JP2000021737A - 位置合わせマークおよびその製造方法 - Google Patents
位置合わせマークおよびその製造方法Info
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/975—Substrate or mask aligning feature
Abstract
(57)【要約】
【課題】 位置合わせマークの側壁に成膜された層の位
置検出を容易にかつ正確に行なうことができる位置合わ
せマークおよびその製造方法を提供することにある。 【解決手段】 第１金属配線層（６）の成膜時に、位置
合わせマーク４の凹部内に形成される第１金属配線層
（６）の、側壁（４ａ、４ｂ）に対向する面には、側壁
（４ａ、４ｂ）とほぼ平行となる側面（６０ａ、６０
ｂ、６１ａ、６１ｂ）を形成するための成膜制御領域と
しての凸部（４Ａ）を備えている。
置検出を容易にかつ正確に行なうことができる位置合わ
せマークおよびその製造方法を提供することにある。 【解決手段】 第１金属配線層（６）の成膜時に、位置
合わせマーク４の凹部内に形成される第１金属配線層
（６）の、側壁（４ａ、４ｂ）に対向する面には、側壁
（４ａ、４ｂ）とほぼ平行となる側面（６０ａ、６０
ｂ、６１ａ、６１ｂ）を形成するための成膜制御領域と
しての凸部（４Ａ）を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、位置合わせマー
クおよびその製造方法に関し、より特定的には、位置合
わせマーク検出の容易化および位置合わせ精度の向上を
図る位置合わせマークおよびその製造方法に関する。
クおよびその製造方法に関し、より特定的には、位置合
わせマーク検出の容易化および位置合わせ精度の向上を
図る位置合わせマークおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２１は積層配線構造を有する半導体装
置の断面図である。この半導体装置の構造は、半導体基
板１の上に絶縁膜を介在してゲート配線３が形成されて
いる。半導体基板１には、このゲート配線３を左右から
挟み込むようにソース／ドレーン領域４が形成されてい
る。
置の断面図である。この半導体装置の構造は、半導体基
板１の上に絶縁膜を介在してゲート配線３が形成されて
いる。半導体基板１には、このゲート配線３を左右から
挟み込むようにソース／ドレーン領域４が形成されてい
る。
【０００３】ゲート配線３の上方には層間絶縁膜５を介
在してアルミなどからなる第１金属配線層６が形成され
ている。この第１金属配線層６はコンタクトホール５ａ
においてソース／ドレーン領域４に電気的に接続されて
いる。
在してアルミなどからなる第１金属配線層６が形成され
ている。この第１金属配線層６はコンタクトホール５ａ
においてソース／ドレーン領域４に電気的に接続されて
いる。
【０００４】第１金属配線層６の上方には層間絶縁膜７
を介在してアルミなどからなる第２金属配線層８が形成
されている。この第２金属配線層８はコンタクトホール
７ａにより第１金属配線層６に電気的に接続されてい
る。第２金属配線層８は保護膜１１で覆われている。
を介在してアルミなどからなる第２金属配線層８が形成
されている。この第２金属配線層８はコンタクトホール
７ａにより第１金属配線層６に電気的に接続されてい
る。第２金属配線層８は保護膜１１で覆われている。
【０００５】ここで、第１金属配線層６はゲート配線３
に、第２金属配線層８は第１金属配線層６に対して正確
に配線される必要がある。つまり、第１金属配線層６お
よび第２金属配線層８のパターニングのためのレジスト
膜を正確に形成する必要がある。
に、第２金属配線層８は第１金属配線層６に対して正確
に配線される必要がある。つまり、第１金属配線層６お
よび第２金属配線層８のパターニングのためのレジスト
膜を正確に形成する必要がある。
【０００６】この第１金属配線層６および第２金属配線
層８のパターニングのためのレジスト膜の位置決めに
は、従来より位置合わせマークが用いられている。その
一例として、第１金属配線層６のパターニングに用いら
れるレジスト膜の位置決めのため、層間絶縁膜５に設け
られる位置合わせマークについて、図２２および図２３
を参照しながら説明する。
層８のパターニングのためのレジスト膜の位置決めに
は、従来より位置合わせマークが用いられている。その
一例として、第１金属配線層６のパターニングに用いら
れるレジスト膜の位置決めのため、層間絶縁膜５に設け
られる位置合わせマークについて、図２２および図２３
を参照しながら説明する。
【０００７】なお、図２２は、層間絶縁膜５に設けられ
た位置合わせマーク４の平面図であり、説明の便宜上第
１金属配線層６は２点鎖線で示している。また図２３
は、図２２中Ｘ１−Ｘ１’線矢視断面図である。
た位置合わせマーク４の平面図であり、説明の便宜上第
１金属配線層６は２点鎖線で示している。また図２３
は、図２２中Ｘ１−Ｘ１’線矢視断面図である。
【０００８】両図を参照して、層間絶縁膜５に設けられ
た位置合わせマーク４は、平面形状が四角形であり、対
向する側壁４ａ、４ｂと対向する側壁４ｃ、４ｄとを有
する凹部からなる。第１金属配線層６は、近年被覆性の
向上を図るため、アルミの高温スパッタ技術を用いた配
線プロセスにより位置合わせマーク４の上に成膜され
る。
た位置合わせマーク４は、平面形状が四角形であり、対
向する側壁４ａ、４ｂと対向する側壁４ｃ、４ｄとを有
する凹部からなる。第１金属配線層６は、近年被覆性の
向上を図るため、アルミの高温スパッタ技術を用いた配
線プロセスにより位置合わせマーク４の上に成膜され
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のアルミ
からなる第１金属配線層６は、高温スパッタ技術を用い
た配線プロセスにより成膜される。この高温スパッタ技
術は、膜の堆積中または膜の堆積後に３００℃〜６００
℃の加熱処理が施される点が通常のスパッタ技術と相違
する。
からなる第１金属配線層６は、高温スパッタ技術を用い
た配線プロセスにより成膜される。この高温スパッタ技
術は、膜の堆積中または膜の堆積後に３００℃〜６００
℃の加熱処理が施される点が通常のスパッタ技術と相違
する。
【００１０】このため、アルミの結晶粒６Ａは、図２２
および図２３に示すように大きく成長するとともにアル
ミ材料が凹部ないで流動するために、図２３中Ａで囲ま
れる領域においてなだらかな傾斜側面が形成されてしま
う。
および図２３に示すように大きく成長するとともにアル
ミ材料が凹部ないで流動するために、図２３中Ａで囲ま
れる領域においてなだらかな傾斜側面が形成されてしま
う。
【００１１】その結果、第１金属配線層６のパターニン
グのために用いられるレジスト膜側位置合わせマークの
検出時に、図２２中Ｘ１−Ｘ１’線矢視断面図にしたが
った検出信号強度は、図２４に示すように、レジスト膜
側位置合わせマーク９の側面９ａ、９ｂに対応する信号
Ｐ１、Ｐ３は強度が大きくかつピークが明確であるた
め、その位置を容易に検出することができる。
グのために用いられるレジスト膜側位置合わせマークの
検出時に、図２２中Ｘ１−Ｘ１’線矢視断面図にしたが
った検出信号強度は、図２４に示すように、レジスト膜
側位置合わせマーク９の側面９ａ、９ｂに対応する信号
Ｐ１、Ｐ３は強度が大きくかつピークが明確であるた
め、その位置を容易に検出することができる。
【００１２】しかし、絶縁層に形成された位置合わせマ
ーク４の側壁４ａ、４ｂ上に成膜された第１金属配線層
６の側面６ａ、６ｂに対応する信号Ｐ２、Ｐ４は強度が
弱くまたピークも明確でないため、その位置を明確に検
出することができない。そのため、信号Ｐ１と信号Ｐ２
との距離Ｌ１および、信号Ｐ３と信号Ｐ４との距離Ｌ２
を正確に測定できない。
ーク４の側壁４ａ、４ｂ上に成膜された第１金属配線層
６の側面６ａ、６ｂに対応する信号Ｐ２、Ｐ４は強度が
弱くまたピークも明確でないため、その位置を明確に検
出することができない。そのため、信号Ｐ１と信号Ｐ２
との距離Ｌ１および、信号Ｐ３と信号Ｐ４との距離Ｌ２
を正確に測定できない。
【００１３】さらに、図２５は図２２中Ｘ２−Ｘ２’線
矢視断面図にしたがった検出信号強度であり、図２６は
図２２中Ｘ３−Ｘ３’線矢視断面図にしたがった検出信
号強度であるが、アルミの結晶粒６Ａが大きく成長する
ことで、Ｘ２−Ｘ２’線矢視断面図にしたがった検出信
号強度とＸ３−Ｘ３’線矢視断面図にしたがった検出信
号強度とを比較した場合、位置合わせマーク４の側壁４
ａ、４ｂ上に成膜された第１金属配線層６の側面６ａ、
６ｂに対応した信号Ｐ２、Ｐ４の位置が、測定個所によ
って異なる場合が生じる。
矢視断面図にしたがった検出信号強度であり、図２６は
図２２中Ｘ３−Ｘ３’線矢視断面図にしたがった検出信
号強度であるが、アルミの結晶粒６Ａが大きく成長する
ことで、Ｘ２−Ｘ２’線矢視断面図にしたがった検出信
号強度とＸ３−Ｘ３’線矢視断面図にしたがった検出信
号強度とを比較した場合、位置合わせマーク４の側壁４
ａ、４ｂ上に成膜された第１金属配線層６の側面６ａ、
６ｂに対応した信号Ｐ２、Ｐ４の位置が、測定個所によ
って異なる場合が生じる。
【００１４】したがって、以上のような問題が生じるこ
とにより、位置合わせマーク４の側壁４ａ、４ｂ上に成
膜された第１金属配線層６の側面６ａ、６ｂに対応した
