JP2016110980A - 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の一態様の発光素子について、図1を用いて以下説明を行う。なお、図1(A)は、本発明の一態様の発光素子100の断面模式図であり、図1(B)は、本発明の一態様の発光素子140の断面模式図である。
ここで、第2の発光層114における第1の有機化合物と、第2の有機化合物と、燐光材料とのエネルギー準位の相関を図2(A)に示す。なお、図2(A)における表記及び符号は、以下の通りである。
・Host:第1の有機化合物
・Assist:第2の有機化合物
・Guest:燐光材料
・SPH:ホスト材料(第1の有機化合物)の一重項励起状態の最も低い準位
・TPH:ホスト材料(第1の有機化合物)の三重項励起状態の最も低い準位
・TPG:ゲスト材料(燐光材料)の三重項励起状態の最も低い準位
・SE:励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位
・TE:励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位
第1の発光層113では、キャリアの再結合により、励起状態が形成される。なお、第1の発光層113は、ホスト材料と蛍光材料を有する。蛍光材料と比較してホスト材料は大量に存在するので、励起状態は、ほぼホスト材料の励起状態として存在する。キャリアの再結合によって生じる一重項励起状態と三重項励起状態の比(以下、励起子生成確率)は約1:3となる。
・Host:ホスト材料
・Guest:蛍光材料
・SFH:ホスト材料の一重項励起状態の最も低い準位
・TFH:ホスト材料の三重項励起状態の最も低い準位
・SFG:ゲスト材料(蛍光材料)の一重項励起状態の最も低い準位
・TFG:ゲスト材料(蛍光材料)の三重項励起状態の最も低い準位
第1の発光層113及び第2の発光層114のそれぞれの発光機構について、上記説明したが、本発明の一態様の発光素子100においては、さらに、第1の発光層113と第2の発光層114の界面において、励起錯体から第1の発光層113のホスト材料へのエネルギー移動(とくに三重項励起準位のエネルギー移動)が起こったとしても、第1の発光層113にて上記三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。
・Fluorescence EML:蛍光発光層(第1の発光層113)
・Phosphorescence EML:燐光発光層(第2の発光層114)
・TFH:ホスト材料の三重項励起状態の最も低い準位
・SFG:ゲスト材料(蛍光材料)の一重項励起状態の最も低い準位
・TFG:ゲスト材料(蛍光材料)の三重項励起状態の最も低い準位
・SPH:ホスト材料(第1の有機化合物)の一重項励起状態の最も低い準位
・TPH:ホスト材料(第1の有機化合物)の三重項励起状態の最も低い準位
・TPG:ゲスト材料(燐光材料)の三重項励起状態の最も低い準位
・SE:励起錯体の一重項励起状態の最も低い準位
・TE:励起錯体の三重項励起状態の最も低い準位
第1の電極101と第2の電極102は、第1の発光層113と第2の発光層114へそれぞれ正孔と電子を注入する機能を有する。これらの電極は金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物や積層体などを用いて形成することができる。金属としてはアルミニウムが典型例であり、その他、銀、タングステン、クロム、モリブデン、銅、チタンなどの遷移金属、リチウムやセシウムなどのアルカリ金属、カルシウム、マグネシウムなどの第2族金属を用いることができる。遷移金属として希土類金属を用いても良い。合金としては、上記金属を含む合金を使用することができ、例えばMgAg、AlLiなどが挙げられる。導電性化合物としては、酸化インジウム−酸化スズ(Indium Tin Oxide)などの金属酸化物が挙げられる。導電性化合物としてグラフェンなどの無機炭素系材料を用いても良い。上述したように、これらの材料の複数を積層することによって第1の電極101、第2の電極102、あるいはその両者を形成しても良い。
第1の発光層113は、ホスト材料と蛍光材料を有する。第1の発光層113中では、ホスト材料が重量比で最も多く存在し、蛍光材料はホスト材料中に分散される。ホスト材料のS1準位は、蛍光材料のS1準位よりも大きく、ホスト材料のT1準位は、蛍光材料のT1準位よりも小さいことが好ましい。
第2の発光層114は、第1の有機化合物と、第2の有機化合物と、燐光材料を有する。ここでは、第1の有機化合物をホスト材料として、第2の有機化合物をアシスト材料として以下説明する。
また、図1(A)に示すように、本発明の一形態の発光素子100は、上述した第1の発光層113と第2の発光層114以外の層を有していても良い。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層などを有していても良い。また、これらの各層は複数の層から形成されていても良い。これらの層はキャリア注入障壁を低減する、キャリア輸送性を向上する、あるいは電極による消光現象を抑制することができ、発光効率の向上や駆動電圧の低減に寄与する。また、これらの層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、印刷法(例えば、凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法、平版印刷法、孔版印刷法等)、インクジェット法、塗布法等の方法を単独または組み合わせて用いて形成することができる。
