JP3356566B2 - 半導体パッケージ及びその実装方法 - Google Patents
半導体パッケージ及びその実装方法Info
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを含めて
構成される半導体パッケージ、及びこの半導体パッケー
ジを回路基板に実装する方法に関する。
構成される半導体パッケージ、及びこの半導体パッケー
ジを回路基板に実装する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、半導体パッケージは、半
導体チップを機械的に補強すると共に湿気等の外的環境
から保護し、さらに回路基板等への実装を容易にするた
め、半導体チップの電極と外部リードとを電気的に接続
した後、通常は全体的に樹脂封止したものである。この
ような半導体パッケージにおいては、小型化の模索が急
速に進んでいる。
導体チップを機械的に補強すると共に湿気等の外的環境
から保護し、さらに回路基板等への実装を容易にするた
め、半導体チップの電極と外部リードとを電気的に接続
した後、通常は全体的に樹脂封止したものである。この
ような半導体パッケージにおいては、小型化の模索が急
速に進んでいる。
【０００３】例えば、パッケージ形状としては、薄型Ｓ
ＯＰ（Small Outline Package ）や薄型ＱＦＰ（Quad F
lat Package ）等がある。また、パッケージング構造と
しては、半導体チップ上にリードの先端を固着し、その
チップ上で電極とリード部分とをボンディングワイヤに
よって接続する、いわゆるＬＯＣ（Lead On Chip）等が
ある。これらによって、モールドパッケージでの小型化
は限界が近いと考えられる。しかしながら、ＬＯＣ構造
の薄型ＳＯＰでも、モールド部に占める半導体チップの
体積は、最大でも２４％程度（面積占有率８０％、厚み
占有率３０％）にしかすぎない。
ＯＰ（Small Outline Package ）や薄型ＱＦＰ（Quad F
lat Package ）等がある。また、パッケージング構造と
しては、半導体チップ上にリードの先端を固着し、その
チップ上で電極とリード部分とをボンディングワイヤに
よって接続する、いわゆるＬＯＣ（Lead On Chip）等が
ある。これらによって、モールドパッケージでの小型化
は限界が近いと考えられる。しかしながら、ＬＯＣ構造
の薄型ＳＯＰでも、モールド部に占める半導体チップの
体積は、最大でも２４％程度（面積占有率８０％、厚み
占有率３０％）にしかすぎない。
【０００４】また、従来のモールドパッケージでは、半
導体チップからの放熱性も悪く、例えば、放熱性が比較
的に良いとされるＱＦＰ（４２アロイ材リード、１００
ピン、一般モールド構造、基板実装時、無風状態）で
も、熱抵抗θja＝９０℃／Ｗもある。このため、リード
の材質や封止用樹脂の材質、放熱板を設ける構造等、数
多くの検討がなされているのが現状である。
導体チップからの放熱性も悪く、例えば、放熱性が比較
的に良いとされるＱＦＰ（４２アロイ材リード、１００
ピン、一般モールド構造、基板実装時、無風状態）で
も、熱抵抗θja＝９０℃／Ｗもある。このため、リード
の材質や封止用樹脂の材質、放熱板を設ける構造等、数
多くの検討がなされているのが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで最近、高速動
作性や小型化等の利点を有する実装技術として、高密度
配線基板に複数のベアチップを搭載するＭＣＭ（Multic
hip Module）が注目されている。このＭＣＭにおいて
は、ベアチップを用いることによって、前述のモールド
パッケージと比較して小型化及び放熱性の点では有利と
なる。
作性や小型化等の利点を有する実装技術として、高密度
配線基板に複数のベアチップを搭載するＭＣＭ（Multic
hip Module）が注目されている。このＭＣＭにおいて
は、ベアチップを用いることによって、前述のモールド
パッケージと比較して小型化及び放熱性の点では有利と
なる。
【０００６】ところが、このＭＣＭでは、搭載されるベ
