JP2016048770A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ゲート電極に誘起される負電荷を低減可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、第2導電形の第1半導体領域と、第1導電形の第2半導体領域と、第2導電形の第3半導体領域と、第1導電形の第4半導体領域と、ゲート電極と、を備える。第3半導体領域は、第2半導体領域上に設けられている。ゲート電極は、第2半導体領域、第3半導体領域、および第4半導体領域と、第1絶縁膜を介して設けられている。第2半導体領域には、第1領域と、第2領域と、が設けられている。第1領域は、第3半導体領域および第1絶縁膜に隣接している。第2領域は、第1領域および第3半導体領域に隣接している。第2領域は、第1領域よりも第1絶縁膜から離れている。第2領域の第1導電形の不純物濃度は、第1領域の第1導電形の不純物濃度よりも低い。
【選択図】図1
【解決手段】実施形態の半導体装置は、第2導電形の第1半導体領域と、第1導電形の第2半導体領域と、第2導電形の第3半導体領域と、第1導電形の第4半導体領域と、ゲート電極と、を備える。第3半導体領域は、第2半導体領域上に設けられている。ゲート電極は、第2半導体領域、第3半導体領域、および第4半導体領域と、第1絶縁膜を介して設けられている。第2半導体領域には、第1領域と、第2領域と、が設けられている。第1領域は、第3半導体領域および第1絶縁膜に隣接している。第2領域は、第1領域および第3半導体領域に隣接している。第2領域は、第1領域よりも第1絶縁膜から離れている。第2領域の第1導電形の不純物濃度は、第1領域の第1導電形の不純物濃度よりも低い。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
スイッチング素子として、例えば絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor、以下IGBTという)などの半導体装置が用いられる。
IGBTにおいて、半導体領域に存在するキャリアによってゲート電極に誘起される負電荷は、小さいことが望ましい。誘起される負電荷が一定量以上になると、ゲート電圧の上昇に応じて、正電荷ではなく負電荷の方がより多くゲートに蓄積されるようになる、いわゆる負性容量が発生する。ゲート電極に負性容量が発生すると、ゲート電圧の発振や破壊耐量の低下が生じうる。
IGBTにおいて、半導体領域に存在するキャリアによってゲート電極に誘起される負電荷は、小さいことが望ましい。誘起される負電荷が一定量以上になると、ゲート電圧の上昇に応じて、正電荷ではなく負電荷の方がより多くゲートに蓄積されるようになる、いわゆる負性容量が発生する。ゲート電極に負性容量が発生すると、ゲート電圧の発振や破壊耐量の低下が生じうる。
本発明が解決しようとする課題は、ゲート電極に誘起される負電荷を低減することが可能な半導体装置を提供することである。
実施形態の半導体装置は、第2導電形の第1半導体領域と、第1導電形の第2半導体領域と、第2導電形の第3半導体領域と、第1導電形の第4半導体領域と、ゲート電極と、を備える。
第2半導体領域は、第1半導体領域上に設けられている。
第3半導体領域は、第2半導体領域上に設けられている。
第4半導体領域は、第3半導体領域上に設けられている。
ゲート電極は、第2半導体領域、第3半導体領域、および第4半導体領域と、第1絶縁膜を介して設けられている。
第2半導体領域には、第1領域と、第2領域と、が設けられている。
第1領域は、第3半導体領域および第1絶縁膜に隣接している。
第2領域は、第1領域および第3半導体領域に隣接している。第2領域は、第1領域よりも第1絶縁膜から離れている。第2領域の第1導電形の不純物濃度は、第1領域の第1導電形の不純物濃度よりも低い。
第2半導体領域は、第1半導体領域上に設けられている。
第3半導体領域は、第2半導体領域上に設けられている。
第4半導体領域は、第3半導体領域上に設けられている。