信号Ｐ２、Ｐ４の位置検出を容易にかつ正確に行なうこ
とができない。
とにより、位置合わせマーク４の側壁４ａ、４ｂ上に成
膜された第１金属配線層６の側面６ａ、６ｂに対応した
信号Ｐ２、Ｐ４の位置検出を容易にかつ正確に行なうこ
とができない。
【００１５】したがって、この発明の目的は、位置合わ
せマークの側壁に成膜された配線層の位置検出を容易に
かつ正確に行なうことができる位置合わせマークおよび
その製造方法を提供することにある。
せマークの側壁に成膜された配線層の位置検出を容易に
かつ正確に行なうことができる位置合わせマークおよび
その製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明に基づく位置合
わせマークにおいては、絶縁層の上に形成される配線層
の位置を検出するため、上記絶縁層に形成され、平面形
状が略矩形形状であり２組の対向する側壁を有する凹部
からなる位置合わせマークであって、上記凹部は、上記
配線層の成膜時に、上記凹部内に形成される上記配線層
の、上記側壁に対向する面に、上記側壁とほぼ平行とな
る側面を形成するための成膜制御領域を備えている。
わせマークにおいては、絶縁層の上に形成される配線層
の位置を検出するため、上記絶縁層に形成され、平面形
状が略矩形形状であり２組の対向する側壁を有する凹部
からなる位置合わせマークであって、上記凹部は、上記
配線層の成膜時に、上記凹部内に形成される上記配線層
の、上記側壁に対向する面に、上記側壁とほぼ平行とな
る側面を形成するための成膜制御領域を備えている。
【００１７】上記位置合わせマークにおいて１つの具体
的な局面においては、上記成膜制御領域は、上記凹部内
において上記側壁に対して対向するように配置される凸
部を含んでいる。
的な局面においては、上記成膜制御領域は、上記凹部内
において上記側壁に対して対向するように配置される凸
部を含んでいる。
【００１８】この位置合わせマークによれば、上記構成
からなる成膜制御領域により、この位置合わせマークを
有する絶縁層の上に高温スパッタ技術により配線層を成
膜した場合、側壁の凸部に対向する面および凸部の側壁
に対向する面はそれぞれの面に対して、スパッタされる
配線層の粒子の入射角に対して影を形成する。
からなる成膜制御領域により、この位置合わせマークを
有する絶縁層の上に高温スパッタ技術により配線層を成
膜した場合、側壁の凸部に対向する面および凸部の側壁
に対向する面はそれぞれの面に対して、スパッタされる
配線層の粒子の入射角に対して影を形成する。
【００１９】そのため、側壁の凸部に対向する面および
凸部の側壁に対向する面には、スパッタされる配線層の
粒子があまり入り込まないため、この部分には配線層の
堆積量が少なくなる。
凸部の側壁に対向する面には、スパッタされる配線層の
粒子があまり入り込まないため、この部分には配線層の
堆積量が少なくなる。
【００２０】その結果、この部分での配線層の結晶粒の
成長および配線層材料の流動が抑制される。したがっ
て、側壁の凸部に対向する面および凸部の側壁に対向す
る面には側壁とほぼ平行となる配線層の側面が形成され
る。この配線層の２つの側面の形成により、位置合わせ
マークに成膜された配線層の位置検出を容易にかつ正確
に行なうことが可能になる。
成長および配線層材料の流動が抑制される。したがっ
て、側壁の凸部に対向する面および凸部の側壁に対向す
る面には側壁とほぼ平行となる配線層の側面が形成され
る。この配線層の２つの側面の形成により、位置合わせ
マークに成膜された配線層の位置検出を容易にかつ正確
に行なうことが可能になる。
【００２１】また、上記位置合わせマークにおいてより
好ましくは、上記凹部の上端部は尖った稜線部を有し、
かつ、上記側壁の上記凹部に面する上端領域には、上方
に向かうにしたがって上記凸部から遠ざかるテーパが設
けられている。
好ましくは、上記凹部の上端部は尖った稜線部を有し、
かつ、上記側壁の上記凹部に面する上端領域には、上方
に向かうにしたがって上記凸部から遠ざかるテーパが設
けられている。
【００２２】この構造を採用することにより、さらに凹
部の上端部においても配線層の結晶粒の成長および配線
層材料の流動が抑制される。その結果、この凹部の上端
部によっても、位置合わせマークに成膜された配線層の
位置検出を容易にかつ正確に行なうことが可能になる。
部の上端部においても配線層の結晶粒の成長および配線
層材料の流動が抑制される。その結果、この凹部の上端
部によっても、位置合わせマークに成膜された配線層の
位置検出を容易にかつ正確に行なうことが可能になる。
【００２３】上記位置合わせマークにおいて他の具体的
な局面においては、上記絶縁層は上記配線層が延びる方
向に交差する方向に互いに平行に配置される２本の下層
配線層の上に設けられ、上記凹部は２本の上記下層配線
層の間に位置する上記絶縁層に設けられ、上記絶縁層
は、下層、中間層および上層の３層構造からなり、上記
成膜制御領域は、上記凹部において、上記上層が上記中
間層よりも上記凹部の内側に突出する露出面と、上記露
出面の上記上層の上端領域には、上方に向かうにしたが
って上記凹部から遠ざかるテーパとにより形成される。
な局面においては、上記絶縁層は上記配線層が延びる方
向に交差する方向に互いに平行に配置される２本の下層
配線層の上に設けられ、上記凹部は２本の上記下層配線
層の間に位置する上記絶縁層に設けられ、上記絶縁層
は、下層、中間層および上層の３層構造からなり、上記
成膜制御領域は、上記凹部において、上記上層が上記中
間層よりも上記凹部の内側に突出する露出面と、上記露
出面の上記上層の上端領域には、上方に向かうにしたが
って上記凹部から遠ざかるテーパとにより形成される。
【００２４】この位置合わせマークによれば、上記構成
よりなる成膜制御領域により、この位置合わせマークを
有する絶縁層の上に高温スパッタ技術により配線層を成
膜した場合、上層が中間層よりも凹部の内側に突出する
露出面は、スパッタされる配線層の粒子の入射角に対し
て影を形成する。そのため、凹部の内側に露出する中間
層にはスパッタされる配線層の粒子があまり入り込まな
いため、この部分には配線層の堆積量が少なくなる。
よりなる成膜制御領域により、この位置合わせマークを
有する絶縁層の上に高温スパッタ技術により配線層を成
膜した場合、上層が中間層よりも凹部の内側に突出する
露出面は、スパッタされる配線層の粒子の入射角に対し
て影を形成する。そのため、凹部の内側に露出する中間
層にはスパッタされる配線層の粒子があまり入り込まな
いため、この部分には配線層の堆積量が少なくなる。
【００２５】その結果、凹部の内側に露出する中間層で
の配線層の結晶粒の成長および配線層材料の流動が抑制
される。したがって、凹部の内側に露出する上層の露出
部分にはほぼ垂直となる配線層の側面が形成される。こ
の配線層の側面の形成により、位置合わせマークに成膜
された配線層の位置検出を容易にかつ正確に行なうこと
が可能になる。
の配線層の結晶粒の成長および配線層材料の流動が抑制
される。したがって、凹部の内側に露出する上層の露出
部分にはほぼ垂直となる配線層の側面が形成される。こ
の配線層の側面の形成により、位置合わせマークに成膜
された配線層の位置検出を容易にかつ正確に行なうこと
が可能になる。
【００２６】この発明に基づく位置合わせマークの製造
方法の１つの局面においては、まず、上記絶縁層が形成
される。その後、上記絶縁層の上に、平面形状が矩形形
状の開口パターンと、上記開口パターンの内周壁に対向
するよう所定距離隔てた位置に設けられる凸パターンと
を有するレジスト膜が形成される。
方法の１つの局面においては、まず、上記絶縁層が形成
される。その後、上記絶縁層の上に、平面形状が矩形形
状の開口パターンと、上記開口パターンの内周壁に対向
するよう所定距離隔てた位置に設けられる凸パターンと
を有するレジスト膜が形成される。
【００２７】次に、エッチングにより、上記レジスト膜
をマスクにして上記絶縁層のパターンニングを行ない、
上記凹部および上記凹部内において上記側壁に対して対
向するように配置される上記凸部が形成される。
をマスクにして上記絶縁層のパターンニングを行ない、
上記凹部および上記凹部内において上記側壁に対して対
向するように配置される上記凸部が形成される。
【００２８】上記位置合わせマークの製造方法によれ
ば、絶縁層の上に形成される配線層の位置を検出するた
め、上記絶縁層の表面に形成され、平面形状が矩形形状
であり２組の対向する側壁を有する凹部からなり、上記
凹部内において、上記側壁に対して対向するように配置
される凸部を含む位置合わせマークを製造することがで
きる。
ば、絶縁層の上に形成される配線層の位置を検出するた
め、上記絶縁層の表面に形成され、平面形状が矩形形状
であり２組の対向する側壁を有する凹部からなり、上記
凹部内において、上記側壁に対して対向するように配置
される凸部を含む位置合わせマークを製造することがで
きる。
【００２９】上記位置合わせマークの製造方法において
好ましくは、上記凹部および上記凸部を形成する工程
は、上記ウエットエッチングにより、上記レジスト膜を
マスクにして上記絶縁層の第１パターンニングを行なう
工程と、記絶縁層の第１パターンニングを行なった後
に、ドライエッチングにより、上記レジスト膜をマスク
にして上記絶縁層の第２パターンニングを行なう工程と
が含まれる。
好ましくは、上記凹部および上記凸部を形成する工程