アチップの全てが信頼性を含め良品（いわゆるKnown Go
od Die）であることが必須事項である。しかしながら、
ベアチップでの特性評価や信頼性評価は、半導体チップ
自体のハンドリングとなるので、ハンドリング中におけ
る半導体チップの破損や表面回路の破壊等、困難な点が
多いという問題がある。
アチップの全てが信頼性を含め良品（いわゆるKnown Go
od Die）であることが必須事項である。しかしながら、
ベアチップでの特性評価や信頼性評価は、半導体チップ
自体のハンドリングとなるので、ハンドリング中におけ
る半導体チップの破損や表面回路の破壊等、困難な点が
多いという問題がある。
【０００７】以上に述べたように、従来の半導体パッケ
ージは、小型化の限界が近く、また熱抵抗の大きさにも
課題が残っており、さらに、これらの点で比較的有利な
ベアチップを使用する例えばＭＣＭ等の場合は、ノウン
・グッド・ダイの技術開発が求められている。
ージは、小型化の限界が近く、また熱抵抗の大きさにも
課題が残っており、さらに、これらの点で比較的有利な
ベアチップを使用する例えばＭＣＭ等の場合は、ノウン
・グッド・ダイの技術開発が求められている。
【０００８】そこで本発明は、半導体チップとほぼ同等
の大きさの小型化が可能で、しかも放熱性がよく、さら
にハンドリング性にも優れた半導体パッケージ及びその
実装方法を提供することを目的とする。
の大きさの小型化が可能で、しかも放熱性がよく、さら
にハンドリング性にも優れた半導体パッケージ及びその
実装方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による半導体パッケージは、表面に複数の電
極を有する半導体チップと、該半導体チップの前記各電
極と対応する位置に前記電極毎に該電極を囲む形状の各
開口部を有し、少なくとも前記半導体チップの厚さから
その２倍の厚さの部分を有する樹脂系絶縁物からなるパ
ッケージ基板と、前記半導体チップの電極を前記パッケ
ージ基板の開口部内に露出させて該半導体チップと該パ
ッケージ基板とを固着する絶縁性を有する接着層とから
なるものである。
に、本発明による半導体パッケージは、表面に複数の電
極を有する半導体チップと、該半導体チップの前記各電
極と対応する位置に前記電極毎に該電極を囲む形状の各
開口部を有し、少なくとも前記半導体チップの厚さから
その２倍の厚さの部分を有する樹脂系絶縁物からなるパ
ッケージ基板と、前記半導体チップの電極を前記パッケ
ージ基板の開口部内に露出させて該半導体チップと該パ
ッケージ基板とを固着する絶縁性を有する接着層とから
なるものである。
【００１０】また、本発明による半導体パッケージは、
表面に複数の電極を有する半導体チップと、該半導体チ
ップの前記各電極と対応する位置に前記電極毎に該電極
を囲む形状の各開口部を有し、少なくとも前記半導体チ
ップの厚さからその２倍の厚さの部分を有する樹脂系絶
縁物からなるパッケージ基板と、前記半導体チップの電
極を前記パッケージ基板の開口部内に露出させて該半導
体チップと該パッケージ基板とを固着する絶縁性を有す
る接着層と、少なくとも前記半導体チップと前記パッケ
ージ基板との間の外周囲を封止する樹脂とからなるもの
である。
表面に複数の電極を有する半導体チップと、該半導体チ
ップの前記各電極と対応する位置に前記電極毎に該電極
を囲む形状の各開口部を有し、少なくとも前記半導体チ
ップの厚さからその２倍の厚さの部分を有する樹脂系絶
縁物からなるパッケージ基板と、前記半導体チップの電
極を前記パッケージ基板の開口部内に露出させて該半導
体チップと該パッケージ基板とを固着する絶縁性を有す
る接着層と、少なくとも前記半導体チップと前記パッケ
ージ基板との間の外周囲を封止する樹脂とからなるもの
である。
【００１１】なお、前記各々の半導体パッケージにおい
て、前記パッケージ基板の外周部を前記半導体チップの
側面よりも外方へ突出させ、その突出させた外周部の前
記半導体チップ側の面を前記半導体チップに対向する部
分よりも厚く形成し、かつ該突出外周部が少なくとも前
記半導体チップの厚さからその２倍の厚さの部分を有す