ゲート電極は、第2半導体領域、第3半導体領域、および第4半導体領域と、第1絶縁膜を介して設けられている。
第2半導体領域には、第1領域と、第2領域と、が設けられている。
第1領域は、第3半導体領域および第1絶縁膜に隣接している。
第2領域は、第1領域および第3半導体領域に隣接している。第2領域は、第1領域よりも第1絶縁膜から離れている。第2領域の第1導電形の不純物濃度は、第1領域の第1導電形の不純物濃度よりも低い。
以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の一部の平面図である。
図2は、第1の実施形態に係る半導体装置の一部の断面斜視図である。
図2(a)は、図1におけるA−A´断面を含む斜視断面図であり、図2(b)は、図1におけるB−B´断面を含む斜視断面図である。
本実施形態では、第1導電形がn形、第2導電形がp形である場合について説明する。ただし、第1導電形をp形とし、第2導電形をn形としてもよい。
図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の一部の平面図である。
図2は、第1の実施形態に係る半導体装置の一部の断面斜視図である。
図2(a)は、図1におけるA−A´断面を含む斜視断面図であり、図2(b)は、図1におけるB−B´断面を含む斜視断面図である。
本実施形態では、第1導電形がn形、第2導電形がp形である場合について説明する。ただし、第1導電形をp形とし、第2導電形をn形としてもよい。
半導体装置100は、例えば、IGBTである。半導体装置100は、第2導電形の第1半導体領域と、第1導電形の第2半導体領域と、第2導電形の第3半導体領域と、第1導電形の第4半導体領域と、第2導電形の第5半導体領域と、第1ゲート電極と、を有する。
第1半導体領域は、例えば、コレクタ領域19である。第2半導体領域は、例えば、nベース領域11である。第3半導体領域は、例えば、pベース領域15である。第4半導体領域は、例えば、エミッタ領域17である。第5半導体領域は、例えば、コンタクト領域23である。
以下の各実施形態の説明において、コレクタ領域19からnベース領域11に向かう方向を第1方向とする。第1方向に対して直交する方向を第2方向とする。第1方向および第2方向に対して直交する方向を第3方向とする。
第1方向は、例えば、図1に表すZ方向である。第2方向は、例えば、図1に表すX方向である。第3方向は、例えば、図1に表すY方向である。
第1半導体領域は、例えば、コレクタ領域19である。第2半導体領域は、例えば、nベース領域11である。第3半導体領域は、例えば、pベース領域15である。第4半導体領域は、例えば、エミッタ領域17である。第5半導体領域は、例えば、コンタクト領域23である。
以下の各実施形態の説明において、コレクタ領域19からnベース領域11に向かう方向を第1方向とする。第1方向に対して直交する方向を第2方向とする。第1方向および第2方向に対して直交する方向を第3方向とする。
第1方向は、例えば、図1に表すZ方向である。第2方向は、例えば、図1に表すX方向である。第3方向は、例えば、図1に表すY方向である。
コレクタ領域19は、不図示のコレクタ電極と接している。
nベース領域11は、コレクタ領域19上に設けられている。
nベース領域11は、第1領域11aと、第2領域11bと、第3領域11cと、を含む。
第1領域11aの第1導電形の不純物濃度は、第3領域11cの第1導電形の不純物濃度よりも高い。第1領域11aは、Z方向において、pベース領域15と隣接している。
第2領域11bの第1導電形の不純物濃度は、第1領域11aの第1導電形の不純物濃度よりも高い。第2領域11bは、X方向において、第1領域11aと隣接している。第2領域11bは、Z方向において、pベース領域15と隣接している。
第1領域11aと第2領域11bは、nベース領域11のpベース領域15側に位置する。すなわち、第1領域11aとpベース領域15との間の距離は、第3領域11cとpベース領域15との間の距離よりも小さい。また、第2領域11bとpベース領域15との間の距離は、第3領域11cとpベース領域15との間の距離よりも小さい。
