JP2016536567A - 接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッド及び製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は半導体検査に使われる半導体検査パッドに関し、より詳しくは、金属薄板にフィルムを付着して１次シートを製造し、前記１次シートの金属薄板をエッチングし、積層した後、垂直切断して製造される、接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッド及び製造方法に関する。【解決手段】本発明は、伝導性金属薄板に絶縁性フィルムを付着して１次シートが製造されるシート製造ステップと、前記１次シートの金属薄板を複数個のラインが形成されるようにエッチングして各ライン上の導電体が所定の距離だけ離隔した２次シートが製造されるエッチングステップと、前記２次シートを複数個積層して１つのスタックが製造される積層ステップと、前記積層されたスタックを所定の厚さに垂直切断する切断ステップとを含むことを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明は接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッド及び製造方法に関し、より詳しくは、金属薄板にフィルムを付着して１次シートを製造し、前記１次シートの金属薄板をエッチングし、積層した後、垂直切断して製造される、接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッド及び製造方法に関する。

一般に、半導体の製造において電気的性能を検査して半導体製造の異常の有無を確認するようになるが、半導体素子の端子と電気的に接触できるように形成された半導体テストソケットを半導体素子と検査回路基板との間に挿入した状態で検査が遂行される。また、半導体テストソケットは半導体素子の検査の他にも半導体素子の製造過程のうち、バーン−イン（Ｂｕｒｎ−Ｉｎ）テスト過程でも使われている。

半導体素子の集積化技術の発達と小型化の趨勢によって半導体素子の端子、即ちリードのサイズ及び間隔も微細化する趨勢であり、それによってテストソケットの導電パターン相互間の間隔も微細に形成する方法が要求されている。したがって、既存のポゴ（Ｐｏｇｏ）タイプの半導体テストソケットでは集積化される半導体素子をテストすることに限界があった。

さらに、半導体テストソケットの電気的接続のための端子またはプローブが半導体に直接的に接触しながら、微細化され薄くなった半導体が物理的に損傷される問題点があり、現在まで使用化された電極間最小ピッチは２５０μｍで、より縮小化されたピッチの必要性があった。

上記の問題点を解決するために提案された技術として、弾性材質のシリコン素材で製作されるシリコン本体の上に垂直方向に打孔パターンを形成した後、打孔されたパターンの内部に導電性粉末を充填して導電パターンを形成する技術が広く使われている。

しかしながら、導電性粉末を充填する方法は半導体検査パッドの耐久性が落ちて導電体をなす粉末が離脱して反復使用可能回数が低下する問題点があった。

また、半導体検査パッドの微細なピッチを製作するために、伝導性シートと絶縁性シートとを交差積層した後、数十マイクロメータの微細な厚さに垂直切断し、また積層して垂直切断する方法が考案されたが、微細な厚さに垂直切断すれば、薄い厚さによって導電体が本来あるべき位置から離脱する問題と、微細な厚さに切断し難いという問題点があった。

本発明の目的は、前述したような問題点を解決するために案出したものであって、導電性粉末を利用しなくて耐久性が向上した接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドを提供することにある。

本発明の他の目的は、各導電体の間の距離が数十マイクロメータの微細なピッチを有する接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドを提供することにある。

本発明の更に他の目的は、既存の積層方法を通じての製造方法に比べて簡単な工程により製造される接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法を提供することにある。

前記の目的を達成するために本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッド及びその製造方法は、絶縁性フィルムの一面に伝導性金属薄板を付着して１次シートが製造されるシート製造ステップ（Ｓ１）、前記１次シートの金属薄板を複数個のラインが形成されるようにエッチングして各ライン上の導電体が所定の距離だけ離隔した２次シートが製造されるエッチングステップ（Ｓ２）、前記２次シートを複数個積層して１つのスタックが製造される積層ステップ（Ｓ３）、及び前記積層されたスタックを所定の厚さに垂直切断する切断ステップ（Ｓ４）を含むことを特徴とする。