るものである。
て、前記パッケージ基板の外周部を前記半導体チップの
側面よりも外方へ突出させ、その突出させた外周部の前
記半導体チップ側の面を前記半導体チップに対向する部
分よりも厚く形成し、かつ該突出外周部が少なくとも前
記半導体チップの厚さからその２倍の厚さの部分を有す
るものである。
【００１２】さらに、前記各々の半導体パッケージにお
いて、前記パッケージ基板の開口部が前記半導体チップ
の複数の電極を囲繞するものである。
いて、前記パッケージ基板の開口部が前記半導体チップ
の複数の電極を囲繞するものである。
【００１３】また、本発明による半導体パッケージの実
装方法は、前記半導体チップの裏面を回路基板に固着
し、前記パッケージ基板の開口部内に露出する前記半導
体チップの電極と前記回路基板の所定箇所との間をボン
ディングワイヤによって結線するものである。
装方法は、前記半導体チップの裏面を回路基板に固着
し、前記パッケージ基板の開口部内に露出する前記半導
体チップの電極と前記回路基板の所定箇所との間をボン
ディングワイヤによって結線するものである。
【００１４】
【作用】上記の構成によれば、半導体チップ上に接着層
によりパッケージ基板が固着され、このパッケージ基板
の開口部内に露出する半導体チップの電極が、回路基板
へのワイヤボンディングの際の外部接続部となる。そし
て、半導体チップ上のパッケージ基板によって、半導体
チップが機械的に補強されると共にチップ表面が保護さ
れる。これによって、投影面積上は半導体チップとほぼ
同程度の大きさのパッケージングが可能となる。
によりパッケージ基板が固着され、このパッケージ基板
の開口部内に露出する半導体チップの電極が、回路基板
へのワイヤボンディングの際の外部接続部となる。そし
て、半導体チップ上のパッケージ基板によって、半導体
チップが機械的に補強されると共にチップ表面が保護さ
れる。これによって、投影面積上は半導体チップとほぼ
同程度の大きさのパッケージングが可能となる。
【００１５】また、モールドパッケージによる実装で
は、回路基板とチップのパッケージ底部とが浮いている
ので、チップからの熱はパッケージのリードを介して回
路基板に放熱されることになるが、本発明では、チップ
の一方の面が全面で回路基板に接するので、放熱性を大
幅に改善することができる。なお、少なくとも半導体チ
ップとパッケージ基板との間の外周囲を樹脂により封止
すると、パッケージ全体の強度がより高まると共に、湿
気等の外的環境からの保護も効果的となる。
は、回路基板とチップのパッケージ底部とが浮いている
ので、チップからの熱はパッケージのリードを介して回
路基板に放熱されることになるが、本発明では、チップ
の一方の面が全面で回路基板に接するので、放熱性を大
幅に改善することができる。なお、少なくとも半導体チ
ップとパッケージ基板との間の外周囲を樹脂により封止
すると、パッケージ全体の強度がより高まると共に、湿
気等の外的環境からの保護も効果的となる。
【００１６】しかも、パッケージ基板を例えば吸着保持
することによって、半導体チップ自体に触れることな
く、半導体パッケージを容易にハンドリングすることが
可能となる。これにより、半導体チップの破損や表面回
路の破壊等を起こすことなく、特性評価や信頼性評価が
可能となるので、例えばＭＣＭ等のためのベアチップ選
別も容易となる。
することによって、半導体チップ自体に触れることな
く、半導体パッケージを容易にハンドリングすることが
可能となる。これにより、半導体チップの破損や表面回
路の破壊等を起こすことなく、特性評価や信頼性評価が
可能となるので、例えばＭＣＭ等のためのベアチップ選
別も容易となる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明による半導体パッケージ及びそ
の実装方法の実施例について図面を参照して説明する。
の実装方法の実施例について図面を参照して説明する。
【００１８】まず、図１に第１実施例を示す。１は半導
体チップ、２は接着層、３Ａはパッケージ基板、４はボ
ンディングワイヤ、５はダイボンド材、６は回路基板で