第3領域11cは、nベース領域11のコレクタ領域19側に位置する。
第1領域11aおよび第2領域11bは、Y方向に延びている。第1領域11aおよび第2領域11bは、nベース領域11のうち、エミッタ領域17の直下の領域と、コンタクト領域23の直下の領域と、の両方の領域に設けられている。
nベース領域11は、コレクタ領域19上に設けられている。
nベース領域11は、第1領域11aと、第2領域11bと、第3領域11cと、を含む。
第1領域11aの第1導電形の不純物濃度は、第3領域11cの第1導電形の不純物濃度よりも高い。第1領域11aは、Z方向において、pベース領域15と隣接している。
第2領域11bの第1導電形の不純物濃度は、第1領域11aの第1導電形の不純物濃度よりも高い。第2領域11bは、X方向において、第1領域11aと隣接している。第2領域11bは、Z方向において、pベース領域15と隣接している。
第1領域11aと第2領域11bは、nベース領域11のpベース領域15側に位置する。すなわち、第1領域11aとpベース領域15との間の距離は、第3領域11cとpベース領域15との間の距離よりも小さい。また、第2領域11bとpベース領域15との間の距離は、第3領域11cとpベース領域15との間の距離よりも小さい。
第3領域11cは、nベース領域11のコレクタ領域19側に位置する。
第1領域11aおよび第2領域11bは、Y方向に延びている。第1領域11aおよび第2領域11bは、nベース領域11のうち、エミッタ領域17の直下の領域と、コンタクト領域23の直下の領域と、の両方の領域に設けられている。
nベース領域11は、コレクタ領域19との界面付近に、第4領域11dを含んでいてもよい。第4領域11dの第1導電形の不純物濃度は、第3領域11cの第1導電形の不純物濃度よりも低い。第4領域11dは、バッファ領域として機能しうる。
pベース領域15は、nベース領域11上に設けられている。図1に表す例では、pベース領域15は、nベース領域11上に選択的に設けられている。pベース領域15は、Y方向に延びている。また、pベース領域15は、X方向において複数設けられている。
pベース領域15は、第3領域15aと、第4領域15bと、を含む。
第3領域15aは、Z方向において、第2領域11bと隣接している。第3領域15aは、X方向において、第4領域15bと隣接している。
第4領域15bは、Z方向において、第1領域11aと隣接している。第4領域15bの第1導電形の不純物濃度は、例えば、第3領域15aの第1導電形の不純物濃度と等しい。第4領域15bは、第3領域15aよりもコレクタ領域19側に延びている。すなわち、第2領域11bおよび第3領域15aの界面と、コレクタ領域19と、の間の距離は、第1領域11aおよび第4領域15bの界面と、コレクタ領域19と、の間の距離よりも大きい。
pベース領域15は、第3領域15aと、第4領域15bと、を含む。
第3領域15aは、Z方向において、第2領域11bと隣接している。第3領域15aは、X方向において、第4領域15bと隣接している。
第4領域15bは、Z方向において、第1領域11aと隣接している。第4領域15bの第1導電形の不純物濃度は、例えば、第3領域15aの第1導電形の不純物濃度と等しい。第4領域15bは、第3領域15aよりもコレクタ領域19側に延びている。すなわち、第2領域11bおよび第3領域15aの界面と、コレクタ領域19と、の間の距離は、第1領域11aおよび第4領域15bの界面と、コレクタ領域19と、の間の距離よりも大きい。
第4領域15bの少なくとも一部は、第1領域11aの直上に設けられている。換言すると、第4領域15bの少なくとも一部は、Z方向において、第1領域11aと並んでいる。他の表現によると、第4領域15bの少なくとも一部のX方向における位置は、第1領域11aのX方向における位置と同じである。
