JPWO2017169485A1 - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は本発明の実施の形態における半導体装置6の構成を示す斜視図である。図2は本発明の実施の形態における半導体装置6の構成を示す一部の断面を露出させた斜視図である。半導体装置6は、半導体素子7と、金属製の基台部8と、外装樹脂10とを含む。
7 半導体素子
8 基台部
8A 実装面
9 溝部
9A 屈曲部
9B 辺部
9C 内周縁
9D 外周縁
10 外装樹脂
10A 外装樹脂角部
10B 外装樹脂辺部
11 底部
12 第1凹凸
13 第2凹凸
14 狭窄部
15 拡張部
16 突起部
16A 先端部
16B 結合部
17 接合部材
Claims (7)
- 半導体素子と、
前記半導体素子が実装されている実装面と、前記実装面における前記半導体素子の周囲に設けられている溝部と、を有する基台部と、
前記半導体素子と前記基台部とを覆い、前記溝部へ充填されることで前記基台部に固定される外装樹脂と、を備え、
前記溝部の底部は、前記溝部の延伸方向に沿って、第1振幅と第1反復間隔とを有する第1凹凸を含み、
前記第1凹凸は、前記溝部の延伸方向に沿って、前記第1振幅よりも小さい第2振幅と前記第1反復間隔よりも短い第2反復間隔とを有する第2凹凸を含む、
半導体装置。 - 前記第1振幅、前記第1反復間隔、前記第2振幅、および前記第2反復間隔は、それぞれが無作為に変動している、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記溝部の上面視の開口形状は、拡張部を有し、
前記溝部の深さは、前記拡張部において極大となる、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記溝部の上面視の形状は、前記半導体素子を囲む連続的な方形状である、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記溝部は、2つの辺部と、前記2つの辺部の間に配置された屈曲部とを有し、
前記屈曲部の外周の曲率半径は、前記屈曲部の内周の曲率半径よりも大きい、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記屈曲部における前記溝部の深さは、前記2つの辺部における前記溝部の深さよりも深い、
請求項5に記載の半導体装置。 - 前記基台部は、前記実装面における前記溝部の開口縁に設けられた突起部を有する、
請求項1に記載の半導体装置。
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