ある。この半導体パッケージは半導体チップ１上にパッ
ケージ基板３Ａを有するのが特徴であり、以下、このパ
ッケージをＣＣＰ（Caped Chip Package）と称すること
にする。
体チップ、２は接着層、３Ａはパッケージ基板、４はボ
ンディングワイヤ、５はダイボンド材、６は回路基板で
ある。この半導体パッケージは半導体チップ１上にパッ
ケージ基板３Ａを有するのが特徴であり、以下、このパ
ッケージをＣＣＰ（Caped Chip Package）と称すること
にする。
【００１９】半導体チップ１には、その表面の外周近傍
に沿って複数の電極（図示せず）が配列されている。な
お、電極が表面の内周域にあってもよい。
に沿って複数の電極（図示せず）が配列されている。な
お、電極が表面の内周域にあってもよい。
【００２０】パッケージ基板３Ａは、例えばエポキシ樹
脂等の絶縁物により平板状に形成されており、その平面
形状は半導体チップ１とほぼ同一の大きさの矩形状とな
っている。パッケージ基板３Ａには、半導体チップ１の
電極と対応する位置に開口部３１が設けられている。な
お、開口部３１の大きさは、半導体チップ１の電極を囲
み、かつ後述のワイヤボンディングの際にボンディング
ツールの先端が挿入可能なものである。
脂等の絶縁物により平板状に形成されており、その平面
形状は半導体チップ１とほぼ同一の大きさの矩形状とな
っている。パッケージ基板３Ａには、半導体チップ１の
電極と対応する位置に開口部３１が設けられている。な
お、開口部３１の大きさは、半導体チップ１の電極を囲
み、かつ後述のワイヤボンディングの際にボンディング
ツールの先端が挿入可能なものである。
【００２１】図２はパッケージ基板の平面図である。同
図（ａ）のパッケージ基板３Ａでは、半導体チップ１の
電極パッド毎に１：１で開口部３１が形成されている。
また、同図（ｂ）のパッケージ基板３Ａでは、電極パッ
ド毎の開口部３１の他に、隣接する複数の電極パッドを
囲繞する長孔状の開口部３１′が形成されている。この
ようにすると、半導体チップ１の狭ピッチ化された電極
パッドに対する開口部３１′の形成が容易になると共
に、その開口部３１′内でのワイヤボンディングも容易
になる。
図（ａ）のパッケージ基板３Ａでは、半導体チップ１の
電極パッド毎に１：１で開口部３１が形成されている。
また、同図（ｂ）のパッケージ基板３Ａでは、電極パッ
ド毎の開口部３１の他に、隣接する複数の電極パッドを
囲繞する長孔状の開口部３１′が形成されている。この
ようにすると、半導体チップ１の狭ピッチ化された電極
パッドに対する開口部３１′の形成が容易になると共
に、その開口部３１′内でのワイヤボンディングも容易
になる。
【００２２】なお、接着層２は、絶縁性及び耐熱性を有
し不純物濃度の低い材料、例えば、ポリイミド系の接着
剤や接着シート等を用いるとよい。
し不純物濃度の低い材料、例えば、ポリイミド系の接着
剤や接着シート等を用いるとよい。
【００２３】このＣＣＰを組み立てるには、まず、半導
体チップ１の表面で電極を除いた部分或いは内周域に接
着層２を塗布または貼付し、次に、半導体チップ１の電
極とパッケージ基板３Ａの開口部３１とを位置合わせし
て、接着層２を介して半導体チップ１とパッケージ基板
３Ａとを固着する。これにより、半導体チップ１とパッ
ケージ基板３Ａとが機械的に固定され、かつ各々の電極
が開口部３１内に露出する。また、接着層２を先にパッ
ケージ基板３Ａの裏面に塗布または貼付してもよい。な
お、半導体チップ１とパッケージ基板３Ａとのアライメ
ントは、例えば特定の２か所の電極パッド中心と開口部
３１中心とを認識して一致させるような手法を用いるこ
とができる。
体チップ１の表面で電極を除いた部分或いは内周域に接
着層２を塗布または貼付し、次に、半導体チップ１の電
極とパッケージ基板３Ａの開口部３１とを位置合わせし
て、接着層２を介して半導体チップ１とパッケージ基板
３Ａとを固着する。これにより、半導体チップ１とパッ
ケージ基板３Ａとが機械的に固定され、かつ各々の電極
が開口部３１内に露出する。また、接着層２を先にパッ
ケージ基板３Ａの裏面に塗布または貼付してもよい。な