は、上記ウエットエッチングにより、上記レジスト膜を
マスクにして上記絶縁層の第１パターンニングを行なう
工程と、記絶縁層の第１パターンニングを行なった後
に、ドライエッチングにより、上記レジスト膜をマスク
にして上記絶縁層の第２パターンニングを行なう工程と
が含まれる。
【００３０】上記位置合わせマークの製造方法によれ
ば、上記凹部の上端部は尖っており、かつ、上記側壁の
上記凹部に面する上端領域には、上方に向かうにしたが
って上記凹部から遠ざかるテーパが設けられる。
ば、上記凹部の上端部は尖っており、かつ、上記側壁の
上記凹部に面する上端領域には、上方に向かうにしたが
って上記凹部から遠ざかるテーパが設けられる。
【００３１】この発明に基づく位置合わせマークの製造
方法の他の局面においては、まず、絶縁層が形成され
る。その後、互いに平行に配置される２本の下層配線層
が形成される。
方法の他の局面においては、まず、絶縁層が形成され
る。その後、互いに平行に配置される２本の下層配線層
が形成される。
【００３２】次に、２本の上記下層配線層の上に絶縁層
が形成される。その後、平行に配置される２本の上記下
層配線層の間に位置する上記絶縁層に凹部設けるため、
上記凹部に該当する領域に開口部を有するレジスト膜が
形成される。その後、エッチングにより上記レジスト膜
をマスクにして上記絶縁層のパターンニングが行なわれ
る。
が形成される。その後、平行に配置される２本の上記下
層配線層の間に位置する上記絶縁層に凹部設けるため、
上記凹部に該当する領域に開口部を有するレジスト膜が
形成される。その後、エッチングにより上記レジスト膜
をマスクにして上記絶縁層のパターンニングが行なわれ
る。
【００３３】さらに、上記絶縁層を形成する工程は、下
層、中層および上層の３層構造を形成する工程を含んで
いる。
層、中層および上層の３層構造を形成する工程を含んで
いる。
【００３４】上記位置合わせマークの製造方法によれ
ば、互いに平行に配置される２本の下層配線層と、２本
の上記下層配線層の上方で交差するように形成される配
線層の位置を検出するため、上記下層配線層と上記配線
層との間に設けられる絶縁層に形成される平面形状がほ
ぼ矩形形状の凹部からなる位置合わせマークを製造する
ことができる。
ば、互いに平行に配置される２本の下層配線層と、２本
の上記下層配線層の上方で交差するように形成される配
線層の位置を検出するため、上記下層配線層と上記配線
層との間に設けられる絶縁層に形成される平面形状がほ
ぼ矩形形状の凹部からなる位置合わせマークを製造する
ことができる。
【００３５】上記位置合わせマークの製造方法において
好ましくは、上記絶縁層のパターンニングを行なう工程
は、ウエットエッチングとドライエッチングとの組合わ
せにより上記レジスト膜をマスクにして上記絶縁層のパ
ターンニングを行なう工程とを含んでいる。
好ましくは、上記絶縁層のパターンニングを行なう工程
は、ウエットエッチングとドライエッチングとの組合わ
せにより上記レジスト膜をマスクにして上記絶縁層のパ
ターンニングを行なう工程とを含んでいる。
【００３６】上記位置合わせマークの製造方法によれ
ば、上記凹部において、上記下層および上記上層が上記
中間層よりも上記凹部の内側に突出する露出面と、か
つ、上記露出面の上記上層の上端領域には、上方に向か
うにしたがって上記凹部から遠ざかるテーパを形成する
ことができる。
ば、上記凹部において、上記下層および上記上層が上記
中間層よりも上記凹部の内側に突出する露出面と、か
つ、上記露出面の上記上層の上端領域には、上方に向か
うにしたがって上記凹部から遠ざかるテーパを形成する
ことができる。
【００３７】上記構造を製造するためより具体的に、上
記下層および上層は、上記中層よりも同一エッチング材
に対して、エッチング速度が相対的に遅い材料が用いら
れ、また、上記下層および上層は、上記中層よりも熱加
工に対する熱収縮率が相対的に小さい材料が用いられ
る。
記下層および上層は、上記中層よりも同一エッチング材
に対して、エッチング速度が相対的に遅い材料が用いら
れ、また、上記下層および上層は、上記中層よりも熱加
工に対する熱収縮率が相対的に小さい材料が用いられ
る。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、この発明に基づく位置合わ
せマークおよびその製造方法の実施の形態について、図
を参照しながら説明する。
せマークおよびその製造方法の実施の形態について、図
を参照しながら説明する。
【００３９】（実施の形態１）本実施の形態における位
置合わせマーク４の構造について、図１および図２を参
照して説明する。なお、位置合わせマーク４が設けられ
る位置は、図２２および図２３で説明した従来技術と同
じであるため、同一箇所には同一符号を付し、その詳細
な説明は省略する。また、図１は、層間絶縁膜５に設け
られた位置合わせマーク４の平面図であり、便宜上第１
金属配線層６は２点鎖線で示している。また、図２は、
図１中Ｘ−Ｘ’線矢視断面図である。
置合わせマーク４の構造について、図１および図２を参
照して説明する。なお、位置合わせマーク４が設けられ
る位置は、図２２および図２３で説明した従来技術と同
じであるため、同一箇所には同一符号を付し、その詳細
な説明は省略する。また、図１は、層間絶縁膜５に設け
られた位置合わせマーク４の平面図であり、便宜上第１
金属配線層６は２点鎖線で示している。また、図２は、
図１中Ｘ−Ｘ’線矢視断面図である。
【００４０】両図を参照して、絶縁層としての層間絶縁
膜５に設けられた位置合わせマーク４は、平面形状が四
角形であり、対向する側壁４ａ、４ｂと対向する側壁４
ｃ、４ｄとを有し、深さ約１．０μｍの凹部からなる。
膜５に設けられた位置合わせマーク４は、平面形状が四
角形であり、対向する側壁４ａ、４ｂと対向する側壁４
ｃ、４ｄとを有し、深さ約１．０μｍの凹部からなる。
【００４１】この凹部内において、側壁４ａ、４ｂ、４
ｃおよび４ｄの対向する位置には、約０．５μｍ〜１．
０μｍ隔てた位置に成膜制御領域としての、環状の凸部
４Ａが設けられている。
ｃおよび４ｄの対向する位置には、約０．５μｍ〜１．
０μｍ隔てた位置に成膜制御領域としての、環状の凸部
４Ａが設けられている。
【００４２】次に、上記構造よりなる位置合わせマーク
４の製造方法について、図４〜図６を参照して説明す
る。なお、図４〜図６は図１中Ｘ−Ｘ’線断面にしたが
った断面図である。
４の製造方法について、図４〜図６を参照して説明す
る。なお、図４〜図６は図１中Ｘ−Ｘ’線断面にしたが
った断面図である。
【００４３】図４を参照して、層間絶縁膜５の上にレジ
スト膜１０を形成する。その後、図５を参照して、フォ
トリソグラフィ技術によりレジスト膜１０のパターニン
グを行ない、位置合わせマーク４の凹部に対応する位置
に開口パターン１０ａ、および、凸部４Ａに対応する位
置に残存パターン１０ｂを形成する。
スト膜１０を形成する。その後、図５を参照して、フォ
トリソグラフィ技術によりレジスト膜１０のパターニン
グを行ない、位置合わせマーク４の凹部に対応する位置
に開口パターン１０ａ、および、凸部４Ａに対応する位
置に残存パターン１０ｂを形成する。
【００４４】次に、図６を参照して、上記開口パターン
１０ａ、および、残存パターン１０ｂを有するレジスト
膜１０をマスクにして、層間絶縁膜５のエッチングを行
なう。
１０ａ、および、残存パターン１０ｂを有するレジスト
膜１０をマスクにして、層間絶縁膜５のエッチングを行
なう。
【００４５】このときのエッチングは、異方性のドライ
エッチングにより行なわれる。ドライエッチングの条件
は、エッチャントとしてＣ4 Ｆ8 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、
Ｏ2、Ａｒなどが用いられ、ガス圧は１×１０-5Ｔｏｒ
ｒ〜数１０Ｔｏｒｒ、電圧は交流バイアス数１０Ｗ〜数
１０００Ｗまたは直流バイアス、マイクロ波などであ
る。その後、レジスト膜６を除去することにより、本実
施の形態における位置合わせマーク４が完成する。
エッチングにより行なわれる。ドライエッチングの条件
は、エッチャントとしてＣ4 Ｆ8 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、
Ｏ2、Ａｒなどが用いられ、ガス圧は１×１０-5Ｔｏｒ
ｒ〜数１０Ｔｏｒｒ、電圧は交流バイアス数１０Ｗ〜数
１０００Ｗまたは直流バイアス、マイクロ波などであ
る。その後、レジスト膜６を除去することにより、本実
施の形態における位置合わせマーク４が完成する。
【００４６】上記構造よりなる本実施の形態における位
置合わせマーク４の上に、高温スパッタ技術を用いた配
線プロセスにより配線層として、たとえばアルミなどか
らなる第１金属配線層６を成膜した場合、再び図２を参
照して、側壁４ａ、４ｂの凸部４Ａに対向する面、およ
び、凸部４Ａの側壁４ａ、４ｂに対向する面は、それぞ
れの面に対して、スパッタされる第１金属配線層６の粒
子の入射角（図２中矢印Ｒ）に対して影を形成する。
置合わせマーク４の上に、高温スパッタ技術を用いた配
線プロセスにより配線層として、たとえばアルミなどか
らなる第１金属配線層６を成膜した場合、再び図２を参
照して、側壁４ａ、４ｂの凸部４Ａに対向する面、およ
び、凸部４Ａの側壁４ａ、４ｂに対向する面は、それぞ
れの面に対して、スパッタされる第１金属配線層６の粒
