JPH06334069A - ヒートスプレッダを内蔵した半導体パッケージ - Google Patents
ヒートスプレッダを内蔵した半導体パッケージInfo
- Publication number
- JPH06334069A JPH06334069A JP5121668A JP12166893A JPH06334069A JP H06334069 A JPH06334069 A JP H06334069A JP 5121668 A JP5121668 A JP 5121668A JP 12166893 A JP12166893 A JP 12166893A JP H06334069 A JPH06334069 A JP H06334069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat spreader
- peripheral surface
- mold resin
- gap
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヒートスプレッダのモールドレジンに被覆さ
れる側周面に形成されるすき間を通っての、水分・塩基
イオン等の内部への進入経路を長くする。 【構成】 パッケージ内部で、ヒートスプレッダ２の一
方の面にＩＣチップを固着するとともに、リードフレー
ム１４も絶縁性を保持して固着し、またＩＣチップとリ
ードフレーム１４をワイヤボンディングする。そして、
ヒートスプレッダ２の他方の面２ａを露呈させてモール
ドレジン７で全体をトランスファモールドする。ヒート
スプレッダ２のモールドレジン７に被覆される側周面２
ｂに段２ｃを形成する。よって、側周面２ｂにおいて接
触面積が大きくなる。側周面２ｂにすき間が生じても、
水分・塩基イオン等が該すき間を通っての内部の半導体
素子に到るまでの進入経路が長くなる。
れる側周面に形成されるすき間を通っての、水分・塩基
イオン等の内部への進入経路を長くする。 【構成】 パッケージ内部で、ヒートスプレッダ２の一
方の面にＩＣチップを固着するとともに、リードフレー
ム１４も絶縁性を保持して固着し、またＩＣチップとリ
ードフレーム１４をワイヤボンディングする。そして、
ヒートスプレッダ２の他方の面２ａを露呈させてモール
ドレジン７で全体をトランスファモールドする。ヒート
スプレッダ２のモールドレジン７に被覆される側周面２
ｂに段２ｃを形成する。よって、側周面２ｂにおいて接
触面積が大きくなる。側周面２ｂにすき間が生じても、
水分・塩基イオン等が該すき間を通っての内部の半導体
素子に到るまでの進入経路が長くなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体パッケージの１
つであるヒートスプレッダを内蔵した半導体パッケージ
に関する。
つであるヒートスプレッダを内蔵した半導体パッケージ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体パッケージは、半導体
素子の外部環境からの保護、あるいは半導体素子の機能
の補助等を目的として行われ、種々のものが知られてい
る。
素子の外部環境からの保護、あるいは半導体素子の機能
の補助等を目的として行われ、種々のものが知られてい
る。
【０００３】一般に、半導体デバイスの使用時には発熱
が伴うものであり、高度に集積化されたＩＣほど発熱が
大きい。放置しておけば、半導体デバイスは動作不能と
なる。そこで、ヒートスプレッダを設置して放熱させる
構造が必要となる。
が伴うものであり、高度に集積化されたＩＣほど発熱が
大きい。放置しておけば、半導体デバイスは動作不能と
なる。そこで、ヒートスプレッダを設置して放熱させる
構造が必要となる。
【０００４】図５は、従来の半導体パッケージの１つで
あるヒートスプレッダ内蔵ＳＯＰ（Small Outline Pack
age 、以下同じ）の外観斜視図である。また、図６(a)
は、図５に示したＳＯＰをＺ−Ｚ線で切断した面の断面
図であり、図６(b) は、図６(a) の破線で囲んだ部分Ｙ
の部分拡大図である。
あるヒートスプレッダ内蔵ＳＯＰ（Small Outline Pack
age 、以下同じ）の外観斜視図である。また、図６(a)
は、図５に示したＳＯＰをＺ−Ｚ線で切断した面の断面
図であり、図６(b) は、図６(a) の破線で囲んだ部分Ｙ
の部分拡大図である。
