JP2002222903A - 半導体パッケージ及び半導体装置 - Google Patents

半導体パッケージ及び半導体装置

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JP2002222903A
JP2002222903A JP2001019241A JP2001019241A JP2002222903A JP 2002222903 A JP2002222903 A JP 2002222903A JP 2001019241 A JP2001019241 A JP 2001019241A JP 2001019241 A JP2001019241 A JP 2001019241A JP 2002222903 A JP2002222903 A JP 2002222903A
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sealing member
outer lead
semiconductor
die
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Yasuhito Suzuki
康仁 鈴木
Haruo Shimamoto
晴夫 島本
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、半導体パッケージを比較的簡易な
構造にて基板上に積層可能として、なおかつ、半導体パ
ッケージの下面におけるダイパッドに蓄積される熱を効
果的に放熱することにより、信頼性の高い高密度実装が
可能な半導体パッケージ及び半導体装置を提供すること
にある。 【解決手段】 ダイ６と、ダイパッド２と、複数のアウ
ターリード１と、アウターリード１に電気接続されたボ
ンディングワイヤ４とを、ダイ６側に上面３ａを形成し
ダイパッド２側に下面３ｂを形成する封止部材３により
封止した半導体パッケージ１０であって、アウターリー
ド１は、封止部材３の上下面３ａ、３ｂと同じ面方向に
それぞれ電気的接続面１ａ、１ｂを有し、アウターリー
ド１の高さを、封止部材３の上面３ａの高さより高くな
るように形成したものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体パッケー
ジ及び半導体装置に関するものであり、特に、ＱＦＮパ
ッケージ（プラスチック極薄型クワッド・フラット・ノ
ンリード・パッケージ）と呼ばれる半導体パッケージ及
び半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９（Ａ）は、従来のＱＦＮパッケージ
としての半導体パッケージを示す概略図である。図９
（Ａ）において、１はアウターリード、３は封止部材と
しての樹脂部材、３ａは封止部材上面、１０は半導体パ
ッケージを示す。一方、図９（Ｂ）は、同図（Ａ）のＸ
Ｚ平面又はＹＺ平面における概略断面図である。図９
（Ｂ）において、１はアウターリード、１ｂはアウター
リード下接続面、２はダイ６を固定するダイパッド、３
は封止部材としての樹脂部材、３ａは封止部材上面、３
ｂは封止部材下面、４はダイ６とアウターリード１とを
電気的に接続するためのボンディングワイヤ、５はダイ
６とダイパッド２とを接合する接合材としてのはんだ、
６はダイ（シリコンチップ）、１０は半導体パッケージ
を示す。そして、半導体パッケージ１０におけるアウタ
ーリード１のアウターリード下接続面１ｂを、図示せぬ
実装基板の表面に対向させて、さらに、それらの接触部
分にはんだ等の接合材を介在させることで、半導体パッ
ケージ１０を実装基板上に実装している。
【０００３】また、特開平５-１８３１０３号公報等に
おいては、図示を省略するが、高密度実装を目的とし
て、メモリチップが実装された実装基板の裏側に凹部を
設けて実装基板自体を積層する技術等が開示されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術におい
ては、既に述べたように、半導体パッケージのアウター
リードの接続面が、パッケージの下面側一方にのみしか
設けられていなかった。そのため、半導体パッケージを
積層するには、わざわざそのための別の部材を設けなけ
ればならず、高密度化が要求される昨今の半導体装置に
