JP2017041635A - 半導体装置および電子機器 - Google Patents
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- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
- H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
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Abstract
【解決手段】容量素子を用いてゲート電圧を昇圧することで、論理回路の出力電圧の低下を防ぐ。第1トランジスタの、ドレインとゲートを第1配線と電気的に接続し、ソースを第1ノードと電気的に接続する。第2トランジスタの、ドレインを第1ノードと電気的に接続し、ソースを第2配線と電気的に接続し、ゲートを第2ノードと電気的に接続する。第3トランジスタの、ドレインを第3配線と電気的に接続し、ソースを第3ノードと電気的に接続し、ゲートを第1ノードと電気的に接続する。第4トランジスタの、ドレインを第3ノードと電気的に接続し、ソースを第4配線と電気的に接続し、ゲートを第2ノードと電気的に接続する。容量素子の、一方の電極を第1ノードと電気的に接続し、他方の電極を第3ノードと電気的に接続する。上記トランジスタにOSトランジスタを用いることが好ましい。
【選択図】図1
Description
本発明の一態様の半導体装置100について、図面を用いて説明する。図1(A)は半導体装置100の構成を説明する回路図である。
図1(A)に示す半導体装置100は、トランジスタ111乃至トランジスタ114、および容量素子117を有する。トランジスタ111乃至トランジスタ114は、ソース、ドレイン、ゲート、およびバックゲートを有するnチャネル型のトランジスタである。
半導体装置100は、インバータ回路として機能することができる。具体的には、端子102にH電位が入力されると端子105からL電位が出力され、端子102にL電位が入力されると端子105からH電位が出力される。
期間151において、端子102にH電位が入力されるとノード132がH電位となり、トランジスタ112とトランジスタ114がオン状態となる。すると、ノード131およびノード133がL電位となり、トランジスタ113がオフ状態となる。また、ノード133と電気的に接続される端子105からL電位が出力される(図3(A)参照。)。
期間152において、端子102にL電位が入力されるとノード132がL電位となり、トランジスタ112とトランジスタ114がオフ状態となる。すると、配線121からトランジスタ111を介してノード131に電位が供給される。この時、ノード131の電位は、VDD−Vthとなる(図3(B)参照。)。
半導体装置100と異なる構成を有する半導体装置110の回路図を、図5(A)に示す。半導体装置110は、トランジスタ111乃至トランジスタ113、および容量素子117を有する。半導体装置110は、半導体装置100よりも少ないトランジスタで構成されるため、半導体装置100よりも占有面積を低減することができる。なお、説明の繰り返しを避けるため、主に半導体装置100と異なる部分について説明する。
図5(A)に示す半導体装置110において、トランジスタ111の、ソースまたはドレインの一方は配線121と電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方、および第1ゲートはノード131と電気的に接続され、第2ゲートはノード133と電気的に接続されている。また、トランジスタ112の、ソースまたはドレインの一方はノード131と電気的に接続され、他方は配線122と電気的に接続され、第1ゲートおよび第2ゲートは端子102と電気的に接続されている。また、トランジスタ113の、ソースまたはドレインの一方は端子106と電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方はノード133と電気的に接続され、第1ゲートおよび第2ゲートは配線123と電気的に接続されている。また、容量素子117の一方の電極はノード131と電気的に接続され他方の電極はノード133と電気的に接続されている。また、ノード131は端子105と電気的に接続されている。
半導体装置110は、インバータ回路として機能することができる。具体的には、端子102にH電位が入力されると端子105からL電位が出力され、端子102にL電位が入力されると端子105からH電位が出力される。
期間151において、端子102にH電位を入力し、端子106にL電位を入力する。すると、トランジスタ112およびトランジスタ113がオン状態となり、ノード131およびノード133にL電位が供給される。また、ノード131と電気的に接続される端子105からL電位が出力される(図7(A)参照。)。
期間152において、端子102にL電位を入力し、端子106にH電位を入力する。すると、トランジスタ112はオフ状態となる。また、トランジスタ113を介してノード133に端子106から電位が供給される。この時、トランジスタ113のゲートに配線123からH電位(VDD)が供給されているため、ノード131の電位はVDD−Vthとなる(図7(B)参照。)。
半導体装置110からさらにトランジスタを低減した半導体装置の回路図を、図9(A)に示す。図9(A)に示す半導体装置120は、トランジスタ111およびトランジスタ112を有する。半導体装置120は、半導体装置110よりも少ないトランジスタで構成されるため、半導体装置110よりも占有面積を低減することができる。
図9(A)に示す半導体装置120において、トランジスタ111の、ソースまたはドレインの一方は配線125と電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方、および第1ゲートはノード131と電気的に接続され、第2ゲートは端子103と電気的に接続されている。また、トランジスタ112の、ソースまたはドレインの一方はノード131と電気的に接続され、他方は配線123と電気的に接続され、第1ゲートまたは第2ゲートの一方は端子102と電気的に接続され、第1ゲートまたは第2ゲートの他方は端子104と電気的に接続されている。また、ノード131は端子105と電気的に接続されている。
半導体装置120は、インバータ回路として機能することができる。具体的には、端子102および端子104にH電位を入力し、端子103にL電位が入力されると、端子105からL電位が出力される。また、端子102および端子104にL電位を入力し、端子103にH電位が入力されると、端子105からVDD−Vthが出力される。なお、端子105からH電位を出力させるためには、端子103にVDD+Vth以上の電位を入力すればよい。
半導体装置110からさらにトランジスタを低減した半導体装置の回路図を、図9(C)に示す。図9(C)に示す半導体装置130は、トランジスタ111およびトランジスタ112を有する。半導体装置130は、半導体装置110よりも少ないトランジスタで構成されるため、半導体装置110よりも占有面積を低減することができる。