【０００５】図５及び図６に示すように、ウェハ処理工
程が終了されたＩＣウェハから個々に分離されたＩＣチ
ップ１１は、無酸素銅あるいは４２アロイ等が素材とし
て用いられるヒートスプレッダ１２にダイボンド剤１３
により固着されている。
程が終了されたＩＣウェハから個々に分離されたＩＣチ
ップ１１は、無酸素銅あるいは４２アロイ等が素材とし
て用いられるヒートスプレッダ１２にダイボンド剤１３
により固着されている。
【０００６】また、ヒートスプレッダ１２には、金属リ
ードフレーム１４が絶縁接着剤１５にて、絶縁性が保持
されて固着されている。そして、ＩＣチップ１１の表面
に設置された各電極とリードフレーム１４上の端子と
が、順次アルミニウム等の細線１６を用いてワイヤボン
ディングされ、電気的に接続されている。
ードフレーム１４が絶縁接着剤１５にて、絶縁性が保持
されて固着されている。そして、ＩＣチップ１１の表面
に設置された各電極とリードフレーム１４上の端子と
が、順次アルミニウム等の細線１６を用いてワイヤボン
ディングされ、電気的に接続されている。
【０００７】さらに、全体がモールドレジン１７によっ
てトランスファモールドされ、外気等からＩＣチップ１
１に形成された半導体素子の保護が図られている。その
後、リードフレーム１４の成形切断、メッキ仕上げ等の
処理がなされて、パッケージングが完成される。
てトランスファモールドされ、外気等からＩＣチップ１
１に形成された半導体素子の保護が図られている。その
後、リードフレーム１４の成形切断、メッキ仕上げ等の
処理がなされて、パッケージングが完成される。
【０００８】ここで、放熱性の向上を目的として、ヒー
トスプレッダ１２の一面１２ａがパッケージの外部に露
呈され、外気に触れるように構成されている。そして、
通常、ヒートスプレッダ１２のモールドレジン１７に被
覆される側面１２ｂには凹凸が形成されず、図示のよう
に断面が直線状に形成されていた。
トスプレッダ１２の一面１２ａがパッケージの外部に露
呈され、外気に触れるように構成されている。そして、
通常、ヒートスプレッダ１２のモールドレジン１７に被
覆される側面１２ｂには凹凸が形成されず、図示のよう
に断面が直線状に形成されていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
ヒートスプレッダ内蔵ＳＯＰでは、ヒートスプレッダ１
２とモールドレジン１７との間には、その熱膨張係数に
差がある。
ヒートスプレッダ内蔵ＳＯＰでは、ヒートスプレッダ１
２とモールドレジン１７との間には、その熱膨張係数に
差がある。
【００１０】例えば、ヒートスプレッダ１２の素材が無
酸素銅であれば、その熱膨張係数は約17×10-6／度Ｃで
あり、４２アロイなら約４×10-6／度Ｃである。また、
例えば、モールドレジン１７の素材がエポキシ樹脂であ
れば、その熱膨張係数は15〜20×10-6／度Ｃである。熱
膨張係数が大きいほど温度の低下に際しての収縮が大き
いのは言うまでもない。
酸素銅であれば、その熱膨張係数は約17×10-6／度Ｃで
あり、４２アロイなら約４×10-6／度Ｃである。また、
例えば、モールドレジン１７の素材がエポキシ樹脂であ
れば、その熱膨張係数は15〜20×10-6／度Ｃである。熱
膨張係数が大きいほど温度の低下に際しての収縮が大き
いのは言うまでもない。
【００１１】そして、一般に、トランスファモールドは
約 150〜 250度Ｃの高温下において行われるのに対し
て、半導体デバイスの実使用時は約20〜30度Ｃの常温下
である。よって、モールド直後あるいは各種信頼性試験
等の際、図６(b) の部分拡大図に示すように、ヒートス
プレッダ１２とモールドレジン１７との境界面にすき間
ができてしまうことがあった。
約 150〜 250度Ｃの高温下において行われるのに対し
て、半導体デバイスの実使用時は約20〜30度Ｃの常温下
である。よって、モールド直後あるいは各種信頼性試験
等の際、図６(b) の部分拡大図に示すように、ヒートス
プレッダ１２とモールドレジン１７との境界面にすき間
ができてしまうことがあった。
【００１２】このヒートスプレッダ１２とモールドレジ
ン１７との間にできるすき間から、水分・塩基イオン等
が進入し内部が腐食してしまうことにより、半導体素子
の信頼性が低下するという問題があった。
ン１７との間にできるすき間から、水分・塩基イオン等
が進入し内部が腐食してしまうことにより、半導体素子