正孔注入層111は、第1の電極101からのホール注入障壁を低減することでホール注入を促進する機能を有し、例えば遷移金属酸化物、フタロシアニン誘導体、あるいは芳香族アミンなどによって形成される。遷移金属酸化物としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物などが挙げられる。フタロシアニン誘導体としては、フタロシアニンや金属フタロシアニンなどが挙げられる。芳香族アミンとしてはベンジジン誘導体やフェニレンジアミン誘導体などが挙げられる。ポリチオフェンやポリアニリンなどの高分子化合物を用いることもでき、例えば自己ドープされたポリチオフェンであるポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)などがその代表例である。
正孔輸送層112は正孔輸送性材料を含む層であり、正孔注入層111の材料として例示した材料を使用することができる。正孔輸送層112は正孔注入層111に注入された正孔を第1の発光層113へ輸送する機能を有するため、正孔注入層111の最高被占有軌道(HOMO)準位と同じ、あるいは近いHOMO準位を有することが好ましい。
電子輸送層115は、電子注入層116を経て第2の電極102から注入された電子を第2の発光層114へ輸送する機能を有する。電子輸送性材料としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、1×10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する材料であることが好ましい。具体的には、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体などが挙げられる。
電子注入層116は第2の電極102からの電子注入障壁を低減することで電子注入を促進する機能を有し、例えば第1族金属、第2族金属、あるいはこれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩などを用いることができる。また、先に示す電子輸送性材料と、これに対して電子供与性を示す材料の複合材料を用いることもできる。電子供与性を示す材料としては、第1族金属、第2族金属、あるいはこれらの酸化物などを挙げることができる。
また、発光素子100は、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に作製すればよい。基板上に作製する順番としては、第1の電極101側から順に積層しても、第2の電極102側から順に積層しても良い。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば電界効果トランジスタ(FET)を形成し、FETと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、FETによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。
本実施の形態では、実施の形態1に示す発光素子100、140と異なる構成の発光素子について、図4(A)(B)を用いて以下説明する。なお、図4(A)は、本発明の一態様の発光素子150の断面模式図であり、図4(B)は、本発明の一態様の発光素子160の断面模式図である。
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子について図5を用いて説明する。なお、図5は、本発明の一態様の発光素子170を説明する断面模式図である。
本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態3に記載の発光素子を用いた発光装置について図6を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示装置について、図11を用いて説明を行う。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図12及び図13を用いて説明を行う。
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用した照明装置の一例について、図14を用いて説明する。
ガラス基板500上に形成された酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO(Indium Tin SiO2 Doped Oxide)、膜厚110nm、面積2mm×2mm)を第1の電極501とし、この上に1,3,5−トリ(ジベンゾチオフェン−4−イル)ベンゼン(DBT3P−II)と酸化モリブデン(MoO3)を重量比(DBT3P−II:MoO3)が2:1、膜厚が40nmになるように共蒸着して正孔注入層511を形成した。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。
発光素子1と同様に第1の電極501上にDBT3P−IIと酸化モリブデンを重量比(DBT3P−II:MoO3)が2:1、膜厚が40nmになるように共蒸着して正孔注入層511を形成した。
発光素子3は、先に示す発光素子1の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は発光素子1と同様の作製方法とした。
発光素子4は、先に示す発光素子2の作製と、以下の工程のみ異なりそれ以外の工程は発光素子2と同様の作製方法とした。