子の入射角（図２中矢印Ｒ）に対して影を形成する。
【００４７】そのため、側壁４ａ、４ｂの凸部４Ａに対
向する面、および、凸部４Ａの側壁４ａ、４ｂに対向す
る面には、スパッタされる第１金属配線層６の粒子があ
まり入り込まないため、この部分には第１金属配線層６
の堆積量が少なくなる。その結果、この部分での第１金
属配線層６の結晶粒の成長および第１金属配線層６の配
線層材料の流動が抑制される。
向する面、および、凸部４Ａの側壁４ａ、４ｂに対向す
る面には、スパッタされる第１金属配線層６の粒子があ
まり入り込まないため、この部分には第１金属配線層６
の堆積量が少なくなる。その結果、この部分での第１金
属配線層６の結晶粒の成長および第１金属配線層６の配
線層材料の流動が抑制される。
【００４８】したがって、側壁４ａ、４ｂの凸部４Ａに
対向する面、および、凸部４Ａの側壁４ａ、４ｂに対向
する面には、側壁４ａ、４ｂとほぼ平行となる第１金属
配線層６の側面６０ａ、６０ｂ、６１ａ、６１ｂが形成
される（図２中Ａで囲む領域）。
対向する面、および、凸部４Ａの側壁４ａ、４ｂに対向
する面には、側壁４ａ、４ｂとほぼ平行となる第１金属
配線層６の側面６０ａ、６０ｂ、６１ａ、６１ｂが形成
される（図２中Ａで囲む領域）。
【００４９】この第１金属配線層６の側面６０ａ、６０
ｂ、６１ａ、６１ｂの形成により、図１中Ｘ−Ｘ’線矢
視断面図にしたがった検出信号強度は、図３に示すよう
になり、レジスト膜側位置合わせマーク９の側面９ａ、
９ｂに対応する信号Ｐ１、Ｐ４、および第１金属配線層
６の側面６０ａ、６０ｂ、６１ａ、６１ｂに対応する信
号Ｐ２、Ｐ５、Ｐ３、Ｐ６、Ｐ４は強度が大きくかつピ
ークが明確であるため、その位置を容易に検出すること
ができる。
ｂ、６１ａ、６１ｂの形成により、図１中Ｘ−Ｘ’線矢
視断面図にしたがった検出信号強度は、図３に示すよう
になり、レジスト膜側位置合わせマーク９の側面９ａ、
９ｂに対応する信号Ｐ１、Ｐ４、および第１金属配線層
６の側面６０ａ、６０ｂ、６１ａ、６１ｂに対応する信
号Ｐ２、Ｐ５、Ｐ３、Ｐ６、Ｐ４は強度が大きくかつピ
ークが明確であるため、その位置を容易に検出すること
ができる。
【００５０】その結果、信号Ｐ１と信号Ｐ２との距離Ｌ
１、信号Ｐ１と信号Ｐ３との距離Ｌ２、信号Ｐ４と信号
Ｐ５との距離Ｒ１、および、信号Ｐ４と信号Ｐ５との距
離Ｒ２を正確に測定することが可能になる。
１、信号Ｐ１と信号Ｐ３との距離Ｌ２、信号Ｐ４と信号
Ｐ５との距離Ｒ１、および、信号Ｐ４と信号Ｐ５との距
離Ｒ２を正確に測定することが可能になる。
【００５１】また、図１中Ｘ−Ｘ’線とは異なる位置に
おいて第１金属配線層６の側面６０ａ、６０ｂ、６１
ａ、６１ｂの信号強度を測定した場合においても、平面
的に観察した場合、凹凸が減少するため均一な測定結果
を得ることができる。
おいて第１金属配線層６の側面６０ａ、６０ｂ、６１
ａ、６１ｂの信号強度を測定した場合においても、平面
的に観察した場合、凹凸が減少するため均一な測定結果
を得ることができる。
【００５２】なお、上記信号強度の測定においては、Ｘ
−Ｘ’線方向の、側壁４ａ、４ｂに関する場合について
述べたが、側壁４ｃ、４ｄについても同様の作用効果を
得ることができる。
−Ｘ’線方向の、側壁４ａ、４ｂに関する場合について
述べたが、側壁４ｃ、４ｄについても同様の作用効果を
得ることができる。
【００５３】（実施の形態２）本実施の形態における位
置合わせマーク４０の構造について、図７および図８を
参照して説明する。なお、位置合わせマークが設けられ
る位置は、実施の形態１と同じであるため、同一箇所に
は同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。また、
図７は、層間絶縁膜５に設けられた位置合わせマーク４
０の平面図であり、説明の便宜上第１金属配線層６は２
点鎖線で示している。また図８は、図７中Ｘ−Ｘ’線矢
視断面図である。
置合わせマーク４０の構造について、図７および図８を
参照して説明する。なお、位置合わせマークが設けられ
る位置は、実施の形態１と同じであるため、同一箇所に
は同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。また、
図７は、層間絶縁膜５に設けられた位置合わせマーク４
０の平面図であり、説明の便宜上第１金属配線層６は２
点鎖線で示している。また図８は、図７中Ｘ−Ｘ’線矢
視断面図である。
【００５４】両図を参照して、実施の形態１における位
置合わせマーク４の構造と本実施の形態における位置合
わせマーク４０とを比較した場合、環状の凸部４Ａの先
端部に尖った稜線部４Ｂが設けられ、また、凹部の側壁
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの上端領域部が、上方に向かう
にしたがって凹部から遠ざかるテーパ４Ｔが設けられて
いる点で相違し、他の構造は同じである。
置合わせマーク４の構造と本実施の形態における位置合
わせマーク４０とを比較した場合、環状の凸部４Ａの先
端部に尖った稜線部４Ｂが設けられ、また、凹部の側壁
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの上端領域部が、上方に向かう
にしたがって凹部から遠ざかるテーパ４Ｔが設けられて
いる点で相違し、他の構造は同じである。
【００５５】次に、上記構造よりなる位置合わせマーク
４０の製造方法について、図１０〜図１３を参照して説
明する。なお、図１０〜図１３は図７中Ｘ−Ｘ’線断面
にしたがった断面図である。
４０の製造方法について、図１０〜図１３を参照して説
明する。なお、図１０〜図１３は図７中Ｘ−Ｘ’線断面
にしたがった断面図である。
【００５６】図１０を参照して、層間絶縁膜５の上にレ
ジスト膜１０を形成する。その後、図１１を参照して、
フォトリソグラフィ技術によりレジスト膜１０のパター
ニングを行ない、位置合わせマーク４０の凹部に対応す
る位置に開口パターン１０ａ、および、凸部４Ａに対応
する位置に残存パターン１０ｂを形成する。
ジスト膜１０を形成する。その後、図１１を参照して、
フォトリソグラフィ技術によりレジスト膜１０のパター
ニングを行ない、位置合わせマーク４０の凹部に対応す
る位置に開口パターン１０ａ、および、凸部４Ａに対応
する位置に残存パターン１０ｂを形成する。
【００５７】次に、図１２を参照して、上記開口パター
ン１０ａ、および、残存パターン１０ｂを有するレジス
ト膜１０をマスクにして、層間絶縁膜５のエッチングを
行なう。
ン１０ａ、および、残存パターン１０ｂを有するレジス
ト膜１０をマスクにして、層間絶縁膜５のエッチングを
行なう。
【００５８】このときのエッチングは、等方性のウエッ
トエッチングにより行なわれる。ウエットエッチングの
条件は、エッチング液としてバッファドフッ酸（ＢＨ
Ｆ）を水で希釈したものが用いられ、エッチング液の濃
度は、ＢＨＦ：水＝１：数〜数１０、エッチング時間は
数分である。
トエッチングにより行なわれる。ウエットエッチングの
条件は、エッチング液としてバッファドフッ酸（ＢＨ
Ｆ）を水で希釈したものが用いられ、エッチング液の濃
度は、ＢＨＦ：水＝１：数〜数１０、エッチング時間は
数分である。
【００５９】次に、図１３を参照して、再びレジスト膜
１０をマスクにして、層間絶縁膜５のエッチングを行な
う。このときのエッチングは、異方性のドライエッチン
グにより行なわれる。ドライエッチングの条件は、エッ
チャントとしてＣ4 Ｆ8 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｏ2 、Ａ
ｒなどが用いられ、ガス圧は１×１０-5Ｔｏｒｒ〜数１
０Ｔｏｒｒ、電圧は交流バイアス数１０Ｗ〜数１０００
Ｗまたは直流バイアス、マイクロ波などである。その
後、レジスト膜６を除去することにより、本実施の形態
における位置合わせマーク４０が完成する。
１０をマスクにして、層間絶縁膜５のエッチングを行な
う。このときのエッチングは、異方性のドライエッチン
グにより行なわれる。ドライエッチングの条件は、エッ
チャントとしてＣ4 Ｆ8 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｏ2 、Ａ
ｒなどが用いられ、ガス圧は１×１０-5Ｔｏｒｒ〜数１
０Ｔｏｒｒ、電圧は交流バイアス数１０Ｗ〜数１０００
Ｗまたは直流バイアス、マイクロ波などである。その
後、レジスト膜６を除去することにより、本実施の形態
における位置合わせマーク４０が完成する。
【００６０】上記構造よりなる本実施の形態における位
置合わせマーク４０の上に、高温スパッタ技術を用いた
配線プロセスにより配線層として、アルミなどからなる
第１金属配線層６を成膜した場合、上述した実施の形態
１における位置合わせマーク４と同等の作用効果が得ら
れるとともに、さらに以下に示す作用効果を得ることが
できる。
置合わせマーク４０の上に、高温スパッタ技術を用いた
配線プロセスにより配線層として、アルミなどからなる
第１金属配線層６を成膜した場合、上述した実施の形態
１における位置合わせマーク４と同等の作用効果が得ら
れるとともに、さらに以下に示す作用効果を得ることが
できる。
【００６１】本実施の形態における位置合わせマーク４
０においては、環状の凸部４Ａの先端部に尖った稜線部
４Ｂが設けられ、さらに、凹部の側壁４ａ、４ｂ、４