の信頼性が低下するという問題があった。
【００１３】本発明は、こうした実情に鑑みなされたも
のであり、その課題は、ヒートスプレッダの樹脂材に被
覆される側周面に形成されるすき間を通っての、水分・
塩基イオン等の内部への進入経路を長くすることによっ
て、半導体デバイスの信頼性の向上が図られるようにす
ることである。
のであり、その課題は、ヒートスプレッダの樹脂材に被
覆される側周面に形成されるすき間を通っての、水分・
塩基イオン等の内部への進入経路を長くすることによっ
て、半導体デバイスの信頼性の向上が図られるようにす
ることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードと電気
的に接続される半導体素子を一方側に有するヒートスプ
レッダを備え、樹脂材にて該半導体素子を含み該ヒート
スプレッダの他方側の一面が露呈されてモールド被覆さ
れるヒートスプレッダを内蔵した半導体パッケージにお
いて、前記ヒートスプレッダの前記樹脂材に被覆される
側周面に段が形成されたことを特徴とする。さらに、前
記側周面に形成された段は、Ｒが付された段であること
を特徴とする。
的に接続される半導体素子を一方側に有するヒートスプ
レッダを備え、樹脂材にて該半導体素子を含み該ヒート
スプレッダの他方側の一面が露呈されてモールド被覆さ
れるヒートスプレッダを内蔵した半導体パッケージにお
いて、前記ヒートスプレッダの前記樹脂材に被覆される
側周面に段が形成されたことを特徴とする。さらに、前
記側周面に形成された段は、Ｒが付された段であること
を特徴とする。
【００１５】
【作用】上記において、ヒートスプレッダのモールドレ
ジンに被覆される側周面において、ヒートスプレッダと
モールドレジンとの接触面積が大きくなる。従って、仮
にすき間が生じても、水分・塩基イオン等が該すき間を
通っての内部の半導体素子に到るまでの進入経路が長く
なる。よって、腐食等による半導体素子の信頼性の低下
が遅くなり、寿命が伸びる。
ジンに被覆される側周面において、ヒートスプレッダと
モールドレジンとの接触面積が大きくなる。従って、仮
にすき間が生じても、水分・塩基イオン等が該すき間を
通っての内部の半導体素子に到るまでの進入経路が長く
なる。よって、腐食等による半導体素子の信頼性の低下
が遅くなり、寿命が伸びる。
【００１６】また、段が形成されたことで従来よりヒー
トスプレッダの体積が増加する。そのため発熱した瞬間
において体積増加部分で速やかに熱が吸収され、熱効率
の点で有利になる。
トスプレッダの体積が増加する。そのため発熱した瞬間
において体積増加部分で速やかに熱が吸収され、熱効率
の点で有利になる。
【００１７】また、上記において、段にＲが付される
と、温度の低下の際ヒートスプレッダとモールドレジン
の熱膨張係数の差による応力集中が起きにくくなり、ヒ
ートスプレッダのモールドレジンに被覆される側周面に
すき間が生じにくくなる。
と、温度の低下の際ヒートスプレッダとモールドレジン
の熱膨張係数の差による応力集中が起きにくくなり、ヒ
ートスプレッダのモールドレジンに被覆される側周面に
すき間が生じにくくなる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。先ず、図１は、本発明の第１の実施
例のヒートスプレッダ内蔵ＳＯＰの内部構造を示す断面
図である。尚、図５乃至図６に示した従来例と同一部材
には、同一符号を付して重複説明は省略する。
しながら説明する。先ず、図１は、本発明の第１の実施
例のヒートスプレッダ内蔵ＳＯＰの内部構造を示す断面
図である。尚、図５乃至図６に示した従来例と同一部材
には、同一符号を付して重複説明は省略する。
【００１９】同図に示すように、ウェハ処理工程が終了
されたＩＣウェハから個々に分離されたＩＣチップ１１
は、無酸素銅または４２アロイ等を素材として用いたヒ
ートスプレッダ２にダイボンド剤１３にて固着されてい
る。ダイボンド剤１３としては、一般的に熱伝導率の大
きいハンダ等が使用されている。
されたＩＣウェハから個々に分離されたＩＣチップ１１
は、無酸素銅または４２アロイ等を素材として用いたヒ
ートスプレッダ２にダイボンド剤１３にて固着されてい
る。ダイボンド剤１３としては、一般的に熱伝導率の大
きいハンダ等が使用されている。
【００２０】さらに、ヒートスプレッダ２には、金属リ
ードフレーム１４がポリイミド等の絶縁接着剤１５に