発光素子1乃至発光素子4の電流密度−輝度特性を図16(A)に示す。なお、図16(A)において、横軸は電流密度(mA/cm2)を、縦軸は輝度(cd/m2)を、それぞれ示す。また、発光素子1乃至発光素子4の電圧−輝度特性を図16(B)に示す。なお、図16(B)において、横軸は電圧(V)を、縦軸は輝度(cd/m2)を、それぞれ示す。また、発光素子1乃至発光素子4の輝度−パワー効率特性を図17(A)に示す。なお、図17(A)において、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸はパワー効率(lm/W)を、それぞれ示す。また、発光素子1乃至発光素子4の輝度−電流効率特性を図17(B)に示す。なお、図17(B)において、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸は電流効率(cd/A)を、それぞれ示す。なお、各発光素子の測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
発光素子1と同様に第1の電極501上にDBT3P−IIと酸化モリブデンを重量比(DBT3P−II:MoO3)が2:1、膜厚が20nmになるように共蒸着して正孔注入層511を形成した。
発光素子5の電流密度−輝度特性を図19(A)に示す。なお、図19(A)において、横軸は電流密度(mA/cm2)を、縦軸は輝度(cd/m2)を、それぞれ示す。また、発光素子5の電圧−輝度特性を図19(B)に示す。なお、図19(B)において、横軸は電圧(V)を、縦軸は輝度(cd/m2)を、それぞれ示す。また、発光素子5の輝度−パワー効率特性を図20(A)に示す。なお、図20(A)において、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸はパワー効率(lm/W)を、それぞれ示す。また、発光素子5の輝度−電流効率特性を図20(B)に示す。なお、図20(B)において、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸は電流効率(cd/A)を、それぞれ示す。なお、発光素子の測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
発光素子1と同様に第1の電極501上にDBT3P−IIと酸化モリブデンを重量比(DBT3P−II:MoO3)が2:1、膜厚が20nmになるように共蒸着して正孔注入層511を形成した。
発光素子6の電流密度−輝度特性を図22(A)に示す。なお、図22(A)において、横軸は電流密度(mA/cm2)を、縦軸は輝度(cd/m2)を、それぞれ示す。また、発光素子6の電圧−輝度特性を図22(B)に示す。なお、図22(B)において、横軸は電圧(V)を、縦軸は輝度(cd/m2)を、それぞれ示す。また、発光素子6の輝度−パワー効率特性を図23(A)に示す。なお、図23(A)において、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸はパワー効率(lm/W)を、それぞれ示す。また、発光素子6の輝度−電流効率を図23(B)に示す。なお、図23(B)において、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸は電流効率(cd/A)を、それぞれ示す。なお、発光素子の測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
ガラス基板500上に、第1の電極501(1)として、アルミニウム(Al)と、ニッケル(Ni)と、ランタン(La)の合金膜(Al−Ni−La)をスパッタリング法により、200nmの膜厚で成膜した。次に、第1の電極501(2)として、チタン(Ti)をスパッタリング法により6nmの膜厚で成膜し、300℃で1時間の熱処理を行うことで酸化チタンを有する膜を形成した。次に、第1の電極501(3)として、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法により成膜した。なお、第1の電極501(1)、第1の電極501(2)、及び第1の電極501(3)により、第1の電極501が構成され、第1の電極501の電極面積を2mm×2mmとした。
発光素子7乃至発光素子10の電流密度−輝度特性を図26(A)に示す。なお、図26(A)において、横軸は電流密度(mA/cm2)を、縦軸は輝度(cd/m2)を、それぞれ示す。また、発光素子7乃至発光素子10の電圧−輝度特性を図26(B)に示す。なお、図26(B)において、横軸は電圧(V)を、縦軸は輝度(cd/m2)を、それぞれ示す。なお、各発光素子の測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
実施例1及び実施例2で用いたIr(ppm−dmp)2(acac)の合成方法を記す。合成スキームは以下のとおりである。
4,6−ジクロロピリミジン5.0g、フェニルボロン酸4.9g、炭酸ナトリウム7.1g、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)ジクロリド(Pd(PPh3)2Cl2)0.34g、アセトニトリル20mL、水20mLの混合物に対し、アルゴン気流下、マイクロ波(2.45GHz 100W)を1時間照射して加熱還流した。得られた混合物をジクロロメタンで抽出し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ジクロロメタン)により精製することで、4−クロロ−6−フェニルピリミジンを1.6g(収率:23%,淡い黄色の固体)で得た。なお本参考例では、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置(CEM社製 Discover)を用いた。
4−クロロ−6−フェニルピリミジン1.6g、2,6−ジメチルフェニルボロン酸1.5g、炭酸ナトリウム1.8g、Pd(PPh3)2Cl259mg、N,N−ジメチルホルムアミド20mL、水20mLの混合物に対し、アルゴン気流下、マイクロ波(2.45GHz 100W)を2時間照射することで加熱還流した。得られた混合物をジクロロメタンで抽出し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:酢酸エチル:ヘキサン=1:5)により精製し、Hppm−dmpを0.50g得た(収率:23%、淡い黄色の油状物)。