また、前記フィルムは、シリコン、ウレタン、ＰＩ、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥ、ＰＰ、ＰＴ、ゴムのうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする。

また、前記積層ステップは、ライン上の導電体が形成された２次シートの上部に接着剤を塗布し、前記接着剤で構成された接着層を用いて複数個の２次シートを積層することを特徴とする。

また、前記接着層は、シリコン、ウレタン、ＰＩ、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥ、ＰＰ、ＰＴ、ゴムのうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする。

また、前記切断ステップの以後に検査パッドの表面に無電解メッキを行って導電体の酸化を防止するメッキステップをさらに含むことを特徴とする。

また、前記金属薄板は、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃのうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする。

また、四角形の断面にＹ軸方向に所定の長さを有する絶縁体で構成された第１層と、前記第１層とＺ軸方向に同一な高さとＹ軸方向に同一な長さを有する四角形断面の絶縁体を一定の間隔毎にＺ軸方向に貫通する複数個の四角形導電体で構成された第２層と、前記第１層と第２層とがＸ軸方向に交差積層されて全体的に四角形のパッドをなして、前記パッドのＸ軸両端部には第１層が位置することを特徴とする。

また、前記導電体の上面と下面にメッキ層をさらに含むことを特徴とする。

前述したように、本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドは、金属薄板の積層を用いて導電体が高い耐久性を有する効果がある。

また、本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドは、各導電体の間の距離が数十マイクロメータの微細なピッチを有することができるので、より直接化されている半導体に適用可能な効果がある。

また、本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法は、既存の積層方法を通じての製造方法に比べて簡単な工程により製造が可能であり、生産性及び品質が向上する効果がある。

本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法を示す順序図である。 本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、シート製造ステップを示す斜視図である。 本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、エッチングステップを示す斜視図である。 本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、積層ステップの接着剤塗布を示す図である。 本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、積層ステップの積層を示す斜視図である。 本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、切断ステップを示す斜視図である。 本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドを示す斜視図である。

以下、本発明の好ましい実施形態を添付した図面を参照して説明すれば、次の通りである。

図１は本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法を示す順序図であり、図２は本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、シート製造ステップを示す斜視図であり、図３は本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、エッチングステップを示す斜視図であり、図４は本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、積層ステップの接着剤塗布を示す図であり、図５は本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、積層ステップの積層を示す斜視図であり、図６は本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、切断ステップを示す斜視図であり、図７は本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドを示す斜視図である。

図１に示すように、本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法は、シート製造ステップ（Ｓ１）、エッチングステップ（Ｓ２）、積層ステップ（Ｓ３）、切断ステップ（Ｓ４）に進行され、絶縁性のフィルムに伝導性の金属薄板を付着して１次シートが製造されるシート製造ステップ（Ｓ１）、前記１次シートの金属薄板を複数個のラインが形成されるようにエッチングして各ライン上の導電体が所定の距離だけ離隔した２次シートが製造されるエッチングステップ（Ｓ２）、前記２次シートを複数個積層して１つのスタックが製造される積層ステップ（Ｓ３）、及び前記積層されたスタックを所定の厚さに垂直切断する切断ステップ（Ｓ４）を含むことを特徴とする。

また、切断ステップ（Ｓ４）の以後に導電体の露出面にメッキ処理を進行するメッキステップ（図示せず）をさらに含んで進行されることもできる。

また、前記シート製造ステップ（Ｓ１）での付着及び積層ステップ（Ｓ３）での積層は、接着剤またはプライマーを通じて付着及び積層され、前記接着剤またはプライマーは硬化後、絶縁性を帯びるものであれば、特別な制約がない。

図２に示すように、本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、シート製造ステップ（Ｓ１）は、フィルム２の一面に接着剤１０またはプライマー（以下、接着剤）を噴射した後、前記接着剤を通じてフィルム２の一面に金属薄板１を付着するようになる。

