CN110808337A - 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置 - Google Patents
发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110808337A CN110808337A CN201911135504.3A CN201911135504A CN110808337A CN 110808337 A CN110808337 A CN 110808337A CN 201911135504 A CN201911135504 A CN 201911135504A CN 110808337 A CN110808337 A CN 110808337A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- emitting layer
- emitting
- organic compound
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 292
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 111
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims description 56
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 8
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 433
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 60
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 47
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 47
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 34
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 28
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 26
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 20
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 19
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 17
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 17
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 16
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 14
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 13
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- -1 lithium and cesium Chemical compound 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 10
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 5
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 5
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 4
- RHTJKTOWBBKGNJ-UHFFFAOYSA-N 4-chloro-6-phenylpyrimidine Chemical compound C1=NC(Cl)=CC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RHTJKTOWBBKGNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GJWBRYKOJMOBHH-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-n-[4-(9-phenylcarbazol-3-yl)phenyl]-n-(4-phenylphenyl)fluoren-2-amine Chemical compound C1=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 GJWBRYKOJMOBHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 3
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 3
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 3
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 3
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- UKSZBOKPHAQOMP-SVLSSHOZSA-N (1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 UKSZBOKPHAQOMP-SVLSSHOZSA-N 0.000 description 2
- XFDYBCQHRPMIGD-UHFFFAOYSA-N 1-N,6-N-bis(3-methylphenyl)-1-N,6-N-bis[3-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]pyrene-1,6-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=C(C=CC=2)C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=C4C=CC(=C5C=CC(C3=C54)=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)=C1 XFDYBCQHRPMIGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 2
- UKIUNGIXDFIMST-UHFFFAOYSA-N 6-phenylnaphtho[2,1-b][1]benzofuran Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1OC1=CC=CC=C12 UKIUNGIXDFIMST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFHIIYSJKXQYIJ-UHFFFAOYSA-N 7-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-7h-dibenzo[c,g]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N2C3=C(C4=CC=CC=C4C=C3)C3=C4C=CC=CC4=CC=C32)C=C1 JFHIIYSJKXQYIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical class N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 2
- UAKOSLSIIHXBHB-UHFFFAOYSA-N Ic1cc2ccccc2c2c1oc1ccccc21 Chemical compound Ic1cc2ccccc2c2c1oc1ccccc21 UAKOSLSIIHXBHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MLGSJRTWGVXRKV-UHFFFAOYSA-N Ic1cccc2c1oc1c(cc3ccccc3c21)-c1ccccc1 Chemical compound Ic1cccc2c1oc1c(cc3ccccc3c21)-c1ccccc1 MLGSJRTWGVXRKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical compound [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- MFMVRILBADIIJO-UHFFFAOYSA-N benzo[e][1]benzofuran Chemical compound C1=CC=C2C(C=CO3)=C3C=CC2=C1 MFMVRILBADIIJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L bis(triphenylphosphine)palladium(ii) dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Pd+2].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 2
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical class C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 2
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 2
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 2
- VNFWTIYUKDMAOP-UHFFFAOYSA-N sphos Chemical group COC1=CC=CC(OC)=C1C1=CC=CC=C1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 VNFWTIYUKDMAOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JRCJYPMNBNNCFE-UHFFFAOYSA-N 1,6-dibromopyrene Chemical compound C1=C2C(Br)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=C(Br)C=CC2=C1 JRCJYPMNBNNCFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLMDINWCABTDSA-UHFFFAOYSA-N 1-n,6-n-di(dibenzofuran-4-yl)-1-n,6-n-diphenylpyrene-1,6-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=C3C=CC(=C4C=CC(C2=C43)=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=2OC3=CC=CC=C3C=2C=CC=1)C1=CC=CC2=C1OC1=CC=CC=C12 HLMDINWCABTDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITQDCYKCSGPKPG-UHFFFAOYSA-N 1-n,6-n-diphenyl-2-[4-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]pyrene-1,6-diamine Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=C(NC=3C=CC=CC=3)C(C=3C=CC(=CC=3)C3(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C53)C=3C=CC=CC=3)=CC4=CC=C2C=1NC1=CC=CC=C1 ITQDCYKCSGPKPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODZZDVMEXVQRAH-UHFFFAOYSA-N 2-dibenzofuran-2-yl-1-N,6-N-diphenylpyrene-1,6-diamine Chemical compound C1=C(C=CC=2OC3=C(C=21)C=CC=C3)C1=C(C=2C=CC3=CC=C(C=4C=CC(=C1)C=2C=43)NC1=CC=CC=C1)NC1=CC=CC=C1 ODZZDVMEXVQRAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVOAFLJLVONUSZ-UHFFFAOYSA-N 2-ethylperoxythiophene Chemical compound CCOOC1=CC=CS1 HVOAFLJLVONUSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAJDLGKOJABKAN-UHFFFAOYSA-N 3-(4-naphthalen-1-ylphenyl)-9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(C=3C=CC(=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 WAJDLGKOJABKAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQRYZOAFWABMBD-UHFFFAOYSA-N 3-(4-phenanthren-9-ylphenyl)-9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(C=3C=CC(=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C=3)C=C2C2=CC=CC=C21 WQRYZOAFWABMBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJPZKYIHCLDXST-UHFFFAOYSA-N 4,6-dichloropyrimidine Chemical compound ClC1=CC(Cl)=NC=N1 XJPZKYIHCLDXST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYUCSMNWXNLKBR-UHFFFAOYSA-N 4-(2,6-dimethylphenyl)-2-phenylpyrimidine Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=NC(=CC=N1)C1=C(C=CC=C1C)C NYUCSMNWXNLKBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMAJQIMJGFHCCR-UHFFFAOYSA-N 4-[3,5-di(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzothiophene Chemical compound C12=CC=CC=C2SC2=C1C=CC=C2C1=CC(C=2C=3SC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=CC(C2=C3SC=4C(C3=CC=C2)=CC=CC=4)=C1 SMAJQIMJGFHCCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEJARLYXNFRVLK-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,3-triazole Chemical compound C1C=NN=N1 AEJARLYXNFRVLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FADIAMGIKWXGRY-UHFFFAOYSA-N 5,12-bis(2-phenylphenyl)tetracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C(C1=CC2=CC=CC=C2C=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 FADIAMGIKWXGRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWSKWYAKBATHET-UHFFFAOYSA-N 5,12-diphenyltetracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC2=CC=CC=C2C=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 DWSKWYAKBATHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGXLUZRXFWANFL-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-4-(2-methylphenyl)-6-phenylpyrimidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1C1=NC=NC(C=2C=CC=CC=2)=C1C XGXLUZRXFWANFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHMSJRYEKYBHTN-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-[4-[4-(9-phenylfluoren-9-yl)phenyl]phenyl]anthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)C=C1 BHMSJRYEKYBHTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- LXGQHDUCNDGTDB-PAMNCVQHSA-N [2-[(8s,9r,10s,13s,14s,16s,17r)-9-fluoro-11,17-dihydroxy-10,13,16-trimethyl-3-oxo-6,7,8,11,12,14,15,16-octahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl]-2-oxoethyl] acetate;[2-[(8s,9r,10s,13s,14s,16s,17r)-9-fluoro-11,17-dihydroxy-10,13,16-trimethyl-3-oxo-6,7,8,11, Chemical compound C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@]2(F)[C@@H]1[C@@H]1C[C@H](C)[C@@](C(=O)COC(C)=O)(O)[C@@]1(C)CC2O.C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@]2(F)[C@@H]1[C@@H]1C[C@H](C)[C@@](C(=O)COP(O)(O)=O)(O)[C@@]1(C)CC2O LXGQHDUCNDGTDB-PAMNCVQHSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- YMWUJEATGCHHMB-DICFDUPASA-N dichloromethane-d2 Chemical compound [2H]C([2H])(Cl)Cl YMWUJEATGCHHMB-DICFDUPASA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- XVWNNQQHTXDOLJ-UHFFFAOYSA-N naphtho[2,1-b][1]benzofuran Chemical compound C1=CC=CC2=C3C4=CC=CC=C4OC3=CC=C21 XVWNNQQHTXDOLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001225 nuclear magnetic resonance method Methods 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical class 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N p-quinodimethane Chemical class C=C1C=CC(=C)C=C1 NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical class ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- MJRFDVWKTFJAPF-UHFFFAOYSA-K trichloroiridium;hydrate Chemical compound O.Cl[Ir](Cl)Cl MJRFDVWKTFJAPF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N tritert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
- H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/27—Combination of fluorescent and phosphorescent emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种发光装置，依次包括阳极、第一发光层、第二发光层以及阴极，其中，所述第一发光层不与所述第二发光层接触，所述第一发光层的发射光谱峰值在420nm以上且480nm以下的波长区域中，所述第二发光层的发射光谱峰值在550nm以上且590nm以下的波长区域中，所述第一发光层包含荧光材料及主体材料，所述第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物，所述第一有机化合物和所述第二有机化合物形成激基复合物，并且，所述激基复合物的发光峰值与所述磷光材料的最长波长一侧的吸收带重叠。
Description
本申请是国际申请号为PCT/IB2015/053577，国际申请日为2015年5月15日的PCT国际申请进入中国阶段后国家申请号为201580028601.6的标题为“发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的一个实施方式涉及一种将通过施加电场来获得发光的发光层夹在一对电极之间而成的发光元件或者包括该发光元件的发光装置、电子设备以及照明装置。
注意，本发明的一个实施方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个实施方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(composition ofmatter)。因此，具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个实施方式的技术领域的例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或它们的制造方法。