Hppm−dmp1.0g、塩化イリジウム(III)水和物0.57g、2−エトキシエタノール20mL、水20mLの混合物に対し、アルゴン気流下、マイクロ波(2.45GHz 100W)を3時間照射することで加熱還流した。得られた混合物をろ過し、固体をメタノールで洗浄することで、[Ir(ppm−dmp)2Cl]2を1.1g得た(収率:74%、橙色の固体)。
[Ir(ppm−dmp)2Cl]21.1g、炭酸ナトリウム0.77g、アセチルアセトン(Hacac)0.23g、2−エトキシエタノール30mLの混合物に対し、アルゴン気流下、マイクロ波(2.45GHz 120W)を2時間照射することで加熱還流した。得られた混合物をろ過し、不溶部をメタノールで洗浄した。得られたろ液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:酢酸エチル:ヘキサン=1:5)で精製し、得られた固体をヘキサンで再結晶をすることにより、Ir(ppm−dmp)2(acac)を得た(収率:59%、橙色粉末固体)。得られた橙色粉末固体0.21gを、トレインサブリメーション法により昇華精製し、目的物の橙色固体を収率48%で回収した。昇華精製条件は、圧力2.7Pa、アルゴンガス流量5.0mL/min、240℃であった。得られたIr(ppm−dmp)2(acac)の1H−NMR(核磁気共鳴)スペクトルデータを以下に示す。
発光素子11は、実施例1で説明した発光素子1と同様に第1の電極501上に正孔注入層511、正孔輸送層512、第1の発光層513が積層された構造を有するが、第2の発光層514を形成せずに第1の発光層513上に電子輸送層515(1)、515(2)、電子注入層516、第2の電極502が順次積層される構造である。また、発光素子12は、実施例1で説明した発光素子1と同様に第1の電極501上に正孔注入層511、正孔輸送層512が積層された構造を有するが、第1の発光層513を形成せずに正孔輸送層512上に第2の発光層514、電子輸送層515(1)、515(2)、電子注入層516、第2の電極502が順次積層される構造である。
発光素子11の輝度−外部量子効率特性を図28、発光素子12の輝度−外部量子効率特性を図31にそれぞれ示す。なお、図28および図31において、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸は外部量子効率(%)を示す。なお、発光素子の測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
本参考例では、実施例で用いた有機化合物、N,N’−(ピレン−1,6−ジイル)ビス[(6,N−ジフェニルベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フラン)−8−アミン](略称:1,6BnfAPrn−03)の合成方法について説明する。なお、1,6BnfAPrn−03の構造を以下に示す。
500mL三口フラスコに、8.5g(39mmol)のベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランを加え、フラスコ内を窒素置換した後、195mLのテトラヒドロフラン(THF)を加えた。この溶液を−75℃に冷却してから、この溶液に25mL(40mmol)のn−ブチルリチウム(1.59mol/L n−ヘキサン溶液)を滴下して加えた。滴下後、得られた溶液を室温で1時間攪拌した。
200mL三口フラスコに、6.0g(18mmol)の6−ヨードベンゾ[b]ナフト[1,2−d]フランと、2.4g(19mmol)のフェニルボロン酸と、70mLのトルエンと、20mLのエタノールと、22mLの炭酸カリウム水溶液(2.0mol/L)を入れた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後フラスコ内を窒素下としてから、480mg(0.42mmol)のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)を加えた。この混合物を窒素気流下、90℃で12時間攪拌した。
300mL三口フラスコに、4.9g(17mmol)の6−フェニルベンゾ[b]ナフト[1,2−d]を加え、フラスコ内を窒素置換した後、87mLのテトラヒドロフラン(THF)を加えた。この溶液を−75℃に冷却してから、この溶液に11mL(18mmol)のn−ブチルリチウム(1.59mol/L n−ヘキサン溶液)を滴下して加えた。滴下後、得られた溶液を室温で1時間攪拌した。所定時間経過後、この溶液を−75℃に冷却してから、ヨウ素4.6g(18mmol)をTHF18mLに溶かした溶液を滴下して加えた。
100mL三口フラスコに、0.71g(2.0mmol)の1,6−ジブロモピレンと、1.0g(10.4mmol)のナトリウムtert−ブトキシドと、トルエン10mLと、0.36mL(4.0mmol)のアニリンと、0.3mLのトリ(tert−ブチル)ホスフィンの10wt%ヘキサン溶液を加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に50mg(85μmol)のビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)を加え、80℃で2時間攪拌した。
101 電極
102 電極
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 発光層
114 発光層