図9(C)に示す半導体装置130において、トランジスタ111の、ソースまたはドレインの一方は配線125と電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方はノード131と電気的に接続され、第1ゲートまたは第2ゲートの一方は端子101と電気的に接続され、第1ゲートまたは第2ゲートの他方は端子103と電気的に接続されている。また、トランジスタ112の、ソースまたはドレインの一方はノード131と電気的に接続され、他方は配線123と電気的に接続され、第1ゲートまたは第2ゲートの一方は端子102と電気的に接続され、第1ゲートまたは第2ゲートの他方は端子104と電気的に接続されている。また、ノード131は端子105と電気的に接続されている。
半導体装置130は、インバータ回路として機能することができる。具体的には、端子102および端子104にH電位を入力し、端子101および端子103にL電位が入力されると、端子105からL電位が出力される。また、端子102および端子104にL電位を入力し、端子101および端子103にH電位が入力されると、端子105からVDD−Vthが出力される。なお、端子105からH電位を出力させるためには、端子101および端子103にVDD+Vth以上の電位を入力すればよい。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した半導体装置に用いることができるトランジスタの一例を示す。
図10(A1)は、ボトムゲート型のトランジスタの一種であるチャネル保護型のトランジスタ410の断面図である。トランジスタ410は、基板271上に絶縁層272を介して電極246を有する。また、電極246上に絶縁層226を介して半導体層242を有する。電極246はゲート電極として機能できる。絶縁層226はゲート絶縁層として機能できる。
一般に、バックゲートは導電層で形成され、ゲートとバックゲートで半導体層のチャネル形成領域を挟むように配置される。よって、バックゲートは、ゲートと同様に機能させることができる。バックゲートの電位は、ゲートと同電位としてもよいし、GND電位や、任意の電位としてもよい。また、バックゲートの電位をゲートと連動させず独立して変化させることで、トランジスタのしきい値電圧を変化させることができる。
図11(A1)に、トップゲート型のトランジスタの一種であるトランジスタ430の断面図を示す。トランジスタ430は、基板271の上に絶縁層272を介して半導体層242を有し、半導体層242および絶縁層272上に、半導体層242の一部に接する電極244a、および半導体層242の一部に接する電極244bを有し、半導体層242、電極244a、および電極244b上に絶縁層226を有し、絶縁層226上に電極246を有する。
図13に、半導体層242として酸化物半導体を用いたトランジスタ構造の一例を示す。図13に例示するトランジスタ450は、半導体層242aの上に半導体層242bが形成され、半導体層242bの上面並びに半導体層242a及び半導体層242bの側面が半導体層242cに覆われた構造を有する。図13(A)はトランジスタ450の上面図である。図13(B)は、図13(A)中のX1−X2の一点鎖線で示した部位の断面図(チャネル長方向の断面図)である。図13(C)は、図13(A)中のY1−Y2の一点鎖線で示した部位の断面図(チャネル幅方向の断面図)である。
ここで、半導体層242a、半導体層242b、および半導体層242cの積層により構成される半導体層242の機能およびその効果について、図20(A)および図20(B)に示すエネルギーバンド構造図を用いて説明する。図20(A)は、図13(B)にD1−D2の一点鎖線で示す部位のエネルギーバンド構造図である。図20(A)は、トランジスタ450のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造を示している。
本明細書等に示す電極などの導電層、絶縁層、および半導体層は、CVD法、蒸着法、またはスパッタリング法などを用いて形成することができる。一般に、CVD法は、プラズマを利用するプラズマCVD(PECVD:Plasma Enhanced CVD)法、熱を利用する熱CVD(TCVD:Thermal CVD)法などに分類できる。さらに用いる原料ガスによって金属CVD(MCVD:Metal CVD)法、有機金属CVD(MOCVD:Metal Organic CVD)法などに分類できる。
基板271として用いる材料に大きな制限はない。目的に応じて、透光性の有無や加熱処理に耐えうる程度の耐熱性などを勘案して決定すればよい。例えばバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを用いることができる。また、基板271として、半導体基板、可撓性基板(フレキシブル基板)、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどを用いてもよい。
絶縁層272、絶縁層226、絶縁層225、絶縁層228、および絶縁層229は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、アルミニウムシリケートなどから選ばれた材料を、単層でまたは積層して用いる。また、酸化物材料、窒化物材料、酸化窒化物材料、窒化酸化物材料のうち、複数の材料を混合した材料を用いてもよい。
半導体層242としては、単結晶半導体、多結晶半導体、微結晶半導体、非晶質半導体などを用いることができる。半導体材料としては、例えば、シリコンや、ゲルマニウムなどを用いることができる。また、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウムヒ素、酸化物半導体、窒化物半導体などの化合物半導体や、有機半導体などを用いることができる。
電極246、電極223、電極244a、電極244b、電極287、電極297、電極289a、電極289b、電極292a、電極292bを形成するための導電性材料としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウムなどから選ばれた金属元素を1種以上含む材料を用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。これらの材料で形成される導電層を複数積層して用いてもよい。
コンタクトプラグ288a、コンタクトプラグ288b、コンタクトプラグ288c、コンタクトプラグ298a、およびコンタクトプラグ298bとしては、例えば、タングステン、ポリシリコン等の埋め込み性の高い導電性材料を用いることができる。また、当該材料の側面および底面を、チタン層、窒化チタン層またはこれらの積層からなるバリア層(拡散防止層)で覆ってもよい。この場合、バリア層も含めてコンタクトプラグという場合がある。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した半導体装置を電子部品に適用する例、および該電子部品を具備する電子機器の例について、図21、図22を用いて説明する。なお、電子部品は、半導体パッケージ、またはIC用パッケージともいう。電子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。そこで、本実施の形態では、電子部品の一例について説明する。
本発明の一態様に係る半導体装置は、様々な電子機器の制御回路に用いることができる。図23に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いた電子機器の具体例を示す。
101 端子
102 端子
103 端子
104 端子
105 端子
106 端子