お、半導体チップ１とパッケージ基板３Ａとのアライメ
ントは、例えば特定の２か所の電極パッド中心と開口部
３１中心とを認識して一致させるような手法を用いるこ
とができる。
【００２４】そして、このＣＣＰを回路基板６に実装す
るには、まず、半導体チップ１の裏面を、例えばＡｇペ
ースト等のダイボンド材５或いは共晶接合によって、回
路基板６にダイボンディングする。次に、パッケージ基
板３Ａの開口部３１内に露出する半導体チップ１の電極
と回路基板６上の所定接続箇所とを、例えばＡｕやＡｌ
等のボンディングワイヤ４によりワイヤリングする。
るには、まず、半導体チップ１の裏面を、例えばＡｇペ
ースト等のダイボンド材５或いは共晶接合によって、回
路基板６にダイボンディングする。次に、パッケージ基
板３Ａの開口部３１内に露出する半導体チップ１の電極
と回路基板６上の所定接続箇所とを、例えばＡｕやＡｌ
等のボンディングワイヤ４によりワイヤリングする。
【００２５】このＣＣＰによれば、半導体チップ１上に
固着されたパッケージ基板３Ａの開口部３１内に露出す
る半導体チップ１の電極が、回路基板６へのワイヤボン
ディングの際の外部接続部となり、また、半導体チップ
１上のパッケージ基板３Ａによって、半導体チップ１が
機械的に補強されると共にチップ表面が保護される。こ
れによって、投影面積上は半導体チップ１とほぼ同等の
大きさの超小型のパッケージングが可能となる。なお、
パッケージ基板３Ａの厚さは、半導体チップ１の厚さ
（一般的に０．４ｍｍ）とほぼ等しいか厚くてもその２
倍程度であり、また、接着層２は薄いので、ＣＣＰ全体
の厚さに関しても、従来のモールドパッケージとほぼ同
様かそれ以下に収めることができる。
固着されたパッケージ基板３Ａの開口部３１内に露出す
る半導体チップ１の電極が、回路基板６へのワイヤボン
ディングの際の外部接続部となり、また、半導体チップ
１上のパッケージ基板３Ａによって、半導体チップ１が
機械的に補強されると共にチップ表面が保護される。こ
れによって、投影面積上は半導体チップ１とほぼ同等の
大きさの超小型のパッケージングが可能となる。なお、
パッケージ基板３Ａの厚さは、半導体チップ１の厚さ
（一般的に０．４ｍｍ）とほぼ等しいか厚くてもその２
倍程度であり、また、接着層２は薄いので、ＣＣＰ全体
の厚さに関しても、従来のモールドパッケージとほぼ同
様かそれ以下に収めることができる。
【００２６】また、本実施例では、半導体チップ１の裏
面がダイボンド材５を介して全面で回路基板６に接する
ことにより、半導体チップ１で発生した熱はダイボンド
材５を介して直接回路基板６に放熱されるので、放熱性
を大幅に改善することができる。特に、本実施例のよう
なダイボンディングとワイヤリングとによる実装では、
ベアチップとほぼ同等な極めて優れた放熱性（例えば熱
抵抗θja＝１０℃／Ｗ）も期待できる。このように半導
体チップ１を回路基板６に実装した後は、ボンディング
ワイヤ４を機械的に保護するために、全体を例えばポッ
ティング樹脂９により封止するのが好ましい。
面がダイボンド材５を介して全面で回路基板６に接する
ことにより、半導体チップ１で発生した熱はダイボンド
材５を介して直接回路基板６に放熱されるので、放熱性
を大幅に改善することができる。特に、本実施例のよう
なダイボンディングとワイヤリングとによる実装では、
ベアチップとほぼ同等な極めて優れた放熱性（例えば熱
抵抗θja＝１０℃／Ｗ）も期待できる。このように半導
体チップ１を回路基板６に実装した後は、ボンディング
ワイヤ４を機械的に保護するために、全体を例えばポッ
ティング樹脂９により封止するのが好ましい。
【００２７】しかも、このＣＣＰによれば、図１に仮想
線で示すように、パッケージ基板３Ａを例えばコレット
１０により吸着保持することによって、半導体チップ１
自体に触れることなく、ＣＣＰを一般的なモールドパッ
ケージと同様に容易にハンドリングすることができる。
これにより、半導体チップ１の破損や表面回路の傷付け
等を起こすことなく、特性評価や信頼性評価が可能とな
るので、高速動作性や小型化等のメリットを有する例え
ばＭＣＭ等のためのベアチップ選別が容易となる。