好ましい実施形態として、前記接着剤１０の塗布方法には、コーティング、ペインティング、スプレーのうちのいずれか１つの方法により塗布されることもでき、塗布量は１〜５０μｍの厚さになるように塗布することが好ましい。

また、前記接着剤は硬化された後、絶縁性を帯びるものに選択されなければならず、より高い絶縁性のために接着剤にシリコン、ウレタン、ＰＩ、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥ、ＰＰ、ＰＴ、ゴムのうちのいずれか１つをさらに含むか、またはシリコン、ウレタン、ＰＩ、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥ、ＰＰ、ＰＴ、ゴムのうちのいずれか１つを接着剤の用途として液状で塗布することもできる。

また、前記フィルム２はシリコン、ウレタン、ＰＩ、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥ、ＰＰ、ＰＴ、ゴムのうちのいずれか１つを含んだものを使用することもでき、前記金属薄板１はＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃのうちの少なくともいずれか１つを含むものを使用することもできる。

前記のようなフィルム２及び金属薄板１は接着剤を通じて１つの１次シート６０に製造され、前記１次シート６０の厚さを調節するか、または前記フィルム２と金属薄板１との間の接着力を高めるために圧延ローラ３０またはプレス（図示せず）を用いて１次シート６０の上・下面を押圧することもできる。

好ましい実施形態に、前記フィルム２はより薄い導電体間の間の距離を得るために１〜１００μｍの厚さを有するものを使用することが好ましいが、必要（使用用途及びテストする端子距離）によって１〜５０００μｍの厚さを有するフィルム２が使用されることもできる。

また、前記金属薄板１はより微細な導電体を得るために１〜１００μｍの厚さを有するものを使用することが好ましいが、必要（使用用途及びテストする端子の厚さ）によって１〜５０００μｍの厚さを有する金属薄板１が使用されることもできる。

また、他の実施形態として、前記のような接着剤を用いた付着の以外にフィルム２の一面に金属薄板１を付着するためにＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）とＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のような蒸着方法によりフィルム２の一面に金属薄板１を蒸着して付着することもできる。

図３に示すように、本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、エッチングステップ（Ｓ２）は１次シート６０を構成するフィルム２と金属薄板１のうち、金属薄板１をエッチングして２次シートに加工するものであって、より詳しくは１次シートの一面に位置した金属薄板１をエッチングして複数個のライン（Ｌｉｎｅ）形状の導電体１１を作るものであって、ライン形状を有する複数個の導電体１１は所定の間隔をおいて離隔している。

好ましい実施形態に、前記導電体１１の間の距離はフィルム２の厚さのように１〜５０μｍの長さに離隔するように金属薄板１をエッチングすることが好ましい。即ち、前記導電体１１の間の距離はフィルム２の厚さと同一であるようにフィルム２の厚さによって変わることもできる。

また、前記エッチングの厚さは各導電体１１が接しないように初期金属薄板１の厚さだけエッチングし、端部に位置した導電体１１は下部に位置した絶縁体２１の端部と所定の間隔をおいて内側に位置するように絶縁体２１の端部に位置した金属薄板１はＡのように全部エッチングすることが好ましい。

好ましい実施形態として、エッチング方法はレーザー５０を用いる方法として説明したが、導電体１１が形成される部分にフォトレジストを被覆して導電体１１が形成される以外の部分を除去する化学的腐食方法（エッチング）を用いることが高い生産性を得るために最も好ましく、図示したようにレーザー５０を用いて導電体１１が形成される以外の部分を除去する方法を用いることができる。

また、エッチング間隔を調節して導電体１１の間のピッチ（Ｐｉｔｃｈ）を調節することもでき、レーザーを用いてエッチングする場合、レーザーの入射角度によって四角形の以外に台形、平行四辺形、三角形の断面を有する導電体１１を形成することもでき、複数個のレーザー５０でより広い範囲を速くエッチングすることもできる。

図４または図５に示すように、本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、積層ステップは接着剤を塗布して接着層を形成し、積層する順に構成されている。