おいては、そのことが一つの障壁となっていた。
【０００５】また、アウターリードの接続面はパッケー
ジの下面側のみに設けられているために、実装基板への
実装方向は限定されていた。すなわち、半導体パッケー
ジの下面を、常に実装基板表面に対向させて実装させて
いた。したがって、半導体パッケージの下面に露呈する
ダイパッドは、常に実装基板に当接又は近接した状態と
なっていた。しかし、ダイパッドは、一般的に銅等の熱
伝導率の高い金属材料にて形成されており、ダイにて生
じる熱の大半はダイパッドに伝導される。ところが、そ
の熱は、当接又は近接した実装基板によって封じ込めら
れることになり、いき場を失った熱はそのままダイパッ
ドやダイに蓄積されることになる。このように外部へ放
出されずに蓄積される熱は、半導体装置の使用環境等に
よっては、無視できないものとなり、やがてダイ等が高
温に達して半導体装置の誤作動を生じさせることにな
る。
【０００６】この発明は、上述のような課題を解決する
ためになされたもので、半導体パッケージを比較的簡易
な構造にて実装基板上に積層可能として、なおかつ、半
導体パッケージの下面におけるダイパッドに蓄積される
熱を効果的に放熱することにより、信頼性の高い高密度
実装が可能な半導体パッケージ及び半導体装置を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１記載
の発明にかかる半導体パッケージは、ダイと、ダイパッ
ドと、複数のアウターリードと、該アウターリードに電
気接続されたボンディングワイヤとを、前記ダイ側に上
面を形成し前記ダイパッド側に下面を形成する封止部材
により封止した半導体パッケージであって、前記アウタ
ーリードは、前記封止部材の前記上下面と同じ面方向に
それぞれ電気的接続面を有し、前記アウターリードの高
さを、前記封止部材の前記上面の高さより高くなるよう
に形成したものである。
【０００８】また、請求項２記載の発明にかかる半導体
パッケージは、上記請求項１記載の発明において、前記
封止部材の前記上面と同じ面方向の前記電気的接続面
を、前記封止部材の前記上面の投影領域外に形成したも
のである。
【０００９】また、請求項３記載の発明にかかる半導体
パッケージは、上記請求項１又は請求項２に記載の発明
において、前記封止部材が４側面を有し、前記アウター
リードを前記封止部材の４側面方向にそれぞれ形成した
ものである。
【００１０】また、請求項４記載の発明にかかる半導体
パッケージは、上記請求項１〜請求項３のいずれかに記
載の発明において、前記アウターリードを、前記封止部
材の側断面においてＬ字状に形成したものである。
【００１１】また、この発明の請求項５記載の発明にか
かる半導体装置は、請求項１〜請求項４のいずれかに記
載の半導体パッケージを、実装基板の上に積層して前記
アウターリードにより実装したものである。
【００１２】また、この発明の請求項６記載の発明にか
かる半導体装置は、請求項１〜請求項４のいずれかに記
載の半導体パッケージを、前記封止部材の前記上面を実
装基板に対向させて前記アウターリードにより前記実装
基板に実装したものである。
【００１３】この発明の請求項７記載の発明にかかる半
導体装置は、上記請求項６記載の発明において、前記ダ
イパッドが露呈している面に、放熱フィンを設けたもの
である。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１を図面に基づいて詳細に説明する。図１
は、この発明の実施の形態１を示す半導体パッケージの
概略図である。図１において、１はアウターリード、１
ａはアウターリード上接続面、３は封止部材、３ａは封
止部材上面、１０は半導体パッケージを示す。この半導
体パッケージ１０は、複数のアウターリード１を４側面
方向のすべてに有する、いわゆるＱＦＮパッケージであ
る。図２は、図１に示す半導体パッケージのＸＺ平面又
はＹＺ平面における概略断面図である。図２において、
１はアウターリード、１ａはアウターリード上接続面、
１ｂはアウターリード下接続面、２はダイパッド、３は
封止部材、３ａは封止部材３のダイ６側に形成された封
止部材上面、３ｂは封止部材３のダイパッド２側に形成
された封止部材下面、４はアウターリード１に電気接続
されたボンディングワイヤ、５は接合材、６はダイ、１