線で示すように、パッケージ基板３Ａを例えばコレット
１０により吸着保持することによって、半導体チップ１
自体に触れることなく、ＣＣＰを一般的なモールドパッ
ケージと同様に容易にハンドリングすることができる。
これにより、半導体チップ１の破損や表面回路の傷付け
等を起こすことなく、特性評価や信頼性評価が可能とな
るので、高速動作性や小型化等のメリットを有する例え
ばＭＣＭ等のためのベアチップ選別が容易となる。
【００２８】次に、図３に第２実施例を示す。ＣＣＰの
組立方法は上述の第１実施例と同様であるが、半導体チ
ップ１とパッケージ基板３Ｂとの隙間の外周囲を含めて
半導体チップ１の側面が、樹脂７により封止されてい
る。また、このパッケージ基板３Ｂは、その外周部３４
が半導体チップ１の側面よりも外方へ突出するように幾
分（例えば１〜２ｍｍ）大きく形成されている。
組立方法は上述の第１実施例と同様であるが、半導体チ
ップ１とパッケージ基板３Ｂとの隙間の外周囲を含めて
半導体チップ１の側面が、樹脂７により封止されてい
る。また、このパッケージ基板３Ｂは、その外周部３４
が半導体チップ１の側面よりも外方へ突出するように幾
分（例えば１〜２ｍｍ）大きく形成されている。
【００２９】ここでは、ポッティング樹脂７による封止
を示すが、放熱性を高めるため、半導体チップ１の裏面
まで樹脂７が回らないように、パッケージ基板３Ｂの表
面を下方へ向けて樹脂７のキュアを行う。このとき、パ
ッケージ基板３Ｂの外周部３４によって、樹脂７の流れ
落ちを防止することができる。
を示すが、放熱性を高めるため、半導体チップ１の裏面
まで樹脂７が回らないように、パッケージ基板３Ｂの表
面を下方へ向けて樹脂７のキュアを行う。このとき、パ
ッケージ基板３Ｂの外周部３４によって、樹脂７の流れ
落ちを防止することができる。
【００３０】このように、少なくとも半導体チップ１と
パッケージ基板３Ｂとの間の外周囲を樹脂封止すること
によって、さらにＣＣＰ全体としての機械的な強度を向
上さることができると共に、半導体チップ１の表面回路
を湿気等の外的環境から効果的に保護することができ
る。なお、本例のようにパッケージ基板３Ｂの外周部３
４を半導体チップ１よりも大きくすると、ＣＣＰのハン
ドリングの際には、パッケージ基板３Ｂの外周縁を把持
することもできる。
パッケージ基板３Ｂとの間の外周囲を樹脂封止すること
によって、さらにＣＣＰ全体としての機械的な強度を向
上さることができると共に、半導体チップ１の表面回路
を湿気等の外的環境から効果的に保護することができ
る。なお、本例のようにパッケージ基板３Ｂの外周部３
４を半導体チップ１よりも大きくすると、ＣＣＰのハン
ドリングの際には、パッケージ基板３Ｂの外周縁を把持
することもできる。
【００３１】次に、図４に第３実施例を示す。ＣＣＰの
組立方法は上述の第１実施例と同様であるが、このパッ
ケージ基板３Ｃでは、その裏面が凹状に形成されてい
る。即ち、半導体チップ１の側面よりも外方へ突出する
外周部３４の肉厚（ｈ1 ）が、半導体チップ１との対向
部３５の肉厚（ｈ2 ）よりも裏面側へ厚く形成されてい
る。
組立方法は上述の第１実施例と同様であるが、このパッ
ケージ基板３Ｃでは、その裏面が凹状に形成されてい
る。即ち、半導体チップ１の側面よりも外方へ突出する
外周部３４の肉厚（ｈ1 ）が、半導体チップ１との対向
部３５の肉厚（ｈ2 ）よりも裏面側へ厚く形成されてい
る。
【００３２】これにより、図１に示した平板状のパッケ
ージ基板３Ａと比較して、対向部３５の厚みｈ2 をパッ
ケージ基板３Ａよりも薄くした場合には、強度を損なう
ことなくＣＣＰの全高ｈ3 を低くすることができる。ま
た、対向部３５の厚みｈ2 をパッケージ基板３Ａと同等
にした場合には、同一高さのＣＣＰでより高い強度を得
ることができる。
ージ基板３Ａと比較して、対向部３５の厚みｈ2 をパッ
ケージ基板３Ａよりも薄くした場合には、強度を損なう
ことなくＣＣＰの全高ｈ3 を低くすることができる。ま
た、対向部３５の厚みｈ2 をパッケージ基板３Ａと同等
にした場合には、同一高さのＣＣＰでより高い強度を得
ることができる。