より詳しくは、積層ステップ（Ｓ３）の接着剤塗布は４０１に図示された２次シート６１の一面に位置した導電体１１の上面に接着剤１０を塗布して接着層３を形成するようになり、より詳しくは４０２に示すように、（Ａ）または（Ｂ）の形状に接着層３が形成できる。

好ましい実施形態として、前記接着剤１０の塗布方法には、コーティング、ペインティング、スプレーのうちのいずれか１つの方法により塗布されることもでき、接着剤１０の塗布量は４０２の（Ａ）のような形状の場合、導電体１１と同一な厚さになるように接着剤１０を塗布し、（Ｂ）のような形状の場合、導電体１１より高い厚さになるように接着剤１０を塗布することが好ましい。

図５に示すように、本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、積層ステップ（Ｓ３）の積層は２次シートを所定の高さになるように接着層３を用いて前記２次シートの上面に平行に複数個の２次シートを積層して１つのスタック（６２）を形成するようになる。

より詳しくは、積層ステップ（Ｓ３）はフィルム２と導電体１１で構成された複数個の２次シート６１を接着剤で構成された複数個の接着層３を用いて積層するものであって、前記図４と共に説明したフィルム２の一面に接着剤の塗布を通じて形成された接着層３の上部に他のフィルム２ａを付着し、他のフィルム２ａの上部に他の接着層３ａを形成する方法を反復（２ａ、３ａ、２ｂ、３ｂ、．．．）して積層した後、最上層にもう１つのフィルム２ｃを接着して積層を仕上げるようになる。

また、前記図４と共に説明した接着層３が形成された２次シート６１を複数個積層した後、また１つのフィルム２ｃを接着して積層を仕上げることもできる。

また、前記積層ステップのうち、または積層ステップの以後に接着層の押圧または乾燥を進行することもできる。

例えば、１つの２次シート６１の上面に接着層３を形成し、他の２次シートを載せて積層した後、加熱、押圧して硬化させ、更に他の２次シートを接着剤を用いて積層する順次的な方法により乾燥を進行することができる。

他の例を挙げれば、１つの２次シート６１の上面に接着層３を形成し、他の２次シートを載せて積層し、他の２次シートの上面に他の接着層を形成し、更に他の２次シートを載せて積層する方式により１つのスタック４を製造した後、加熱、押圧して硬化させることもできる。

また、加熱、押圧は硬化させるための１つの方法として加熱、押圧のうちのいずれか１つのみ進行されるか、自然乾燥による硬化が進行されることもできる。

また、前記加熱温度は３０〜１２０℃の温度が好ましいが、常温以上の温度に硬化速度を高めることができる温度であり、使われるフィルムの熔融点以下の温度であれば特別な制約はない。

また、押圧される圧力は使われる絶縁体の材質によって相異し、積層されたスタック４の断面幅が押圧時に１〜１０％の変化率内で押圧することが好ましい。

したがって、前記積層方法により複数個の２次シート６１は複数個の接着層３、３ａ、３ｂ、．．．を通じて付着されて１つのスタック６２に製造され、スタック６２は複数個の導電体１１が所定の間隔を有して複数個の列と行に配列された形状の断面を有するようになる。

図６に示すように、本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法のうち、切断ステップ（Ｓ４）はスタック６２を横方向に所定の間隔をおいて垂直切断して複数個の半導体検査パッド５を製造するようになる。

より詳しくは、スタック６２の導電体１１が形成された一面から所定の間隔をおいて一面に平行に垂直切断するものであって、切断方法はレーザーを用いるか、または ワイヤー、刃のような切断道具のうちのいずれか１つを用いた切断が可能である。

また、前記垂直切断はスタック６２の一側から所定の間隔で順次的な切断がなされるか、または複数位置の切断が同時になされることもできる。

好ましい実施形態として、前記切断間隔は半導体検査パッド５の厚さが１〜３ｍｍになるように切断することが好ましいが、半導体検査パッド５の使用条件などを勘案して、多様な条件に切断間隔を調節して製造することもできる。

