JP2016154225A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 酸化物半導体と、ゲート電極としての機能を有する第１の導電体と、ソース又はドレインの一方としての機能を有する第２の導電体と、ソース又はドレインの他方としての機能を有する第３の導電体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、を有し、
   前記第１の導電体は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
   前記第１の領域は、前記第１の絶縁体を介して、前記酸化物半導体と重なる領域を有し、且つ前記第２の導電体及び前記第３の導電体とは重ならず、
   前記第２の領域は、前記第１の絶縁体および前記第２の絶縁体を介して、前記第２の導電体と重なる領域を有し、
   前記第３の領域は、前記第１の絶縁体および前記第２の絶縁体を介して、前記第３の導電体と重なる領域を有し、
   前記酸化物半導体は、前記第２の導電体と接する領域と、前記第３の導電体と接する領域とを有し、
   前記第２の導電体は、第６の領域と、前記第６の領域より膜厚が薄い第７の領域と、を有し、
   前記第３の導電体は、第８の領域と、前記第８の領域より膜厚が薄い第９の領域と、を有し、
   前記第７の領域は、前記第２の導電体の端部に設けられ、
   前記第９の領域は、前記第３の導電体の端部に設けられることを特徴とする半導体装置。
2. 前記第１の導電体は、酸素を透過しにくい導電体を含む積層膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第２の導電体および前記第３の導電体は、酸素を透過しにくい導電体を含む積層膜であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記酸化物半導体は、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と、を有し、前記第１の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層とは、互いに重なる領域を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。