110 半導体装置
111 トランジスタ
112 トランジスタ
113 トランジスタ
114 トランジスタ
117 容量素子
120 半導体装置
121 配線
122 配線
123 配線
124 配線
125 配線
130 半導体装置
131 ノード
132 ノード
133 ノード
151 期間
152 期間
214 層
223 電極
225 絶縁層
226 絶縁層
227 絶縁層
228 絶縁層
229 絶縁層
242 半導体層
243 電極
246 電極
255 不純物
269 領域
271 基板
272 絶縁層
273 絶縁層
274 酸化物半導体層
275 絶縁層
276 絶縁層
277 絶縁層
281 絶縁層
282 絶縁層
287 電極
297 電極
382 Ec
386 Ec
387 Ec
390 トラップ準位
410 トランジスタ
411 トランジスタ
420 トランジスタ
421 トランジスタ
422 トランジスタ
425 トランジスタ
426 トランジスタ
430 トランジスタ
431 トランジスタ
440 トランジスタ
441 トランジスタ
442 トランジスタ
443 トランジスタ
444 トランジスタ
445 トランジスタ
446 トランジスタ
447 トランジスタ
448 トランジスタ
450 トランジスタ
451 トランジスタ
452 トランジスタ
473 トランジスタ
474 トランジスタ
700 電子部品
702 プリント基板
703 半導体装置
704 実装基板
705 リード
1010 電動自転車
1011 モーター
1012 蓄電装置
1013 駆動回路
1020 電気自動車
1021 モーター
1022 蓄電装置
1023 駆動回路
8000 表示装置
8001 筐体
8002 表示部
8003 スピーカ部
8004 半導体装置
8005 蓄電装置
8100 照明装置
8101 筐体
8102 光源
8103 半導体装置
8104 天井
8105 蓄電装置
8200 室内機
8201 筐体
8202 送風口
8203 半導体装置
8204 室外機
8205 蓄電装置
8300 電気冷凍冷蔵庫
8301 筐体
8302 冷蔵室用扉
8303 冷凍室用扉
8304 半導体装置
8305 蓄電装置
8405 側壁
8406 床
8407 窓
100a 半導体装置
100b 半導体装置
100c 半導体装置
110a 半導体装置
110b 半導体装置
110c 半導体装置
120a 半導体装置
130a 半導体装置
242a 半導体層
242b 半導体層
242c 半導体層
242i 半導体層
242t 半導体層
242u 半導体層
244a 電極
244b 電極
247a 開口
247b 開口
247c 開口
247d 開口
288a コンタクトプラグ
288b コンタクトプラグ
288c コンタクトプラグ
289a 電極
289b 電極
289c 電極
292a 電極
292b 電極
298a コンタクトプラグ
298b コンタクトプラグ
383a Ec
383b Ec
383c Ec
Claims (7)
- 第1トランジスタ乃至第4トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第1トランジスタのソースまたはドレインの一方は第1配線と電気的に接続され、
前記第1トランジスタのゲートは第1配線と電気的に接続され、
前記第1トランジスタのソースまたはドレインの他方は、
前記第2トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第2トランジスタのソースまたはドレインの他方は第2配線と電気的に接続され、
前記第2トランジスタのゲートは前記第4トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3トランジスタのソースまたはドレインの一方は第3配線と電気的に接続され、
前記第3トランジスタのソースまたはドレインの他方は、
前記第4トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第3トランジスタのゲートは前記第1トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記第4トランジスタのソースまたはドレインの他方は第4配線と電気的に接続され、
前記容量素子の一方の電極は前記第3トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は前記第3トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1トランジスタ乃至第4トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第1トランジスタ乃至前記第4トランジスタのそれぞれは、第1ゲートおよび第2ゲートを有し、
前記第1トランジスタの第1ゲートは第1配線と電気的に接続され、
前記第1トランジスタの第2ゲートは第1配線と電気的に接続され、
前記第1トランジスタのソースまたはドレインの一方は第1配線と電気的に接続され、
前記第1トランジスタのソースまたはドレインの他方は
前記第2トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第2トランジスタのソースまたはドレインの他方は第2配線と電気的に接続され、
前記第2トランジスタの第1ゲートは前記第2トランジスタの第2ゲートと電気的に接続され、
前記第3トランジスタのソースまたはドレインの一方は第3配線と電気的に接続され、
前記第3トランジスタの第1ゲートは前記第1トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記第3トランジスタの第2ゲートは前記第3トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記第4トランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第3トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記第4トランジスタのソースまたはドレインの他方は第4配線と電気的に接続され、
前記第4トランジスタの第1ゲートは前記第4トランジスタの第2ゲートと電気的に接続され、
前記第2トランジスタの第1ゲートは前記第4トランジスタの第1ゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の一方の電極は前記第3トランジスタの第1ゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は前記第3トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2において、
前記第1トランジスタ乃至前記第4トランジスタのそれぞれが有する
前記第1ゲートおよび前記第2ゲートのうち、
一方はゲートとして機能し、他方はバックゲートとして機能することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第1トランジスタ乃至前記第4トランジスタは、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1トランジスタのチャネル長よりも、前記第2トランジスタのチャネル長が短いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1トランジスタのチャネル幅よりも、前記第2トランジスタのチャネル幅が長いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の半導体装置と、