第2領域11bの一部は、第4領域15bの一部と、同じ深さに設けられている。換言すると、第2領域11bの一部のZ方向における位置は、第4領域15bの一部のZ方向における位置と同じである。すなわち、第2領域11bの一部と、第4領域15bの一部は、X方向と直交する方向であって、nベース領域11からpベース領域15に向かうY方向において同じ位置に設けられている。他の表現によると、第2領域11bの一部は、X方向において、第4領域15bの一部と並んでいる。
第2領域11bの一部は、第4領域15bの一部と、同じ深さに設けられている。換言すると、第2領域11bの一部のZ方向における位置は、第4領域15bの一部のZ方向における位置と同じである。すなわち、第2領域11bの一部と、第4領域15bの一部は、X方向と直交する方向であって、nベース領域11からpベース領域15に向かうY方向において同じ位置に設けられている。他の表現によると、第2領域11bの一部は、X方向において、第4領域15bの一部と並んでいる。
エミッタ領域17は、pベース領域15上に選択的に設けられている。図1に表すように、エミッタ領域は、X方向とY方向において、互いに離間して複数設けられている。すなわち、Y方向に延びるpベース領域15上に、エミッタ領域17は、Y方向において互いに離間して複数設けられている。
エミッタ領域17上には、不図示のエミッタ電極が設けられている。エミッタ領域17は、エミッタ電極と接している。
エミッタ領域17上には、不図示のエミッタ電極が設けられている。エミッタ領域17は、エミッタ電極と接している。
コンタクト領域23は、pベース領域15上に選択的に設けられている。コンタクト領域23は、X方向とY方向において、互いに離間して複数設けられている。また、コンタクト領域23は、Y方向において、エミッタ領域17の間に位置するように、設けられている。エミッタ領域17と同様に、Y方向に延びるpベース領域15上に、コンタクト領域23は、Y方向において互いに離間して複数設けられている。
コンタクト領域23は、本実施形態に必須ではないが、第2導電形のキャリア(正孔)を効率的に排出するためには、設けられていることが好ましい。
コンタクト領域23は、本実施形態に必須ではないが、第2導電形のキャリア(正孔)を効率的に排出するためには、設けられていることが好ましい。
ゲート電極25は、第1絶縁膜27を介して、nベース領域11、pベース領域15、およびエミッタ領域17と対向している。
電極29は、第2絶縁膜31を介して、nベース領域11、pベース領域15、およびエミッタ領域17と対向している。
ゲート電極25と電極29は、X方向において交互に設けられている。隣接するゲート電極25と電極29の間には、nベース領域11の一部、pベース領域15、およびエミッタ領域17の少なくとも一部が設けられている。
ゲート電極25および電極29は、例えば、トレンチ内に電極材料を埋め込むことで形成される。ゲート電極25の材料および電極29の材料として、例えば、ポリシリコンを用いることが可能である。第1絶縁膜27の材料および第2絶縁膜の材料として、例えば、酸化シリコンを用いることが可能である。
電極29は、第2絶縁膜31を介して、nベース領域11、pベース領域15、およびエミッタ領域17と対向している。
ゲート電極25と電極29は、X方向において交互に設けられている。隣接するゲート電極25と電極29の間には、nベース領域11の一部、pベース領域15、およびエミッタ領域17の少なくとも一部が設けられている。
ゲート電極25および電極29は、例えば、トレンチ内に電極材料を埋め込むことで形成される。ゲート電極25の材料および電極29の材料として、例えば、ポリシリコンを用いることが可能である。第1絶縁膜27の材料および第2絶縁膜の材料として、例えば、酸化シリコンを用いることが可能である。
ゲート電極25は、第1絶縁膜27を介して第2領域11bに隣接している。すなわち、第1領域11aとゲート電極25との間のX方向における距離は、第2領域11bとゲート電極25との間のX方向における距離よりも大きい。このため、ゲート電極25と電極29の間の領域において、ゲート電極25近傍のnベース領域(第2領域11b)の第1導電形不純物濃度は、電極29近傍のnベース領域(第1領域11a)の第1導電形不純物濃度よりも高くなっている。