背景技术
近年来，对利用使用有机化合物的电致发光(EL：Electroluminescence)的发光元件(有机EL元件)的研究开发日益火热。在这些发光元件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光物质的有机化合物层(EL层)。通过对该元件施加电压，可以获得来自发光物质的发光。
在一对电极之间设置有包含有机化合物的层的发光元件被称为有机电场发光元件，包括上述发光元件的发光装置被称为有机电场发光装置。可以将有机电场发光装置应用于显示装置或照明装置等(例如，参照专利文献1)。
[参考文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2012-186461号公报
发明内容
本发明的一个实施方式的目的之一是提高发光元件的发光效率。另外，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置、新颖的发光元件、新颖的发光装置。注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本发明的一个实施方式并不需要实现所有上述目的。另外，上述以外的目的可明显从说明书、附图及权利要求书等的记载看出，且可以从说明书、附图及权利要求书等的记载中抽出上述以外的目的。
本发明的一个实施方式是一种在一对电极之间夹有EL层的发光元件，EL层包括第一发光层、第二发光层，第一发光层包含荧光材料及主体材料，第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物，第二发光层的发射光谱在黄色的波长区域中具有峰值，第一有机化合物和第二有机化合物形成激基复合物。
在上述结构中，第二发光层所包含的磷光材料优选为一种。
在上述各结构中，能量优选从激基复合物转移到磷光材料。
在上述各结构中，主体材料的单重态激发能级优选比荧光材料的单重态激发能级大，并且主体材料的三重态激发能级优选比荧光材料的三重态激发能级小。
在上述各结构中，主体材料的三重态激发能级优选比第一有机化合物及第二有机化合物的三重态激发能级小。
在上述各结构中，优选第一发光层和第二发光层具有第一发光层和第二发光层互相接触的区域。
在上述各结构中，优选第一发光层和第二发光层具有第一发光层和第二发光层互相分开的区域。当具有其中第一发光层和第二发光层互相分开的区域时，优选在第一发光层和第二发光层之间具有混合有空穴传输性材料和电子传输性材料的层。
在上述各结构中，第二发光层优选设置在第一发光层上。
另外，本发明的另一个方式是一种包括具有上述各结构的发光元件、晶体管或衬底的发光装置。
注意，本说明书等中的发光装置包括使用发光元件的图像显示器件。此外，发光装置有时包括在如下模块中：在发光元件中安装有连接器诸如FPC(Flexible PrintedCircuit：柔性印刷电路)的模块；在发光元件中安装有各向异性导电薄膜或TCP(TapeCarrier Package：带载封装)的模块；在TCP的端部设置有印刷线路板的模块；或者通过COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式在发光元件上直接安装有IC(集成电路)的模块。
另外，本发明的另一个方式是一种包括具有上述结构的发光装置、外部连接端口、键盘、操作按钮、扬声器或麦克风的电子设备。另外，本发明的另一个方式是一种包括具有上述结构的模块、外部连接端口、键盘、操作按钮、扬声器或麦克风的电子设备。另外，本发明的另一个方式是一种包括具有上述结构的发光装置及框体的照明装置。
根据本发明的一个实施方式可以提高发光元件的发光效率。另外，根据本发明的一个实施方式可以提供一种新颖的半导体装置、新颖的发光元件、新颖的发光装置。
注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个实施方式并不需要具有所有上述效果。另外，从说明书、附图、权利要求书等的记载可明显看出这些效果外的效果，从而可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽出除这些效果外的效果。
附图说明
图1A和图1B是说明本发明的一个实施方式的发光元件的截面示意图；
图2A和图2B是说明发光层中的能级相关的图；
图3是说明发光层中的能级相关的图；
图4A和图4B是说明本发明的一个实施方式的发光元件的截面示意图；
图5是说明本发明的一个实施方式的发光元件的截面示意图；
图6A和图6B是说明本发明的一个实施方式的发光装置的俯视图及截面图；
图7A和图7B是说明本发明的一个实施方式的发光装置的截面图；
图8是说明本发明的一个实施方式的发光装置的截面图；
图9A和图9B是说明本发明的一个实施方式的发光装置的截面图；
图10A和图10B是说明本发明的一个实施方式的发光装置的截面图；
图11A和图11B是说明本发明的一个实施方式的显示装置的方框图及电路图；
图12是说明显示模块的透视图；
图13A至图13G是说明电子设备的图；
图14是说明照明装置的图；
图15A和图15B是说明实施例1至实施例3的发光元件的元件结构的截面示意图；
图16A和图16B是说明实施例1的发光元件的电流密度-亮度特性及电压-亮度特性的图；
图17A和图17B是说明实施例1的发光元件的亮度-功率效率特性及亮度-电流效率特性的图；
图18是说明实施例1的发光元件的发射光谱的图；
图19A和图19B是说明实施例2的发光元件的电流密度-亮度特性及电压-亮度特性的图；
图20A和图20B是说明实施例2的发光元件的亮度-功率效率特性及亮度-电流效率特性的图；
图21是说明实施例2的发光元件的发射光谱的图；
图22A和图22B是说明实施例3的发光元件的电流密度-亮度特性及电压-亮度特性的图；
图23A和图23B是说明实施例3的发光元件的亮度-功率效率特性及亮度-电流效率特性的图；
图24是说明实施例3的发光元件的发射光谱的图；
图25是说明实施例4的发光元件的元件结构的截面示意图；
图26A和图26B是说明实施例4的发光元件的电流密度-亮度特性及电压-亮度特性的图；
图27是说明实施例4的发光元件的发射光谱的图；
图28是说明实施例5的发光元件11的亮度-外部量子效率特性的图；
图29是说明实施例5的发光元件11的发射光谱的图；
图30是说明实施例5的发光元件11的可靠性的图；
图31是说明实施例5的发光元件12的亮度-外部量子效率特性的图；
图32是说明实施例5的发光元件12的发射光谱的图；
图33是说明实施例5的发光元件12的可靠性的图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。注意，本发明的一个实施方式不局限于以下的描述并且在不偏离本发明的宗旨和范围的情况下可以用多种方式修改本发明的模式和细节。因此，本发明的一个实施方式不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
另外，为了便于理解，有时在附图等中示出的各结构的位置、大小及范围等并不表示其实际的位置、大小及范围等。因此，所公开的发明不一定局限于附图等所公开的位置、大小、范围等。
在本说明书等中，为了方便起见，附加了第一、第二等序数词，而其并不表示工序顺序或叠层顺序。因此，例如可以将“第一”适当地替换为“第二”或“第三”等来进行说明。此外，本说明书等中所记载的序数词与用于指定本发明的一个实施方式的序数词有时不一致。
注意，在本说明书等中，当利用附图说明发明的结构时，在不同的附图中共同使用表示相同对象的附图标记。
注意，在本说明书等中，根据情况或状态，可以互相调换“膜”和“层”。例如，有时可以将“导电层”调换为“导电膜”。另外，有时可以将“绝缘膜”调换为“绝缘层”。
在本说明书等中，荧光材料是指在从单重激发态的最低能级(S1能级)返回到基态时在可见光区域发光的材料。磷光材料是指在从三重激发态的最低能级(T1能级)返回到基态时在室温下在可见光区域发光的材料。换言之，磷光材料是指可以将三重态激发能转换为可见光的材料。
在本说明书等中，蓝色光在420nm以上且480nm以下的蓝色的波长区域中具有至少一个发射光谱峰值，绿色光在500nm以上且小于550nm的绿色的波长区域中具有至少一个发射光谱峰值，黄色光在550nm以上且590nm以下的黄色的波长区域中具有至少一个发射光谱峰值，红色光在600nm以上且740nm以下的红色的波长区域中具有至少一个发射光谱峰值。
实施方式1
以下，使用图1A和图1B对本发明的一个实施方式的发光元件进行说明。图1A是本发明的一个实施方式的发光元件100的截面示意图，图1B是本发明的一个实施方式的发光元件140的截面示意图。
图1A所示的发光元件100具有在一对电极(第一电极101及第二电极102)之间夹着EL层130的结构。EL层130包括第一发光层113及第二发光层114。在发光元件100中，示出空穴注入层111、空穴传输层112、电子传输层115及电子注入层116作为EL层130的一部分，但这些叠层结构是一个例子，本发明的一个实施方式的发光元件中的EL层130的结构不局限于此。注意，在发光元件100中，第一电极101被用作阳极，第二电极102被用作阴极。
第一发光层113包含荧光材料及主体材料。第一发光层113的发射光谱优选在蓝色的波长区域具有峰值。第二发光层114包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物。第二发光层114的发射光谱优选在黄色的波长区域具有峰值。第二发光层114所包含的磷光材料优选为一种。第一有机化合物和第二有机化合物形成激基复合物(也称为激基复合物)。第一有机化合物和第二有机化合物中的一个被用作第二发光层114的主体材料，第一有机化合物和第二有机化合物中的另一个被用作第二发光层114的辅助材料。注意，在以下的说明中，假设第一有机化合物是主体材料且第二有机化合物是辅助材料而进行说明。
通过作为第一发光层113及第二发光层114采用上述结构，可以高效地得到来自第一发光层113的荧光材料的发光(这里指在蓝色的波长区域具有峰值的发光)、来自第二发光层114的磷光材料的发光(这里指在黄色的波长区域具有峰值的发光)。
第一发光层113的主体材料的T1能级优选比第二发光层114中的第一有机化合物及第二有机化合物的T1能级小。在第一发光层113中，优选主体材料的S1能级比荧光材料的S1能级大，且主体材料的T1能级比荧光材料的T1能级小。
在第二发光层114中的第一有机化合物和第二有机化合物的组合只要为能够形成激基复合物的组合即可，优选一个有机化合物为具有空穴传输性的材料，另一个有机化合物为具有电子传输性的材料。此时，容易形成供体-受体型的激发态，由此可以高效率地形成激基复合物。另外，当使用具有空穴传输性的材料和具有电子传输性的材料的组合构成第一有机化合物和第二有机化合物的组合时，按照其混合比例可以容易控制载流子平衡。具体而言，混合比例优选为如下：具有空穴传输性的材料：具有电子传输性的材料＝1:9至9:1(重量比)。此外，具有该结构的发光元件100可以容易控制载流子平衡，所以也可以容易控制复合区域。
在发光元件100中，载流子的复合区域优选具有一定程度的分布。为此，在第一发光层113或第二发光层114中优选具有适当的载流子俘获性，尤其是，第二发光层114中的磷光材料优选具有电子俘获性。
另外，发光元件100优选采用如下结构：与来自第二发光层114的发光的峰值相比，来自第一发光层113的发光的峰值更靠近短波长一侧。使用呈现短波长的发光的磷光材料的发光元件有亮度劣化快的趋势。于是，通过作为短波长的发光采用荧光发光可以提供一种亮度劣化小的发光元件。
在发光元件100中，因为以相接触的方式层叠第一发光层113和第二发光层114，所以用来形成EL层130的层的个数少，而生产率高。
另外，通过使第一发光层113和第二发光层114发射彼此不同的发光波长的光，发光元件100可以成为多色发光的元件。由于合成具有不同的发光峰值的光，因此发光元件100的发射光谱成为具有至少两个峰值的发射光谱。
另外，发光元件100适合用来获得白色发光。通过使第一发光层113与第二发光层114的光为互补色的关系，可以获得白色发光。
另外，通过将发光波长不同的多个发光物质用于第一发光层113，也可以得到由三原色或四种以上的发光颜色构成的演色性高的白色发光。在此情况下，也可以将第一发光层113进一步分割为层状并使该被分割的层的每一个含有不同的发光材料。
<第二发光层的发光机理>
在此，图2A示出第二发光层114中的第一有机化合物、第二有机化合物、磷光材料之间的能级相关。图2A中的记载及符号表示的是如下：
·Host(主体)：第一有机化合物
·Assist(辅助)：第二有机化合物
·Guest(客体)：磷光材料
·SPH：主体材料(第一有机化合物)的单重激发态的最低能级
·TPH：主体材料(第一有机化合物)的三重激发态的最低能级
·TPG：客体材料(磷光材料)的三重激发态的最低能级
·SE：激基复合物的单重激发态的最低能级
·TE：激基复合物的三重激发态的最低能级
在本发明的一个实施方式的发光元件100中，第二发光层114中的第一有机化合物和第二有机化合物形成激基复合物。激基复合物的单重激发态的最低能级(SE)和激基复合物的三重激发态的最低能级(TE)相邻(参照图2A的Route A)。
激基复合物是由两种物质构成的激发态，在是光激发的情况下，激基复合物通过处于激发态的一个分子吸引处于基态的另一个物质而形成。当通过发射光处于基态时，形成激基复合物的两种物质分别恢复原来的物质的作用。在是电激发的情况下，当一个物质的阳离子分子(空穴)和另一个物质的阴离子分子(电子)接近时可以形成激基复合物。就是说，在电激发中，任何分子都可以形成激基复合物而不形成激发态，因此可以实现驱动电压的降低。而且，当激基复合物的(SE)能量和(TE)能量转移到客体材料(磷光材料)的三重激发态的最低能级时可以得到发光(参照图2A的Route B)。
注意，在本说明书等中，将上述Route A及Route B的过程称为ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer：激基复合物-三重态能量转移)。如上所述，在本发明的一个实施方式的发光元件中，能量可以从激基复合物转移到磷光材料(客体材料)。
第一有机化合物和第二有机化合物中的一个接收空穴，第一有机化合物和第二有机化合物中的另一个接收电子，当它们互相接近时，迅速形成激基复合物。或者，当一个物质处于激发态时，迅速吸引另一个物质而形成激基复合物。因此，第二发光层114中的大部分的激子作为激基复合物存在。因为激基复合物的带隙比第一有机化合物及第二有机化合物小，所以当空穴和电子的复合形成激基复合物时，可以降低驱动电压。
<第一发光层的发光机理>
在第一发光层113中，由于载流子的复合而形成激发态。第一发光层113包含主体材料及荧光材料。因为主体材料比荧光材料更多，所以激发态几乎作为主体材料的激发态存在。由于载流子的复合而产生的单重激发态与三重激发态的比例(以下，称为激子生成几率)为大约1:3。
首先，将说明主体材料的T1能级比客体材料的T1能级高的情况。
能量从主体材料的三重激发态转移到客体材料(三重态能量转移)。但是，因为客体材料是荧光材料，所以三重激发态不给可见光区域给予发光。因此，不能将主体材料的三重激发态用作发光。因此，当主体材料的T1能级比客体材料的T1能级高时，在所注入的载流子中，能够用于发光的载流子至多只有25％左右。
接着，图2B示出本发明的一个实施方式的第一发光层113中的主体材料和荧光材料之间的能级相关。图2B中的记载及符号表示的是如下：
·Host(主体)：主体材料
·Guest(客体)：荧光材料
·SFH：主体材料的单重激发态的最低能级
·TFH：主体材料的三重激发态的最低能级
·SFG：客体材料(荧光材料)的单重激发态的最低能级
·TFG：客体材料(荧光材料)的三重激发态的最低能级
如图2B所示，客体材料的T1能级(图2B中的TFG)比主体材料的T1能级(图2B中的TFH)高。
另外，如图2B所示，三重态-三重态湮灭(TTA：Triplet-Triplet Annihilation)导致三重态激子相碰撞，因此其一部分被转换为主体材料的单重激发态的最低能级(SFH)。能量从主体材料的单重激发态的最低能级(SFH)移动到能级更低的客体材料(荧光材料)的单重激发态的最低能级(SFG)(参照图2B的Route C)，由此荧光材料发射光。
注意，因为主体材料的T1能级比客体材料的T1能级小，所以TFG不失活而转移到TFH(参照图2B所示的Route D)，被用于TTA。
<第一发光层及第二发光层的发光机理>
上面说明了第一发光层113及第二发光层114的每一个的发光机理。在本发明的一个实施方式的发光元件100中，即使在第一发光层113和第二发光层114之间的界面产生从激基复合物到第一发光层113的主体材料的能量转移(尤其是，三重态激发能级的能量转移)也可以在第一发光层113中将上述三重态激发能转换为发光。
具体而言，图3示出在第一发光层113中使用TTA，在第二发光层114中使用ExTET时的能级相关。图3中的记载及符号表示的是如下：
·Fluorescence EML：荧光发光层(第一发光层113)
·Phosphorescence EML：磷光发光层(第二发光层114)
·TFH：主体材料的三重激发态的最低能级
·SFG：客体材料(荧光材料)的单重激发态的最低能级
·TFG：客体材料(荧光材料)的三重激发态的最低能级
·SPH：主体材料(第一有机化合物)的单重激发态的最低能级
·TPH：主体材料(第一有机化合物)的三重激发态的最低能级
·TPG：客体材料(磷光材料)的三重激发态的最低能级
·SE：激基复合物的单重激发态的最低能级
·TE：激基复合物的三重激发态的最低能级
如图3所示，激基复合物只处于激发态，因此不容易产生激基复合物和激基复合物之间的激子扩散。激基复合物的激发能级(SE、TE)比第二发光层114的第一有机化合物(即，磷光材料的主体材料)的激发能级(SPH、TPH)低，因此不发生从激基复合物向第一有机化合物的能量扩散。就是说，在磷光发光层(第二发光层114)中，激基复合物的激子扩散距离短，因此可以保持磷光发光层(第二发光层114)的发光效率。即使磷光发光层(第二发光层114)的激基复合物的三重态激发能的一部分通过荧光发光层(第一发光层113)和磷光发光层(第二发光层114)之间的界面扩散到荧光发光层(第一发光层113)中，也由于该扩散所引起的荧光发光层(第一发光层113)的三重态激发能利用TTA发光而可以减少能量损失。
如上所述，本发明的一个实施方式的发光元件通过在第二发光层114中利用ExTET且在第一发光层113中利用TTA，可以得到超过激子生成几率的发光效率。因此，可以提供一种效率高的发光元件。
在图1A中，第一发光层113设置在用作阳极的第一电极101一侧，第二发光层114设置在用作阴极的第二电极102一侧，但是该叠层顺序也可以相反。具体而言，如图1B的发光元件140所示，第一发光层113设置在用作阴极的电极一侧，第二发光层114设置在用作阳极的电极一侧。换言之，发光元件140具有在第二发光层114上设置有第一发光层113的结构。
当采用发光元件140所示的结构时，在采用微腔结构(后述)的情况下，可以容易调节第二发光层114及/或第一发光层113的光程长，所以是优选的。
在此，以下说明本发明的一个实施方式的发光元件100的各结构的详细内容。
<电极>
第一电极101具有对第一发光层113和第二发光层114注入空穴的功能，第二电极102具有对第一发光层113和第二发光层114注入电子的功能。这些电极可以使用金属、合金、导电性化合物以及它们的混合物或叠层体等形成。金属的典型例子是铝，除此之外，可以使用银、钨、铬、钼、铜、钛等过渡金属、锂或铯等碱金属、钙或镁等第2族金属。作为过渡金属，也可以使用稀土金属。作为合金，可以使用包括上述金属的合金，例如可以举出MgAg、AlLi等。作为导电性化合物，可以举出氧化铟-氧化锡(Indium Tin Oxide)等金属氧化物。作为导电性化合物也可以使用石墨烯等无机碳类材料。如上所述，可以通过层叠多个这些材料形成第一电极101、第二电极102中的一个或两个。
从第一发光层113及第二发光层114发射的光透过第一电极101、第二电极102中的一个或两个被提取。因此，这些电极中的至少一个使可见光透过。当将金属或合金等透光性低的材料用于提取光的电极时，以能够使可见光透过的程度的厚度形成第一电极101、第二电极102或其一部分。此时，具体的厚度是1nm至10nm。
<第一发光层>
第一发光层113包含主体材料及荧光材料。在第一发光层113中，主体材料的重量比最大，荧光材料分散在主体材料中。优选主体材料的S1能级比荧光材料的S1能级大，主体材料的T1能级比荧光材料的T1能级小。
主体材料优选为蒽衍生物或并四苯衍生物。因为这些衍生物的S1能级大且T1能级小。具体而言，可以举出9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(PCzPA)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(PCPN)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(CzPA)、7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑(cgDBCzPA)、6-[3-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃(2mBnfPPA)、9-苯基-10-{4-(9-苯基-9H-芴-9-基)-联苯-4’-基}-蒽(FLPPA)等。或者，可以举出5,12-二苯基并四苯、5,12-双(联苯-2-基)并四苯等。
作为荧光材料，可以举出芘衍生物、蒽衍生物、三亚苯衍生物、芴衍生物、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、菲衍生物、萘衍生物等。尤其是芘衍生物的发光量子产率高，所以是优选的。作为芘衍生物的具体例子，可以举出N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双〔3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基〕芘-1,6-二胺(1,6mMemFLPAPrn)、N,N’-双〔4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基〕-N,N’-二苯基芘-1,6-二胺(1,6FLPAPrn)、N,N’-双(二苯并呋喃-2-基)-N,N’-二苯基芘-1,6-二胺(1,6FrAPrn)、N,N’-双(二苯并噻吩-2-基)-N,N’-二苯基芘-1,6-二胺(1,6ThAPrn)等。
<第二发光层>
第二发光层114包含第一有机化合物、第二有机化合物、磷光材料。在此，假设第一有机化合物是主体材料且第二有机化合物是辅助材料而进行说明。
在第二发光层114中，主体材料(第一有机化合物)的重量比最大，磷光材料分散在主体材料中。第二发光层114的主体材料(第一有机化合物)的T1能级优选比第一发光层113的荧光材料的T1能级大。
作为磷光材料可以举出铱、铑、铂类有机金属配合物或金属配合物，其中优选的是有机铱配合物，例如铱类邻位金属配合物。作为邻位金属化的配体，可以举出4H-三唑配体、1H-三唑配体、咪唑配体、吡啶配体、嘧啶配体、吡嗪配体或异喹啉配体等。作为金属配合物可以举出具有卟啉配体的铂配合物等。
磷光材料优选为在黄色的波长区域具有峰值的材料。该在黄色的波长区域具有峰值的材料的发射光谱优选在绿色及红色的波长区域包含光谱成分。
作为主体材料(第一有机化合物)，除了锌、铝类金属配合物以外还可以举出噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、吡啶衍生物、联吡啶衍生物、菲咯啉衍生物等。作为其他例子，可以举出芳族胺或咔唑衍生物等。
作为第二有机化合物(辅助材料)使用可以与第一有机化合物形成激基复合物的物质。优选以激基复合物的发光峰值与磷光材料的三重MLCT(从金属到配位体的电荷转移：Metal to Ligand Charge Transfer)跃迁的吸收带(具体而言，最长波长一侧的吸收带)重叠的方式选择第一有机化合物、第二有机化合物及磷光材料。因此可以提供一种发光效率得到显著提高的发光元件。注意，在使用热活化延迟荧光(Thermally activated delayedfluorescence：TADF)材料代替磷光材料的情况下，最长波长一侧的吸收带优选为单重态的吸收带。注意，将在后面说明TADF材料。
对第一发光材料和第二发光材料的发光颜色没有限制，可以相同或不同。来自各材料的发光被混合并提取到元件的外部，因此例如当两个发光颜色为互补色的关系时，发光元件可以发射白色光。当考虑发光元件的可靠性时，第一发光材料的发光峰值波长优选比第二发光材料短。例如，优选第一发光材料发射蓝色光，第二发光材料发射黄色光。
<其它层>