０は半導体パッケージ、Ｌ１は封止部材上面３ａの投影
領域を示す。
【００１５】ここで、アウターリード１は、封止部材３
の上下面と同じ面方向にそれぞれ電気的接続面を有して
いる。すなわち、封止部材上面３ａと同じ面方向にはア
ウターリード上接続面１ａが設けられ、他方、封止部材
下面３ｂと同じ面方向にはアウターリード下接続面１ｂ
が設けられている。そして、アウターリード上接続面１
ａとアウターリード下接続面１ｂとは、いずれも、実装
基板上の接続面や、他の半導体パッケージのアウターリ
ード接続面に対して、はんだ等の接合材を介して接合可
能に形成されている。そして、後述するように、実装基
板や他の半導体パッケージ１０等との電気的接続が可能
になる。
【００１６】さらに、アウターリード１の高さは、封止
部材上面３ａの高さより高くなるように形成されてい
る。すなわち、アウターリード上接続面１ａのＺ方向の
位置は、封止部材上面３ａのＺ方向の位置よりプラス方
向にある。また、アウターリード１は、封止部材３の側
断面、すなわち、ＸＺ平面と平行な断面及びＹＺ平面と
平行な断面からみて、Ｌ字状に形成されている。そし
て、そのアウターリード上接続面１ａは、封止部材上面
３ａの投影領域Ｌ１の領域外に形成されている。
【００１７】また、封止部材３は、ダイパッド２やアウ
ターリード１等の材質に対して接合性がある、例えば樹
脂材料等からなり、ダイ６を外力等から保護する機能を
有する。そして、封止部材３は、例えば、次のような工
程を経て形成される。すなわち、まず、図示せぬフレー
ム上にて、ダイ６をボンディングしたダイパッド２と、
アウターリード１に対応したボンディングワイヤ４とを
ボンディングする。その後、フレーム上に上面側から金
型を合わせて、そこに上述の樹脂材料を注入する。そし
て、金型に熱を加えて樹脂を硬化させ、封止部材３を成
形する。その後、アウターリード１を切断してＬ字状に
曲げることで、所望の形状の半導体パッケージ１０が製
造されることになる。
【００１８】さらに、アウターリード１は、上述のよう
に構成された、アウターリード上接続面１ａとアウター
リード下接続面１ｂとを備えているので、これらの内の
どちらかを、又は、双方を、実際の接続面として選択す
ることができる。すなわち、半導体パッケージ１０を、
上下方向について任意の向きに実装基板上に実装するこ
とができるし、また、同等に構成された複数の半導体パ
ッケージ１０を積層することもできることとなる。な
お、本実施の形態１による半導体パッケージ１０につい
ての実装基板への実装の形態については、後述の実施の
形態において詳述する。
【００１９】以上説明したように、本実施の形態１のよ
うに構成された半導体パッケージ１０においては、比較
的簡易な構造にて、実装基板に対して上下双方向の実装
が可能となり、さらに積層も可能となるために、レイア
ウトの自由度が大きく、高密度かつ小型の実装基板を達
成する半導体パッケージ１０を提供することができる。
特に、半導体パッケージ１０のアウターリード上接続面
１ａを、実装基板の表面に対向させて実装させた場合に
は、ダイパッド２が直接実装基板と当接することを避け
られるために、ダイパッド２に蓄積される熱を容易に放
熱することができる。
【００２０】なお、本実施の形態１においては、封止部
材３を成形した後に、アウターリード１に曲げ加工を施
しＬ字形状とした。しかし、最終的なアウターリード１
の形状はＬ字形状に限定されず、コの字形状等とするこ
ともできる。すなわち、アウターリード上接続面１ａ
を、投影領域Ｌ１内部に設けることも可能となる。
【００２１】実施の形態２．以下、この発明の実施の形
態２を図面に基づいて詳細に説明する。図３は、この発
明の実施の形態２を示す半導体装置の概略図である。図
３において、１はアウターリード、１ａはアウターリー
ド上接続面、３は封止部材、３ａは封止部材上面、１０
ａ、１０ｂ、１０ｃはいずれも半導体パッケージ、１５
は実装基板を示す。これらの半導体パッケージ１０ａ、
１０ｂ、１０ｃは、前記実施の形態１で示したＬ字形状
のアウターリード１を備えた半導体パッケージである。
そして、実装基板１５上に半導体パッケージ１０ａが、
半導体パッケージ１０ａ上に半導体パッケージ１０ｂ
が、半導体パッケージ１０ｂ上に半導体パッケージ１０
ｃが、それぞれ搭載されている。