電極29は、第2絶縁膜31を介して第1領域11aに隣接している。すなわち、第2領域11bと電極29との間のX方向における距離は、第1領域11aと電極29との間のX方向における距離よりも大きい。
電極29は、第2絶縁膜31を介して第1領域11aに隣接している。すなわち、第2領域11bと電極29との間のX方向における距離は、第1領域11aと電極29との間のX方向における距離よりも大きい。
ゲート電極25へ電圧を印加することで、pベース領域15の第1絶縁膜27近傍の領域に、第1導電形のキャリア(電子)に対するチャネル(反転層)が形成される。電極29は、例えばエミッタ電極と接続され、グランド電位に接続される。電極29は、グランド電位に接続された際に、フィールドプレート電極として機能しうる。
各半導体領域の不純物濃度を、以下に例示する。なお、各不純物濃度の値は、第1導電形の不純物と第2導電形の不純物とが互いに補償された後の、各導電形の不純物濃度を表す。
nベース領域11の第2領域11bの不純物濃度は、1.0×1016〜1.0×1018atom/cm3である。
nベース領域11の第3領域11cにおける不純物濃度は、1.0×1013〜1.0×1014atom/cm3である。
第1領域11aの不純物濃度は、第2領域11bの不純物濃度より低く、第3領域11cにおける不純物濃度よりも高い。
pベース領域15の不純物濃度は、1.0×1016〜1.0×1018atom/cm3である。
pベース領域15の不純物濃度は、第3領域11cよりも高い。
エミッタ領域17の不純物濃度は、1.0×1018〜1.0×1020atom/cm3である。
コンタクト領域23の不純物濃度は、1.0×1018〜1.0×1020atom/cm3である。
エミッタ領域17およびコンタクト領域23の不純物濃度は、第3領域11c、第2領域11b、およびpベース領域15のいずれの不純物濃度よりも高い。
nベース領域11の第2領域11bの不純物濃度は、1.0×1016〜1.0×1018atom/cm3である。
nベース領域11の第3領域11cにおける不純物濃度は、1.0×1013〜1.0×1014atom/cm3である。
第1領域11aの不純物濃度は、第2領域11bの不純物濃度より低く、第3領域11cにおける不純物濃度よりも高い。
pベース領域15の不純物濃度は、1.0×1016〜1.0×1018atom/cm3である。
pベース領域15の不純物濃度は、第3領域11cよりも高い。
エミッタ領域17の不純物濃度は、1.0×1018〜1.0×1020atom/cm3である。
コンタクト領域23の不純物濃度は、1.0×1018〜1.0×1020atom/cm3である。
エミッタ領域17およびコンタクト領域23の不純物濃度は、第3領域11c、第2領域11b、およびpベース領域15のいずれの不純物濃度よりも高い。
半導体装置100をオン動作させた際、正孔は、コレクタ電極からエミッタ電極に向かう方向へゲート電極25と電極29との間の領域を流れる。
第1領域11aと第2領域11bとを設けると、ゲート電極25と電極29との間の領域を流れる際に、正孔の多くは、第1導電形の不純物濃度が低い第1領域11aを通過する。このため、ゲート電極25の近傍における正孔の密度を下げ、ゲート電極25に誘起される負電荷を低減させることができる。
第1領域11aと第2領域11bとを設けると、ゲート電極25と電極29との間の領域を流れる際に、正孔の多くは、第1導電形の不純物濃度が低い第1領域11aを通過する。このため、ゲート電極25の近傍における正孔の密度を下げ、ゲート電極25に誘起される負電荷を低減させることができる。
また、第1導電形の不純物濃度が高い第2領域11bを設けることで、第2領域11bが設けられていない場合に比べてnベース領域11におけるキャリア蓄積量が増大する。このため、IE(Injection Enhanced)効果を高め、半導体装置100のオン電圧を低減することが可能となる。