如图1A所示，本发明的一个实施方式的发光元件100也可以包括上述第一发光层113、第二发光层114以外的层。例如，也可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等。这些层的每一个也可以使用多个层形成。这些层可以降低载流子注入势垒、提高载流子传输性或抑制电极所导致的猝灭现象，并且有助于发光效率的提高或驱动电压的降低。这些层可以使用蒸镀法(包括真空蒸镀法)、印刷法(例如，凸版印刷法、凹版印刷法、照相凹版印刷法、平板印刷法、孔版印刷法等)、喷墨法和涂敷法等方法中的一个或组合形成。
<空穴注入层>
空穴注入层111具有通过降低来自第一电极101的空穴注入势垒促进空穴注入的功能，并例如使用过渡金属氧化物、酞菁衍生物或芳族胺等形成。作为过渡金属氧化物可以举出钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。作为酞菁衍生物，可以举出酞菁或金属酞菁等。作为芳族胺，可以举出联苯胺衍生物或亚苯基二胺衍生物等。也可以使用聚噻吩或聚苯胺等高分子化合物，典型的是：作为被自掺杂的聚噻吩的聚(乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)等。
作为空穴注入层111，可以使用由空穴传输性材料和具有接收来自空穴传输性材料的电子的特性的材料构成的复合材料。或者，也可以使用包含呈现电子接收性的材料的层与包含空穴传输性材料的层的叠层。在定态或者在存在有电场的状态下，电荷的授受可以在这些材料之间进行。作为呈现电子接收性的材料，可以举出醌二甲烷衍生物、四氯苯醌衍生物、六氮杂苯并菲衍生物等有机受体。也可以使用过渡金属氧化物、例如第4族至第8族金属的氧化物。具体而言，可以使用氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰、氧化铼等。特别优选使用氧化钼，因为其在大气中也稳定，吸湿性低，并且容易处理。
作为空穴传输性材料，可以使用空穴传输性比电子传输性高的材料，优选使用具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的材料。具体而言，可以使用芳族胺、咔唑衍生物、芳烃、二苯乙烯衍生物等。上述空穴传输性材料也可以是高分子化合物。
<空穴传输层>
空穴传输层112是包含空穴传输性材料的层，可以使用作为空穴注入层111的材料例示出的材料。空穴传输层112具有将注入到空穴注入层111的空穴传输到第一发光层113的功能，所以优选具有与空穴注入层111的高占据分子轨道(HOMO)能级相同或接近的HOMO能级。
<电子传输层>
电子传输层115具有将从第二电极102经过电子注入层116注入的电子传输到第二发光层114的功能。作为电子传输性材料，可以使用电子传输性比空穴传输性高的材料，优选使用具有1×10-6cm2/Vs以上的电子迁移率的材料。具体而言，可以举出具有喹啉配体、苯并喹啉配体、噁唑配体、噻唑配体的金属配合物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉磷衍生物、吡啶衍生物、联吡啶衍生物等。
<电子注入层>
电子注入层116具有通过降低来自第二电极102的电子注入势垒促进电子注入的功能，例如可以使用第1族金属、第2族金属或它们的氧化物、卤化物、碳酸盐等。也可以使用上述电子传输性材料和具有对电子传输性材料供应电子的特性的材料的复合材料。作为具有供电子特性的材料，可以举出第1族金属、第2族金属或它们的氧化物。
<衬底、FET等>
可以将发光元件100制造在由玻璃、塑料等构成的衬底上。作为在衬底上进行层叠的顺序，既可从第一电极101一侧依次层叠又可从第二电极102一侧依次层叠。另外，也可以在由玻璃、塑料等构成的衬底上例如形成场效应晶体管(FET)，并且在与FET电连接的电极上制造发光元件。由此，可以制造通过FET控制发光元件的驱动的有源矩阵型发光装置。
以上，假设第二发光层114所包含的发光材料是磷光材料而进行说明，但是不局限于此。包含在第二发光层114的发光材料只要是可以将三重态激发能转换为发光的材料即可。作为该可以将三重态激发能转换为发光的材料，除了磷光材料以外还可以举出TADF材料。因此，可以用TADF材料取代记载有磷光材料的部分。TADF材料是指能够通过微小的热能量将三重激发态上转换(up-convert)为单重激发态(逆系间窜越)并高效率地呈现来自单重激发态的发光(荧光)的材料。另外，可以高效率地获得热活化延迟荧光的条件为如下：三重态激发能级和单重激态发能级之间的能量差为0eV以上且0.2eV以下，优选为0eV以上且0.1eV以下。
注意，本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式2
在本实施方式中，以下使用图4A和图4B说明具有与实施方式1所示的发光元件100、发光元件140不同的结构的发光元件。图4A是本发明的一个实施方式的发光元件150的截面示意图，图4B是本发明的一个实施方式的发光元件160的截面示意图。
发光元件150与发光元件100之间的不同之处在于：发光元件150包括第一发光层113和第二发光层114之间的分离层120。分离层120与第一发光层113及第二发光层114接触。其它层的结构与实施方式1相同，所以省略说明。
分离层120是为了防止从生成在第二发光层114中的第一有机化合物或磷光材料的激发态到第一发光层113中的主体材料或荧光材料的德克斯特(Dexter)机理所引起的能量转移(尤其是，三重态的能量转移)而设置的。因此，分离层的厚度只要是几nm左右即可。具体是0.1nm以上且20nm以下、1nm以上且10nm以下或1nm以上5nm以下。
分离层120既可以只包含一个材料，又可以包含空穴传输性材料和电子传输性材料。当分离层120只包含一个材料时，也可以使用双极性材料。在此，双极性材料是指电子和空穴的迁移率比例为100以下的材料。作为分离层120所包含的材料可以使用在实施方式1中示出的空穴传输性材料或电子传输性材料等。分离层120所包含的材料或其中的至少一个也可以使用与第二发光层114的主体材料(第一有机化合物)相同的材料形成。由此，发光元件的制造变得容易，并且可以降低驱动电压。
例如，当使用与第二发光层114的主体材料(第一有机化合物)和辅助材料(第二有机化合物)相同的材料形成分离层120时，第一发光层113和第二发光层114隔着不包含第二发光层114的磷光材料的层(分离层120)被层叠。通过采用这样的结构，可以根据磷光材料的有无蒸镀分离层120及第二发光层114。换言之，分离层120具有不包含磷光材料的区域，第二发光层114具有包含磷光材料的区域。另外，通过采用这样的结构，可以在相同的腔室中形成分离层120和第二发光层114。由此可以降低制造成本。
或者，分离层120所包含的材料或其中的至少一个也可以具有比第二发光层114的主体材料(第一有机化合物)高的T1能级。
通过调节空穴传输性材料和电子传输性材料的混合比例，可以调节复合区域，因此可以控制发光颜色。例如，当第一电极101和第二电极102分别是阳极和阴极时，通过增大分离层120中的空穴传输性材料的比例可以将复合区域从第一电极101一侧移动到第二电极102一侧。由此，可以增加来自第二发光层114的光的贡献。与此相反，通过增大电子传输性材料的比率，可以将复合区域从第二电极102一侧移动到第一电极101一侧，由此可以增加来自第一发光层113的光的贡献。当第一发光层113和第二发光层114的发光颜色互不相同时，可以改变发光元件整体的发光颜色。
空穴传输性材料和电子传输性材料也可以在分离层120中形成激基复合物，由此可以有效地防止激子的扩散。具体而言，可以防止能量从第二发光层114的主体材料(第一有机化合物)或磷光材料的激发态转移到第一发光层113的主体材料或荧光材料。
与实施方式1所示的发光元件140同样，第一发光层113也可以位于第二发光层114上。具体而言，如图4B所示的发光元件160，也可以在空穴传输层112上设置有第二发光层114，在其上隔着分离层120设置有第一发光层113。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。
实施方式3
在本实施方式中，参照图5说明本发明的一个实施方式的发光元件。图5是说明本发明的一个实施方式的发光元件170的截面示意图。
发光元件170在第一电极101与第二电极102之间具有多个发光单元(图5中的第一发光单元131、第二发光单元132)。一个发光单元具有与图1A和图1B所示的EL层130同样的结构。就是说，图1A和图1B所示的发光元件100具有一个发光单元，发光元件170具有多个发光单元。
在图5所示的发光元件170中，层叠有第一发光单元131和第二发光单元132，并且在第一发光单元131与第二发光单元132之间设置有电荷产生层133。另外，第一发光单元131和第二发光单元132可以具有相同结构或不同结构。
电荷产生层133包含由有机化合物和金属氧化物构成的复合材料。该复合材料使用可用于上述空穴注入层111的复合材料即可。作为有机化合物，可以使用芳香胺化合物、咔唑化合物、芳烃、高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)等各种化合物。另外，作为有机化合物，优选使用其空穴迁移率为1×10-6cm2/Vs以上的有机化合物。但是，只要是其空穴传输性高于电子传输性的物质，就可以使用这些以外的物质。因为由有机化合物和金属氧化物构成的复合材料具有良好的载流子注入性以及载流子传输性，所以可以实现低电压驱动以及低电流驱动。注意，在发光单元的阳极一侧的表面接触于电荷发生层133时，电荷发生层133还可以具有发光单元的空穴传输层的功能，所以在发光单元中也可以不设置空穴传输层。
注意，电荷产生层133也可以通过采用组合包含由有机化合物和金属氧化物构成的复合材料的层与由其他材料构成的层的叠层结构形成。例如，也可以通过组合包含由有机化合物和金属氧化物构成的复合材料的层与包含选自电子给体性物质中的一个化合物和具有高电子传输性的化合物的层形成。另外，也可以通过组合包含由有机化合物和金属氧化物构成的复合材料的层与透明导电膜形成。
夹在第一发光单元131与第二发光单元132之间的电荷产生层133只要具有在将电压施加到第一电极101和第二电极102时，将电子注入到一个发光单元且将空穴注入到另一个发光单元的结构即可。例如，在图5中，电荷产生层133具有在以使第一电极101的电位高于第二电极102的电位的方式施加电压时，将电子注入到第一发光单元131且将空穴注入到第二发光单元132的结构即可。
虽然在图5中说明了具有两个发光单元的发光元件，但是可以同样地应用层叠有三个以上的发光单元的发光元件。如发光元件170，通过在一对电极之间以由电荷产生层将其隔开的方式配置多个发光单元，该发光元件在保持低电流密度的同时还可以进行高亮度发光，并且可以实现使用寿命更长的发光元件。另外，还可以实现能够进行低电压驱动且耗电量低的发光装置。
另外，通过在多个单元中的至少一个中使用EL层130的结构，可以缩减该单元的制造工序，从而可以提供一种有利于实用化的多色发光元件。
另外，上述结构可以与其他实施方式或本实施方式中的其他结构适当地组合。
实施方式4
在本实施方式中，使用图6A和图6B说明使用在实施方式1至实施方式3中记载的发光元件的发光装置。
图6A是示出发光装置600的俯视图，图6B是沿着图6A的点划线A-B、点划线C-D截断的截面图。发光装置600包括驱动电路部(源极线驱动电路部601、栅极线驱动电路部603)以及像素部602。源极线驱动电路部601、栅极线驱动电路部603、像素部602具有控制发光元件的发光的功能。
发光装置600包括元件衬底610、密封衬底604、密封剂605、由密封剂605围绕的区域607、引绕布线608以及FPC609。
注意，引绕布线608是用来传送输入到源极线驱动电路部601及栅极线驱动电路部603的信号的布线，并且从用作外部输入端子的FPC609接收视频信号、时钟信号、起始信号、复位信号等。注意，虽然在此只图示出FPC609，但是FPC609还可以安装有印刷线路板(PWB)。
作为源极线驱动电路部601，形成组合n沟道型FET623和p沟道型FET624的CMOS电路。另外，源极线驱动电路部601或栅极线驱动电路部603也可以利用各种CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路形成。另外，虽然在本实施方式中示出在衬底上形成有驱动电路部的驱动器一体型，但是不需要必须采用该结构，驱动电路部也可以形成在外部，而不形成在衬底上。
另外，像素部602包括开关FET611、电流控制FET612以及与电流控制FET612的漏极电连接的第一电极613。注意，以覆盖第一电极613的端部的方式形成有绝缘物614。作为绝缘物614可以使用正型感光丙烯酸树脂膜。
另外，将绝缘物614的上端部或下端部形成为具有曲率的曲面，以获得良好的覆盖性。例如，在使用正型感光丙烯酸作为绝缘物614的材料的情况下，优选只使绝缘物614的上端部包括具有曲率半径(0.2μm至3μm)的曲面。作为绝缘物614，可以使用负型感光树脂或者正型感光树脂。
对FET(FET611、612、623、624)的结构没有特别的限制。例如，作为FET也可以使用交错型晶体管。另外，对晶体管的极性也没有特别的限制，也可以采用包括N型晶体管及P型晶体管的结构或者只具有N型晶体管和P型晶体管中的一个的结构。对用于晶体管的半导体膜的结晶性也没有特别的限制。例如，可以使用非晶半导体膜或结晶性半导体膜。作为半导体材料，可以使用第13族(镓等)半导体、第14族(硅等)半导体、化合物半导体(包括氧化物半导体)、有机半导体等。作为晶体管，例如使用能隙为2eV以上，优选为2.5eV以上，更优选为3eV以上的氧化物半导体，由此可以降低晶体管的关态电流(off-state current)，所以是优选的。作为该氧化物半导体，例如可以举出In-Ga氧化物、In-M-Zn氧化物(M为Al、Ga、Y、Zr、La、Ce或Nd)等。
在第一电极613上形成有EL层616及第二电极617。将第一电极613用作阳极，将第二电极617用作阴极。
另外，EL层616可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、印刷法(例如，凸版印刷法、凹版印刷法、照片凹版印刷法、平板印刷法、孔版印刷法等)、喷墨法或涂敷法等方法形成。EL层616具有在实施方式1至实施方式3中说明的结构。另外，作为构成EL层616的其他材料，也可以使用低分子化合物或高分子化合物(包含低聚物、树枝状聚合物)。
由第一电极613、EL层616及第二电极617构成发光元件618。发光元件618是具有构成实施方式1至实施方式3的结构的发光元件。注意，当像素部由多个发光元件构成时，也可以包括在实施方式1至实施方式3中记载的发光元件以及具有其他结构的发光元件。
另外，通过使用密封剂605将密封衬底604贴合到元件衬底610，形成如下结构，即发光元件618安装在由元件衬底610、密封衬底604以及密封剂605围绕的区域607中。注意，在区域607中填充有填料，作为该填料，除了惰性气体(氮或氩等)以外，还可以使用密封剂605。通过在密封衬底中形成凹部且在其中设置干燥剂(未图示)，可以抑制水分所导致的劣化，所以是优选的。
另外，优选使用环氧类树脂或玻璃粉作为密封剂605。另外，这些材料优选为尽可能地不使水或氧透过的材料。另外，作为用于密封衬底604的材料，除了可以使用玻璃衬底或石英衬底以外，还可以使用由FRP(Fiber Reinforced Plastics；玻璃纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸等构成的塑料衬底。
通过上述步骤，可以得到使用在实施方式1至实施方式3中记载的发光元件制造的发光装置。
因为本实施方式中的发光装置600使用在实施方式1至实施方式3中记载的发光元件，所以可以具有优良特性。具体而言，实施方式1至实施方式3所示的发光元件是发光效率良好的发光元件，从而可以实现降低了耗电量的发光装置。另外，该发光元件为容易实现量产化的发光元件，从而可以提供低成本的发光装置。
接着，图7A和图7B示出通过形成呈现白色发光的发光元件设置着色层(滤色片)等来实现全彩色化的发光装置的截面图的例子。
图7A示出衬底1001、基底绝缘膜1002、栅极绝缘膜1003、栅电极1006、1007、1008、第一层间绝缘膜1020、第二层间绝缘膜1021、周边部1042、像素部1040、驱动电路部1041、发光元件的第一电极1024Y、1024R、1024G、1024B、分隔壁1025、EL层1028、发光元件的第二电极1026、密封衬底1031、密封剂1032等。
另外，在图7A中，将着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B、黄色着色层1034Y)设置在透明基材1033上。另外，还可以设置黑色层(黑矩阵)1035。对设置有着色层及黑色层的透明基材1033进行对准而将其固定到衬底1001上。另外，着色层及黑色层被覆盖层1036覆盖。另外，在图7A中，透过着色层的光成为红色光、蓝色光、绿色光、黄色光，因此能够以四个颜色的像素呈现图像。
图7B示出将着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)形成在栅极绝缘膜1003和第一层间绝缘膜1020之间的例子。如上述那样，也可以将着色层设置在衬底1001和密封衬底1031之间。本发明的一个实施方式的发光元件可以呈现黄色波长，因此，如图7B所示，也可以不设置黄色着色层。
另外，虽然以上说明了具有在形成有FET的衬底1001一侧提取光的结构(底部发射型)的发光装置，但是也可以采用具有在密封衬底1031一侧提取发光的结构(顶部发射型)的发光装置。
图8示出顶部发射型发光装置的截面图的例子。在此情况下，衬底1001可以使用不使光透过的衬底。到制造连接FET与发光元件的阳极的连接电极为止的工序与底部发射型发光装置同样地进行。然后，以覆盖电极1022的方式形成第三层间绝缘膜1037。该绝缘膜也可以具有平坦化的功能。第三层间绝缘膜1037可以使用与第二层间绝缘膜相同的材料或其他各种材料形成。
虽然在此发光元件的第一电极1024Y、1024R、1024G、1024B都是阳极，但是也可以是阴极。另外，在采用如图8所示那样的顶部发射型发光装置的情况下，第一电极1024Y、1024R、1024G、1024B优选为反射电极。EL层1028的结构采用在实施方式1至实施方式3中所示的EL层130的结构，并且采用能够获得白色发光的元件结构。
在图8中，在EL层1028上设置有第二电极1026。例如，将第二电极1026用作半透射半反射电极，在第一电极1024Y、1024R、1024G、1024B和第二电极1026之间采用利用光的共振效应的光学微谐振腔(micro optical resonator)(微腔)结构，增强特定波长的光的强度。
在采用图8所示的顶部发射结构的情况下，可以使用设置有着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B、黄色着色层1034Y)的密封衬底1031进行密封。密封衬底1031也可以设置有位于像素和像素之间的黑色层1035。着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B、黄色着色层1034Y)、黑色层1035也可以被覆盖层(未图示)覆盖。另外，作为密封衬底1031，使用具有透光性的衬底。
在图8中，例示出设置可以得到白色光的发光元件并在该发光元件的每一个上设置着色层的结构，但是不局限于此。例如，如图9A所示，也可以设置可以以得到白色光的发光元件、红色着色层1034R、绿色着色层1034G以及黄色着色层1034Y而不设置蓝色着色层的方式以红色、绿色、蓝色、黄色的四个颜色进行全彩色显示。或者如图9B所示，也可以以设置可以得到白色光的发光元件、红色着色层1034R、绿色着色层1034G而不设置蓝色着色层及黄色着色层的方式以红色、绿色、蓝色、黄色的四个颜色进行全彩色显示。如图8所示，当设置可以得到白色光的发光元件并在该发光元件的每一个上设置着色层时，发挥可以抑制外光反射的效果。另一方面，如图9B所示，当设置可以得到白色光的发光元件、红色着色层以及绿色着色层而不设置蓝色着色层及黄色着色层时，发光元件所发射出的光的能量损失少，因此发挥可以减少功耗的效果。
如图10A所示，也可以设置可以得到白色光的发光元件并在该发光元件的每一个上设置着色层，由此以红色、绿色、蓝色的三个颜色进行全彩色显示。或者如图10B所示，也可以以设置可以得到白色光的发光元件、红色着色层1034R、绿色着色层1034G而不设置蓝色着色层的方式以红色、绿色、蓝色的三个颜色进行全彩色显示。
图9A、图9B、图10A和图10B是说明本发明的一个实施方式的发光装置的截面示意图，其中省略图8所示的驱动电路部1041、周边部1042等。不局限于图8所示的结构，图9A、图9B、图10A和图10B所示的结构也可以采用微腔结构。
因为本实施方式中的发光装置使用在实施方式1至实施方式3中记载的发光元件，所以可以具有优良特性。具体而言，在实施方式1至实施方式3中记载的发光元件是发光效率良好的发光元件，从而可以实现降低了耗电量的发光装置。通过组合在实施方式1至实施方式3中记载的发光元件与滤色片等着色层，可以实现能够得到白色光的最佳元件结构。另外，在实施方式1至实施方式3中记载的发光元件具有比较容易实现量产化的发光结构，从而可以提供低成本的发光装置。
另外，上述结构可以与其他实施方式或本实施方式中的其他结构适当地组合。
实施方式5
在本实施方式中，参照图11A和图11B说明具有本发明的一个实施方式的发光装置的显示装置。
图11A是说明本发明的一个实施方式的显示装置的方框图，图11B是说明本发明的一个实施方式的显示装置所包括的像素电路的电路图。
图11A所示的显示装置包括：具有显示元件的像素的区域(以下称为像素部802)；配置在像素部802外侧并具有用来驱动像素的电路的电路部(以下称为驱动电路部804)；具有保护元件的功能的电路(以下称为保护电路806)；以及端子部807。此外，也可以采用不设置保护电路806的结构。
驱动电路部804的一部分或全部优选形成在与像素部802相同的衬底上。由此，可以减少构件的数量或端子的数量。当驱动电路部804的一部分或全部不形成在与像素部802相同的衬底上时，可以通过COG或TAB(Tape Automated Bonding：卷带自动接合)安装驱动电路部804的一部分或全部。
像素部802包括用来驱动配置为X行(X为2以上的自然数)Y列(Y为2以上的自然数)的多个显示元件的电路(以下称为像素电路801)，驱动电路部804包括输出选择像素的信号(扫描信号)的电路(以下称为栅极驱动器804a)、用来供应用来驱动像素的显示元件的信号(数据信号)的电路(以下称为源极驱动器804b)等驱动电路。
栅极驱动器804a具有移位寄存器等。栅极驱动器804a通过端子部807被输入用来驱动移位寄存器的信号并输出信号。例如，栅极驱动器804a被输入起始脉冲信号、时钟信号等并输出脉冲信号。栅极驱动器804a具有控制被供应扫描信号的布线(以下称为扫描线GL_1至GL_X。)的电位的功能。另外，也可以设置多个栅极驱动器804a，并通过多个栅极驱动器804a分别控制扫描线GL_1至GL_X。或者，栅极驱动器804a具有能够供应初始化信号的功能。但是，不局限于此，栅极驱动器804a可以供应其他信号。
源极驱动器804b具有移位寄存器等。除了用来驱动移位寄存器的信号之外，作为数据信号的基础的信号(视频信号)也通过端子部807被输入到源极驱动器804b。源极驱动器804b具有根据视频信号生成写入到像素电路801的数据信号的功能。另外，源极驱动器804b具有依照输入起始脉冲信号、时钟信号等而得到的脉冲信号来控制数据信号的输出的功能。另外，源极驱动器804b具有控制被供应数据信号的布线(以下称为数据线DL_1至DL_Y。)的电位的功能。或者，源极驱动器804b具有能够供应初始化信号的功能。但是，不局限于此，源极驱动器804b可以供应其他信号。
源极驱动器804b例如使用多个模拟开关等来构成。通过依次使多个模拟开关成为导通状态，源极驱动器804b可以输出对图像信号进行时间分割而成的信号作为数据信号。此外，也可以使用移位寄存器等构成源极驱动器804b。
多个像素电路801的每一个分别通过被供应扫描信号的多个扫描线GL之一而被输入脉冲信号，并通过被供应数据信号的多个数据线DL之一而被输入数据信号。另外，多个像素电路801的每一个通过栅极驱动器804a来控制数据信号的数据的写入及保持。例如，通过扫描线GL_m(m是X以下的自然数)从栅极驱动器804a对第m行第n列的像素电路801输入脉冲信号，并根据扫描线GL_m的电位而通过数据线DL_n(n是Y以下的自然数)从源极驱动器804b对第m行第n列的像素电路801输入数据信号。
图11A所示的保护电路806例如连接于栅极驱动器804a与像素电路801之间的扫描线GL。或者，保护电路806连接于源极驱动器804b与像素电路801之间的数据线DL。或者，保护电路806可以连接于栅极驱动器804a与端子部807之间的布线。或者，保护电路806可以连接于源极驱动器804b与端子部807之间的布线。此外，端子部807是指设置有用来从外部的电路对显示装置输入电源、控制信号及视频信号的端子的部分。