ｃ、４ｄの上端領域部が、上方に向かうにしたがって凹
部から遠ざかるテーパ４Ｔが設けられているため、図８
に示すように、稜線部４Ｂにおいてはスパッタされる第
１金属配線層６の粒子の入射角（図２中矢印Ｒ）が平坦
部に比べて限られ、スパッタされる第１金属配線層６の
粒子があまり堆積しない。
０においては、環状の凸部４Ａの先端部に尖った稜線部
４Ｂが設けられ、さらに、凹部の側壁４ａ、４ｂ、４
ｃ、４ｄの上端領域部が、上方に向かうにしたがって凹
部から遠ざかるテーパ４Ｔが設けられているため、図８
に示すように、稜線部４Ｂにおいてはスパッタされる第
１金属配線層６の粒子の入射角（図２中矢印Ｒ）が平坦
部に比べて限られ、スパッタされる第１金属配線層６の
粒子があまり堆積しない。
【００６２】その結果、この稜線部４Ｂでの第１金属配
線層６の結晶粒の成長および第１金属配線層６の配線層
材料の流動が抑制される。
線層６の結晶粒の成長および第１金属配線層６の配線層
材料の流動が抑制される。
【００６３】したがって、本実施の形態においても、実
施の形態１と同様に、側壁４ａ、４ｂの凸部４Ａに対向
する面、および、凸部４Ａの側壁４ａ、４ｂに対向する
面には、側壁４ａ、４ｂとほぼ平行となる第１金属配線
層６の側面６０ａ、６０ｂ、６１ａ、６１ｂが形成され
（図８中Ａで囲む領域）、第１金属配線層６があまり堆
積されない稜線部４Ｂが形成される。
施の形態１と同様に、側壁４ａ、４ｂの凸部４Ａに対向
する面、および、凸部４Ａの側壁４ａ、４ｂに対向する
面には、側壁４ａ、４ｂとほぼ平行となる第１金属配線
層６の側面６０ａ、６０ｂ、６１ａ、６１ｂが形成され
（図８中Ａで囲む領域）、第１金属配線層６があまり堆
積されない稜線部４Ｂが形成される。
【００６４】この第１金属配線層６の側面６０ａ、６０
ｂ、６１ａ、６１ｂおよび稜線部４Ｂの、図７中Ｘ−
Ｘ’線矢視断面図にしたがった検出信号強度は、図９に
示すようになり、レジスト膜側位置合わせマーク９の側
面９ａ、９ｂに対応する信号Ｐ１、Ｐ４、および第１金
属配線層６の側面６０ａ、６０ｂ、６１ａ、６１ｂに対
応する信号Ｐ２、Ｐ５、Ｐ３、Ｐ６以外に、強度が大き
くかつピークが明確である稜線部４Ｂに対応する信号Ｐ
１０、Ｐ１１を検出することができる。
ｂ、６１ａ、６１ｂおよび稜線部４Ｂの、図７中Ｘ−
Ｘ’線矢視断面図にしたがった検出信号強度は、図９に
示すようになり、レジスト膜側位置合わせマーク９の側
面９ａ、９ｂに対応する信号Ｐ１、Ｐ４、および第１金
属配線層６の側面６０ａ、６０ｂ、６１ａ、６１ｂに対
応する信号Ｐ２、Ｐ５、Ｐ３、Ｐ６以外に、強度が大き
くかつピークが明確である稜線部４Ｂに対応する信号Ｐ
１０、Ｐ１１を検出することができる。
【００６５】その結果、信号Ｐ１と信号Ｐ２との距離Ｌ
１、信号Ｐ１と信号Ｐ３との距離Ｌ２、信号Ｐ４と信号
Ｐ５との距離Ｒ１、信号Ｐ４と信号Ｐ５との距離Ｒ２に
加え、信号Ｐ１と信号Ｐ１０との距離Ｌ３および信号Ｐ
４と信号Ｐ１１との距離Ｒ３を正確に測定することが可
能になる。
１、信号Ｐ１と信号Ｐ３との距離Ｌ２、信号Ｐ４と信号
Ｐ５との距離Ｒ１、信号Ｐ４と信号Ｐ５との距離Ｒ２に
加え、信号Ｐ１と信号Ｐ１０との距離Ｌ３および信号Ｐ
４と信号Ｐ１１との距離Ｒ３を正確に測定することが可
能になる。
【００６６】また、図７中Ｘ−Ｘ’線とは異なる位置に
おいて第１金属配線層６の側面６０ａ、６０ｂ、６１
ａ、６１ｂの信号強度を測定した場合においても、平面
的に観察した場合、凹凸が減少するため均一な測定結果
を得ることができる。
おいて第１金属配線層６の側面６０ａ、６０ｂ、６１
ａ、６１ｂの信号強度を測定した場合においても、平面
的に観察した場合、凹凸が減少するため均一な測定結果
を得ることができる。
【００６７】なお、上記信号強度の測定においては、Ｘ
−Ｘ’線方向の、側壁４ａ、４ｂに関する場合について
述べたが、側壁４ｃ、４ｄについても同様の作用効果を
得ることができる。
−Ｘ’線方向の、側壁４ａ、４ｂに関する場合について
述べたが、側壁４ｃ、４ｄについても同様の作用効果を
得ることができる。
【００６８】（実施の形態３）本実施の形態における位
置合わせマーク４１の構造について、図１４および図１
５を参照して説明する。なお、位置合わせマーク４１
は、実施の形態１および実施の形態２とは異なり、図２
１の断面図で示す層間絶縁膜７に設けられる。
置合わせマーク４１の構造について、図１４および図１
５を参照して説明する。なお、位置合わせマーク４１
は、実施の形態１および実施の形態２とは異なり、図２
１の断面図で示す層間絶縁膜７に設けられる。
【００６９】なお、実施の形態１および実施の形態２と
同一箇所には同一符号を付し、その詳細な説明は省略す
る。また、図１４は、層間絶縁膜７に設けられた位置合
わせマーク４１の平面図であり、説明の便宜上、第２金
属配線層８は２点鎖線で示している。また図１５は、図
１４中Ｘ−Ｘ’線矢視断面図である。
同一箇所には同一符号を付し、その詳細な説明は省略す
る。また、図１４は、層間絶縁膜７に設けられた位置合
わせマーク４１の平面図であり、説明の便宜上、第２金
属配線層８は２点鎖線で示している。また図１５は、図
１４中Ｘ−Ｘ’線矢視断面図である。
【００７０】両図を参照して、絶縁層としての層間絶縁
膜７は、互いに平行に配置された２本の下層配線層とし
ての第１金属配線層６の上に設けられている。また、こ
の層間絶縁膜７に設けられた位置合わせマーク４１は、
互いに平行に配置された２本の下層配線層６の間に設け
られており、平面形状が四角形であり、対向する側壁４
１ａ、４１ｂと対向する側壁４１ｃ、４１ｄとを有する
凹部からなる。
膜７は、互いに平行に配置された２本の下層配線層とし
ての第１金属配線層６の上に設けられている。また、こ
の層間絶縁膜７に設けられた位置合わせマーク４１は、
互いに平行に配置された２本の下層配線層６の間に設け
られており、平面形状が四角形であり、対向する側壁４
１ａ、４１ｂと対向する側壁４１ｃ、４１ｄとを有する
凹部からなる。
【００７１】層間絶縁膜７は、プラズマ酸化膜からなる
下層７ａ、ＳＯＧからなる中間層７ｂおよびプラズマ酸
化膜からなる上層７ｃの３層構造からなる。また、凹部
においては、下層７ａおよび上層７ｃが中間層７ｂより
も上記凹部の内側に突出する露出面が形成されており、
中間層７ｂの上部には、露出面の傾きが（図１５中Ｑで
示す角度）９０°以上になる側面７ｅが設けられてい
る。
下層７ａ、ＳＯＧからなる中間層７ｂおよびプラズマ酸
化膜からなる上層７ｃの３層構造からなる。また、凹部
においては、下層７ａおよび上層７ｃが中間層７ｂより
も上記凹部の内側に突出する露出面が形成されており、
中間層７ｂの上部には、露出面の傾きが（図１５中Ｑで
示す角度）９０°以上になる側面７ｅが設けられてい
る。
【００７２】また、上層７ｃの露出面の上端領域には、
上方に向かうにしたがって凹部から遠ざかるテーパ７ｆ
が設けられている。この上層７ｃに設けられるテーパ７
ｆおよび中間層７ｂに設けられる側面７ｅにより成膜制
御領域を構成する。
上方に向かうにしたがって凹部から遠ざかるテーパ７ｆ
が設けられている。この上層７ｃに設けられるテーパ７
ｆおよび中間層７ｂに設けられる側面７ｅにより成膜制
御領域を構成する。
【００７３】次に、上記構造よりなる位置合わせマーク
４１の製造方法について、図１７および図１８を参照し
て説明する。なお、図１７および図１８は、図１４中Ｘ
−Ｘ’線断面にしたがった断面図である。
４１の製造方法について、図１７および図１８を参照し
て説明する。なお、図１７および図１８は、図１４中Ｘ
−Ｘ’線断面にしたがった断面図である。
【００７４】図１７を参照して、層間絶縁膜５の上に互
いに平行に配置された２本の下層配線層６を形成する。
その後、２本の下層配線層６を覆うように膜厚さ０．１
μｍ〜０．５μｍのプラズマ酸化膜からなる下層７ａ、
膜厚さ０．２μｍ〜０．４μｍのＳＯＧからなる中間層
７ｂおよび膜厚さ０．３μｍ〜１．０μｍプラズマ酸化
膜からなる上層７ｃを形成する。
いに平行に配置された２本の下層配線層６を形成する。
その後、２本の下層配線層６を覆うように膜厚さ０．１
μｍ〜０．５μｍのプラズマ酸化膜からなる下層７ａ、
膜厚さ０．２μｍ〜０．４μｍのＳＯＧからなる中間層
７ｂおよび膜厚さ０．３μｍ〜１．０μｍプラズマ酸化
膜からなる上層７ｃを形成する。
【００７５】このように層間絶縁膜７を３層構造とする
のは、ＳＯＧは膜特性は良いが、段差被覆性の観点から
は下層の形状をそのまま反映し段差を生じやすい。一
方、プラズマ酸化膜は膜特性は悪いが、段差被覆性の観
点からは下層の形状に影響を受けず段差が生じ難い。そ
こで、これらの膜を上述のように組合わせることによ
り、層間絶縁膜７に要求される膜特性を維持さながら、
層間絶縁膜７の表面の平坦化を図ろうとするものであ
る。
のは、ＳＯＧは膜特性は良いが、段差被覆性の観点から
は下層の形状をそのまま反映し段差を生じやすい。一
方、プラズマ酸化膜は膜特性は悪いが、段差被覆性の観
点からは下層の形状に影響を受けず段差が生じ難い。そ
こで、これらの膜を上述のように組合わせることによ
り、層間絶縁膜７に要求される膜特性を維持さながら、
層間絶縁膜７の表面の平坦化を図ろうとするものであ
る。
【００７６】その後、上層７ｃの上に、互いに平行に配
置された２本の下層配線層６の間に対応する位置に開口
パターン１１ａを有するレジスト膜１１を形成する。
置された２本の下層配線層６の間に対応する位置に開口