さらに、第4領域15bとゲート電極25との間の距離を、第3領域15aとゲート電極25との間の距離よりも大きくすることで、より多くの正孔がゲート電極25から離れた位置(第4領域15b)を通過する。
このとき、第2領域11bよりも正孔が通過しやすい第1領域11aの直上に、第4領域15bを設けることで、より多くの正孔が、ゲート電極25から離れた位置を通過する。
このとき、第2領域11bよりも正孔が通過しやすい第1領域11aの直上に、第4領域15bを設けることで、より多くの正孔が、ゲート電極25から離れた位置を通過する。
また、第2領域11bの一部を、第4領域15bの一部と、第2方向において同じ位置に設けることで、第2領域11bの一部と第4領域15bの一部とが同じ深さに設けられていない場合に比べて、ゲート電極25の近くを通過する正孔の数を低減することが可能となる。
上述した構成を採用することにより、第1導電型の半導体領域と第2導電形の半導体領域との界面を、より第2領域11bに近づけることができる。この結果、第1領域11aを通過した正孔が、第2領域11bと第3領域15aとの間の領域に拡散することを抑制できるためである。
上述した構成を採用することにより、第1導電型の半導体領域と第2導電形の半導体領域との界面を、より第2領域11bに近づけることができる。この結果、第1領域11aを通過した正孔が、第2領域11bと第3領域15aとの間の領域に拡散することを抑制できるためである。
ここで、第2領域11bが、ゲート電極25と電極29との間の半導体領域に、一様に存在する場合を考える。正孔に対して、第2領域11bは、ゲート電極25と電極29との間に一様に存在するポテンシャル障壁として機能する。この結果、正孔は、第1絶縁膜27近傍に形成されたチャネルを流れる電子に引き寄せられ、第1絶縁膜27近傍を流れてnベース領域11を通過する。そのため、第1絶縁膜27近傍の正孔の密度が増大し、ゲート電極25に多量の負電荷が誘起される。
これに対して、本実施形態では、第1領域と、第1領域よりも高い第1導電形の不純物濃度を有する第2領域11bと、を設けることで、正孔が第1絶縁膜27の近傍を通過することを抑制でき、ゲート電極25に誘起される負電荷が低減される。
(第2の実施形態)
図3は、第2の実施形態に係る半導体装置200の一部の斜視断面図である。
本実施形態と第1の実施形態との差異点は、pベース領域15の第4領域15bにある。
図3は、第2の実施形態に係る半導体装置200の一部の斜視断面図である。
本実施形態と第1の実施形態との差異点は、pベース領域15の第4領域15bにある。
半導体装置200において、半導体装置100と同様に、pベース領域15は、第3領域15aと、第4領域15bと、を含む。ただし、第4領域15bの第2導電形の不純物濃度は、第3領域15aの第2導電形の不純物濃度よりも高い。第4領域15bは、第3領域15aよりもコレクタ領域19側に延びている。第4領域15bの第2導電形の不純物濃度は、例えば、1.0×1016〜1.0×1018atom/cm3である。
第4領域15bとゲート電極25との間の距離は、第3領域15aとゲート電極25との間の距離よりも大きい。すなわち、pベース領域15内部において、ゲート電極25近傍には第3領域15aが位置し、電極29近傍には第4領域15bが位置している。
第4領域15bとゲート電極25との間の距離は、第3領域15aとゲート電極25との間の距離よりも大きい。すなわち、pベース領域15内部において、ゲート電極25近傍には第3領域15aが位置し、電極29近傍には第4領域15bが位置している。
正孔に対して、第4領域15bのポテンシャル障壁は、第3領域15aのポテンシャル障壁よりも低い。このため、第4領域15bとゲート電極25との間の距離が、第3領域15aとゲート電極25との間の距離よりも大きいことで、より多くの正孔が、ゲート電極25から離れた位置(第4領域15b)を通過する。
本実施形態によれば、第1の実施形態に比べて、より多くの正孔が、ゲート電極25から離れた領域を通過する。この結果、第1絶縁膜27近傍における正孔の密度がより一層低下し、ゲート電極25に誘起される負電荷が低減される。
(第3の実施形態)