保护电路806是在自身所连接的布线被供应一定的范围之外的电位时使该布线与其他布线导通的电路。
如图11A所示，通过对像素部802和驱动电路部804分别设置保护电路806，可以提高显示装置的对因ESD(Electro Static Discharge：静电放电)等而产生的过电流的电阻。保护电路806的结构不局限于此，例如，也可以采用将栅极驱动器804a与保护电路806连接的结构或将源极驱动器804b与保护电路806连接的结构。或者，也可以采用将端子部807与保护电路806连接的结构。
另外，虽然在图11A中示出由栅极驱动器804a和源极驱动器804b形成驱动电路部804的例子，但是不局限于此结构。例如，也可以采用只形成栅极驱动器804a并安装另外准备的形成有源极驱动电路的衬底(例如，使用单晶半导体膜、多晶半导体膜形成的驱动电路衬底)的结构。
此外，图11A所示的多个像素电路801例如可以采用图11B所示的结构。
图11B所示的像素电路801包括晶体管852、晶体管854、电容元件862以及发光元件872。
晶体管852的源电极和漏电极中的一个电连接于被供应数据信号的布线(以下，称为信号线DL_n)。并且，晶体管852的栅电极电连接于被供应栅极信号的布线(以下，称为扫描线GL_m)。
晶体管852具有通过成为导通状态或关闭状态而对数据信号的写入进行控制的功能。
电容元件862的一对电极中的一个电极与被供应电位的布线(以下，称为电位供应线VL_a)电连接，另一个电极与晶体管852的源电极和漏电极中的另一个电连接。
电容元件862被用作储存被写入的数据的存储电容器。
晶体管854的源电极和漏电极中的一个与电位供应线VL_a电连接。并且，晶体管854的栅电极与晶体管852的源电极和漏电极中的另一个电连接。
发光元件872的阳极和阴极中的一个与电位供应线VL_b电连接，另一个与晶体管854的源电极和漏电极中的另一个电连接。
作为发光元件872可以使用实施方式1至实施方式3所示的发光元件。
此外，高电源电位VDD施加到电位供应线VL_a和电位供应线VL_b中的一个，低电源电位VSS施加到另一个。
例如，在具有图11B的像素电路801的显示装置中，例如，通过图11A所示的栅极驱动器804a依次选择各行的像素电路801，并使晶体管852成为导通状态而写入数据信号的数据。
当晶体管852成为关闭状态时，被写入数据的像素电路801成为保持状态。并且，流在晶体管854的源电极与漏电极之间的电流量根据被写入的数据信号的电位被控制，发光元件872以对应于流动的电流量的亮度发光。通过按行依次进行上述步骤，可以显示图像。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。
实施方式6
在本实施方式中，参照图12、图13A至图13G说明具有本发明的一个实施方式的发光装置的显示模块及电子设备。
图12所示的显示模块8000在上盖8001与下盖8002之间包括连接于FPC8003的触摸面板8004、连接于FPC8005的显示面板8006、框架8009、印刷电路板8010、电池8011。
可以将本发明的一个实施方式的发光装置例如用于显示面板8006。
上盖8001及下盖8002可以根据触摸面板8004及显示面板8006的尺寸适当地改变其形状或尺寸。
触摸面板8004可以是电阻膜式触摸面板或静电容量式触摸面板，并且能够以与显示面板8006重叠的方式被形成。此外，也可以使显示面板8006的对置衬底(密封衬底)具有触摸面板功能。另外，也可以在显示面板8006的各像素内设置光传感器，以制成光学触摸面板。
框架8009除了具有保护显示面板8006的功能以外还具有用来遮断因印刷电路板8010的工作而产生的电磁波的电磁屏蔽的功能。此外，框架8009也可以具有散热板的功能。
印刷电路板8010包括电源电路以及用来输出视频信号及时钟信号的信号处理电路。作为对电源电路供应电力的电源，既可以使用外部的商业电源，又可以使用另行设置的电池8011的电源。当使用商用电源时，可以省略电池8011。
此外，在显示模块8000中还可以设置偏振片、相位差板、棱镜片等构件。
图13A至图13G是示出电子设备的图。这些电子设备可以包括框体9000、显示部9001、扬声器9003、操作键9005(包括电源开关或操作开关)、连接端子9006、传感器9007(它具有测量或检测如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风9008等。
图13A至图13G所示的电子设备可以具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像、文字图像等)显示在显示部；触控传感器；显示日历、日期或时刻等；通过利用各种软件(程序)控制处理；进行无线通信；通过利用无线通信功能来连接到各种计算机网络；通过利用无线通信功能，进行各种数据的发送或接收；读出储存在记录媒体中的程序或数据来将其显示在显示部等。注意，图13A至图13G所示的电子设备可具有的功能不局限于上述功能，而可以具有各种各样的功能。另外，虽然未在图13A至图13G中示出，但是电子设备也可以采用包括多个显示部的结构。另外，可以对该电子设备设置相机等，使其具有拍摄静态图像的功能、拍摄动态图像的功能、将拍摄的图像储存到记录媒体(外部或内置于相机)的功能、将拍摄的图像显示在显示部的功能等。
下面对图13A至图13G所示的电子设备进行详细的说明。
图13A是示出便携式信息终端9100的透视图。便携式信息终端9100所包括的显示部9001具有柔性。因此，可以沿着弯曲的框体9000的弯曲面安装显示部9001。另外，显示部9001具备触摸传感器，可以用手指或触屏笔等触摸画面来进行操作。例如，通过触摸显示于显示部9001的图标，可以启动应用程序。
图13B是示出便携式信息终端9101的透视图。便携式信息终端9101例如具有选自电话机、电子笔记本和信息阅读装置等中的一种或多种的功能。具体而言，可以将该便携式信息终端9101用作智能手机。注意，在便携式信息终端9101中，省略扬声器9003、连接端子9006、传感器9007等进行图示，但是也可以在与图13A所示的便携式信息终端9100同样的位置设置扬声器9003、连接端子9006、传感器9007等。另外，作为便携式信息终端9101，可以将文字或图像信息显示在其多个面上。例如，可以将三个操作按钮9050(也称为操作图标或简单地称为图标)显示在显示部9001的一个面上。另外，可以将以虚线的矩形示出的信息9051显示在显示部9001的其他面上。此外，作为信息9051的一个例子，有提醒收到电子邮件、SNS(Social Networking Services：社交网络服务)、电话等的显示；电子邮件或SNS等的标题；电子邮件或SNS等的发送者名字；日期；时间；电池电量；天线的信号接收强度等。或者，也可以在显示信息9051的位置显示操作按钮9050等来代替信息9051。
图13C是示出便携式信息终端9102的透视图。便携式信息终端9102具有在显示部9001的三个面以上显示信息的功能。在此，示出将信息9052、信息9053、信息9054分别显示在不同的面上的例子。例如，便携式信息终端9102的用户能够在将便携式信息终端9102放在上衣口袋里的状态下确认其显示(这里是信息9053)。具体而言，将打来电话的人的电话号码或姓名等显示在能够从便携式信息终端9102的上方观看到这些信息的位置。用户可以确认到该显示，由此判断是否接电话，而无需从口袋里拿出便携式信息终端9102。
图13D是示出手表型的便携式信息终端9200的透视图。便携式信息终端9200可以执行移动电话、电子邮件、文章的阅读及编辑、音乐播放、网络通信、电脑游戏等各种应用程序。另外，显示部9001的显示面弯曲，可沿着其弯曲的显示面进行显示。另外，便携式信息终端9200可以进行基于通信标准的近距离无线通信。例如，通过与可进行无线通信的耳麦相互通信，可以进行免提通话。另外，便携式信息终端9200包括连接端子9006，可以通过连接器直接与其他信息终端进行数据的交换。另外，也可以通过连接端子9006进行充电。另外，充电动作也可以利用无线供电进行，而不通过连接端子9006。
图13E、图13F、图13G是示出能够折叠的便携式信息终端9201的透视图。另外，图13E是将便携式信息终端9201展开的状态的透视图，图13F是将便携式信息终端9201从展開的状态和折叠的状态中的一方转换成另一方时的中途的状态的透视图，图13G是将便携式信息终端9201折叠的状态的透视图。便携式信息终端9201在折叠状态下可携带性好，而在展开状态下因为具有无缝拼接较大的显示区域所以显示的浏览性强。便携式信息终端9201所包括的显示部9001被由铰链9055连结的三个框体9000支撑。通过铰链9055使两个框体9000之间弯曲，可以使便携式信息终端9201从展开的状态可逆性地变为折叠的状态。例如，便携式信息终端9201能够以1mm以上且150mm以下的曲率半径弯曲。
本实施方式所述的电子设备的特征在于具有用来显示某些信息的显示部。注意，本发明的一个实施方式的发光装置也能够应用于不包括显示部的电子设备。另外，在本实施方式所述的电子设备的显示部中，示出具有柔性且能够沿着弯曲的显示面进行显示的结构或能够折叠的显示部的结构，但并不局限于此，也可以采用不具有柔性而在平面部进行显示的结构。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。
实施方式7
在本实施方式中，参照图14说明使用本发明的一个实施方式的发光装置的照明装置的一个例子。
图14是将发光装置用于室内照明装置8501的例子。另外，因为发光装置可以实现大面积化，所以也可以形成大面积的照明装置。此外，也可以通过使用具有曲面的框体来形成发光区域具有曲面的照明装置8502。包括在本实施方式所示的发光装置中的发光元件为薄膜状，所以框体的设计的自由度高。因此，可以形成能够对应各种设计的照明装置。再者，室内的墙面也可以设置有大型的照明装置8503。也可以在照明装置8501、照明装置8502、照明装置8503中设置触摸传感器，启动或关闭发光装置的电源。
另外，通过将发光装置用于桌子的表面，可以提供具有桌子的功能的照明装置8504。此外，通过将发光装置用于其他家具的一部分，可以提供具有家具的功能的照明装置。
如上所述，可以得到应用发光装置的各种各样的照明装置。另外，这种照明装置包括在本发明的一个实施方式中。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合而实施。
实施例1
在本实施例中，示出本发明的一个实施方式的发光元件的制造例子。图15A和图15B示出在本实施例中制造的发光元件(发光元件1至发光元件4)的截面示意图，表1示出元件结构的详细内容，并且下面示出所使用的化合物的结构和简称。
[表1]
实施例1的发光元件的结构
<1-1.发光元件1的制造>
在玻璃衬底500上形成包含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO(Indium Tin SiO2DopedOxide)，膜厚度为110nm，面积为2mm×2mm)作为第一电极501，在其上以重量比(DBT3P-II:MoO3)为2:1且厚度为40nm的方式共蒸镀1,3,5-三(二苯并噻吩-4-基)苯(DBT3P-II)和氧化钼(MoO3)，形成空穴注入层511。注意，共蒸镀是指使多个不同的物质分别从不同的蒸发源同时蒸发的蒸镀法。
在空穴注入层511上以厚度为20nm的方式蒸镀3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(PCPPn)，形成空穴传输层512。
在空穴传输层512上以重量比(cgDBCzPA:1,6mMemFLPAPrn)为1:0.02且厚度为10nm的方式共蒸镀7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑(cgDBCzPA)和N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双〔3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基〕芘-1,6-二胺(1,6mMemFLPAPrn)，形成第一发光层513，注意，在第一发光层513中，cgDBCzPA是主体材料，1,6mMemFLPAPrn是荧光材料(客体材料)。
在第一发光层513上以重量比(2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:Ir(ppm-dmp)2(acac))为0.8:0.2:0.05且厚度为20nm的方式共蒸镀2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉(2mDBTBPDBq-II)、N-(1,1’-联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9H-芴-2-胺(PCBBiF)、双{2-[6-(2,6-二甲基苯基)-4-吡啶基-κN3]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κO,O’)铱(III)(Ir(ppm-dmp)2(acac))，形成第二发光层514。注意，在第二发光层514中，2mDBTBPDBq-II是第一有机化合物(主体材料)，PCBBiF是第二有机化合物(辅助材料)，Ir(ppm-dmp)2(acac)是磷光材料(客体材料)。
在第二发光层514上以厚度分别为10nm、15nm的方式依次蒸镀2mDBTBPDBq-II、红菲绕啉(Bphen)，形成电子传输层(515(1)、515(2))。在电子传输层(515(1)、515(2))上以厚度为1nm的方式蒸镀氟化锂，形成电子注入层516，而且以厚度为200nm的方式蒸镀铝，形成第二电极502。
在氮气氛的手套箱中使用密封剂将密封玻璃衬底固定在玻璃衬底上，由此密封发光元件。密封方法为如下：将密封剂涂敷在发光元件的周围，并且在密封时以6J/cm2照射365nm的紫外光,并且以80℃进行1小时的热处理。通过上述步骤得到发光元件1。
<1-2.发光元件2的制造>
与发光元件1同样，在第一电极501上以重量比(DBT3P-II:MoO3)为2:1且厚度为40nm的方式共蒸镀DBT3P-II和氧化钼，形成空穴注入层511。
在空穴注入层511上以厚度为20nm的方式蒸镀PCPPn，形成空穴传输层512。
在空穴传输层512上以重量比(cgDBCzPA:1,6mMemFLPAPrn)为1:0.02且厚度为10nm的方式共蒸镀cgDBCzPA和1,6mMemFLPAPrn，形成第一发光层513。
在第一发光层513上以重量比(2mDBTBPDBq-II:PCBBiF)为0.6:0.4且厚度为2nm的方式共蒸镀2mDBTBPDBq-II和PCBBiF，形成分离层520。
在分离层520上以重量比(2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:Ir(ppm-dmp)2(acac))为0.8:0.2:0.05且厚度为20nm的方式共蒸镀2mDBTBPDBq-II、PCBBiF、Ir(ppm-dmp)2(acac)，形成第二发光层514。
在第二发光层514上以厚度分别为10nm、15nm的方式依次蒸镀2mDBTBPDBq-II、Bphen，形成电子传输层(515(1)、515(2))。在电子传输层(515(1)、515(2))上以厚度为1nm的方式蒸镀氟化锂，形成电子注入层516，而且以厚度为200nm的方式蒸镀铝，形成第二电极502。
在氮气氛的手套箱中使用密封剂将密封玻璃衬底固定在玻璃衬底上，密封发光元件，由此得到发光元件2。密封方法与发光元件1相同。
<1-3.发光元件3的制造>
在发光元件3的制造方法中，只有以下工序与上述发光元件1的制造方法不同，其他工序与发光元件1的制造方法相同。
在第一发光层513上以重量比(2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:Ir(ppm-dmp)2(acac))为0.5:0.5:0.05且厚度为20nm的方式共蒸镀2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉(2mDBTBPDBq-II)、N-(1,1’-联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9H-芴-2-胺(PCBBiF)、双{2-[6-(2,6-二甲基苯基)-4-吡啶基-κN3]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κO,O’)铱(III)(Ir(ppm-dmp)2(acac))，形成第二发光层514。
<1-4.发光元件4的制造>
在发光元件4的制造方法中，只有以下工序与上述发光元件2的制造方法不同，其他工序与发光元件2的制造方法相同。
在分离层520上以重量比(2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:Ir(ppm-dmp)2(acac))为0.5:0.5:0.05，厚度为20nm的方式共蒸镀2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉(2mDBTBPDBq-II)、N-(1,1’-联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9H-芴-2-胺(PCBBiF)、双{2-[6-(2,6-二甲基苯基)-4-吡啶基-κN3]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κO,O’)铱(III)(Ir(ppm-dmp)2(acac))，形成第二发光层514。
在上述蒸镀过程中，作为蒸镀都采用电阻加热法。
<1-5.发光元件1至发光元件4的特性>
图16A示出发光元件1至发光元件4的电流密度-亮度特性。在图16A中，横轴表示电流密度(mA/cm2)，纵轴表示亮度(cd/m2)。图16B示出发光元件1至发光元件4的电压-亮度特性。在图16B中，横轴表示电压(V)，纵轴表示亮度(cd/m2)。图17A示出发光元件1至发光元件4的亮度-功率效率特性。在图17A中，横轴表示亮度(cd/m2)，纵轴表示功率效率(lm/W)。图17B示出发光元件1至发光元件4的亮度-电流效率特性。在图17B中，横轴表示亮度(cd/m2)，纵轴表示电流效率(cd/A)。在室温(保持为25℃的气氛)下进行各发光元件的测量。
表2示出1000cd/m2附近的发光元件1至发光元件4的元件特性。
[表2]
实施例1的发光元件的元件特性
图18示出以2.5mA/cm2的电流密度使电流流过发光元件1至发光元件4时的发射光谱。如图18所示，在蓝色的波长区域和黄色的波长区域中观察到发光元件1至发光元件4的峰值，由此可知同时得到来自这种两个发光材料的光。
如表1所示，发光元件1与发光元件2之间的不同之处在于分离层520的有无。发光元件3与发光元件4之间的不同之处在于分离层520的有无。根据图16A和图16B、图17A和图17B所示的结果可知，不管有无分离层520，发光元件1及发光元件2都具有几乎相同的元件特性。根据图16A和图16B、图17A和图17B所示的结果可知，不管有无分离层520，发光元件3及发光元件4都具有几乎相同的元件特性。当对发光元件1及发光元件2与发光元件3及发光元件4进行比较时，作为发光元件3及发光元件4的第二发光层514中的第二有机化合物(辅助材料)的PCBBiF的浓度高。由此可知，黄色的光谱强度高。因此，可知维持高效率的元件特性，并可以容易调整黄色的光谱强度。另外，从图18所示的结果确认到：在发光元件1及发光元件2中，可以根据分离层520的有无调整蓝色及黄色的发射光谱的强度比。
以上，本实施例所示的结构可以与其他实施方式或实施例适当地组合而使用。
实施例2
在本实施例中，示出本发明的一个实施方式的发光元件的制造例子。图15B示出在本实施例中制造的发光元件(发光元件5)的截面示意图，表3示出元件结构的详细内容，并且下面示出所使用的化合物的结构和简称。注意，省略在实施例1中记载的发光元件1至发光元件4所使用的化合物的结构和名称。
[表3]
实施例2的发光元件的结构
<2-1.发光元件5的制造>
与发光元件1同样，在第一电极501上以重量比(DBT3P-II:MoO3)为2:1且厚度为20nm的方式共蒸镀DBT3P-II和氧化钼，形成空穴注入层511。
在空穴注入层511上以厚度为20nm的方式蒸镀PCPPn，形成空穴传输层512。
在空穴传输层512上以重量比(cgDBCzPA:1,6FrAPrn-II)为1:0.03且厚度为5nm的方式共蒸镀cgDBCzPA和N,N’-双(二苯并呋喃-4-基)-N,N’-二苯基-芘-1,6-二胺(1,6FrAPrn-II)(cgDBCzPA:1,6FrAPrn-II)，形成第一发光层513。在第一发光层513中，cgDBCzPA是主体材料，1,6FrAPrn-II是荧光材料(客体材料)。
在第一发光层513上以重量比(2mDBTBPDBq-II:PCBBiF)为0.6:0.4且厚度为2nm的方式共蒸镀2mDBTBPDBq-II和PCBBiF，形成分离层520。
在分离层520上以重量比(2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:Ir(dmppm-dmp)2(acac))为0.8:0.2:0.05且厚度为20nm的方式共蒸镀2mDBTBPDBq-II、PCBBiF、双{4,6-二甲基-2-[6-(2,6-二甲基苯基)-4-嘧啶基-κN3]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κ2O,O’)铱(III)(Ir(dmppm-dmp)2(acac))，形成第二发光层514。在第二发光层514中，2mDBTBPDBq-II是第一有机化合物(主体材料)，PCBBiF是第二有机化合物(辅助材料)，并且Ir(dmppm-dmp)2(acac)是磷光材料(客体材料)。
在第二发光层514上以厚度分别为10nm、15nm的方式依次蒸镀2mDBTBPDBq-II、Bphen，形成电子传输层(515(1)、515(2))。在电子传输层(515(1)、515(2))上以厚度为1nm的方式蒸镀氟化锂，形成电子注入层516，而且以厚度为200nm的方式蒸镀铝，形成第二电极502。
在上述蒸镀过程中，作为蒸镀都采用电阻加热法。
接着，在氮气氛的手套箱中使用密封剂将密封玻璃衬底固定在玻璃衬底上，密封发光元件，由此得到发光元件5。密封方法与发光元件1相同。
<2-2.发光元件5的特性>
图19A示出发光元件5的电流密度-亮度特性。在图19A中，横轴表示电流密度(mA/cm2)，纵轴表示亮度(cd/m2)。图19B示出发光元件5的电压-亮度特性。在图19B中，横轴表示电压(V)，纵轴表示亮度(cd/m2)。图20A示出发光元件5的亮度-功率效率特性。在图20A中，横轴表示亮度(cd/m2)，纵轴表示功率效率(lm/W)。图20B示出发光元件5的亮度-电流效率特性。在图20B中，横轴表示亮度(cd/m2)，纵轴表示电流效率(cd/A)。在室温(保持为25℃的气氛)下进行发光元件的测量。
表4示出1000cd/m2附近的发光元件5的元件特性。
[表4]
实施例2的发光元件的元件特性
图21示出以2.5mA/cm2的电流密度使电流流过发光元件5时的发射光谱。如图21所示，在蓝色的波长区域和黄色的波长区域中观察到发光元件5的峰值，由此可知同时得到来自这种两个发光材料的光。
本实施例的发光元件5与实施例1的发光元件1至发光元件4的不同之处在于：第一发光层513的荧光材料、第二发光层514的磷光材料。根据图19A和图19B、图20A和图20B所示的结果可知，与实施例1所示的发光元件1至发光元件4同样，发光元件5具有高效率的元件特性。1000cd/m2附近的发光元件5的相关色温的测量结果为2850K。由此可知可以将发光元件5用于照明。
以上，本实施例所示的结构可以与其他实施方式或实施例适当地组合而使用。
实施例3
在本实施例中，示出本发明的一个实施方式的发光元件的制造例子。图15B示出在本实施例中制造的发光元件(发光元件6)的截面示意图，表5示出元件结构的详细内容，并且下面示出所使用的化合物的结构和简称。注意，省略在实施例1中记载的发光元件1至发光元件4所使用的化合物的结构和名称。
[表5]
实施例3的发光元件的结构
<3-1.发光元件6的制造>
与发光元件1同样，在第一电极501上以重量比(DBT3P-II:MoO3)为2:1且厚度为20nm的方式共蒸镀DBT3P-II和氧化钼，形成空穴注入层511。
在空穴注入层511上以厚度为20nm的方式蒸镀PCPPn，形成空穴传输层512。