て、絶縁性が保持されて固着されている。そして、ＩＣ
チップ１１の表面にある各電極とリードフレーム１４上
の端子とが順次アルミニウム等の細線１６を用いてワイ
ヤボンディングされ、電気的に接続されている。尚、金
の細線を用い、熱圧着によるワイヤボンディングが行わ
れることも多い。
ードフレーム１４がポリイミド等の絶縁接着剤１５に
て、絶縁性が保持されて固着されている。そして、ＩＣ
チップ１１の表面にある各電極とリードフレーム１４上
の端子とが順次アルミニウム等の細線１６を用いてワイ
ヤボンディングされ、電気的に接続されている。尚、金
の細線を用い、熱圧着によるワイヤボンディングが行わ
れることも多い。
【００２１】さらに、全体がエポキシ樹脂等を素材に用
いるモールドレジン７によってトランスファモールドさ
れ、外気等からＩＣチップ１１に形成された半導体素子
の保護が図られている。
いるモールドレジン７によってトランスファモールドさ
れ、外気等からＩＣチップ１１に形成された半導体素子
の保護が図られている。
【００２２】その後、リードフレーム１４の成形切断、
メッキ仕上げ等の処理がなされて、パッケージングが完
成される。そして、放熱性の向上を目的として、ヒート
スプレッダ２の一面２ａがパッケージの外部に露呈さ
れ、外気に触れるように構成されている。
メッキ仕上げ等の処理がなされて、パッケージングが完
成される。そして、放熱性の向上を目的として、ヒート
スプレッダ２の一面２ａがパッケージの外部に露呈さ
れ、外気に触れるように構成されている。
【００２３】ここで、同図からも明らかなように、第１
の実施例の従来例との差異は、ヒートスプレッダ２のモ
ールドレジン７に被覆される側面部２ｂに段２ｃが設け
られたことである。ヒートスプレッダ２及びモールドレ
ジン７の熱膨張係数は、従来例と変わりがない。
の実施例の従来例との差異は、ヒートスプレッダ２のモ
ールドレジン７に被覆される側面部２ｂに段２ｃが設け
られたことである。ヒートスプレッダ２及びモールドレ
ジン７の熱膨張係数は、従来例と変わりがない。
【００２４】本第１の実施例は、上記のように構成され
ているから、ヒートスプレッダ２とモールドレジン７と
の接触面積が大きくなる。従って、仮にヒートスプレッ
ダ２のモールドレジン７と接触する側周面２ｂ部にすき
間が生じても、水分・塩基イオン等が該すき間を通って
内部の半導体素子に到るまでの進入経路が長くなる。よ
って、腐食等による半導体素子の信頼性の低下が遅くな
り、寿命が伸びる。
ているから、ヒートスプレッダ２とモールドレジン７と
の接触面積が大きくなる。従って、仮にヒートスプレッ
ダ２のモールドレジン７と接触する側周面２ｂ部にすき
間が生じても、水分・塩基イオン等が該すき間を通って
内部の半導体素子に到るまでの進入経路が長くなる。よ
って、腐食等による半導体素子の信頼性の低下が遅くな
り、寿命が伸びる。
【００２５】この場合、ヒートスプレッダ２の側周面２
ｂが断面直線状に形成されていた従来例に較べて、ヒー
トスプレッダ２の体積が増加する（図１に斜線を付した
部分）。そのため、半導体素子が発熱した瞬間におい
て、体積の増加した部分で速やかに熱が吸収される。よ
って、熱の吸収におけるバッファとしての作用が大きく
なるので、従来例より熱効率の点で有利になる。
ｂが断面直線状に形成されていた従来例に較べて、ヒー
トスプレッダ２の体積が増加する（図１に斜線を付した
部分）。そのため、半導体素子が発熱した瞬間におい
て、体積の増加した部分で速やかに熱が吸収される。よ
って、熱の吸収におけるバッファとしての作用が大きく
なるので、従来例より熱効率の点で有利になる。
【００２６】次に、図２は、本発明お第２の実施例のヒ
ートスプレッダ内蔵ＳＯＰの内部構造を示す断面図であ
る。尚、図１に示した第１の実施例と同一部材には同一
符号を付して重複説明は省略する。
ートスプレッダ内蔵ＳＯＰの内部構造を示す断面図であ
る。尚、図１に示した第１の実施例と同一部材には同一
符号を付して重複説明は省略する。
【００２７】第２の実施例の第１の実施例との差異は、
図２からも明らかなように、ヒートスプレッダ２′のモ
ールドレジン７′と接触する側周面２′ｂには、Ｒが付
された段部２′ｃが設けられたことである。尚、ヒート
スプレッダ２′及びモールドレジン７′の素材・線膨張
係数は変わりがない。
図２からも明らかなように、ヒートスプレッダ２′のモ
ールドレジン７′と接触する側周面２′ｂには、Ｒが付