図4は、第3の実施形態に係る半導体装置300の一部の斜視断面図である。
本実施形態では、電極29が、ゲート電極25の間に設けられていない。すなわち、ゲート電極25同士が、Y方向において、互いに隣り合って設けられている。
図4は、第3の実施形態に係る半導体装置300の一部の斜視断面図である。
本実施形態では、電極29が、ゲート電極25の間に設けられていない。すなわち、ゲート電極25同士が、Y方向において、互いに隣り合って設けられている。
nベース領域11は、隣り合うゲート電極25の間の領域において、第1領域11aと、第2領域11bと、第5領域11eと、を含む。
第1領域11aは、第2領域11bと第5領域11eの間に設けられている。
第2領域11bの第1導電形の不純物濃度は、第1領域11aにおける第1導電形の不純物濃度よりも高い。
第5領域11eの第1導電形の不純物濃度は、第1領域11aにおける第1導電形の不純物濃度よりも高い。第5領域は、第1絶縁膜27に隣接している。
第2領域11bと第2領域11bに隣接するゲート電極25(第1ゲート電極)との間の距離は、第1領域11aと第2領域11bに隣接するゲート電極25との間の距離よりも、小さい。すなわち、第1領域11aは、第2領域11bよりも第1絶縁膜27から離れている。
第5領域11eと第5領域11eに隣接するゲート電極25(第2ゲート電極)との間の距離は、第1領域11aと第5領域11eに隣接するゲート電極25との間の距離よりも、小さい。すなわち、第1領域11aは、第5領域11eよりも第1絶縁膜27から離れている。
第1領域11aは、第2領域11bと第5領域11eの間に設けられている。
第2領域11bの第1導電形の不純物濃度は、第1領域11aにおける第1導電形の不純物濃度よりも高い。
第5領域11eの第1導電形の不純物濃度は、第1領域11aにおける第1導電形の不純物濃度よりも高い。第5領域は、第1絶縁膜27に隣接している。
第2領域11bと第2領域11bに隣接するゲート電極25(第1ゲート電極)との間の距離は、第1領域11aと第2領域11bに隣接するゲート電極25との間の距離よりも、小さい。すなわち、第1領域11aは、第2領域11bよりも第1絶縁膜27から離れている。
第5領域11eと第5領域11eに隣接するゲート電極25(第2ゲート電極)との間の距離は、第1領域11aと第5領域11eに隣接するゲート電極25との間の距離よりも、小さい。すなわち、第1領域11aは、第5領域11eよりも第1絶縁膜27から離れている。
pベース領域15は、第3領域15aと、第4領域15bと、第6領域15cと、を含む。
第4領域15bは、第3領域15aと第6領域15cの間に設けられている。
第4領域15bの第2導電形の不純物濃度は、例えば、第3領域15aの第2導電形の不純物濃度と等しい。また、第4領域15bの第2導電形の不純物濃度は、例えば、第6領域15cの第2導電形の不純物濃度と等しい。第4領域15bは、第3領域15aおよび第6領域15cよりもコレクタ領域19側に延びている。
第6領域15cは、Z方向において、第5領域11eと隣接している。
第3領域15aに隣接するゲート電極25(第1ゲート電極)と第4領域15bとの間の距離は、第3領域15aに隣接するゲート電極25と第3領域15aとの間の距離よりも、大きい。すなわち、第4領域15bは、第3領域15aよりも第1絶縁膜27から離れている。
第6領域15cに隣り合うゲート電極25(第2ゲート電極)と第4領域15bとの間の距離は、第6領域15cに隣り合うゲート電極25と第6領域15cとの間の距離よりも、大きい。すなわち、第4領域15bは、第6領域15cよりも第1絶縁膜27から離れている。
第4領域15bは、第3領域15aと第6領域15cの間に設けられている。
第4領域15bの第2導電形の不純物濃度は、例えば、第3領域15aの第2導電形の不純物濃度と等しい。また、第4領域15bの第2導電形の不純物濃度は、例えば、第6領域15cの第2導電形の不純物濃度と等しい。第4領域15bは、第3領域15aおよび第6領域15cよりもコレクタ領域19側に延びている。