在空穴传输层512上以重量比(cgDBCzPA:1,6mMemFLPAPrn)为1:0.03且厚度为5nm的方式共蒸镀cgDBCzPA和1,6mMemFLPAPrn，形成第一发光层513。
在第一发光层513上以重量比(2mDBTBPDBq-II:PCBBiF)为0.6:0.4且厚度为2nm的方式共蒸镀2mDBTBPDBq-II和PCBBiF，形成分离层520。
在分离层520上以重量比(2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:Ir(mpmppm)2(acac))为0.8:0.2:0.05且厚度为20nm的方式共蒸镀2mDBTBPDBq-II、PCBBiF、(乙酰丙酮根)双[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶]铱(III)(别名：双{2-[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-嘧啶基-κN3]苯基-κC}(2,4-戊二酮根-κ2O,O’)铱(Ⅲ)(Ir(mpmppm)2(acac))，形成第二发光层514。在第二发光层514中，2mDBTBPDBq-II是第一有机化合物(主体材料)，PCBBiF是第二有机化合物(辅助材料)，并且Ir(mpmppm)2(acac)是磷光材料(客体材料)。
在第二发光层514上以厚度分别为10nm、15nm的方式依次蒸镀2mDBTBPDBq-II、Bphen，形成电子传输层(515(1)、515(2))。在电子传输层(515(1)、515(2))上以厚度为1nm的方式蒸镀氟化锂，形成电子注入层516，而且以厚度为200nm的方式蒸镀铝，形成第二电极502。
在上述蒸镀过程中，作为蒸镀都采用电阻加热法。
在氮气氛的手套箱中使用密封剂将密封玻璃衬底固定在玻璃衬底上，密封发光元件，由此得到发光元件6。密封方法与发光元件1相同。
<3-2.发光元件6的特性>
图22A示出发光元件6的电流密度-亮度特性。在图22A中，横轴表示电流密度(mA/cm2)，纵轴表示亮度(cd/m2)。图22B示出发光元件6的电压-亮度特性。在图22B中，横轴表示电压(V)，纵轴表示亮度(cd/m2)。图23A示出发光元件6的亮度-功率效率特性。在图23A中，横轴表示亮度(cd/m2)，纵轴表示功率效率(lm/W)。图23B示出发光元件6的亮度-电流效率特性。在图23B中，横轴表示亮度(cd/m2)，纵轴表示电流效率(cd/A)。在室温(保持为25℃的气氛)下进行发光元件的测量。
表6示出1000cd/m2附近的发光元件6的元件特性。
[表6]
实施例3的发光元件的元件特性
图24示出以2.5mA/cm2的电流密度使电流流过发光元件6时的发射光谱。如图24所示，在蓝色的波长区域和黄色的波长区域中观察到发光元件6的峰值，由此可知同时得到来自这种两个发光材料的光。
本实施例的发光元件6与实施例1的发光元件1至发光元件4的不同之处在于：第二发光层514的磷光材料。根据图22A和图22B、图23A和图23B所示的结果可知，与实施例1的发光元件1至发光元件4同样，发光元件6具有高效率的元件特性。1000cd/m2附近的发光元件6的相关色温测量结果为3090K。由此可知可以将发光元件6用于照明。
以上，本实施例所示的结构可以与其他实施方式或实施例适当地组合而使用。
实施例4
在本实施例中，示出本发明的一个实施方式的发光元件的制造例子。图25示出在本实施例中制造的发光元件(发光元件7至发光元件10)的截面示意图，表7示出元件结构的详细内容，并且下面示出所使用的化合物的结构和简称。注意，因为在发光元件7至发光元件10中使用的化合物的结构与发光元件1至发光元件6相同，所以这里省略记载。
[表7]
实施例4的发光元件的结构
*1)以体积比表示Ag:Mg的比例。
<4-1.发光元件7至发光元件10的制造>
作为第一电极501(1)，在玻璃衬底500上利用溅射法以200nm的厚度形成铝(Al)、镍(Ni)、镧(La)的合金膜(Al-Ni-La)。接着，作为第一电极501(2)，利用溅射法以6nm的厚度形成钛(Ti)膜，并对该钛膜以300℃进行加热处理1小时来形成包含氧化钛的膜。接着，作为第一电极501(3)，利用溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物膜(ITSO)。由第一电极501(1)、第一电极501(2)及第一电极501(3)构成第一电极501，第一电极501的电极面积为2mm×2mm。
发光元件7、发光元件8及发光元件10的第一电极501(3)的厚度为75nm，发光元件9的第一电极501(3)的厚度为40nm。
在第一电极501(3)上以重量比(DBT3P-II:MoO3)为2:1的方式共蒸镀DBT3P-II和氧化钼，形成空穴注入层511。
发光元件7中的空穴注入层511的厚度为87.5nm，发光元件8中的空穴注入层511的厚度为57.5nm，发光元件9中的空穴注入层511的厚度为50nm，发光元件10中的空穴注入层511的厚度为65nm。
接着，空穴注入层511上以厚度为20nm的方式蒸镀PCPPn，形成空穴传输层512。
在空穴传输层512上以重量比(cgDBCzPA:1,6mMemFLPAPrn)为1:0.02且厚度为10nm的方式共蒸镀cgDBCzPA和1,6mMemFLPAPrn，形成第一发光层513。
在第一发光层513上以重量比(2mDBTBPDBq-II:PCBBiF)为0.2:0.3且厚度为2nm的方式共蒸镀2mDBTBPDBq-II和PCBBiF，形成分离层520。
在分离层520上以重量比(2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:Ir(mpmppm)2(acac))为0.8:0.2:0.06且厚度为20nm的方式共蒸镀2mDBTBPDBq-II、PCBBiF、Ir(mpmppm)2(acac)，形成第二发光层514。
在第二发光层514上以厚度分别为15nm、20nm的方式依次蒸镀2mDBTBPDBq-II、Bphen，形成电子传输层(515(1)、515(2))。在电子传输层(515(1)、515(2))上以厚度为1nm的方式蒸镀氟化锂，形成电子注入层516。
在电子注入层516上以体积比(Ag:Mg)为0.5:0.05且厚度为15nm的方式共蒸镀银(Ag)和镁(Mg)的合金，形成第二电极502(1)。
接着，在第二电极502(1)上利用溅射法以厚度为70nm的方式形成ITO膜。
如表7所示，发光元件7的密封衬底550上形成有厚度为2.36μm的红色(R)滤色片作为着色层552，发光元件8的密封衬底550上形成有厚度为1.29μm的绿色(G)滤色片作为着色层552，发光元件9的密封衬底550上形成有厚度为0.78μm的蓝色(B)滤色片作为着色层552，发光元件10的密封衬底550上形成有厚度为0.80μm的黄色(Y)滤色片作为着色层552。
在氮气氛的手套箱中，以不使其暴露于大气的方式贴合通过上述步骤制造的发光元件7至发光元件10与密封衬底，由此进行密封(将密封剂涂敷在发光元件的周围，并且在密封时以6J/cm2照射365nm的紫外光,并且以80℃进行1小时的热处理)。
在上述蒸镀过程中，作为蒸镀都采用电阻加热法。
<4-2.发光元件7至发光元件10的特性>
图26A示出发光元件7至发光元件10的电流密度-亮度特性。在图26A中，横轴表示电流密度(mA/cm2)，纵轴表示亮度(cd/m2)。图26B示出发光元件7至发光元件10的电压-亮度特性。在图26B中，横轴表示电压(V)，纵轴表示亮度(cd/m2)。在室温(保持为25℃的气氛)下进行各发光元件的测量。
表8示出1000cd/m2附近的发光元件7至发光元件10的元件特性。
[表8]
实施例4的发光元件的元件特性
图27示出以2.5mA/cm2的电流密度使电流流过发光元件7至发光元件10时的发射光谱。如图27所示，在红色的波长区域中观察到发光元件7的峰值，在绿色的波长区域中观察到发光元件8的峰值，在蓝色的波长区域中观察到发光元件9的峰值，在黄色的波长区域中观察到发光元件10的峰值。由此可知，通过组合并使用发光元件7至发光元件10，可以实现全彩色化。
如表7所示，在本实施例中制造的发光元件7至发光元件10使用同一第一发光层513及同一第二发光层514。从图26A和图26B、图27所示的结果可以确认到：即使第一发光层513及第二发光层514的结构相同，其发射光谱互不相同的发光元件也具有高电流效率及良好的元件特性。
以上，本实施例所示的结构可以与其他实施方式或实施例适当地组合而使用。
(参考例子)
示出在实施例1及实施例2中使用的Ir(ppm-dmp)2(acac)的合成方法。合成方案为如下。
<1.4-氯-6-苯基嘧啶的合成>
在氩气流下对由5.0g的4,6-二氯嘧啶、4.9g的苯基硼酸、7.1g的碳酸钠、0.34g的双(三苯基膦)二氯化钯(II)(Pd(PPh3)2Cl2)、20mL的乙腈、20mL的水而成的混合物照射微波(2.45GHz，100W)1小时，进行加热回流。使用二氯甲烷对所得到的混合物进行萃取，利用硅胶柱层析法(展开溶剂：二氯甲烷)进行纯化，由此得到1.6g的4-氯-6-苯基嘧啶(收率：23％，淡黄色的固体)。在本参考例子中，使用微波合成装置(CEM公司制造，Discover)照射微波。
<2.4-苯基-6-(2,6-二甲基苯基)嘧啶(Hppm-dmp)的合成>
在氩气流下对由1.6g的4-氯-6-苯基嘧啶、1.5g的2,6-二甲基苯硼酸、1.8g的碳酸钠、59mg的Pd(PPh3)2Cl2、20mL的N,N-二甲基甲酰胺、20mL的水而成的混合物照射微波(2.45GHz，100W)2小时，进行加热回流。使用二氯甲烷对所得到的混合物进行萃取，利用硅胶柱层析法(展开溶剂：乙酸乙酯:己烷＝1:5)进行纯化，由此得到0.50g的Hppm-dmp(收率：23％，淡黄色的油状物)。
<3.二-μ-氯-四{2-[6-(2,6-二甲基苯基)-4-嘧啶基-κN3]苯基-κC}二铱(III)([Ir(ppm-dmp)2Cl]2)的合成>
在氩气流下对由1.0g的Hppm-dmp、0.57g的氯化铱(Ⅲ)水合物、20mL的2-乙氧基乙醇、20mL的水而成的混合物照射微波(2.45GHz，100W)3小时，进行加热回流。对所得到的混合物进行过滤，使用甲醇对固体进行洗涤，由此得到1.1g的[Ir(ppm-dmp)2Cl]2(收率：74％，橙色的固体)。
<4.Ir(ppm-dmp)2(acac)的合成>
在氩气流下对由1.1g的[Ir(ppm-dmp)2Cl]2、0.77g的碳酸钠、0.23g的乙酰丙酮(Hacac)、30mL的2-乙氧基乙醇而成的混合物照射微波(2.45GHz，120W)2小时，进行加热回流。对所得到的混合物进行过滤，使用甲醇对不溶部进行洗涤。浓缩所得到的滤液，利用硅胶柱层析法(展开溶剂：乙酸乙酯:己烷＝1:5)对残渣进行纯化，对所得到的固体使用己烷进行再结晶，由此得到Ir(ppm-dmp)2(acac)(收率：59％，橙色的粉末固体)。利用梯度升华方法(train sublimation method)对0.21g的所得到的橙色的粉末固体进行升华纯化，以48％的收率收集目的物的橙色固体。升华纯化的条件为如下：压力为2.7Pa；氩气流量为5.0mL/min；240℃。以下示出所得到的Ir(ppm-dmp)2(acac)的1H-NMR(核磁共振)光谱数据。
1H-NMR.δ(CDCl3)：1.85(s,6H)，2.26(s,12H)，5.35(s,1H)，6.46-6.48(dd,2H)，6.83-6.90(dm,4H)，7.20-7.22(d,4H)，7.29-7.32(t,2H)，7.63-7.65(dd,2H)，7.72(ds,2H)，9.24(ds,2H)。
实施例5
在本实施例中，示出采用具有本发明的一个实施方式的发光元件的第一发光层的结构的发光元件11、采用具有本发明的一个实施方式的发光元件的第二发光层的结构的发光元件12的制造例子。以下，示出在本实施例中使用的化合物N,N’-(芘-1,6-二基)双[(6,N-二苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃)-8-胺](简称：1,6BnfAPrn-03)的结构。注意，省略在上述其他实施例中记载的发光元件所使用的化合物的结构和名称。
<5-1.发光元件11及发光元件12的制造>
与在实施例1中说明的发光元件1同样，发光元件11具有在第一电极501上层叠有空穴注入层511、空穴传输层512、第一发光层513的结构，其中不形成第二发光层514而在第一发光层513上依次层叠有电子传输层515(1)、515(2)、电子注入层516及第二电极502。与在实施例1中说明的发光元件1同样，发光元件12具有在第一电极501上层叠有空穴注入层511、空穴传输层512的结构，但不形成第一发光层513而在空穴传输层512上依次层叠有第二发光层514、电子传输层515(1)、515(2)、电子注入层516及第二电极502。
因此，关于发光元件的具体制造方法参照实施例1中的记载，并且表9示出在本实施例中制造的发光元件(发光元件11及发光元件12)的详细元件结构。
[表9]
实施例5的发光元件的结构
<5-2.发光元件11及发光元件12的特性>
图28和图31分别示出发光元件11和发光元件12的亮度-外部量子效率特性。在图28和图31中，横轴表示亮度(cd/m2)，纵轴表示外部量子效率(％)。在室温(保持为25℃的气氛)下进行各发光元件的测量。
表10示出1000cd/m2附近的发光元件11及发光元件12的元件特性。
[表10]
实施例5的发光元件的元件特性
图29示出以2.5mA/cm2的电流密度使电流流过发光元件11时的发射光谱。图32示出同样地以2.5mA/cm2的电流密度使电流流过发光元件12时的发射光谱。在图29及图32中，横轴表示波长(nm)，纵轴表示发光强度(任意单位)。如图29所示，在蓝色的波长区域中观察到发光元件11的峰值，由此可知得到来自第一发光层513所包含的发光材料的光。如图32所示，在黄色的波长区域中观察到发光元件12的峰值，由此可知得到来自第二发光层514所包含的发光材料的光。
另外，进行发光元件11及发光元件12的可靠性测试。图30和图33分别示出对发光元件11和发光元件12进行测量而得到的结果。在图30和图33中，纵轴表示初期亮度为100％时的归一化亮度(％)，横轴表示元件的驱动时间(h)。在可靠性测试中，在将初期亮度设定为5000cd/m2且电流密度为固定的条件下，驱动发光元件11及发光元件12。其结果是，发光元件11可以保持初期亮度的90％左右130小时，发光元件12可以保持初期亮度的90％左右1300小时。
以上，本实施例所示的结构可以与其他实施方式或实施例适当地组合而使用。
(参考例子)
在本参考例子中，对在实施例中使用的有机化合物N,N’-(芘-1,6-二基)双[(6,N-二苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃)-8-胺](简称：1,6BnfAPrn-03)的合成方法进行说明。以下示出1,6BnfAPrn-03的结构。
<步骤1：6-碘苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃的合成>
将8.5g(39mmol)的苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃放在500mL三口烧瓶中，对烧瓶内进行氮气置换，然后添加195mL的四氢呋喃(THF)。将该溶液冷却到-75℃，然后将25mL(40mmol)的正丁基锂(1.59mol/L正己烷溶液)滴加到该溶液中。在滴加之后，在室温下搅拌所得到的溶液1小时。
在经过规定时间之后，将该溶液冷却到-75℃，对该溶液滴加将10g(40mmol)的碘溶解于40mL的THF。在滴加之后，在将所得到的溶液回升至室温的同时搅拌17小时。在经过规定时间之后，对该混合物加入硫代硫酸钠水溶液搅拌1小时，然后使用水洗涤该混合物的有机层，使用硫酸镁使有机层干燥。在干燥之后，对该混合物进行重力过滤，对所得到的溶液通过硅藻土(日本和光纯药工业公司、目录号码：531-16855)、硅酸镁(日本和光纯药工业公司、目录号码：540-00135)进行抽滤。使用甲苯对浓缩所得到的滤液得到的固体进行再结晶，以45％的收率得到6.0g(18mmol)的目的物的白色粉末。以下示出步骤1的合成方案。
<步骤2：6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃的合成>
将6.0g(18mmol)的6-碘苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃、2.4g(19mmol)的苯硼酸、70mL的甲苯、20mL的乙醇及22mL的碳酸钾水溶液(2.0mol/L)放在200mL三口烧瓶中。在对该混合物进行减压的同时，搅拌该混合物而脱气。在脱气之后，利用氮气取代烧瓶内部的空气，加入480mg(0.42mmol)的四(三苯基膦)钯(0)。在氮气流下以90℃搅拌该混合物12小时。
在经过规定时间之后，将水加入到该混合物中将溶液分为有机层和水层。混合从该水层使用甲苯萃取的萃取溶液和有机层，使用水进行洗涤，然后使用硫酸镁干燥。对该混合物进行重力过滤，将浓缩所得到的滤液来得到的固体溶解于甲苯。对所得到的溶液通过硅藻土(日本和光纯药工业公司、目录号码：531-16855)、硅酸镁(日本和光纯药工业公司、目录号码：540-00135)、矾土进行抽滤。使用甲苯对浓缩所得到的滤液来得到的固体进行再结晶，以93％的收率得到4.9g(17mmol)的目的物的白色固体。以下示出步骤2的合成方案。
<步骤3：8-碘-6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃的合成>
将4.9g(17mmol)的6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃放在300mL三口烧瓶中，对烧瓶内进行氮气置换，然后添加87mL的四氢呋喃(THF)。将该溶液冷却到-75℃，然后将11mL(18mmol)的正丁基锂(1.59mol/L正己烷溶液)滴加到该溶液中。在滴加之后，在室温下搅拌该溶液1小时。在经过规定时间之后，将该溶液冷却到-75℃，对该溶液滴加将4.6g(18mmol)的碘溶解于18mL的THF的溶液。
在将所得到的溶液回升至室温的同时搅拌17小时。在经过规定时间之后，对该混合物加入硫代硫酸钠水溶液搅拌1小时，然后使用水洗涤该混合物的有机层，使用硫酸镁使有机层干燥。对该混合物进行重力过滤，对所得到的溶液通过硅藻土(日本和光纯药工业公司、目录号码：531-16855)、硅酸镁(日本和光纯药工业公司、目录号码：540-00135)及矾土进行抽滤。使用甲苯对浓缩所得到的滤液得到的固体进行再结晶，以53％的收率得到3.7g(8.8mmol)的目的物的白色固体。以下示出步骤3的合成方案。
<步骤4：1,6BnfAPrn-03的合成>
将0.71g(2.0mmol)的1,6-二溴芘、1.0g(10.4mmol)的叔丁醇钠、10mL的甲苯、0.36mL(4.0mmol)的苯胺及0.3mL的三(叔丁基)膦(10wt％己烷溶液)放在100mL三口烧瓶中，对烧瓶内进行氮气置换。对该混合物加入50mg(85μmol)的双(二亚苄基丙酮)钯(0)，以80℃搅拌2小时。
在经过规定时间之后，对所得到的混合物加入1.7g(4.0mmol)的8-碘-6-苯基苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃、180mg(0.44mmol)的2-二环己基膦基-2’,6’-二甲氧基联苯(简称：S-Phos)及50mg(85μmol)的双(二亚苄基丙酮)钯(0)，在100℃下搅拌该混合物15小时。在经过规定时间之后，将所得到的混合物通过硅藻土(日本和光纯药工业公司、目录号码：531-16855)进行过滤。使用乙醇对通过浓缩所得到的滤液得到的固体进行洗涤并使用甲苯进行再结晶，以71％的收率得到1.38g(1.4mmol)的目的物的黄色固体。
通过利用梯度升华方法对所得到的1.37mg(1.4mmol)的黄色固体进行升华纯化。在升华纯化中，在氩流量为10mL/min、压力为2.3Pa的条件下以370℃加热黄色固体。在进行升华纯化之后，以50％的收集率得到0.68g(0.70mmol)的黄色固体。以下示出步骤4的合成方案。
下面示出利用核磁共振法(1H-NMR)来分析通过上述步骤4得到的黄色固体的结果。由其结果可知：得到了1,6BnfAPrn-03。
1H NMR(二氯甲烷-d2、500MHz)：δ＝6.88(t、J＝7.7Hz、4H)、7.03-7.06(m、6H)、7.11(t、J＝7.5Hz、2H)、7.13(d、J＝8.0Hz、2H)、7.28-7.32(m、8H)、7.37(t、J＝8.0Hz、2H)、7.59(t、J＝7.2Hz、2H)、7.75(t、J＝7.7Hz、2H)、7.84(d、J＝9.0Hz、2H)、7.88(d、J＝8.0Hz、2H)、8.01(s、2H)、8.07(d、J＝8.0Hz、4H)、8.14(d、J＝9.0Hz、2H)、8.21(d、J＝8.0Hz、2H)、8.69(d、J＝8.5Hz、2H)。
符号说明
100：发光元件，101：电极，102：电极，111：空穴注入层，112：空穴传输层，113：发光层，114：发光层，115：电子传输层，116：电子注入层，120：分离层，130：EL层，131：发光单元，132：发光单元，133：电荷产生层，140：发光元件，150：发光元件，160：发光元件，170：发光元件，500：玻璃衬底，501：电极，502：电极，511：空穴注入层，512：空穴传输层，513：发光层，514：发光层，515(1)：电子传输层，515(2)：电子传输层，516：电子注入层，520：分离层，550：密封衬底，552：着色层，600：发光装置，601：源极线驱动电路部，602：像素部，603：栅极线驱动电路部，604：密封衬底，605：密封剂，607：区域，608：布线，609：FPC，610：元件衬底，611：FET，612：FET，613：电极，614：绝缘物，616：EL层，617：电极，618：发光元件，623：FET，624：FET，801：像素电路，802：像素部，804：驱动电路部，804a：栅极驱动器，804b：源极驱动器，806：保护电路，807：端子部，852：晶体管，854：晶体管，862：电容元件，872：发光元件，1001：衬底，1002：基底绝缘膜，1003：栅极绝缘膜，1006：栅电极，1007：栅电极，1008：栅电极，1020：层间绝缘膜，1021：层间绝缘膜，1022：电极，1024B：电极，1024G：电极，1024R：电极，1024Y：电极，1025：分隔壁，1026：电极，1028：EL层，1029：电极，1031：密封衬底，1032：密封剂，1033：基材，1034B：着色层，1034G：着色层，1034R：着色层，1034Y：着色层，1035：黑色层，1036：覆盖层，1037：层间绝缘膜，1040：像素部，1041：驱动电路部，1042：周边部，8000：显示模块，8001：上盖，8002：下盖，8003：FPC，8004：触摸面板，8005：FPC，8006：显示面板，8009：框架，8010：印刷衬底，8011：电池，8501：照明装置，8502：照明装置，8503：照明装置，8504：照明装置，9000：框体，9001：显示部，9003：扬声器，9005：操作键，9006：连接端子，9007：传感器，9008：麦克风，9050：操作按钮，9051：信息，9052：信息，9053：信息，9054：信息，9055：铰链，9100：便携式信息终端，9101：便携式信息终端，9102：便携式信息终端，9200：便携式信息终端，9201：便携式信息终端。
本申请基于2014年5月30日提交到日本专利局的日本专利申请No.2014-112448及2014年11月28日提交到日本专利局的日本专利申请No.2014-241137，通过引用将其完整内容并入在此。
Claims (12)
1.一种发光装置，依次包括：
阳极；
第一发光层；
第二发光层；以及
阴极，
其中，所述第一发光层不与所述第二发光层接触，
所述第一发光层的发射光谱峰值在420nm以上且480nm以下的波长区域中，
所述第二发光层的发射光谱峰值在550nm以上且590nm以下的波长区域中，
所述第一发光层包含荧光材料及主体材料，
所述第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物，
所述第一有机化合物和所述第二有机化合物形成激基复合物，
并且，所述激基复合物的发光峰值与所述磷光材料的最长波长一侧的吸收带重叠。
2.一种发光装置，依次包括：
阳极、第一发光层、第二发光层、以及阴极，
其中，所述第一发光层不与所述第二发光层接触，
所述第一发光层包含荧光材料及主体材料，
所述第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物，
