JP2016110100A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (6)

1. 第１の画素と、第２の画素とを有し、
   前記第１の画素は、第１のトランジスタと、第１の発光素子と、を有し、
   前記第２の画素は、第２のトランジスタと、第２の発光素子と、を有し、
   前記第１の発光素子は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
   前記第２の発光素子は、前記第２のトランジスタと電気的に接続され、
   前記第１の画素に前記第１のトランジスタの電流特性の情報を読み出すための信号を入力する第１の動作を行う機能と、
   前記第１の動作の後、前記第１のトランジスタの電流特性の情報の読み出しと、前記第２の画素へのデータ信号の入力と、を行う第２の動作を行う機能と、を有する半導体装置。
2. 第１の画素と、第２の画素と、第３の画素とを有し、
   前記第１の画素は、第１のトランジスタと、第１の発光素子と、を有し、
   前記第２の画素は、第２のトランジスタと、第２の発光素子と、を有し、
   前記第３の画素は、第３のトランジスタと、第３の発光素子と、を有し、
   前記第１の発光素子は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
   前記第２の発光素子は、前記第２のトランジスタと電気的に接続され、
   前記第３の発光素子は、前記第３のトランジスタと電気的に接続され、
   前記第１の画素と前記第３の画素は、同一の選択線と電気的に接続され、
   前記第１の画素に前記第１のトランジスタの電流特性の情報を読み出すための信号を入力し、前記第３の画素に前記第３の画素を非表示とするための信号を入力する第１の動作を行う機能と、
   前記第１の動作の後、前記第１のトランジスタの電流特性の情報の読み出しと、前記第２の画素へのデータ信号の入力と、を行う第２の動作を行う機能と、を有する半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記第１のトランジスタと前記第３のトランジスタは、同一の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタの電流特性の情報の読み出しは、前記配線を介して行われる機能を有する半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第１のトランジスタの電流特性の情報の読み出しが行われている期間内に、前記第２の画素へのデータ信号の入力が行われる機能を有する半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記第１のトランジスタの電流特性の情報の読み出しは、前記第２の動作を行う期間から、次のフレーム期間において前記第１の画素が選択されるまで行われる機能を有する半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記第１のトランジスタの電流特性の情報は、前記第１のトランジスタに流れる電流、又は前記第１のトランジスタのしきい値電圧である半導体装置。