モーター、蓄電装置、高周波加熱装置、または、スピーカと、
を有する電子機器。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10079602B1 (en) | 2017-10-10 | 2018-09-18 | Tacho Holdings, Llc | Unipolar latched logic circuits |
US10505540B2 (en) | 2017-03-08 | 2019-12-10 | Tacho Holdings, Llc | Unipolar logic circuits |
US10727835B2 (en) | 2017-10-10 | 2020-07-28 | Tacho Holdings, Llc | Three-dimensional logic circuit |
US11228315B2 (en) | 2017-10-10 | 2022-01-18 | Tacho Holdings, Llc | Three-dimensional logic circuit |
US11750191B2 (en) | 2017-10-10 | 2023-09-05 | Tacho Holdings, Llc | Three-dimensional logic circuit |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10032921B2 (en) * | 2015-07-31 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
US10388533B2 (en) | 2017-06-16 | 2019-08-20 | Applied Materials, Inc. | Process integration method to tune resistivity of nickel silicide |
US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
KR102405723B1 (ko) | 2017-08-18 | 2022-06-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고압 및 고온 어닐링 챔버 |
WO2019094481A1 (en) | 2017-11-11 | 2019-05-16 | Micromaterials Llc | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
CN111432920A (zh) | 2017-11-17 | 2020-07-17 | 应用材料公司 | 用于高压处理系统的冷凝器系统 |
CN111418066A (zh) * | 2017-12-04 | 2020-07-14 | 索尼半导体解决方案公司 | 半导体存储器装置、电子设备和读取信息的方法 |
CN111902929A (zh) | 2018-03-09 | 2020-11-06 | 应用材料公司 | 用于含金属材料的高压退火处理 |
US10916433B2 (en) | 2018-04-06 | 2021-02-09 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming metal silicide layers and metal silicide layers formed therefrom |
US10950429B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
US11515873B2 (en) | 2018-06-29 | 2022-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US10924090B2 (en) | 2018-07-20 | 2021-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising holding units |
US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
WO2020117462A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
CN109560141B (zh) * | 2018-12-13 | 2020-09-25 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 薄膜晶体管、发光装置及其制造方法 |
CN112864233B (zh) * | 2019-11-12 | 2023-04-07 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013041283A (ja) * | 2006-01-07 | 2013-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2014003619A (ja) * | 2009-12-11 | 2014-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014016621A (ja) * | 2008-11-14 | 2014-01-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014067027A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014075692A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 出力回路 |
JP2014241559A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | スパンション エルエルシー | 半導体回路、発振回路、及び電源回路 |
Family Cites Families (114)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
EP0820644B1 (en) | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP2000312004A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Seiko Epson Corp | 低消費電力論理機能回路 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
KR101078483B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-10-31 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | Lcd 또는 유기 el 디스플레이의 스위칭 소자 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