【００３３】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が
可能である。例えば、パッケージ基板の形状、パッケー
ジ基板における開口部の構造、樹脂による封止部位等
は、各実施例の構成または他の有効な構成の間で様々な
組合せが可能である。
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が
可能である。例えば、パッケージ基板の形状、パッケー
ジ基板における開口部の構造、樹脂による封止部位等
は、各実施例の構成または他の有効な構成の間で様々な
組合せが可能である。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体チップ上にパッケージ基板を固着することにより
半導体パッケージを構成し、実装の際にはパッケージ基
板の開口部内に露出する半導体チップの電極をボンディ
ングワイヤを介して回路基板に接続することによって、
半導体チップとほぼ同程度の大きさの非常に小型で、し
かも放熱性の極めて優れた半導体パッケージを得ること
ができると共に、ベアチップ選別のためのハンドリング
が格段に容易となるので、例えばＭＣＭ等への効果的な
応用が可能になる。さらに、半導体チップの電極をパッ
ケージ基板の開口部内に露出させているので、その電極
からの電気的な外部接続を直接的に極めて確実に行うこ
とができると共に、パッケージ基板の構造も極めて簡単
になる。
半導体チップ上にパッケージ基板を固着することにより
半導体パッケージを構成し、実装の際にはパッケージ基
板の開口部内に露出する半導体チップの電極をボンディ
ングワイヤを介して回路基板に接続することによって、
半導体チップとほぼ同程度の大きさの非常に小型で、し
かも放熱性の極めて優れた半導体パッケージを得ること
ができると共に、ベアチップ選別のためのハンドリング
が格段に容易となるので、例えばＭＣＭ等への効果的な
応用が可能になる。さらに、半導体チップの電極をパッ
ケージ基板の開口部内に露出させているので、その電極
からの電気的な外部接続を直接的に極めて確実に行うこ
とができると共に、パッケージ基板の構造も極めて簡単
になる。
【図１】本発明の第１実施例における半導体パッケージ
の実装状態の断面図である。
の実装状態の断面図である。
【図２】上記第１実施例におけるパッケージ基板の開口
部の例を示す平面図である。
部の例を示す平面図である。
【図３】本発明の第２実施例における半導体パッケージ
の断面図である。
の断面図である。
【図４】本発明の第３実施例における半導体パッケージ
の断面図である。
の断面図である。
１ 半導体チップ ２ 接着層 ３Ａ〜３Ｃ パッケージ基板 ３１、３１′ 開口部 ３４ 外周部 ３５ 対向部 ４ ボンディングワイヤ ５ ダイボンド材 ６ 回路基板 ７ 封止樹脂 ９ 封止樹脂
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に複数の電極を有する半導体チップ
と、該半導体チップの前記各電極と対応する位置に前記
電極毎に該電極を囲む形状の各開口部を有し、少なくと
も前記半導体チップの厚さからその２倍の厚さの部分を
有する樹脂系絶縁物からなるパッケージ基板と、前記半
導体チップの電極を前記パッケージ基板の開口部内に露
出させて該半導体チップと該パッケージ基板とを固着す
る絶縁性を有する接着層とからなる半導体パッケージ。 - 【請求項２】 表面に複数の電極を有する半導体チップ
と、該半導体チップの前記各電極と対応する位置に前記
電極毎に該電極を囲む形状の各開口部を有し、少なくと
も前記半導体チップの厚さからその２倍の厚さの部分を
有する樹脂系絶縁物からなるパッケージ基板と、前記半
導体チップの電極を前記パッケージ基板の開口部内に露
出させて該半導体チップと該パッケージ基板とを固着す
る絶縁性を有する接着層と、少なくとも前記半導体チッ
プと前記パッケージ基板との間の外周囲を封止する樹脂
とからなる半導体パッケージ。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体パッケー