された段部２′ｃが設けられたことである。尚、ヒート
スプレッダ２′及びモールドレジン７′の素材・線膨張
係数は変わりがない。
【００２８】本第２の実施例は、上記のように構成され
ているから、第１の実施例に較べて温度の低下の際ヒー
トスプレッダとモールドレジンの熱膨張係数の差による
応力集中が起きにくくなり、ヒートスプレッダ２′のモ
ールドレジン７′に被覆される側周面２′ｂに、すき間
が生じにくくなる。以下、説明する。
ているから、第１の実施例に較べて温度の低下の際ヒー
トスプレッダとモールドレジンの熱膨張係数の差による
応力集中が起きにくくなり、ヒートスプレッダ２′のモ
ールドレジン７′に被覆される側周面２′ｂに、すき間
が生じにくくなる。以下、説明する。
【００２９】例えば、図３(a) に示すように、矩形の平
面形状を有し熱膨張係数に差のある２つの部材Ｍ，Ｎ
が、ある温度において、上方より見て直線状の接触面Ｓ
を形成して接触しているものとする。そして、部材Ｍの
熱膨張係数αM の方が部材Ｎの熱膨張係数αN より大き
いものとする（αM ＞αN ）。
面形状を有し熱膨張係数に差のある２つの部材Ｍ，Ｎ
が、ある温度において、上方より見て直線状の接触面Ｓ
を形成して接触しているものとする。そして、部材Ｍの
熱膨張係数αM の方が部材Ｎの熱膨張係数αN より大き
いものとする（αM ＞αN ）。
【００３０】この状態から温度が低下すると、線膨張係
数の大きい部材はより収縮するから、同図(b) に示すよ
うに両部材Ｍ，Ｎの形状は変化し、接触面Ｓは湾曲す
る。上記においては、両部材とも矩形の平面形状を有す
る場合であったが、次に、同図(c) に示すように部材Ｐ
が鉤形の平面形状を有し、ある温度において矩形の平面
形状を有する部材Ｑに、上方より見て直線状の接触面
Ｓ′を形成して接触している場合を例にとる。そして、
部材Ｐの熱膨張係数αp の方が部材Ｑの熱膨張係数αQ
より大きいものとする（αp ＞αQ ）。
数の大きい部材はより収縮するから、同図(b) に示すよ
うに両部材Ｍ，Ｎの形状は変化し、接触面Ｓは湾曲す
る。上記においては、両部材とも矩形の平面形状を有す
る場合であったが、次に、同図(c) に示すように部材Ｐ
が鉤形の平面形状を有し、ある温度において矩形の平面
形状を有する部材Ｑに、上方より見て直線状の接触面
Ｓ′を形成して接触している場合を例にとる。そして、
部材Ｐの熱膨張係数αp の方が部材Ｑの熱膨張係数αQ
より大きいものとする（αp ＞αQ ）。
【００３１】この状態から温度が低下すると、同図(b)
において説明した理由から、２つの部材の接触面Ｓ′は
同図(c) に破線で示すように外方へ向かって湾曲しよう
とする。
において説明した理由から、２つの部材の接触面Ｓ′は
同図(c) に破線で示すように外方へ向かって湾曲しよう
とする。
【００３２】このとき、接触面Ｓ′のコーナー部に角状
部Ｓk が形成されていると、接触面Ｓ′は不連続部分で
ある該角状部Ｓk を支点として外方に湾曲しようとす
る。よって、該不連続部分である角状部Ｓk において応
力の集中が起こり、その近傍において変形が大きくな
る。これにより、角状部が形成されたコーナー部ではす
き間が生じやすい。
部Ｓk が形成されていると、接触面Ｓ′は不連続部分で
ある該角状部Ｓk を支点として外方に湾曲しようとす
る。よって、該不連続部分である角状部Ｓk において応
力の集中が起こり、その近傍において変形が大きくな
る。これにより、角状部が形成されたコーナー部ではす
き間が生じやすい。
【００３３】これに対して、同図(d) に示すように、コ
ーナー部にＲが付された接触面Ｓ″の場合には、不連続
部分が形成されていないから、温度の下降とともに、コ
ーナー部において接触面Ｓ″は徐々に外方に湾曲しよう
とする。よって、応力の集中がなくなり、コーナー部に
おいてすき間が生じにくくなる。
ーナー部にＲが付された接触面Ｓ″の場合には、不連続
部分が形成されていないから、温度の下降とともに、コ
ーナー部において接触面Ｓ″は徐々に外方に湾曲しよう
とする。よって、応力の集中がなくなり、コーナー部に
おいてすき間が生じにくくなる。
【００３４】このような理由により、ヒートスプレッダ
２′のモールドレジン７′に被覆される側面部２′ｂに
Ｒが付された段２′ｃが設けられる第２の実施例の方
が、第１の実施例に較べて、該側面部２′ｂにおいてよ
りすき間が生じにくくなるという有利な効果を有してい
る。
