JP2017005149A - 基板、および、その製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
金属材料から成る母基板(13)と、母基板をめっきするメッキ材料(14)と、を有し、
母基板におけるメッキ材料によって被覆された上面(13a)に、はんだを介して電子素子の搭載される搭載領域が設定され、
搭載領域の周囲に、モールド樹脂の充填される溝部(11)がレーザ照射によって形成され、
レーザ照射による熱伝導によって、溝部の縁部周囲のメッキ材料が酸化され、メッキ材料よりも溶融状態のはんだが濡れ広がり難くなっている。
(第1実施形態)
図1〜図8に基づいて本実施形態に係る半導体装置を説明する。なお図2では、後述の溝部11,12の底を破線で示している。そして溝部11,12と酸化領域11aとを明示するため、これらにハッチングを施している。以下においては互いに直交の関係にある3方向を、x方向、y方向、z方向と示す。
Claims (9)
- はんだ(30)を介して電子素子(20)が搭載され、前記電子素子とともにモールド樹脂(40)によって被覆される基板であって、
金属材料から成る母基板(13)と、前記母基板をめっきするメッキ材料(14)と、を有し、
前記母基板における前記メッキ材料によって被覆された上面(13a)に、前記はんだを介して前記電子素子の搭載される搭載領域が設定され、
前記搭載領域の周囲に、前記モールド樹脂の充填される溝部(11)がレーザ照射によって形成され、
前記レーザ照射による熱伝導によって、前記溝部の縁部周囲の前記メッキ材料が酸化され、前記メッキ材料よりも溶融状態の前記はんだが濡れ広がり難くなっている基板。 - 前記レーザ照射によって、前記母基板および前記メッキ材料の一部が溶融して酸化し、前記溝部の縁部周囲に飛散して付着している請求項1に記載の基板。
- 前記溝部は前記搭載領域を囲むように環状に形成されている請求項1または請求項2に記載の基板。
- 前記溝部の延びる方向に対して直交する前記溝部の断面形状がV字形状を成す請求項3に記載の基板。
- 前記母基板はCuから成り、
前記メッキ材料の一部は、電気めっきによって前記母基板の全表面に形成されており、Niを主成分として含む請求項4に記載の基板。 - はんだ(30)を介して電子素子(20)が搭載され、前記電子素子とともにモールド樹脂(40)によって被覆される基板の製造方法であって、
金属材料から成る母基板をメッキ材料によってめっきするメッキ工程と、
前記母基板における前記メッキ材料によって被覆された上面(13a)に設定された、前記はんだを介して前記電子素子の搭載される搭載領域の周囲に、前記メッキ材料および前記母基板の一部をレーザ照射によって除去することで成る溝部(11)を形成するレーザ照射工程と、を有し、
前記レーザ照射工程において、前記レーザ照射による熱伝導によって、前記溝部の縁部周囲の前記メッキ材料を酸化し、前記メッキ材料よりも溶融状態の前記はんだを濡れ広がり難くしている基板の製造方法。 - 前記レーザ照射工程において、前記レーザ照射によって、前記母基板および前記メッキ材料の一部を溶融して酸化し、前記溝部の縁部周囲に飛散して付着させる請求項6に記載の基板の製造方法。
- 前記レーザ照射工程において、前記搭載領域を囲むように前記溝部を環状に形成する請求項6または請求項7に記載の基板の製造方法。
- 前記レーザ照射工程において、前記溝部の延びる方向に対して直交する前記溝部の断面形状がV字形状を成すように前記レーザを前記母基板の上面に照射する請求項8に記載の基板の製造方法。
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