115 電子輸送層
116 電子注入層
120 分離層
130 EL層
131 発光ユニット
132 発光ユニット
133 電荷発生層
140 発光素子
150 発光素子
160 発光素子
170 発光素子
500 ガラス基板
501 電極
502 電極
511 正孔注入層
512 正孔輸送層
513 発光層
514 発光層
515(1) 電子輸送層
515(2) 電子輸送層
516 電子注入層
520 分離層
550 封止基板
552 着色層
600 発光装置
601 ソース線駆動回路部
602 画素部
603 ゲート線駆動回路部
604 封止基板
605 シール材
607 領域
608 配線
609 FPC
610 素子基板
611 FET
612 FET
613 電極
614 絶縁物
616 EL層
617 電極
618 発光素子
623 FET
624 FET
801 画素回路
802 画素部
804 駆動回路部
804a ゲートドライバ
804b ソースドライバ
806 保護回路
807 端子部
852 トランジスタ
854 トランジスタ
862 容量素子
872 発光素子
1001 基板
1002 下地絶縁膜
1003 ゲート絶縁膜
1006 ゲート電極
1007 ゲート電極
1008 ゲート電極
1020 層間絶縁膜
1021 層間絶縁膜
1022 電極
1024B 電極
1024G 電極
1024R 電極
1024Y 電極
1025 隔壁
1026 電極
1028 EL層
1031 封止基板
1032 シール材
1033 基材
1034B 着色層
1034G 着色層
1034R 着色層
1034Y 着色層
1035 黒色層
1036 オーバーコート層
1037 層間絶縁膜
1040 画素部
1041 駆動回路部
1042 周辺部
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
8501 照明装置
8502 照明装置
8503 照明装置
8504 照明装置
9000 筐体
9001 表示部
9003 スピーカ
9005 操作キー
9006 接続端子
9007 センサ
9008 マイクロフォン
9050 操作ボタン
9051 情報
9052 情報
9053 情報
9054 情報
9055 ヒンジ
9100 携帯情報端末
9101 携帯情報端末
9102 携帯情報端末
9200 携帯情報端末
9201 携帯情報端末
Claims (15)
- 一対の電極間にEL層が挟まれた発光素子であって、
前記EL層は、
第1の発光層と、
第2の発光層と、を有し、
前記第1の発光層は、
蛍光材料と、
ホスト材料と、を有し、
前記第2の発光層は、
燐光材料と、第1の有機化合物と、第2の有機化合物と、を有し、
前記第2の発光層からの発光スペクトルは、
黄色の波長領域にピークを有し、
前記第1の有機化合物と、前記第2の有機化合物とは励起錯体を形成する、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1において、
前記燐光材料は、1つである、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1において、
前記励起錯体から前記燐光材料へのエネルギー授受がある、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1において、
前記ホスト材料の一重項励起準位は、
前記蛍光材料の一重項励起準位よりも大きく、
前記ホスト材料の三重項励起準位は、
前記蛍光材料の三重項励起準位よりも小さい、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1または請求項4において、
前記ホスト材料の三重項励起準位は、
前記第1の有機化合物及び前記第2の有機化合物の三重項励起準位よりも小さい、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1において、
前記第1の発光層と、前記第2の発光層とが、互いに接する領域を有する、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1において、
前記第1の発光層と、前記第2の発光層とが、互いに離れている領域を有する、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項7において、
前記第1の発光層と前記第2の発光層の間に、
正孔輸送性材料と電子輸送性材料とが混合された層を有する、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1または請求項6乃至請求項8のいずれか一項において、
前記第2の発光層は、前記第1の発光層上に設けられる、
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一つに記載の発光素子と、
トランジスタまたは基板を有する、
ことを特徴とする発光装置。 - 請求項10に記載の発光装置と、
前記発光装置に接続されるコネクターと、を有する、
ことを特徴とするモジュール。 - 請求項11において、
前記コネクターは、
FPCまたはTCPである、
ことを特徴とするモジュール。 - 請求項10に記載の発光装置と、
外部接続ポート、キーボード、操作ボタン、スピーカ、または、マイクと、を有する、
ことを特徴とする電子機器。 - 請求項11または請求項12に記載のモジュールと、
外部接続ポート、キーボード、操作ボタン、スピーカ、または、マイクと、を有する、
ことを特徴とする電子機器。 - 請求項10に記載の発光装置と、
筐体を有する、
ことを特徴とする照明装置。
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