図７に示すように、本発明に係る接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドは、切断ステップ（Ｓ４）の以後に１つの半導体検査パッド５に製造され、前記半導体検査パッド５は追加的なメッキステップ（図示せず）がさらに進行されることもできる。

また、四角形の断面にＹ軸方向に所定の長さを有する絶縁体で構成された第１層２１ａと、前記第１層２１ａとＺ軸方向に同一な高さとＹ軸方向に同一な長さを有する四角形断面の絶縁体（接着剤で構成された接着層）を一定の間隔毎にＺ軸方向に貫通する複数個の四角形導電体１１で構成された第２層２１ｂと、前記第１層２１ａと第２層２１ｂとがＸ軸方向に交差積層されて全体的に四角形のパッドをなして、前記パッドのＸ軸両端部には第１層２１ａが位置することを特徴とする。

上記のように、切断ステップ（Ｓ４）を通じて製造された半導体検査パッド５は、上面と下面の形状が同一であり、側面部は全て絶縁体で形成されている。

また、Ａ１のように四角形の断面を有し、Ｙ軸方向に所定の長さを有し、絶縁体（フィルム）で構成された第１層２１ａと、前記第１層２１ａのＸ軸方向の側面に前記第１層２１ａのＺ軸高さと同一な高さを有する四角形断面の絶縁体（接着剤）で構成された第２層２１ｂが形成され、前記第２層２１ｂは同一なＺ軸高さを有する複数個の導電体１１がＹ軸方向に一定に離隔してＺ軸方向に貫通されている。

前記第１層２１ａのＸ軸方向の側面に第２層２１ｂと第１層２１ａとが交差積層され、Ｘ軸両端部には第１層２１ａが形成されている。

上記のように複数個の第１層２１ａと第２層２１ｂとが交差積層されて四角形の半導体検査パッド５をなすようになる。

また、前記第２層２１ｂのＹ軸方向の両端部には導電体１１が形成されず、側面部は常に絶縁体で構成された形態となる。

また、Ｂ３のように第２層２１ｂに形成された導電体１１が第１層２１ａ方向に偏った形状のこともあり、これは半導体検査パッド５の製造過程のうち、積層ステップ（Ｓ３）の接着剤塗布方法により形成されるものであって、導電体１１より高い高さに絶縁体（接着剤）がコーティングされたものである。

また、Ｂ３が積層されて、Ｂ２のように１つのシート形状をなすようになれば、Ａ２に比べてＸ軸方向導電体１１の間の間隔に比べて広く、これは導電体１１の厚さ（Ｈ１）は同一であるが、接着剤で構成された接着層の高さ（Ｈ２）の差によるものである。

好ましい実施形態として、１０〜５０μｍの各導電体間の間の間隔と５〜３０μｍの導電体の厚さ（Ｈ１）を有することが好ましいが、接着層の厚さと金属薄板の厚さによって変動されることもでき、エッチング時に形成される導電体の上面を一部エッチングしてより微細な厚さの導電体になるようにすることもできる。

また、切断ステップ（Ｓ４）の以後に進行されることもできるメッキステップ（Ｓ５）は、半導体検査パッド５の上面及び下面に露出している導電体１１の腐食を防止するために、各導電体１１の上・下面をメッキするものであって、メッキステップ（Ｓ５）を進行した半導体検査パッド５は導電体１１の上面と下面にメッキ層をさらに含むことを特徴とする。

また、前記メッキステップ（Ｓ５）は各半導体検査パッドの外面全体をメッキするようになるが、導電体１１の以外の絶縁体（フィルム及び接着剤）はメッキ材料が付着されないので、メッキがなされない。

したがって、外面に露出している各導電体１１の上・下面のみメッキされる。

好ましい実施形態として、外部から電気エネルギーの供給を受けず、金属塩水溶液のうちの金属イオンを還元剤の力により磁気触媒的に還元させて被処理物の表面の上に金属を析出させる無電解メッキ方法によりメッキを進行することが好ましく、より高いメッキ品質のために１次メッキと２次メッキとに分けて進行することもできる。