パターン１１ａを有するレジスト膜１１を形成する。
【００７７】次に、図１８を参照して、開口パターン１
１ａを有するレジスト膜１１をマスクにして、層間絶縁
膜７のエッチングを行なう。
１ａを有するレジスト膜１１をマスクにして、層間絶縁
膜７のエッチングを行なう。
【００７８】このときのエッチングは、等方性のウエッ
トエッチングと異方性のドライエッチングとの組合わせ
により行なわれる。ウエットエッチングの条件は、エッ
チング液としてバッファドフッ酸（ＢＨＦ）を水で希釈
したものが用いられ、エッチング液の濃度は、ＢＨＦ：
水＝１：数〜数１０、エッチング時間は数分である。
トエッチングと異方性のドライエッチングとの組合わせ
により行なわれる。ウエットエッチングの条件は、エッ
チング液としてバッファドフッ酸（ＢＨＦ）を水で希釈
したものが用いられ、エッチング液の濃度は、ＢＨＦ：
水＝１：数〜数１０、エッチング時間は数分である。
【００７９】ドライエッチングの条件は、エッチャント
としてＣ4 Ｆ8 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3、Ｏ2 、Ａｒなどが
用いられ、ガス圧は１×１０-5Ｔｏｒｒ〜数１０Ｔｏｒ
ｒ、電圧は交流バイアス数１０Ｗ〜数１０００Ｗまたは
直流バイアス、マイクロ波などである。
としてＣ4 Ｆ8 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3、Ｏ2 、Ａｒなどが
用いられ、ガス圧は１×１０-5Ｔｏｒｒ〜数１０Ｔｏｒ
ｒ、電圧は交流バイアス数１０Ｗ〜数１０００Ｗまたは
直流バイアス、マイクロ波などである。
【００８０】このエッチング処理により、２本の下層配
線層６の近傍に設けられた下層７ａおよび中間層７ｂの
段差被覆性の関係から、中間層７ｂが最も露出するとと
もに、下層７ａおよび上層７ｃが中間層７ｂよりも上記
凹部の内側に突出する露出面が形成される。その結果、
中間層７ｂの上部には、露出面の傾きが９０°以上にな
る側面７ｅが形成され、また、上層７ｃの露出面の上端
領域には、上方に向かうにしたがって凹部から遠ざかる
テーパ７ｆが形成される。
線層６の近傍に設けられた下層７ａおよび中間層７ｂの
段差被覆性の関係から、中間層７ｂが最も露出するとと
もに、下層７ａおよび上層７ｃが中間層７ｂよりも上記
凹部の内側に突出する露出面が形成される。その結果、
中間層７ｂの上部には、露出面の傾きが９０°以上にな
る側面７ｅが形成され、また、上層７ｃの露出面の上端
領域には、上方に向かうにしたがって凹部から遠ざかる
テーパ７ｆが形成される。
【００８１】その後、レジスト膜６を除去することによ
り、本実施の形態における位置合わせマーク４１が完成
する。
り、本実施の形態における位置合わせマーク４１が完成
する。
【００８２】このように本実施の形態における位置合わ
せマーク４１によれば、図１５を参照して、位置合わせ
マーク４１の上に高温スパッタ技術により、アルミなど
からなる第２金属配線層８を成膜した場合、上層７ｃに
設けられるテーパ７ｆ、および、中間層７ｂに設けられ
る側面７ｅからなる成膜制御領域により、スパッタされ
る第２金属配線層８の粒子の入射角（図１５中矢印Ｒ）
に対して影を形成する。そのため、凹部の内側に露出す
る中間層７ｂには，スパッタされる第２金属配線層８の
粒子があまり入り込まないため、この部分には第２金属
配線層８の堆積量が少なくなる。
せマーク４１によれば、図１５を参照して、位置合わせ
マーク４１の上に高温スパッタ技術により、アルミなど
からなる第２金属配線層８を成膜した場合、上層７ｃに
設けられるテーパ７ｆ、および、中間層７ｂに設けられ
る側面７ｅからなる成膜制御領域により、スパッタされ
る第２金属配線層８の粒子の入射角（図１５中矢印Ｒ）
に対して影を形成する。そのため、凹部の内側に露出す
る中間層７ｂには，スパッタされる第２金属配線層８の
粒子があまり入り込まないため、この部分には第２金属
配線層８の堆積量が少なくなる。
【００８３】また、中間層７ｂを構成するＳＯＧは、下
層７ａおよび上層７ｃを構成するプラズマ酸化膜よりも
加熱時に放出されるＨ2 Ｏなどのガスが多い。このガス
の発生は、第２金属配線層８の材料の流動を抑制する効
果がある。したがって、中間層７ｂの露出面積を下層７
ａおよび上層７ｃよりも多く露出させるようにすること
で、上記効果を効果的に実現することが可能になる。
層７ａおよび上層７ｃを構成するプラズマ酸化膜よりも
加熱時に放出されるＨ2 Ｏなどのガスが多い。このガス
の発生は、第２金属配線層８の材料の流動を抑制する効
果がある。したがって、中間層７ｂの露出面積を下層７
ａおよび上層７ｃよりも多く露出させるようにすること
で、上記効果を効果的に実現することが可能になる。
【００８４】以上により、凹部の内側に露出する中間層
７ｂでの第２金属配線層８の結晶粒の成長および配線層
材料の流動が抑制される。したがって、凹部の内側に露
出する上層７ｃの露出部分にはほぼ垂直となる第２金属
配線層８の側面８０ａ、８０ｂ（図１５中Ａで囲む領
域）が形成される。
７ｂでの第２金属配線層８の結晶粒の成長および配線層
材料の流動が抑制される。したがって、凹部の内側に露
出する上層７ｃの露出部分にはほぼ垂直となる第２金属
配線層８の側面８０ａ、８０ｂ（図１５中Ａで囲む領
域）が形成される。
【００８５】この第２金属配線層８の側面８０ａ、８０
ｂの、図１４中Ｘ−Ｘ’線矢視断面図にしたがった検出
信号強度は、図１６に示すようになり、強度が大きくか
つピークが明確である、レジスト膜側位置合わせマーク
９の側面９ａ、９ｂに対応する信号Ｐ１、Ｐ３、および
第２金属配線層８の側面８０ａ、８０ｂに対応する信号
Ｐ２、Ｐ４を検出することができる。
ｂの、図１４中Ｘ−Ｘ’線矢視断面図にしたがった検出
信号強度は、図１６に示すようになり、強度が大きくか
つピークが明確である、レジスト膜側位置合わせマーク
９の側面９ａ、９ｂに対応する信号Ｐ１、Ｐ３、および
第２金属配線層８の側面８０ａ、８０ｂに対応する信号
Ｐ２、Ｐ４を検出することができる。
【００８６】その結果、信号Ｐ１と信号Ｐ３の距離Ｌ
１、信号Ｐ２信号Ｐ４との距離Ｒ１を正確に測定するこ
とが可能になる。
１、信号Ｐ２信号Ｐ４との距離Ｒ１を正確に測定するこ
とが可能になる。
【００８７】また、図１４Ｘ−Ｘ’線とは異なる位置に
おいて第２金属配線層８の側面８０ａ、８０ｂの信号強
度を測定した場合においても、平面的に観察した場合、
凹凸が減少するため均一な測定結果を得ることができ
る。
おいて第２金属配線層８の側面８０ａ、８０ｂの信号強
度を測定した場合においても、平面的に観察した場合、
凹凸が減少するため均一な測定結果を得ることができ
る。
【００８８】なお、上記信号強度の測定においては、Ｘ
−Ｘ’線方向の、側壁４１ａ、４１ｂに関する場合につ
いて述べたが、側壁４１ｃ、４１ｄについても同様の作
用効果を得ることができる。
−Ｘ’線方向の、側壁４１ａ、４１ｂに関する場合につ
いて述べたが、側壁４１ｃ、４１ｄについても同様の作
用効果を得ることができる。
【００８９】なお、成膜制御領域としてのテーパ７ｆお
よび側面７ｅを形成するため、上述したように、層間絶
縁膜７のを構成する下層７ａ、中間層７ｂおよび上層７
ｃのエッチングレートの違いを利用するようにしたが、
熱処理による収縮率の違いを利用でき、かつ、層間絶縁
膜７に要求される膜特性および段差被覆性を有する材料
であれば、ＳＯＧおよびプラズマ酸化膜に限られない。
よび側面７ｅを形成するため、上述したように、層間絶
縁膜７のを構成する下層７ａ、中間層７ｂおよび上層７
ｃのエッチングレートの違いを利用するようにしたが、
熱処理による収縮率の違いを利用でき、かつ、層間絶縁
膜７に要求される膜特性および段差被覆性を有する材料
であれば、ＳＯＧおよびプラズマ酸化膜に限られない。
【００９０】また、上記実施の形態１〜実施の形態３に
示した位置合わせマーク４、４０、４１を図１９に示す
隣接する４つのチップ５０のダイシングライン５１の間
に設けられる十字状の位置合わせマーク５２に適用する
ことによっても、各実施例で述べたのと同様の作用効果
を得ることができる。
示した位置合わせマーク４、４０、４１を図１９に示す
隣接する４つのチップ５０のダイシングライン５１の間
に設けられる十字状の位置合わせマーク５２に適用する
ことによっても、各実施例で述べたのと同様の作用効果
を得ることができる。
【００９１】ここで、信号強度の測定においてより精度
を上げる測定方法として、、図２０に示すように、第１
金属配線層６（または第２金属配線層８）とレジスト膜
９との間隔を，長さＬの間において間隔Ｄでｎ箇所（Ｘ
1 〜Ｘn ）測定する。この測定値Ｘｉ（Ｘ1 〜Ｘn ）の
平均値をＸA とすると、信号強度の測定精度の指標とな
る標準偏差σは、下記の式で表せる。
を上げる測定方法として、、図２０に示すように、第１
金属配線層６（または第２金属配線層８）とレジスト膜
９との間隔を，長さＬの間において間隔Ｄでｎ箇所（Ｘ
1 〜Ｘn ）測定する。この測定値Ｘｉ（Ｘ1 〜Ｘn ）の
平均値をＸA とすると、信号強度の測定精度の指標とな
る標準偏差σは、下記の式で表せる。
【００９２】σ＝（（Σ（Ｘｉ−ＸA ）2 ）×Ｄ）1/2 したがって、上記長さＬを長く取ることができるよう
に、位置合わせマーク５２を設けることで、信号強度の
測定精度を向上させることが可能になる。