【００２２】図４は、図３に示す半導体装置のＸＺ平面
又はＹＺ平面における概略断面図である。図４におい
て、１はアウターリード、１ａはアウターリード上接続
面、１ｂはアウターリード下接続面、２はダイパッド、
３は封止部材、３ａは封止部材上面、３ｂは封止部材下
面、４はボンディングワイヤ、５は接合材、６はダイ、
１０ａ、１０ｂ、１０ｃは半導体パッケージ、１２は接
合材、１５は実装基板を示す。
【００２３】そして、上述した実装基板１５上への１段
目の半導体パッケージ１０ａの実装については、実装基
板１５上の所定位置とアウターリード下接続面１ｂとの
間に接合材１２を介することでなす。さらに、１段目の
半導体パッケージ１０ａ上への２段目の半導体パッケー
ジ１０ｂの実装については、１段目の半導体パッケージ
１０ａのアウターリード上接続面１ａと、２段目の半導
体パッケージ１０ｂのアウターリード下接続面１ｂとの
間に、接合材１２を介することでなす。同様に、２段目
の半導体パッケージ１０ｂ上への３段目の半導体パッケ
ージ１０ｃの実装についても、２段目の半導体パッケー
ジ１０ｂのアウターリード上接続面１ａと、３段目の半
導体パッケージ１０ｃのアウターリード下接続面１ｂと
の間に、接合材１２を介することでなす。
【００２４】ここで、アウターリード１は半導体パッケ
ージ１０ａ、１０ｂ、１０ｃを積層しても変形すること
がないように充分な剛性をもっており、しかも、上段の
半導体パッケージ１０ｂ、１０ｃは４側面のすべての方
向において支持されているために、半導体パッケージ１
０ａ、１０ｂ、１０ｃは安定的に積層されることにな
る。また、上述したような構成により、積層された半導
体パッケージ１０ａ、１０ｂ、１０ｃ間の空隙を４側面
方向にて充分に確保することができるため、ダイパッド
２に蓄積される熱を容易に放熱することができる。
【００２５】以上説明したように、本実施の形態２のよ
うに構成された半導体パッケージ１０ａ、１０ｂ、１０
ｃの実装基板においては、比較的簡易な半導体パッケー
ジ１０ａ、１０ｂ、１０ｃの構造にて、実装基板１５に
対して積層が可能となるために、高密度かつ小型であ
り、ダイパッド２の放熱性に優れた信頼性の高い半導体
パッケージ１０ａ、１０ｂ、１０ｃの実装基板を提供す
ることができる。
【００２６】また、本実施の形態２においては、半導体
パッケージ１０ａ、１０ｂ、１０ｃを、すべて封止部材
上面３ａを上側として実装基板１５上に積層したが、こ
れに限定されることなく、それぞれ任意の向きに積層す
ることもできる。特に、半導体パッケージ１０ａ、１０
ｂ、１０ｃを、すべて封止部材下面３ｂを上向きにして
実装基板１５上に積層した場合には、すべての半導体パ
ッケージ１０ａのダイパッド２に蓄積される熱の放熱を
容易に行うことができる。
【００２７】実施の形態３．以下、この発明の実施の形
態３を図面に基づいて詳細に説明する。図５は、この発
明の実施の形態３を示す半導体装置の概略断面図であ
る。本実施の形態３に示す半導体装置は、複数の半導体
パッケージ１０ａ、１０ｂが実装基板１５を間に挟んで
間接的に積層されている点が、複数の半導体パッケージ
１０ａ、１０ｂ、１０ｃが実装基板１５上に直接的に積
層されている前記実施の形態２と相違する。すなわち、
図５において、実装基板上面１５ａの所定位置とアウタ
ーリード下接続面１ｂとの間に接合材１２を介すること
で、実装基板上面１５ａに上面側の半導体パッケージ１
０ａが実装されている。さらに、実装基板下面１５ｂの
所定位置とアウターリード上接続面１ａとの間に接合材
１２を介することで、実装基板下面１５ｂに下面側の半
導体パッケージ１０ｂが実装されている。なお、実装基
板上面１５ａと実装基板下面１５ｂとには、それぞれ、
実装される半導体パッケージ１０ａ、１０ｂに対応した
電気回路が形成されている。
【００２８】以上説明したように、本実施の形態３のよ
うに構成された半導体パッケージ１０ａ、１０ｂの実装
基板においても、前記実施の形態２と同様に、比較的簡
易な半導体パッケージ１０ａ、１０ｂの構造にて、実装
基板１５に対して積層が可能となるために、高密度かつ
小型の半導体装置を提供することができる。
【００２９】実施の形態４．以下、この発明の実施の形
態４を図面に基づいて詳細に説明する。図６は、この発
明の実施の形態４を示す半導体装置の概略断面図であ