また、１次メッキと２次メッキのメッキ材料が相異することもあり、導電体１１の反応性（金属原子が酸化されて正イオンになろうとする傾向）を比較してメッキする金属を定めるようになり、導電体１１が反応性が最も高く、１次メッキ金属、２次メッキ金属の順に反応性が低い金属を使用するようになる。

したがって、金属の反応性によって、メッキ後、導電体１１の表面の腐食が防止される効果が発生する。

例えば、導電体１１にＣｕを使用し、１次メッキのみ進行する場合、Ａｕ、ＡｇなどのＣｕより低い反応性を有する金属を使用してメッキを進行するようになる。

また、導電体１１にＣｕを使用し、１次メッキと２次メッキを進行するようになる場合、一次にＮｉ、ＡｇなどのＣｕより低い反応性を有する金属を使用して１次メッキを進行した後、２次メッキは１次メッキを進行した金属より低い反応性を有するＰｔ、Ａｕなどの金属でメッキを進行するようになる。

好ましい実施形態として、１次メッキのみ進行する場合、メッキされる厚さは１〜１０μｍが好ましく、１次メッキと２次メッキを進行するようになる場合、メッキされる総厚さが１〜１５μｍになるようにすることが好ましい。

以上、本発明は添付した図面を参照して好ましい実施形態を中心に記述されたが、当業者であれば、このような記載から本発明の範疇を逸脱することなく多くの多様な自明な変形が可能であることは明らかである。したがって、本発明の範疇はこのような多くの変形の例を含むように記述された請求範囲により解析されなければならない。

１ 金属薄板
２ フィルム
３ 接着層
５ 半導体検査パッド
１０ 接着剤
１１ 導電体
３０ 圧延ローラ
５０ レーザー
６０ １次シート
６１ ２次シート
６２ スタック

Claims (8)

1. 絶縁性フィルムの一面に伝導性金属薄板を付着して１次シートが製造されるシート製造ステップ（Ｓ１）と、
   前記１次シートの金属薄板を複数個のラインが形成されるようにエッチングして各ライン上の導電体が所定の距離だけ離隔した２次シートが製造されるエッチングステップ（Ｓ２）と、
   前記２次シートを複数個積層して１つのスタックが製造される積層ステップ（Ｓ３）と、
   前記積層されたスタックを所定の厚さに垂直切断する切断ステップ（Ｓ４）と、
   を含むことを特徴とする、接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法。
2. 前記フィルムは、シリコン、ウレタン、ＰＩ、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥ、ＰＰ、ＰＴ、ゴムのうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法。
3. 前記積層ステップはライン上の導電体が形成された２次シートの上部に接着剤を塗布し、
   前記接着剤で構成された接着層を用いて複数個の２次シートを積層することを特徴とする、請求項１に記載の接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法。
4. 前記接着層は、シリコン、ウレタン、ＰＩ、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥ、ＰＰ、ＰＴ、ゴムのうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする、請求項３に記載の接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法。
5. 前記切断ステップの以後に検査パッドの表面に無電解メッキを行って導電体の酸化を防止するメッキステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法。
6. 前記金属薄板は、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃのうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッドの製造方法。
7. 四角形の断面にＹ軸方向に所定の長さを有する絶縁体で構成された第１層と、
   前記第１層とＺ軸方向に同一な高さとＹ軸方向に同一な長さを有する四角形断面の絶縁体を一定の間隔毎にＺ軸方向に貫通する複数個の四角形導電体で構成された第２層と、
   前記第１層と第２層とがＸ軸方向に交差積層されて全体的に四角形のパッドをなして、
   前記パッドのＸ軸両端部には第１層が位置することを特徴とする、接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッド。
8. 前記四角形導電体は、上面と下面に腐食防止のためのメッキ層をさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の接着剤を用いて金属薄板を積層した半導体検査パッド。