JP2016119415A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2016119415A5
JP2016119415A5 JP2014259115A JP2014259115A JP2016119415A5 JP 2016119415 A5 JP2016119415 A5 JP 2016119415A5 JP 2014259115 A JP2014259115 A JP 2014259115A JP 2014259115 A JP2014259115 A JP 2014259115A JP 2016119415 A5 JP2016119415 A5 JP 2016119415A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
intermediate layer
substrates
semiconductor device
conductive material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014259115A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2016119415A (ja
JP6165127B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2014259115A external-priority patent/JP6165127B2/ja
Priority to JP2014259115A priority Critical patent/JP6165127B2/ja
Priority to EP15872415.3A priority patent/EP3240015B1/en
Priority to CN201580069954.0A priority patent/CN107112199B/zh
Priority to US15/537,646 priority patent/US10486263B2/en
Priority to PCT/JP2015/078518 priority patent/WO2016103846A1/ja
Priority to KR1020177017033A priority patent/KR101994011B1/ko
Priority to TW104143236A priority patent/TWI596651B/zh
Publication of JP2016119415A publication Critical patent/JP2016119415A/ja
Publication of JP2016119415A5 publication Critical patent/JP2016119415A5/ja
Publication of JP6165127B2 publication Critical patent/JP6165127B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2014259115A 2014-12-22 2014-12-22 半導体装置及び半導体装置の製造方法 Active JP6165127B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014259115A JP6165127B2 (ja) 2014-12-22 2014-12-22 半導体装置及び半導体装置の製造方法
PCT/JP2015/078518 WO2016103846A1 (ja) 2014-12-22 2015-10-07 半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN201580069954.0A CN107112199B (zh) 2014-12-22 2015-10-07 半导体装置及半导体装置的制造方法
US15/537,646 US10486263B2 (en) 2014-12-22 2015-10-07 Room-temperature-bonded semiconductor device and manufacturing method of room-temperature-bonded semiconductor device
EP15872415.3A EP3240015B1 (en) 2014-12-22 2015-10-07 Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
KR1020177017033A KR101994011B1 (ko) 2014-12-22 2015-10-07 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
TW104143236A TWI596651B (zh) 2014-12-22 2015-12-22 Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014259115A JP6165127B2 (ja) 2014-12-22 2014-12-22 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016119415A JP2016119415A (ja) 2016-06-30
JP2016119415A5 true JP2016119415A5 (enExample) 2016-09-08
JP6165127B2 JP6165127B2 (ja) 2017-07-19

Family

ID=56149883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014259115A Active JP6165127B2 (ja) 2014-12-22 2014-12-22 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10486263B2 (enExample)
EP (1) EP3240015B1 (enExample)
JP (1) JP6165127B2 (enExample)
KR (1) KR101994011B1 (enExample)
CN (1) CN107112199B (enExample)
TW (1) TWI596651B (enExample)
WO (1) WO2016103846A1 (enExample)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10886250B2 (en) 2015-07-10 2021-01-05 Invensas Corporation Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles
TWI910033B (zh) 2016-10-27 2025-12-21 美商艾德亞半導體科技有限責任公司 用於低溫接合的結構和方法
US10515913B2 (en) 2017-03-17 2019-12-24 Invensas Bonding Technologies, Inc. Multi-metal contact structure