る。本実施の形態４に示す半導体装置は、前記実施の形
態１に示した半導体パッケージ１０が実装基板１５上に
単層で実装されたものである。そして、アウターリード
上接続面１ａを実装基板１５に対向させて、半導体パッ
ケージ１０を実装基板１５上に実装している。すなわ
ち、図６において、実装基板１５上の所定位置とアウタ
ーリード上接続面１ａとの間に接合材１２を介すること
で、半導体パッケージ１０が実装基板１５上に実装され
ている。
【００３０】以上説明したように、本実施の形態４のよ
うに構成された半導体装置においては、ダイパッド２の
露呈面を実装基板１５に対向させることなく、半導体パ
ッケージ１０を実装基板１５上に実装している。これに
より、ダイパッド２は常に外部に開放された状態にあ
り、そこに蓄積される熱を効果的に外部に放出すること
ができ、信頼性の高い半導体装置を提供することができ
る。
【００３１】実施の形態５．以下、この発明の実施の形
態５を図面に基づいて詳細に説明する。図７は、この発
明の実施の形態５を示す半導体装置の概略断面図であ
る。本実施の形態５に示す半導体装置は、実装基板１５
の上下面の双方に半導体パッケージ１０ａ、１０ｂが実
装されている点のみが、前記実施の形態４の実装基板と
異なる。
【００３２】すなわち、図７において、実装基板上面１
５ａの所定位置とアウターリード上接続面１ａとの間に
接合材１２を介することで、実装基板上面１５ａに上面
側の半導体パッケージ１０ａが実装されている。他方、
実装基板下面１５ｂの所定位置とアウターリード上接続
面１ａとの間に接合材１２を介することで、実装基板下
面１５ｂに下面側の半導体パッケージ１０ｂが実装され
ている。
【００３３】以上説明したように、本実施の形態５のよ
うに構成された半導体装置においては、ダイパッド２の
露呈面を実装基板１５に対向させることなく、半導体パ
ッケージ１０を実装基板１５の上下面双方に実装してい
る。これにより、双方のダイパッド２はともに常に外気
に開放された状態にあり、そこに蓄積される熱を効果的
に放熱することができ、信頼性が高く、高密度の半導体
装置を提供することができる。
【００３４】実施の形態６．以下、この発明の実施の形
態６を図面に基づいて詳細に説明する。図８は、この発
明の実施の形態６を示す半導体装置の概略断面図であ
る。本実施の形態６に示す半導体装置は、半導体パッケ
ージ１０の下面に露呈するダイパッド２表面に放熱フィ
ン１３が設けられている点のみが、前記実施の形態４の
実装基板と相違する。
【００３５】ここで、放熱フィン１３は、ダイパッド２
に蓄積された熱を放熱フィン１３側に効率よく伝導させ
るために、例えば、アルミ合金等の比較的熱伝導率の高
い材質で形成されている。また、放熱フィン１３は、放
熱フィン１３に蓄積された熱を効率よく外気に放出でき
るように、例えば、複数の円盤を連ねた形状のように、
表面積が大きくなるような形状となっている。これによ
り、ダイ１で生じる熱を、前記実施の形態４にも増して
低減することができる。
【００３６】以上説明したように、本実施の形態６のよ
うに構成された半導体装置においては、ダイパッド２に
蓄積される熱を、放熱フィン１３によって積極的に放熱
しているので、より信頼性が高い半導体装置を提供する
ことができる。
【００３７】なお、本発明が上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態の中で示唆した以外にも、各実施の形態は適宜変更さ
れ得ることは明らかである。特に、ＱＦＮパッケージ以
外の半導体パッケージの形態についても、本発明は適用
可能である。また、上記構成部材の数、位置、形状等は
上記実施の形態に限定されず、本発明を実施する上で好
適な数、位置、形状等にすることができる。また、各図
において、同一構成要素には同一符号を付している。
【００３８】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、請求項１〜５に対応した効果としては、半導体パッ
ケージを比較的簡易な構造にて実装基板上に任意の方向
にて積層することが可能となり、なおかつ、半導体パッ
ケージの下面に露呈するダイパッドに蓄積される熱を効
果的に放熱することも可能となり、信頼性の高い高密度
かつ小型の半導体パッケージ及び半導体装置を提供する
ことができる。