JP5118812B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
KR100939998B1 (ko) | 2004-11-10 | 2010-02-03 | 캐논 가부시끼가이샤 | 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI390735B (zh) | 2005-01-28 | 2013-03-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577293B (zh) | 2005-11-15 | 2012-09-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP2009089292A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Seiko Epson Corp | レベルシフタ及び表示装置 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
KR101671660B1 (ko) * | 2008-11-21 | 2016-11-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 기기 |
KR101809105B1 (ko) | 2010-08-06 | 2017-12-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 집적 회로 |
US8928647B2 (en) * | 2011-03-04 | 2015-01-06 | Sony Corporation | Inverter circuit and display unit |
JP6116149B2 (ja) * | 2011-08-24 | 2017-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8969867B2 (en) * | 2012-01-18 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8988152B2 (en) | 2012-02-29 | 2015-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5808697B2 (ja) | 2012-03-01 | 2015-11-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 |
JP2013182998A (ja) | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9742378B2 (en) * | 2012-06-29 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit and semiconductor device |
JP5690870B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2015-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9461126B2 (en) * | 2013-09-13 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit |
US9349751B2 (en) | 2013-12-12 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
2016
- 2016-08-09 US US15/232,143 patent/US9666606B2/en active Active
- 2016-08-18 JP JP2016160535A patent/JP6802666B2/ja active Active
-
2017
- 2017-05-26 US US15/606,465 patent/US9899424B2/en active Active
-
2020
- 2020-11-27 JP JP2020196858A patent/JP7097940B2/ja active Active
-
2022
- 2022-06-28 JP JP2022103430A patent/JP7338003B2/ja active Active
-
2023
- 2023-08-23 JP JP2023135352A patent/JP2023171718A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013041283A (ja) * | 2006-01-07 | 2013-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2014016621A (ja) * | 2008-11-14 | 2014-01-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014003619A (ja) * | 2009-12-11 | 2014-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014067027A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014075692A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 出力回路 |
JP2014241559A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | スパンション エルエルシー | 半導体回路、発振回路、及び電源回路 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10505540B2 (en) | 2017-03-08 | 2019-12-10 | Tacho Holdings, Llc | Unipolar logic circuits |
US10079602B1 (en) | 2017-10-10 | 2018-09-18 | Tacho Holdings, Llc | Unipolar latched logic circuits |
US10727835B2 (en) | 2017-10-10 | 2020-07-28 | Tacho Holdings, Llc | Three-dimensional logic circuit |
US11228315B2 (en) | 2017-10-10 | 2022-01-18 | Tacho Holdings, Llc | Three-dimensional logic circuit |
US11750191B2 (en) | 2017-10-10 | 2023-09-05 | Tacho Holdings, Llc | Three-dimensional logic circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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