US10446441B2 (en) 2017-06-05 2019-10-15 Invensas Corporation Flat metal features for microelectronics applications
US11244916B2 (en) 2018-04-11 2022-02-08 Invensas Bonding Technologies, Inc. Low temperature bonded structures
US10790262B2 (en) 2018-04-11 2020-09-29 Invensas Bonding Technologies, Inc. Low temperature bonded structures
US11244920B2 (en) 2018-12-18 2022-02-08 Invensas Bonding Technologies, Inc. Method and structures for low temperature device bonding
CN111370339B (zh) * 2020-03-20 2022-02-22 中国科学院半导体研究所 晶圆的室温等静压金属键合方法
WO2021236361A1 (en) 2020-05-19 2021-11-25 Invensas Bonding Technologies, Inc. Laterally unconfined structure
CN114628240B (zh) * 2020-12-10 2024-10-15 武汉新芯集成电路股份有限公司 芯片晶圆的堆叠方法
TW202618935A (zh) 2020-12-30 2026-05-01 美商艾德亞半導體接合科技有限公司 具有導電特徵的結構以及形成此結構的方法
US20220285303A1 (en) * 2021-03-03 2022-09-08 Invensas Bonding Technologies, Inc. Contact structures for direct bonding
JP7222493B2 (ja) 2021-04-28 2023-02-15 日本電産マシンツール株式会社 半導体装置の製造方法、及び常温接合装置
US12622307B2 (en) 2021-12-23 2026-05-05 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Controlled grain growth for bonding and bonded structure with controlled grain growth
JP2023137581A (ja) 2022-03-18 2023-09-29 キオクシア株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
FR3134227A1 (fr) * 2022-04-04 2023-10-06 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de collage d’un premier substrat au niveau d’une surface présentant une nanotopologie élastique
JP2025514099A (ja) 2022-04-25 2025-05-02 アデイア セミコンダクター ボンディング テクノロジーズ インコーポレイテッド ダイレクトボンディング用膨張制御型構造体及びその形成方法
CN114999948A (zh) * 2022-06-06 2022-09-02 闽南师范大学 一种高真空磁控溅射热压键合一体机以及键合方法
US12545010B2 (en) 2022-12-29 2026-02-10 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Directly bonded metal structures having oxide layers therein
US12506114B2 (en) 2022-12-29 2025-12-23 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Directly bonded metal structures having aluminum features and methods of preparing same
CN116092953B (zh) * 2023-03-07 2023-07-18 天津中科晶禾电子科技有限责任公司 一种晶圆键合装置、方法及复合衬底组件
JP7526450B1 (ja) * 2024-03-22 2024-08-01 エスエイチダブリュウテクノロジーズ（シャンハイ）ユウゲンコウシ 半導体ウエーハの接合装置及び接合方法
JP7856933B2 (ja) * 2024-03-29 2026-05-12 ダイキン工業株式会社 積層体の製造方法および積層体

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2642645B2 (ja) * 1987-11-19 1997-08-20 株式会社日立製作所 半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
JPH0684733A (ja) * 1992-09-03 1994-03-25 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置とその製造方法及び半導体集積回路製造装置
JP2791429B2 (ja) * 1996-09-18 1998-08-27 工業技術院長 シリコンウェハーの常温接合法
DE19648759A1 (de) * 1996-11-25 1998-05-28 Max Planck Gesellschaft Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen sowie Mikrostruktur
JP3171322B2 (ja) * 1997-03-11 2001-05-28 日本電気株式会社 Ｓｏｉ基板およびその製造方法
FR2783969B1 (fr) * 1998-09-28 2002-01-18 Commissariat Energie Atomique Dispositif hybride et procede de realisation de composants electriquement actifs par assemblage
US6387736B1 (en) * 1999-04-26 2002-05-14 Agilent Technologies, Inc. Method and structure for bonding layers in a semiconductor device
JP4275806B2 (ja) * 1999-06-01 2009-06-10 株式会社ルネサステクノロジ 半導体素子の実装方法
FR2798224B1 (fr) * 1999-09-08 2003-08-29 Commissariat Energie Atomique Realisation d'un collage electriquement conducteur entre deux elements semi-conducteurs.