２′のモールドレジン７′に被覆される側面部２′ｂに
Ｒが付された段２′ｃが設けられる第２の実施例の方
が、第１の実施例に較べて、該側面部２′ｂにおいてよ
りすき間が生じにくくなるという有利な効果を有してい
る。
【００３５】尚、水分・塩基イオン等の内部の半導体素
子に到るまでの進入経路が長くなり、信頼性の低下が遅
くなって寿命が伸びるという効果と、体積増加によって
熱効率の点で有利となる効果は、第１の実施例と同様、
本第２の実施例においても存在する。
子に到るまでの進入経路が長くなり、信頼性の低下が遅
くなって寿命が伸びるという効果と、体積増加によって
熱効率の点で有利となる効果は、第１の実施例と同様、
本第２の実施例においても存在する。
【００３６】尚、上記実施例においては、ヒートスプレ
ッダの側周面の段は１つのみ形成されていたが、複数設
けても良いことは勿論であり、さらにＲの付された複数
の段を形成しても良いことは勿論である。
ッダの側周面の段は１つのみ形成されていたが、複数設
けても良いことは勿論であり、さらにＲの付された複数
の段を形成しても良いことは勿論である。
【００３７】さらには、ヒートスプレッダの側周面に
は、上記実施例に示した形状に限らず、他の凹凸形状を
形成しても良い。例えば、図４に示すように、ヒートス
プレッダ２″のモールドレジン７″に被覆される側面部
２″ｂには、鋸歯状凹凸２″ｃを形成しても良い。ま
た、凹凸部は、側周面の全周面にわたって形成しても良
いし、周面の一部のみに形成しても良い。
は、上記実施例に示した形状に限らず、他の凹凸形状を
形成しても良い。例えば、図４に示すように、ヒートス
プレッダ２″のモールドレジン７″に被覆される側面部
２″ｂには、鋸歯状凹凸２″ｃを形成しても良い。ま
た、凹凸部は、側周面の全周面にわたって形成しても良
いし、周面の一部のみに形成しても良い。
【００３８】尚、上記においては半導体パッケージがＳ
ＯＰである場合を例にとり説明したが、これに限られる
ものではないことは勿論である。
ＯＰである場合を例にとり説明したが、これに限られる
ものではないことは勿論である。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ヒート
スプレッダの樹脂材に被覆される側周面に段が形成され
るから、ヒートスプレッダと樹脂材との接触面積が大き
くなる。そのため、仮にヒートスプレッダとモールドレ
ジンとの間にすき間が生じたとしても、水分・塩基等が
内部の半導体素子までの進入経路が長くなり、寿命が伸
びる。また、ヒートスプレッダの体積が従来品に較べ大
きくなるから該体積増加部分で半導体素子による発熱が
多く吸収され、熱効率の点で有利となる。
スプレッダの樹脂材に被覆される側周面に段が形成され
るから、ヒートスプレッダと樹脂材との接触面積が大き
くなる。そのため、仮にヒートスプレッダとモールドレ
ジンとの間にすき間が生じたとしても、水分・塩基等が
内部の半導体素子までの進入経路が長くなり、寿命が伸
びる。また、ヒートスプレッダの体積が従来品に較べ大
きくなるから該体積増加部分で半導体素子による発熱が
多く吸収され、熱効率の点で有利となる。
【００４０】さらに、側周面にＲの付された段が形成さ
れるとその部分での応力集中が起きにくくなり、ヒート
スプレッダと樹脂材との間にすき間が生じにくくなる。
れるとその部分での応力集中が起きにくくなり、ヒート
スプレッダと樹脂材との間にすき間が生じにくくなる。
【図１】本発明の第１の実施例のヒートスプレッダ内蔵
ＳＯＰの内部構造を示す断面図である。
ＳＯＰの内部構造を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例のヒートスプレッダ内蔵
ＳＯＰの内部構造を示す断面図である。
ＳＯＰの内部構造を示す断面図である。
【図３】熱膨張係数に差ある２つの部材での応力集中を
説明する図である。
説明する図である。
【図４】本発明の内蔵ＳＯＰの内部構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】従来のヒートスプレッダ内蔵ＳＯＰの外観斜視
図である。
図である。
【図６】(a) は図５におけるＺ−Ｚ線断面図であり、
(b) は(a) の破線で囲んだ部分Ｙの部分拡大図である。
(b) は(a) の破線で囲んだ部分Ｙの部分拡大図である。
