半導体装置。
20. 上記半導体チップおよび上記ダイパッド部の間に介在し且つ上記半導体チップおよび上記ダイパッド部を接合する接合層を更に備える、請求項６ないし請求項１９のいずれかに記載の半導体装置。
21. 請求項６ないし請求項２０のいずれかに記載の半導体装置と、
    上記半導体装置が実装された基板と、
    上記基板に対し固定され且つ上記放熱板に正対する放熱部材と、を備える、半導体装置の実装構造。
22. 上記半導体チップはパワーチップであり、
    上記パワーチップを制御するＬＳＩチップを更に備え、
    上記パワーチップが搭載された上記ダイパッド部の裏面側に、上記放熱板が配置されている、請求項６ないし請求項２０のいずれかに記載のＩＰＭ用の半導体装置。

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