JP3440057B2 (ja) 2000-07-05 2003-08-25 唯知 須賀 半導体装置およびその製造方法
US7330612B2 (en) * 2002-05-28 2008-02-12 Matsushita Electric Works, Ltd. Material for substrate mounting optical circuit-electric circuit mixedly and substrate mounting optical circuit-electric circuit mixedly
US7114361B2 (en) * 2003-09-12 2006-10-03 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College Microscale compression molding of metals with surface engineered LIGA inserts
FR2864336B1 (fr) * 2003-12-23 2006-04-28 Commissariat Energie Atomique Procede de scellement de deux plaques avec formation d'un contact ohmique entre celles-ci
EP1557449A1 (en) * 2004-01-22 2005-07-27 3M Innovative Properties Company Adhesive tape for structural bonding
JP3790995B2 (ja) * 2004-01-22 2006-06-28 有限会社ボンドテック 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに接合装置
FR2872625B1 (fr) * 2004-06-30 2006-09-22 Commissariat Energie Atomique Assemblage par adhesion moleculaire de deux substrats, l'un au moins supportant un film conducteur electrique
US7550366B2 (en) * 2005-12-02 2009-06-23 Ayumi Industry Method for bonding substrates and device for bonding substrates
US7345344B2 (en) * 2006-02-16 2008-03-18 Freescale Semiconductor, Inc. Embedded substrate interconnect for underside contact to source and drain regions
JP4162094B2 (ja) 2006-05-30 2008-10-08 三菱重工業株式会社 常温接合によるデバイス、デバイス製造方法ならびに常温接合装置
JP4172806B2 (ja) * 2006-09-06 2008-10-29 三菱重工業株式会社 常温接合方法及び常温接合装置
EP1993127B1 (en) * 2007-05-18 2013-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of SOI substrate
JP4967842B2 (ja) * 2007-06-18 2012-07-04 セイコーエプソン株式会社 シリコン基材の接合方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置および電子デバイス
RU2010114227A (ru) * 2007-09-12 2011-10-20 Смольтек Аб (Se) Соединение и связывание соседних слоев наноструктурами
JP4786693B2 (ja) * 2008-09-30 2011-10-05 三菱重工業株式会社 ウェハ接合装置およびウェハ接合方法
JP5342210B2 (ja) * 2008-10-30 2013-11-13 三菱重工業株式会社 アライメント装置制御装置およびアライメント方法
JP5389627B2 (ja) * 2008-12-11 2014-01-15 信越化学工業株式会社 ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法
JP4796120B2 (ja) * 2008-12-11 2011-10-19 三菱重工業株式会社 常温接合装置
JP2010278337A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 表面欠陥密度が少ないｓｏｓ基板
US9608119B2 (en) 2010-03-02 2017-03-28 Micron Technology, Inc. Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures
US8507966B2 (en) * 2010-03-02 2013-08-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor cells, arrays, devices and systems having a buried conductive line and methods for forming the same
US8647962B2 (en) * 2010-03-23 2014-02-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer level packaging bond
JP4831844B1 (ja) * 2010-09-28 2011-12-07 三菱重工業株式会社 常温接合装置および常温接合方法
US8563396B2 (en) * 2011-01-29 2013-10-22 International Business Machines Corporation 3D integration method using SOI substrates and structures produced thereby
KR101985522B1 (ko) * 2011-01-31 2019-06-03 다다또모 스가 접합면 제작 방법, 접합 기판, 기판 접합 방법, 접합면 제작 장치 및 기판 접합체
KR101985526B1 (ko) * 2011-01-31 2019-06-03 다다또모 스가 접합 기판 제작 방법, 접합 기판, 기판 접합 방법, 접합 기판 제작 장치 및 기판 접합체
JP5587826B2 (ja) * 2011-05-12 2014-09-10 日本電信電話株式会社 半導体装置
KR20130016682A (ko) * 2011-08-08 2013-02-18 에스케이하이닉스 주식회사 듀얼 레이어 구조의 반도체칩과 듀얼 레이어 구조의 반도체칩을 갖는 패키지들 및 그 제조방법
JP2013098186A (ja) * 2011-10-27 2013-05-20 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 常温接合装置
CN104349892B (zh) * 2012-06-15 2017-06-09 三菱丽阳株式会社 层积体
KR20150032845A (ko) * 2012-06-15 2015-03-30 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 복합 기판의 제조 방법 및 복합 기판
US9837301B2 (en) * 2012-07-25 2017-12-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for producing hybrid substrates, and hybrid substrate