所述荧光材料的发射光谱峰值在420nm以上且480nm以下的波长区域中，
所述磷光材料的发射光谱峰值在550nm以上且590nm以下的波长区域中，
所述第一有机化合物和所述第二有机化合物形成激基复合物，
并且，所述激基复合物的发光峰值与所述磷光材料的最长波长一侧的吸收带重叠。
3.一种发光装置，依次包括：
阳极；
第一发光层；
第二发光层；以及
阴极，
其中，所述第一发光层不与所述第二发光层接触，
所述第一发光层的发射光谱峰值在420nm以上且480nm以下的波长区域中，
所述第二发光层的发射光谱在黄色的波长区域具有峰值，并在绿色的波长区域包含光谱成分，
所述第一发光层包含荧光材料及主体材料，
所述第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物，
所述主体材料的三重激发态的最低能级低于所述荧光材料的三重激发态的最低能级，
所述主体材料的三重激发态的最低能级低于所述第一有机化合物的三重激发态的最低能级，
所述第一有机化合物和所述第二有机化合物形成激基复合物，
所述激基复合物的发光峰值与所述磷光材料的最长波长一侧的吸收带重叠，
并且，来自所述磷光材料的光从所述第二发光层发出。
4.一种发光装置，依次包括：
阳极；
第一发光层；
第二发光层；以及
阴极，
其中，所述第一发光层不与所述第二发光层接触，
所述第一发光层包含荧光材料及主体材料，
所述第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物，
所述荧光材料的发射光谱峰值在420nm以上且480nm以下的波长区域中，
所述磷光材料的发射光谱在黄色的波长区域具有峰值，并在绿色的波长区域包含光谱成分，
所述主体材料的三重激发态的最低能级低于所述荧光材料的三重激发态的最低能级，
所述主体材料的三重激发态的最低能级低于所述第一有机化合物的三重激发态的最低能级，
所述第一有机化合物和所述第二有机化合物形成激基复合物，
所述激基复合物的发光峰值与所述磷光材料的最长波长一侧的吸收带重叠，
并且，来自所述磷光材料的光从所述第二发光层发出。
5.一种发光装置，依次包括：
阳极；
第一发光层；
第二发光层；以及
阴极，
其中，所述第一发光层不与所述第二发光层接触，
所述第一发光层的发射光谱峰值在420nm以上且480nm以下的波长区域中，
所述第二发光层的发射光谱在黄色的波长区域具有峰值，并在绿色的波长区域及红色的波长区域包含光谱成分，
所述第一发光层包含荧光材料及主体材料，
所述第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物，
所述主体材料的三重激发态的最低能级低于所述荧光材料的三重激发态的最低能级，
所述第一有机化合物和所述第二有机化合物形成激基复合物，
所述激基复合物的发光峰值与所述磷光材料的最长波长一侧的吸收带重叠，
来自所述磷光材料的光从所述第二发光层发出，
所述第一有机化合物是三嗪衍生物，
并且，所述第二有机化合物是咔唑衍生物。
6.一种发光装置，依次包括：
阳极；
第一发光层；
第二发光层；以及
阴极，
其中，所述第一发光层不与所述第二发光层接触，
所述第一发光层包含荧光材料及主体材料，
所述第二发光层包含磷光材料、第一有机化合物及第二有机化合物，
所述荧光材料的发射光谱峰值在420nm以上且480nm以下的波长区域中，
所述磷光材料的发射光谱在黄色的波长区域具有峰值，并在绿色的波长区域及红色的波长区域包含光谱成分，
所述主体材料的三重激发态的最低能级低于所述荧光材料的三重激发态的最低能级，
所述第一有机化合物和所述第二有机化合物形成激基复合物，
所述激基复合物的发光峰值与所述磷光材料的最长波长一侧的吸收带重叠，
来自所述磷光材料的光从所述第二发光层发出，
所述第一有机化合物是三嗪衍生物，
并且，所述第二有机化合物是咔唑衍生物。
7.根据权利要求1或2所述的发光装置，
其中，所述主体材料的三重激发态的最低能级低于所述荧光材料的三重激发态的最低能级。
8.根据权利要求7所述的发光装置，
其中，所述磷光材料的发射光谱在500nm以上且550nm以下的波长区域包含光谱成分。
9.根据权利要求7所述的发光装置，
其中，所述磷光材料的发射光谱在600nm以上且740nm以下的波长区域包含光谱成分。
10.根据权利要求2、4和6中任一项所述的发光装置，
其中，所述磷光材料的发射光谱在500nm以上且550nm以下的波长区域包含光谱成分。
11.根据权利要求2、4和6中任一项所述的发光装置，
其中，所述磷光材料的发射光谱在600nm以上且740nm以下的波长区域包含光谱成分。
12.根据权利要求1、2、3和4中任一项所述的发光装置，还包括滤色片，
其中，所述阳极设置在所述阴极之下，所述第一发光层和所述第二发光层设置在所述阳极和所述阴极之间，
所述滤色片在所述阳极之下，
所述阳极、所述第一发光层、所述第二发光层和所述阴极在第一区域中相互叠置，
并且，所述滤色片和所述第一区域相互叠置。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014112448 | 2014-05-30 | ||
| JP2014-112448 | 2014-05-30 | ||
| JP2014-241137 | 2014-11-28 | ||
| JP2014241137 | 2014-11-28 | ||
| CN201580028601.6A CN106465506B (zh) | 2014-05-30 | 2015-05-15 | 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201580028601.6A Division CN106465506B (zh) | 2014-05-30 | 2015-05-15 | 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110808337A true CN110808337A (zh) | 2020-02-18 |
Family
ID=54698192
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911135504.3A Pending CN110808337A (zh) | 2014-05-30 | 2015-05-15 | 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置 |
| CN201580028601.6A Active CN106465506B (zh) | 2014-05-30 | 2015-05-15 | 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201580028601.6A Active CN106465506B (zh) | 2014-05-30 | 2015-05-15 | 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (7) | US9548468B2 (zh) |
| JP (6) | JP2016110980A (zh) |
| KR (6) | KR102380476B1 (zh) |
| CN (2) | CN110808337A (zh) |
| TW (4) | TWI849490B (zh) |
| WO (1) | WO2015181667A1 (zh) |
Families Citing this family (96)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102520463B1 (ko) | 2014-05-30 | 2023-04-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 표시 장치, 및 전자 기기 |
| KR102357440B1 (ko) * | 2015-01-05 | 2022-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
| TWI836636B (zh) | 2015-03-09 | 2024-03-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件，顯示裝置，電子裝置，與照明裝置 |
| TWI814143B (zh) * | 2015-03-09 | 2023-09-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、顯示裝置、電子裝置及照明設備 |
| US10700288B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and lighting system |
| WO2017093843A1 (en) | 2015-12-01 | 2017-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| KR102257063B1 (ko) * | 2016-01-29 | 2021-05-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| US10142754B2 (en) * | 2016-02-22 | 2018-11-27 | Sonos, Inc. | Sensor on moving component of transducer |
| US10264030B2 (en) | 2016-02-22 | 2019-04-16 | Sonos, Inc. | Networked microphone device control |
| US10095470B2 (en) | 2016-02-22 | 2018-10-09 | Sonos, Inc. | Audio response playback |
| US9772817B2 (en) | 2016-02-22 | 2017-09-26 | Sonos, Inc. | Room-corrected voice detection |
| US10509626B2 (en) | 2016-02-22 | 2019-12-17 | Sonos, Inc | Handling of loss of pairing between networked devices |
| US9965247B2 (en) | 2016-02-22 | 2018-05-08 | Sonos, Inc. | Voice controlled media playback system based on user profile |
| US9947316B2 (en) | 2016-02-22 | 2018-04-17 | Sonos, Inc. | Voice control of a media playback system |
| CN107180847B (zh) * | 2016-03-18 | 2021-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构、有机发光显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN105895819B (zh) * | 2016-04-28 | 2018-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及其制备方法、oled显示面板 |
| KR102353663B1 (ko) | 2016-05-20 | 2022-01-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| US9978390B2 (en) | 2016-06-09 | 2018-05-22 | Sonos, Inc. | Dynamic player selection for audio signal processing |
| KR20180002505A (ko) | 2016-06-29 | 2018-01-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자의 제작 방법 |
| US10134399B2 (en) | 2016-07-15 | 2018-11-20 | Sonos, Inc. | Contextualization of voice inputs |
| US10152969B2 (en) | 2016-07-15 | 2018-12-11 | Sonos, Inc. | Voice detection by multiple devices |
| KR20180010136A (ko) | 2016-07-20 | 2018-01-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| US10115400B2 (en) | 2016-08-05 | 2018-10-30 | Sonos, Inc. | Multiple voice services |
| US9942678B1 (en) | 2016-09-27 | 2018-04-10 | Sonos, Inc. | Audio playback settings for voice interaction |
| US9743204B1 (en) | 2016-09-30 | 2017-08-22 | Sonos, Inc. | Multi-orientation playback device microphones |
| US10181323B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-01-15 | Sonos, Inc. | Arbitration-based voice recognition |
| JP6901883B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2021-07-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
| US11183181B2 (en) | 2017-03-27 | 2021-11-23 | Sonos, Inc. | Systems and methods of multiple voice services |
| KR102581109B1 (ko) | 2017-05-02 | 2023-09-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| US9917270B1 (en) * | 2017-05-08 | 2018-03-13 | Cynora Gmbh | Organic electroluminescent device having an exciton quenching layer |
| US10475449B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-11-12 | Sonos, Inc. | Wake-word detection suppression |
| US10048930B1 (en) | 2017-09-08 | 2018-08-14 | Sonos, Inc. | Dynamic computation of system response volume |
| US10446165B2 (en) | 2017-09-27 | 2019-10-15 | Sonos, Inc. | Robust short-time fourier transform acoustic echo cancellation during audio playback |
| US10621981B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-04-14 | Sonos, Inc. | Tone interference cancellation |
| US10051366B1 (en) | 2017-09-28 | 2018-08-14 | Sonos, Inc. | Three-dimensional beam forming with a microphone array |
| US10482868B2 (en) | 2017-09-28 | 2019-11-19 | Sonos, Inc. | Multi-channel acoustic echo cancellation |
| US10466962B2 (en) | 2017-09-29 | 2019-11-05 | Sonos, Inc. | Media playback system with voice assistance |
| WO2019082024A1 (en) | 2017-10-27 | 2019-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND LIGHTING DEVICE |
| US10880650B2 (en) | 2017-12-10 | 2020-12-29 | Sonos, Inc. | Network microphone devices with automatic do not disturb actuation capabilities |
| US10818290B2 (en) | 2017-12-11 | 2020-10-27 | Sonos, Inc. | Home graph |
| US11343614B2 (en) | 2018-01-31 | 2022-05-24 | Sonos, Inc. | Device designation of playback and network microphone device arrangements |
| US11175880B2 (en) | 2018-05-10 | 2021-11-16 | Sonos, Inc. | Systems and methods for voice-assisted media content selection |
| CN110492005B (zh) * | 2018-05-14 | 2020-08-11 | 江苏三月科技股份有限公司 | 一种以激基复合物作为主体材料的有机电致发光器件 |
| US10847178B2 (en) | 2018-05-18 | 2020-11-24 | Sonos, Inc. | Linear filtering for noise-suppressed speech detection |
| US10959029B2 (en) | 2018-05-25 | 2021-03-23 | Sonos, Inc. | Determining and adapting to changes in microphone performance of playback devices |
| US11063224B2 (en) | 2018-05-30 | 2021-07-13 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| CN108695440B (zh) * | 2018-05-30 | 2019-07-16 | 昆山国显光电有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
| WO2019234562A1 (ja) | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、表示装置および電子機器 |
| US10681460B2 (en) | 2018-06-28 | 2020-06-09 | Sonos, Inc. | Systems and methods for associating playback devices with voice assistant services |
| US10461710B1 (en) | 2018-08-28 | 2019-10-29 | Sonos, Inc. | Media playback system with maximum volume setting |
| US11076035B2 (en) | 2018-08-28 | 2021-07-27 | Sonos, Inc. | Do not disturb feature for audio notifications |
| CN109411633B (zh) * | 2018-08-31 | 2020-12-15 | 昆山国显光电有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法和显示装置 |
| CN109166982A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光器件、显示面板及显示装置 |
| US10878811B2 (en) | 2018-09-14 | 2020-12-29 | Sonos, Inc. | Networked devices, systems, and methods for intelligently deactivating wake-word engines |
| US10587430B1 (en) | 2018-09-14 | 2020-03-10 | Sonos, Inc. | Networked devices, systems, and methods for associating playback devices based on sound codes |
| US11024331B2 (en) | 2018-09-21 | 2021-06-01 | Sonos, Inc. | Voice detection optimization using sound metadata |
| US10811015B2 (en) | 2018-09-25 | 2020-10-20 | Sonos, Inc. | Voice detection optimization based on selected voice assistant service |
| CN110957435B (zh) * | 2018-09-27 | 2022-07-15 | 江苏三月科技股份有限公司 | 一种基于tta延迟荧光的有机电致发光器件 |
| US11100923B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-08-24 | Sonos, Inc. | Systems and methods for selective wake word detection using neural network models |
| US10692518B2 (en) | 2018-09-29 | 2020-06-23 | Sonos, Inc. | Linear filtering for noise-suppressed speech detection via multiple network microphone devices |
| WO2020075783A1 (ja) * | 2018-10-09 | 2020-04-16 | 出光興産株式会社 | 新規な化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器 |
| WO2020075763A1 (ja) * | 2018-10-09 | 2020-04-16 | 出光興産株式会社 | 新規な化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子、電子機器 |
| US11899519B2 (en) | 2018-10-23 | 2024-02-13 | Sonos, Inc. | Multiple stage network microphone device with reduced power consumption and processing load |
| KR20210089685A (ko) * | 2018-11-09 | 2021-07-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 디바이스, 발광 기기, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| EP3654249A1 (en) | 2018-11-15 | 2020-05-20 | Snips | Dilated convolutions and gating for efficient keyword spotting |