ジにおいて、前記パッケージ基板の外周部を前記半導体
チップの側面よりも外方へ突出させ、その突出させた外
周部の前記半導体チップ側の面を前記半導体チップに対
向する部分よりも厚く形成し、かつ該突出外周部が少な
くとも前記半導体チップの厚さからその２倍の厚さの部
分を有することを特徴とする半導体パッケージ。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の半導体パッケー
ジにおいて、前記パッケージ基板の開口部が前記半導体
チップの複数の電極を囲繞することを特徴とする半導体
パッケージ。 - 【請求項５】 請求項１または２記載の半導体パッケー
ジを回路基板に実装する方法であって、 前記半導体チップの裏面を回路基板に固着し、前記パッ
ケージ基板の開口部内に露出する前記半導体チップの電
極と前記回路基板の所定箇所との間をボンディングワイ
ヤによって結線することを特徴とする半導体パッケージ
の実装方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30557494A JP3356566B2 (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 半導体パッケージ及びその実装方法 |
| US08/558,082 US5808872A (en) | 1994-11-15 | 1995-11-13 | Semiconductor package and method of mounting the same on circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30557494A JP3356566B2 (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 半導体パッケージ及びその実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148620A JPH08148620A (ja) | 1996-06-07 |
| JP3356566B2 true JP3356566B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=17946786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30557494A Expired - Fee Related JP3356566B2 (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 半導体パッケージ及びその実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3356566B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4085639B2 (ja) * | 2002-01-28 | 2008-05-14 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7824965B2 (en) | 2007-08-07 | 2010-11-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Near chip scale package integration process |
| KR102042471B1 (ko) * | 2013-06-13 | 2019-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
-
1994
- 1994-11-15 JP JP30557494A patent/JP3356566B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08148620A (ja) | 1996-06-07 |
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