に、位置合わせマーク５２を設けることで、信号強度の
測定精度を向上させることが可能になる。
【００９３】なお、今回開示した上記実施の形態はすべ
ての点で例示であって制限的なものではないと考えられ
るべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて
特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等
の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが
意図される。
ての点で例示であって制限的なものではないと考えられ
るべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて
特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等
の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが
意図される。
【００９４】
【発明の効果】この発明に基づいた位置合わせマークお
よびその製造方法によれば、位置合わせマーク内に成膜
制御領域を設けることにより、位置合わせマークに成膜
された配線層の位置検出を容易にかつ正確に行なうこと
が可能になる。
よびその製造方法によれば、位置合わせマーク内に成膜
制御領域を設けることにより、位置合わせマークに成膜
された配線層の位置検出を容易にかつ正確に行なうこと
が可能になる。
【図１】 実施の形態１における層間絶縁膜５に設けら
れた位置合わせマーク４の平面図である。
れた位置合わせマーク４の平面図である。
【図２】 図１中Ｘ−Ｘ’線矢視断面図である。
【図３】 図１中Ｘ−Ｘ’線矢視断面図にしたがった検
出信号強度を示す図である。
出信号強度を示す図である。
【図４】 実施の形態１における位置合わせマーク４の
製造方法を示す第１工程断面図である。
製造方法を示す第１工程断面図である。
【図５】 実施の形態１における位置合わせマーク４の
製造方法を示す第２工程断面図である。
製造方法を示す第２工程断面図である。
【図６】 実施の形態１における位置合わせマーク４の
製造方法を示す第３工程断面図である。
製造方法を示す第３工程断面図である。
【図７】 実施の形態２における層間絶縁膜５に設けら
れた位置合わせマーク４０の平面図である。
れた位置合わせマーク４０の平面図である。
【図８】 図７中Ｘ−Ｘ’線矢視断面図である。
【図９】 図７中Ｘ−Ｘ’線矢視断面図にしたがった検
出信号強度を示す図である。
出信号強度を示す図である。
【図１０】 実施の形態２における位置合わせマーク４
０の製造方法を示す第１工程断面図である。
０の製造方法を示す第１工程断面図である。
【図１１】 実施の形態２における位置合わせマーク４
０の製造方法を示す第２工程断面図である。
０の製造方法を示す第２工程断面図である。
【図１２】 実施の形態２における位置合わせマーク４
０の製造方法を示す第３工程断面図である。
０の製造方法を示す第３工程断面図である。
【図１３】 実施の形態２における位置合わせマーク４
０の製造方法を示す第４工程断面図である。
０の製造方法を示す第４工程断面図である。
【図１４】 実施の形態３における層間絶縁膜７に設け
られた位置合わせマーク４１の平面図である。
られた位置合わせマーク４１の平面図である。
【図１５】 図１４中Ｘ−Ｘ’線矢視断面図である。
【図１６】 図１４中Ｘ−Ｘ’線矢視断面図にしたがっ
た検出信号強度を示す図である。
た検出信号強度を示す図である。
【図１７】 実施の形態３における位置合わせマーク４
１の製造方法を示す第１工程断面図である。
１の製造方法を示す第１工程断面図である。
【図１８】 実施の形態３における位置合わせマーク４
１の製造方法を示す第２工程断面図である。
１の製造方法を示す第２工程断面図である。
【図１９】 各実施の形態に共通の変形例である位置合
わせマーク２１の平面図である。
わせマーク２１の平面図である。
【図２０】 信号強度の測定精度の指標となる標準偏差
σを求めるための模式図である。
σを求めるための模式図である。
【図２１】 半導体装置の積層配線構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図２２】 従来技術における層間絶縁膜５に設けられ
た位置合わせマーク４の平面図である
た位置合わせマーク４の平面図である
【図２３】 図２２中Ｘ１−Ｘ１’線矢視断面図であ
る。
る。
【図２４】 図２２中Ｘ１−Ｘ１’線矢視断面図にした
がった検出信号強度を示す図である。
がった検出信号強度を示す図である。
【図２５】 図２２中Ｘ２−Ｘ２’線矢視断面図にした
がった検出信号強度を示す図である。
がった検出信号強度を示す図である。
【図２６】 図２２中Ｘ３−Ｘ３’線矢視断面図にした
がった検出信号強度を示す図である。
がった検出信号強度を示す図である。
４，４０，４１，５２ 位置合わせマーク、４Ａ 凸
部、４Ｂ 稜線部、４Ｔテーパ、４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄ 側壁、５ 層間絶縁膜、６ 第１金属配線層、７
層間絶縁膜、７ａ 下層、７ｂ 中間層、７ｃ 上層、
７ｅ，９ａ，９ｂ 側面、７ｆ テーパ、８ 第２金属
配線層、９ レジスト膜側位置合わせマーク、１０，１
１ レジスト膜、１０ａ 開口パターン、１０ｂ 残存
パターン、１１ａ 開口パターン、５０ チップ、５１
ダイシングライン、４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１
ｄ，６０ａ，６０ｂ，６１ａ，６１ｂ，８０ａ，８０ｂ
側面。
部、４Ｂ 稜線部、４Ｔテーパ、４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄ 側壁、５ 層間絶縁膜、６ 第１金属配線層、７
層間絶縁膜、７ａ 下層、７ｂ 中間層、７ｃ 上層、
７ｅ，９ａ，９ｂ 側面、７ｆ テーパ、８ 第２金属
配線層、９ レジスト膜側位置合わせマーク、１０，１
１ レジスト膜、１０ａ 開口パターン、１０ｂ 残存
パターン、１１ａ 開口パターン、５０ チップ、５１
ダイシングライン、４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１
ｄ，６０ａ，６０ｂ，６１ａ，６１ｂ，８０ａ，８０ｂ
側面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木本 美津男 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F046 EA02 EA04 EA12 EA18 EA23 EA26
Claims (10)
- 【請求項１】 絶縁層の上に形成される配線層の位置を
検出するため、前記絶縁層に形成され、平面形状が略矩
形形状であり２組の対向する側壁を有する凹部からなる
位置合わせマークであって、 前記凹部は、前記配線層の成膜時に、前記凹部内に形成
される前記配線層の前記側壁に対向する面に、前記側壁
とほぼ平行となる側面を形成するための成膜制御領域を
備える、位置合わせマーク。 - 【請求項２】 前記成膜制御領域は、前記凹部内におい
て前記側壁に対して対向するように配置される凸部を含
む、請求項１に記載の位置合わせマーク。 - 【請求項３】 前記凹部の上端部は、尖った稜線部を有
し、かつ、前記側壁の前記凹部に面する上端領域には、
上方に向かうにしたがって前記凸部から遠ざかるテーパ
が設けられる、請求項２に記載の位置合わせマーク。 - 【請求項４】 前記絶縁層は前記配線層が延びる方向に
交差する方向に互いに平行に配置される２本の下層配線
層の上に設けられ、 前記凹部は２本の前記下層配線層の間に位置する前記絶
縁層に設けられ、 前記絶縁層は、下層、中間層および上層の３層構造から
なり、 前記成膜制御領域は、前記凹部において、前記上層が前
記中間層よりも前記凹部の内側に突出する露出面と、前
記露出面の前記上層の上端領域において上方に向かうに
したがって前記凹部から遠ざかるテーパとにより形成さ
れる、請求項１に記載の位置合わせマーク。 - 【請求項５】 絶縁層の上に形成される配線層の位置を
検出するため、前記絶縁層に形成され、平面形状が矩形
形状であり２組の対向する側壁を有する凹部からなり、
前記凹部内において前記側壁に対して対向するように配
置される凸部を含む、位置合わせマークの製造方法であ
って、 前記絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層の上に、平面形状が矩形形状の開口パターン
と、前記開口パターンの内周壁に対向するよう所定距離
隔てた位置に設けられる凸パターンとを有するレジスト
膜を形成する工程と、 エッチングにより、前記レジスト膜をマスクにして前記
絶縁層のパターンニングを行ない、２組の対向する側壁
を有する前記凹部と、前記凹部内において前記側壁に対
して対向するように配置される前記凸部を形成する工程
と、を備える、位置合わせマークの製造方法。 - 【請求項６】 前記凹部および前記凸部を形成する工程
は、 前記ウエットエッチングにより、前記レジスト膜をマス
クにして前記絶縁層の第１パターンニングを行なう工程
と、 記絶縁層の第１パターンニングを行なった後に、ドライ