| US11183183B2 (en) | 2018-12-07 | 2021-11-23 | Sonos, Inc. | Systems and methods of operating media playback systems having multiple voice assistant services |
| US11132989B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-09-28 | Sonos, Inc. | Networked microphone devices, systems, and methods of localized arbitration |
| US10602268B1 (en) | 2018-12-20 | 2020-03-24 | Sonos, Inc. | Optimization of network microphone devices using noise classification |
| CN109817818B (zh) * | 2019-01-31 | 2021-05-04 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种有机电致发光器件和显示装置 |
| US10867604B2 (en) | 2019-02-08 | 2020-12-15 | Sonos, Inc. | Devices, systems, and methods for distributed voice processing |
| US11315556B2 (en) | 2019-02-08 | 2022-04-26 | Sonos, Inc. | Devices, systems, and methods for distributed voice processing by transmitting sound data associated with a wake word to an appropriate device for identification |
| US11120794B2 (en) | 2019-05-03 | 2021-09-14 | Sonos, Inc. | Voice assistant persistence across multiple network microphone devices |
| US20200373360A1 (en) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | Universal Display Corporation | Oled display panel with unpatterned emissive stack |
| US11200894B2 (en) | 2019-06-12 | 2021-12-14 | Sonos, Inc. | Network microphone device with command keyword eventing |
| US10586540B1 (en) | 2019-06-12 | 2020-03-10 | Sonos, Inc. | Network microphone device with command keyword conditioning |
| US11361756B2 (en) | 2019-06-12 | 2022-06-14 | Sonos, Inc. | Conditional wake word eventing based on environment |
| US11138969B2 (en) | 2019-07-31 | 2021-10-05 | Sonos, Inc. | Locally distributed keyword detection |
| US10871943B1 (en) | 2019-07-31 | 2020-12-22 | Sonos, Inc. | Noise classification for event detection |
| US11138975B2 (en) | 2019-07-31 | 2021-10-05 | Sonos, Inc. | Locally distributed keyword detection |
| KR20210032184A (ko) * | 2019-09-16 | 2021-03-24 | 솔루스첨단소재 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| US11189286B2 (en) | 2019-10-22 | 2021-11-30 | Sonos, Inc. | VAS toggle based on device orientation |
| JP6974637B2 (ja) * | 2019-11-06 | 2021-12-01 | デクセリアルズ株式会社 | マイクロレンズアレイ及び投影型画像表示装置 |
| KR20210056259A (ko) | 2019-11-08 | 2021-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| JPWO2021090932A1 (zh) * | 2019-11-08 | 2021-05-14 | ||
| US11200900B2 (en) | 2019-12-20 | 2021-12-14 | Sonos, Inc. | Offline voice control |
| US11562740B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-01-24 | Sonos, Inc. | Voice verification for media playback |
| US11556307B2 (en) | 2020-01-31 | 2023-01-17 | Sonos, Inc. | Local voice data processing |
| US11308958B2 (en) | 2020-02-07 | 2022-04-19 | Sonos, Inc. | Localized wakeword verification |
| US11482224B2 (en) | 2020-05-20 | 2022-10-25 | Sonos, Inc. | Command keywords with input detection windowing |
| US11308962B2 (en) | 2020-05-20 | 2022-04-19 | Sonos, Inc. | Input detection windowing |
| US11727919B2 (en) | 2020-05-20 | 2023-08-15 | Sonos, Inc. | Memory allocation for keyword spotting engines |
| US11698771B2 (en) | 2020-08-25 | 2023-07-11 | Sonos, Inc. | Vocal guidance engines for playback devices |
| US11984123B2 (en) | 2020-11-12 | 2024-05-14 | Sonos, Inc. | Network device interaction by range |
| US11551700B2 (en) | 2021-01-25 | 2023-01-10 | Sonos, Inc. | Systems and methods for power-efficient keyword detection |
| KR20230102392A (ko) | 2021-12-30 | 2023-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| JP2024003294A (ja) * | 2022-06-27 | 2024-01-15 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173827A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機発光デバイス |
| CN102757782A (zh) * | 2011-04-29 | 2012-10-31 | 株式会社半导体能源研究所 | 利用磷光发光的发光装置、电子设备及照明装置 |
| JP2013065428A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子、表示装置および照明装置 |
| US20130292656A1 (en) * | 2012-04-13 | 2013-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| CN103443950A (zh) * | 2011-03-23 | 2013-12-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件 |
| JP2014044941A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
Family Cites Families (128)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE509718C2 (sv) * | 1996-06-07 | 1999-03-01 | Biolight Patent Holding Ab | Anordning för medicinsk utvärtes ljusbehandling |
| DE60031729T2 (de) | 1999-05-13 | 2007-09-06 | The Trustees Of Princeton University | Lichtemittierende, organische, auf elektrophosphoreszenz basierende anordnung mit sehr hoher quantenausbeute |
| DE60111473T3 (de) | 2000-10-30 | 2012-09-06 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Organische lichtemittierende Bauelemente |
| SG115435A1 (en) | 2000-12-28 | 2005-10-28 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device |
| TW519770B (en) | 2001-01-18 | 2003-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| KR100888424B1 (ko) | 2001-05-16 | 2009-03-11 | 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 | 고효율 다칼라 전기 유기 발광 장치 |
| ITTO20010692A1 (it) | 2001-07-13 | 2003-01-13 | Consiglio Nazionale Ricerche | Dispositivo elettroluminescente organico basato sull'emissione di ecciplessi od elettroplessi e sua realizzazione. |
| US6863997B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-03-08 | The Trustees Of Princeton University | White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission |
| ITBO20020165A1 (it) | 2002-03-29 | 2003-09-29 | Consiglio Nazionale Ricerche | Dispositivo elettroluminescente organico con droganti cromofori |
| TWI314947B (en) | 2002-04-24 | 2009-09-21 | Eastman Kodak Compan | Organic light emitting diode devices with improved operational stability |
| AU2003289392A1 (en) | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting element |
| JP2004241374A (ja) | 2003-01-17 | 2004-08-26 | Sogo Pharmaceutical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| TWI316827B (en) | 2003-02-27 | 2009-11-01 | Toyota Jidoshokki Kk | Organic electroluminescent device |
| JP4531342B2 (ja) | 2003-03-17 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 白色有機発光素子および発光装置 |
| US7175922B2 (en) | 2003-10-22 | 2007-02-13 | Eastman Kodak Company | Aggregate organic light emitting diode devices with improved operational stability |
| JP4925569B2 (ja) | 2004-07-08 | 2012-04-25 | ローム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JP2006024830A (ja) | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Sogo Pharmaceutical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4956893B2 (ja) | 2004-10-19 | 2012-06-20 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| US7597967B2 (en) | 2004-12-17 | 2009-10-06 | Eastman Kodak Company | Phosphorescent OLEDs with exciton blocking layer |
| US20060134464A1 (en) | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Fuji Photo Film Co. Ltd | Organic electroluminescent element |
| US9070884B2 (en) | 2005-04-13 | 2015-06-30 | Universal Display Corporation | Hybrid OLED having phosphorescent and fluorescent emitters |
| JP2007103028A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US20070090756A1 (en) | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent element |
| EP1777758A1 (en) | 2005-10-18 | 2007-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device |
| KR101082258B1 (ko) | 2005-12-01 | 2011-11-09 | 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광소자용 화합물 및 유기 전계 발광소자 |
| CN101321773B (zh) | 2005-12-05 | 2015-02-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 有机金属配合物和使用它的发光元件、发光设备和电子设备 |
| JP5093879B2 (ja) | 2006-03-20 | 2012-12-12 | 国立大学法人京都大学 | ピレン系有機化合物、トランジスタ材料及び発光トランジスタ素子 |
| DE602007008642D1 (de) | 2006-03-21 | 2010-10-07 | Semiconductor Energy Lab | Metallorganischer Komplex und lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung und den metallorganischen Komplex verwendende elektronische Vorrichtung |
| JP5238227B2 (ja) | 2006-12-27 | 2013-07-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機金属錯体および有機金属錯体を用いた発光素子、発光装置、並びに電子機器 |
| JP2008288344A (ja) | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機ｅｌ素子 |
| US20080286610A1 (en) | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Deaton Joseph C | Hybrid oled with fluorescent and phosphorescent layers |
| CN103319540B (zh) | 2007-05-18 | 2016-01-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 有机金属配合物，包含该有机金属配合物的组合物和发光元件 |
| US8034465B2 (en) | 2007-06-20 | 2011-10-11 | Global Oled Technology Llc | Phosphorescent oled having double exciton-blocking layers |
| TW200909560A (en) | 2007-07-07 | 2009-03-01 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence devcie |
| KR20100031723A (ko) | 2007-07-07 | 2010-03-24 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 크리센 유도체 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
| JPWO2009008198A1 (ja) | 2007-07-07 | 2010-09-02 | 出光興産株式会社 | ナフタレン誘導体、有機ｅｌ素子用材料及びそれを用いた有機ｅｌ素子 |
| US20090045731A1 (en) | 2007-07-07 | 2009-02-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
| US8211552B2 (en) | 2007-07-07 | 2012-07-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| US8154195B2 (en) | 2007-07-07 | 2012-04-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
| US8779655B2 (en) | 2007-07-07 | 2014-07-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
| WO2009008356A1 (ja) | 2007-07-07 | 2009-01-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機ｅｌ素子 |
| KR20100057593A (ko) | 2007-07-07 | 2010-05-31 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 소자 및 유기 ｅｌ 재료 함유 용액 |
| US8436343B2 (en) | 2007-07-07 | 2013-05-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL device |
| WO2009008344A1 (ja) * | 2007-07-07 | 2009-01-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機ｅｌ素子 |
| KR100924145B1 (ko) * | 2008-06-10 | 2009-10-28 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 |
| DE102008035413A1 (de) | 2008-07-29 | 2010-02-04 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen |
| JP5325707B2 (ja) | 2008-09-01 | 2013-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
| JP5329342B2 (ja) | 2008-09-01 | 2013-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
| CN102217419A (zh) | 2008-09-05 | 2011-10-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光器件和电子器件 |
| JP2010114425A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-05-20 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP5448680B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2014-03-19 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| KR101074787B1 (ko) * | 2008-12-26 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US9153790B2 (en) | 2009-05-22 | 2015-10-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| DE102009023154A1 (de) | 2009-05-29 | 2011-06-16 | Merck Patent Gmbh | Zusammensetzung, enthaltend mindestens eine Emitterverbindung und mindestens ein Polymer mit konjugationsunterbrechenden Einheiten |