CN102759816B (zh) * 2012-08-02 2015-09-09 深圳市华星光电技术有限公司 具有光伏电池的液晶显示模组的制作方法及其制得的液晶显示模组
JP6037734B2 (ja) * 2012-09-07 2016-12-07 三菱重工工作機械株式会社 常温接合装置および常温接合方法
JP6065176B2 (ja) * 2012-09-27 2017-01-25 三菱重工工作機械株式会社 常温接合装置および常温接合方法
JP5896038B2 (ja) * 2012-10-15 2016-03-30 信越化学工業株式会社 ナノカーボン膜の作製方法
JP2014107393A (ja) * 2012-11-27 2014-06-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 常温接合デバイス、常温接合デバイスを有するウェハおよび常温接合方法
US9446467B2 (en) * 2013-03-14 2016-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrate rinse module in hybrid bonding platform
US20150048509A1 (en) * 2013-08-16 2015-02-19 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Cmos compatible wafer bonding layer and process
US9293303B2 (en) * 2013-08-30 2016-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low contamination chamber for surface activation
JP6330151B2 (ja) * 2013-09-17 2018-05-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP6212720B2 (ja) * 2013-09-20 2017-10-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP6082866B2 (ja) * 2013-09-27 2017-02-22 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ステンレス鋼部材の接合方法およびステンレス鋼
JP2015115446A (ja) * 2013-12-11 2015-06-22 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US9437572B2 (en) * 2013-12-18 2016-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive pad structure for hybrid bonding and methods of forming same
JP6125443B2 (ja) * 2014-01-17 2017-05-10 三菱重工工作機械株式会社 常温接合装置
US9478471B2 (en) * 2014-02-19 2016-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for verification of bonding alignment
US9190345B1 (en) * 2014-03-28 2015-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor devices and methods of manufacture thereof
US9257414B2 (en) * 2014-04-10 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Stacked semiconductor structure and method
US9455158B2 (en) * 2014-05-30 2016-09-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 3DIC interconnect devices and methods of forming same
US9508685B2 (en) * 2014-07-29 2016-11-29 Empire Technology Development Llc Vertically integrated wafers with thermal dissipation
US9853133B2 (en) * 2014-09-04 2017-12-26 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Method of manufacturing high resistivity silicon-on-insulator substrate
US9852988B2 (en) * 2015-12-18 2017-12-26 Invensas Bonding Technologies, Inc. Increased contact alignment tolerance for direct bonding
US10020336B2 (en) * 2015-12-28 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device using three dimentional (3D) integration
JP2017139266A (ja) * 2016-02-01 2017-08-10 株式会社東芝 複合基板、半導体装置、およびこれらの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013168419A5 (enExample)
JP2014187166A5 (enExample)
JP2016531421A5 (enExample)
JP2013042180A5 (enExample)
JP2013175738A5 (ja) 発光装置の作製方法
WO2014122419A3 (en) Heating element
JP2008311621A5 (enExample)
JP2008135717A5 (enExample)
JP2016219801A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2011009723A5 (enExample)
JP2013038399A5 (ja) 半導体装置
JP2011040729A5 (ja) 半導体基板の作製方法
JP2014179596A5 (enExample)
JP2013120835A5 (enExample)
JP2014011350A5 (enExample)
JP2019528225A5 (enExample)
JP2013153160A5 (ja) 半導体装置の作製方法
MY172346A (en) Adhesive film and method for manufacturing semiconductor device
JP2014503783A5 (enExample)
JP2010287883A5 (ja) 基板及び基板の作製方法
JP2015084417A5 (enExample)
JP2009135469A5 (enExample)
JP2012069935A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2009038358A5 (enExample)
JP2015115543A5 (enExample)