【００３９】また、請求項６〜７に対応した効果として
は、ダイにて生じた熱をダイパッドを介して外気に効率
的に放出することができるために、熱による誤作動のな
い信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１を示す半導体パッケ
ージの概略図である。
【図２】 図１に示す半導体パッケージのＸＺ平面又は
ＹＺ平面における概略断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２を示す半導体装置の
概略図である。
【図４】 図３に示す半導体装置のＸＺ平面又はＹＺ平
面における概略断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態３を示す半導体装置の
概略断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態４を示す半導体装置の
概略断面図である。
【図７】 この発明の実施の形態５を示す半導体装置の
概略断面図である。
【図８】 この発明の実施の形態６を示す半導体装置の
概略断面図である。
【図９】 従来の半導体パッケージを示す（Ａ）概略図
と、（Ｂ）そのＸＺ平面又はＹＺ平面における概略断面
図である。
【符号の説明】 １ アウターリード、 １ａ アウターリード上接続
面、１ｂ アウターリード下接続面、 ２ ダイパッ
ド、 ３ 封止部材、３ａ 封止部材上面、 ３ｂ 封
止部材下面、 ４ ボンディングワイヤ、５、１２ 接
合材、 ６ ダイ、１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ 半
導体パッケージ、 １３ 放熱フィン、１５ 実装基
板、 １５ａ 実装基板上面、 １５ｂ 実装基板下
面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 25/07 25/18

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ダイと、ダイパッドと、複数のアウター
    リードと、該アウターリードに電気接続されたボンディ
    ングワイヤとを、前記ダイ側に上面を形成し前記ダイパ
    ッド側に下面を形成する封止部材により封止した半導体
    パッケージであって、 前記アウターリードは、前記封止部材の前記上下面と同
    じ面方向にそれぞれ電気的接続面を有し、 前記アウターリードの高さを、前記封止部材の前記上面
    の高さより高くなるように形成したことを特徴とする半
    導体パッケージ。
  2. 【請求項２】 前記封止部材の前記上面と同じ面方向の
    前記電気的接続面は、前記封止部材の前記上面の投影領
    域外に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半
    導体パッケージ。
  3. 【請求項３】 前記封止部材が４側面を有し、前記アウ
    ターリードが前記封止部材の４側面方向にそれぞれ形成
    されたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
    半導体パッケージ。
  4. 【請求項４】 前記アウターリードは、前記封止部材の
    側断面においてＬ字状に形成されたことを特徴とする請
    求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体パッケー
    ジ。
  5. 【請求項５】 請求項１〜請求項４のいずれかに記載の
    半導体パッケージを、実装基板の上に積層して前記アウ
    ターリードにより実装したことを特徴とする半導体装
    置。
  6. 【請求項６】 請求項１〜請求項４のいずれかに記載の
    半導体パッケージを、前記封止部材の前記上面を実装基
    板に対向させて前記アウターリードにより前記実装基板
    に実装したことを特徴とする半導体装置。
  7. 【請求項７】 前記ダイパッドが露呈している面に、放
    熱フィンを設けたことを特徴とする請求項６に記載の半
    導体装置。
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