| US8766269B2 (en) | 2009-07-02 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and electronic device |
| WO2011027653A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same |
| WO2011042443A1 (en) | 2009-10-05 | 2011-04-14 | Thorn Lighting Ltd. | Multilayer organic device |
| KR101352116B1 (ko) | 2009-11-24 | 2014-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
| EP2511360A4 (en) | 2009-12-07 | 2014-05-21 | Nippon Steel & Sumikin Chem Co | Organic light-emitting material and organic light-emitting element |
| TWI591065B (zh) | 2010-03-01 | 2017-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 雜環化合物、發光元件、發光裝置、電子裝置、及照明裝置 |
| EP2366753B1 (en) | 2010-03-02 | 2015-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-Emitting Element and Lighting Device |
| DE102010020044A1 (de) | 2010-05-11 | 2011-11-17 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung |
| JP5602555B2 (ja) | 2010-05-17 | 2014-10-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 |
| KR20130021350A (ko) * | 2010-05-24 | 2013-03-05 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로루미네선스 소자 |
| KR101320787B1 (ko) * | 2010-07-21 | 2013-10-23 | 샤프 가부시키가이샤 | 기판 및 그 제조방법, 표시장치 |
| KR101436288B1 (ko) | 2010-10-22 | 2014-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 화합물 |
| KR101351417B1 (ko) * | 2010-10-26 | 2014-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
| US9324950B2 (en) | 2010-11-22 | 2016-04-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| US20120126205A1 (en) | 2010-11-22 | 2012-05-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| US8883323B2 (en) | 2010-11-22 | 2014-11-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| US8847218B2 (en) | 2011-01-20 | 2014-09-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
| CN105932170B (zh) | 2011-02-16 | 2018-04-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件 |
| KR102345510B1 (ko) | 2011-02-16 | 2021-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| WO2012111680A1 (en) | 2011-02-16 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting body, light-emitting layer, and light-emitting device |
| TWI617064B (zh) | 2011-02-28 | 2018-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置 |
| US8969854B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting layer and light-emitting element |
| TWI562423B (en) | 2011-03-02 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and lighting device |
| JP5694019B2 (ja) | 2011-03-17 | 2015-04-01 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子、表示装置および照明装置 |
| KR101994671B1 (ko) | 2011-03-30 | 2019-07-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| KR102310048B1 (ko) | 2011-04-07 | 2021-10-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| KR102025266B1 (ko) | 2011-04-29 | 2019-09-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유기 금속 착체, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| JP2013010752A (ja) * | 2011-06-03 | 2013-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機金属錯体、有機発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 |
| US9309223B2 (en) * | 2011-07-08 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| KR20140078606A (ko) | 2011-07-12 | 2014-06-25 | 웨이크 포리스트 유니버시티 | 광전자 장치 및 이의 용도 |
| CN103052624B (zh) | 2011-07-22 | 2016-08-31 | 株式会社半导体能源研究所 | 二苯并[c,g]咔唑化合物、发光元件、发光装置、显示装置、照明装置以及电子设备 |
| DE102011080240A1 (de) | 2011-08-02 | 2013-02-07 | Cynora Gmbh | Singulett-Harvesting mit zweikernigen Kupfer(I)-Komplexen für opto-elektronische Vorrichtungen |
| TWI613195B (zh) | 2011-08-25 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件，發光裝置，電子裝置，照明裝置以及新穎有機化合物 |
| US20130088144A1 (en) * | 2011-10-06 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Phosphorescent Iridium Metal Complex, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Appliance, and Lighting Device |
| CN104170113B (zh) | 2012-01-27 | 2017-05-17 | 韦克森林大学 | 电致发光装置及其应用 |
| GB2515909B (en) * | 2012-01-31 | 2020-07-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Composition comprising a fluorescent light-emitting material and triplet-accepting polymer and use thereof |
| KR101803537B1 (ko) | 2012-02-09 | 2017-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| US20130240850A1 (en) | 2012-03-13 | 2013-09-19 | The Regents Of The University Of Michigan | Ultra-high efficiency (125%) phosphorescent organic light emitting diodes using singlet fission |
| CN104471733B (zh) | 2012-03-14 | 2017-06-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
| KR102417945B1 (ko) | 2012-03-14 | 2022-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| JP2013232629A (ja) | 2012-04-06 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
| KR101419810B1 (ko) | 2012-04-10 | 2014-07-15 | 서울대학교산학협력단 | 엑시플렉스를 형성하는 공동 호스트를 포함하는 유기 발광 소자 |
| JP6158542B2 (ja) | 2012-04-13 | 2017-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
| JP6076153B2 (ja) * | 2012-04-20 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
| KR101909775B1 (ko) | 2012-04-20 | 2018-10-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| CN107039593B (zh) | 2012-04-20 | 2019-06-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置 |
| US8994013B2 (en) | 2012-05-18 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| JP6289822B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2018-03-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
| KR102137376B1 (ko) | 2012-08-03 | 2020-07-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| JP2014043437A (ja) | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 |
| JP6312960B2 (ja) | 2012-08-03 | 2018-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置及び複素環化合物 |
| DE112013007782B3 (de) | 2012-08-03 | 2022-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtung |
| TWI638472B (zh) | 2012-08-03 | 2018-10-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件 |
| DE102013214661B4 (de) | 2012-08-03 | 2023-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung |
| US9142710B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| KR20140038886A (ko) * | 2012-09-21 | 2014-03-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| CN104641484B (zh) | 2012-09-21 | 2017-09-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
| US8734260B2 (en) * | 2012-09-28 | 2014-05-27 | Elektroncek D.D. | Three-dimensional auditorium wagering system |
| JP6113993B2 (ja) | 2012-10-03 | 2017-04-12 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| TWI500144B (zh) * | 2012-12-31 | 2015-09-11 | Lg Display Co Ltd | 有機發光顯示裝置及其製造方法 |
| US9496503B2 (en) | 2013-03-25 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| KR102116491B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2020-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 파이렌계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| US10043982B2 (en) | 2013-04-26 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| WO2014185434A1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9130182B2 (en) | 2013-06-28 | 2015-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, lighting device, light-emitting device, and electronic device |
| JP6304255B2 (ja) * | 2013-08-16 | 2018-04-04 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、電子デバイス、発光装置及び発光材料 |
| WO2015029808A1 (en) | 2013-08-26 | 2015-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| KR102289329B1 (ko) | 2013-12-02 | 2021-08-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| KR102639622B1 (ko) | 2013-12-02 | 2024-02-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 표시 모듈, 조명 모듈, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| JP5894209B2 (ja) | 2014-04-03 | 2016-03-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| KR20150130224A (ko) | 2014-05-13 | 2015-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| WO2016051309A1 (en) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| JP6823372B2 (ja) | 2015-01-30 | 2021-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| KR102655709B1 (ko) | 2015-07-21 | 2024-04-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
-
2015
- 2015-05-13 TW TW111133078A patent/TWI849490B/zh active
- 2015-05-13 TW TW104115255A patent/TWI682563B/zh active
- 2015-05-13 TW TW108147240A patent/TWI729649B/zh active
- 2015-05-13 TW TW110118316A patent/TWI777568B/zh active
- 2015-05-15 KR KR1020217007130A patent/KR102380476B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-15 KR KR1020207035881A patent/KR102228504B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-15 KR KR1020167036215A patent/KR102127292B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-15 WO PCT/IB2015/053577 patent/WO2015181667A1/en active Application Filing
- 2015-05-15 KR KR1020227009835A patent/KR102671672B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-15 CN CN201911135504.3A patent/CN110808337A/zh active Pending
- 2015-05-15 CN CN201580028601.6A patent/CN106465506B/zh active Active
- 2015-05-15 KR KR1020207026885A patent/KR102193598B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-15 KR KR1020197024779A patent/KR102159638B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-25 JP JP2015105198A patent/JP2016110980A/ja not_active Withdrawn
- 2015-05-29 US US14/725,026 patent/US9548468B2/en active Active
-
2017
- 2017-01-04 US US15/397,790 patent/US9978971B2/en active Active
-
2018
- 2018-04-17 US US15/954,681 patent/US10468619B2/en active Active
- 2018-11-21 JP JP2018218540A patent/JP2019033096A/ja not_active Withdrawn
- 2018-12-12 US US16/217,231 patent/US10686152B2/en active Active
-
2019
- 2019-08-20 JP JP2019150557A patent/JP6685457B2/ja active Active
- 2019-09-24 JP JP2019172685A patent/JP6891240B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-31 JP JP2020062630A patent/JP6947869B2/ja active Active
- 2020-06-11 US US16/898,514 patent/US11387422B2/en active Active
-
2021
- 2021-05-26 JP JP2021088426A patent/JP7247265B2/ja active Active
-
2022
- 2022-06-08 US US17/834,973 patent/US11832465B2/en active Active
-
2023
- 2023-11-20 US US18/513,763 patent/US20240164125A1/en active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173827A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機発光デバイス |
| CN103443950A (zh) * | 2011-03-23 | 2013-12-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件 |
| CN102757782A (zh) * | 2011-04-29 | 2012-10-31 | 株式会社半导体能源研究所 | 利用磷光发光的发光装置、电子设备及照明装置 |
| JP2012238854A (ja) * | 2011-04-29 | 2012-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 燐光発光に基づく発光装置、電子機器、および照明装置 |
| JP2013065428A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子、表示装置および照明装置 |
| US20130292656A1 (en) * | 2012-04-13 | 2013-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| JP2014044941A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7247265B2 (ja) | 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 | |
| CN109742262B (zh) | 发光装置、电子设备以及照明装置 | |
| KR20190000390A (ko) | 발광 소자, 발광 장치, 전자 장치 및 조명 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200218 |