２，２′ ヒートスプレッダ ２ａ，２′ａ ヒートスプレッダの露呈された一面 ２ｂ，２′ｂ ヒートスプレッダの被覆される側周面 ２ｃ 段 ２′ｃ Ｒの付された段 ７，７′ モールドレジン １１ ＩＣチップ １４ リードフレーム
Claims (2)
- 【請求項１】 リードと電気的に接続される半導体素子
を一方側に有するヒートスプレッダを備え、樹脂材にて
該半導体素子を含み該ヒートスプレッダの他方側の一面
が露呈されてモールド被覆されるヒートスプレッダを内
蔵した半導体パッケージにおいて、 前記ヒートスプレッダの前記樹脂材に被覆される側周面
に段が形成されたことを特徴とするヒートスプレッダを
内蔵した半導体パッケージ。 - 【請求項２】 前記側周面に形成された段は、Ｒが付さ
れた段であることを特徴とする請求項１記載のヒートス
プレッダを内蔵した半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5121668A JPH06334069A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | ヒートスプレッダを内蔵した半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5121668A JPH06334069A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | ヒートスプレッダを内蔵した半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334069A true JPH06334069A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14816944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5121668A Withdrawn JPH06334069A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | ヒートスプレッダを内蔵した半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334069A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282589A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7145254B2 (en) | 2001-07-26 | 2006-12-05 | Denso Corporation | Transfer-molded power device and method for manufacturing transfer-molded power device |
| WO2013124988A1 (ja) * | 2012-02-22 | 2013-08-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2020098938A (ja) * | 2011-09-08 | 2020-06-25 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-05-24 JP JP5121668A patent/JPH06334069A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7145254B2 (en) | 2001-07-26 | 2006-12-05 | Denso Corporation | Transfer-molded power device and method for manufacturing transfer-molded power device |