エッチングにより、前記レジスト膜をマスクにして前記
絶縁層の第２パターンニングを行なう工程と、を含む、
請求項５に記載の位置合わせマークの製造方法。 - 【請求項７】 互いに平行に配置される２本の下層配線
層と、２本の前記下層配線層の上方で交差するように形
成される配線層の位置を検出するため、前記下層配線層
と前記配線層との間に設けられる絶縁層に形成される平
面形状がほぼ矩形形状の凹部からなる位置合わせマーク
の製造方法であって、 互いに平行に配置される２本の前記下層配線層を形成す
る工程と、 ２本の前記下層配線層の上に前記絶縁層を形成する工程
と、 平行に配置される２本の前記配線層の間に位置する前記
絶縁層に前記凹部設けるため、前記凹部に該当する領域
に開口部を有するレジスト膜を前記絶縁層の上に形成す
る工程と、 エッチングにより、前記レジスト膜をマスクにして前記
絶縁層のパターンニングを行なう工程と、を備え、 前記絶縁層を形成する工程は、下層、中層および上層の
３層構造を形成する工程を含む、位置合わせマークの製
造方法。 - 【請求項８】 前記絶縁層のパターンニングを行なう工
程は、 ウエットエッチングとドライエッチングとの組合わせに
より前記レジスト膜をマスクにして前記絶縁層のパター
ンニングを行なう、請求項７に記載の位置合わせマーク
の製造方法。 - 【請求項９】 前記下層および上層は、前記中層よりも
同一エッチング材に対して、エッチング速度が相対的に
遅い材料が用いられる、請求項８に記載の位置合わせマ
ークの製造方法。 - 【請求項１０】 前記下層および上層は、前記中層より
も熱加工に対する熱収縮率が相対的に小さい材料が用い
られる、請求項８に記載の位置合わせマークの製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10191828A JP2000021737A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | 位置合わせマークおよびその製造方法 |
| US09/280,649 US6304001B1 (en) | 1998-07-07 | 1999-03-29 | Semiconductor device with alignment mark and manufacturing method thereof |
| TW088106705A TW407310B (en) | 1998-07-07 | 1999-04-27 | Adjustment mark for aligning the location of a semiconductor device and manufacture method thereof |
| KR1019990016193A KR100326911B1 (ko) | 1998-07-07 | 1999-05-06 | 반도체 장치의 위치 정렬마크 및 그 제조방법 |
| DE19921015A DE19921015A1 (de) | 1998-07-07 | 1999-05-06 | Halbleitervorrichtung mit einer Justiermarke und Herstellungsverfahren derselben |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10191828A JP2000021737A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | 位置合わせマークおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021737A true JP2000021737A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16281205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10191828A Withdrawn JP2000021737A (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | 位置合わせマークおよびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6304001B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000021737A (ja) |
| KR (1) | KR100326911B1 (ja) |
| DE (1) | DE19921015A1 (ja) |
| TW (1) | TW407310B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020021773A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100493410B1 (ko) * | 2001-03-15 | 2005-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 얼라인먼트 마크 |
| US9076821B2 (en) * | 2007-04-30 | 2015-07-07 | Infineon Technologies Ag | Anchoring structure and intermeshing structure |
| DE102007020263B4 (de) * | 2007-04-30 | 2013-12-12 | Infineon Technologies Ag | Verkrallungsstruktur |
| CN102689366A (zh) * | 2011-03-23 | 2012-09-26 | 正恩科技有限公司 | 晶圆破片边缘的米字搜寻方法 |
| US10297516B2 (en) * | 2016-03-30 | 2019-05-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor device |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56140626A (en) * | 1980-04-02 | 1981-11-04 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPH03270233A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Fujitsu Ltd | 金属配線層の平坦化方法 |
| JPH07335721A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | アライメントマークを有する半導体装置 |
| US5872042A (en) * | 1996-08-22 | 1999-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for alignment mark regeneration |
| US5958800A (en) * | 1996-10-07 | 1999-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for post planarization metal photolithography |
| US6020249A (en) * | 1997-07-10 | 2000-02-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for photo alignment after CMP planarization |
| US5933744A (en) * | 1998-04-02 | 1999-08-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Alignment method for used in chemical mechanical polishing process |
| US6100158A (en) * | 1999-04-30 | 2000-08-08 | United Microelectronics Corp. | Method of manufacturing an alignment mark with an etched back dielectric layer and a transparent dielectric layer and a device region on a higher plane with a wiring layer and an isolation region |
-
1998
- 1998-07-07 JP JP10191828A patent/JP2000021737A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-03-29 US US09/280,649 patent/US6304001B1/en not_active Expired - Fee Related
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