| JP2003282589A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2020098938A (ja) * | 2011-09-08 | 2020-06-25 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| WO2013124988A1 (ja) * | 2012-02-22 | 2013-08-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JPWO2013124988A1 (ja) * | 2012-02-22 | 2015-05-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US9466548B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-10-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7808089B2 (en) | Leadframe having die attach pad with delamination and crack-arresting features | |
| US6531784B1 (en) | Semiconductor package with spacer strips | |
| US7554179B2 (en) | Multi-leadframe semiconductor package and method of manufacture | |
| US20080029860A1 (en) | Semiconductor device with internal heat sink | |
| KR100194848B1 (ko) | 성형 반도체 팩케지 | |
| US7482679B2 (en) | Leadframe for a semiconductor device | |
| JP2006509371A (ja) | 露出された集積回路装置を有するパッケージ | |
| US20050167791A1 (en) | Lead frame, semiconductor chip package using the lead frame, and method of manufacturing the semiconductor chip package | |
| GB2451077A (en) | Semiconductor chip package | |
| US6495908B2 (en) | Multi-chip semiconductor package | |
| JP2001144213A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP3151241B2 (ja) | 低価格消去可能なプログラム可能読みとり専用記憶装置ならびに製造方法 | |
| US20210384151A1 (en) | Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices | |
| JP2002222903A (ja) | 半導体パッケージ及び半導体装置 | |
| JPH06334069A (ja) | ヒートスプレッダを内蔵した半導体パッケージ | |
| JPH0529529A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH08172145A (ja) | 半導体装置及び放熱性部品 | |
| US7936053B2 (en) | Integrated circuit package system with lead structures including a dummy tie bar | |
| JPH06334068A (ja) | ヒートスプレッダを内蔵した半導体パッケージ | |
| US7005728B1 (en) | Lead configuration for inline packages | |
| KR102327950B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JPH0685133A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3356566B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその実装方法 | |
| JPH05326796A (ja) | 半導体装置用パッケージ | |
| US7951651B2 (en) | Dual flat non-leaded semiconductor package |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000801 |