第6領域15cは、Z方向において、第5領域11eと隣接している。
第3領域15aに隣接するゲート電極25(第1ゲート電極)と第4領域15bとの間の距離は、第3領域15aに隣接するゲート電極25と第3領域15aとの間の距離よりも、大きい。すなわち、第4領域15bは、第3領域15aよりも第1絶縁膜27から離れている。
第6領域15cに隣り合うゲート電極25(第2ゲート電極)と第4領域15bとの間の距離は、第6領域15cに隣り合うゲート電極25と第6領域15cとの間の距離よりも、大きい。すなわち、第4領域15bは、第6領域15cよりも第1絶縁膜27から離れている。
第3領域15aの少なくとも一部は、第2領域11bの直上に位置している。換言すると、第3領域15aの少なくとも一部は、Z方向において、第2領域11bと並んでいる。他の表現によると、第3領域15aの少なくとも一部のX方向における位置は、第2領域11bのX方向における位置と同じである。
第4領域15bの少なくとも一部は、第1領域11aの直上に位置している。換言すると、第4領域15bの少なくとも一部は、Z方向において、第1領域11aと並んでいる。他の表現によると、第4領域15bの少なくとも一部のX方向における位置は、第1領域11aのX方向における位置と同じである。
第6領域15cの少なくとも一部は、第5領域11eの直上に位置している。換言すると、第6領域15cの少なくとも一部は、Z方向において、第5領域11eと並んでいる。他の表現によると、第6領域15cの少なくとも一部のX方向における位置は、第5領域11eのX方向における位置と同じである。
第4領域15bの少なくとも一部は、第1領域11aの直上に位置している。換言すると、第4領域15bの少なくとも一部は、Z方向において、第1領域11aと並んでいる。他の表現によると、第4領域15bの少なくとも一部のX方向における位置は、第1領域11aのX方向における位置と同じである。
第6領域15cの少なくとも一部は、第5領域11eの直上に位置している。換言すると、第6領域15cの少なくとも一部は、Z方向において、第5領域11eと並んでいる。他の表現によると、第6領域15cの少なくとも一部のX方向における位置は、第5領域11eのX方向における位置と同じである。
こうすると、正孔が互いに隣り合うゲート電極25の間を流れる際に、正孔の多くは、ゲート電極25から離れた第1領域11aおよび第4領域15bを通過する。
本実施形態においても、第1絶縁膜27近傍における正孔の密度が低下するため、ゲート電極25に誘起される負電荷が低減される。
本実施形態においても、第1絶縁膜27近傍における正孔の密度が低下するため、ゲート電極25に誘起される負電荷が低減される。
(第4の実施形態)
図5は、第4の実施形態に係る半導体装置400の一部の斜視断面図である。
本実施形態と第3の実施形態との差異点は、pベース領域15の第4領域15bにある。
図5は、第4の実施形態に係る半導体装置400の一部の斜視断面図である。
本実施形態と第3の実施形態との差異点は、pベース領域15の第4領域15bにある。
半導体装置300において、半導体装置200と同様に、pベース領域15は、第3領域15aと、第4領域15bと、第6領域15cと、を含む。
ただし、第4領域15bの第2導電形の不純物濃度は、第3領域15aの第2導電形の不純物濃度よりも高い。また、第4領域15bの第2導電形の不純物濃度は、第6領域15cの第2導電形の不純物濃度よりも高い。第4領域15bの第2導電形の不純物濃度は、例えば、1.0×1016〜1.0×1018atom/cm3である。
その他の、第4領域15bと、第3領域15aおよび第6領域15cと、の間の関係は、第3の実施形態と同様である。
また、ゲート電極25と、第3領域15a、第4領域15bおよび第6領域15cと、の間の関係も、第3の実施形態と同様である。
ただし、第4領域15bの第2導電形の不純物濃度は、第3領域15aの第2導電形の不純物濃度よりも高い。また、第4領域15bの第2導電形の不純物濃度は、第6領域15cの第2導電形の不純物濃度よりも高い。第4領域15bの第2導電形の不純物濃度は、例えば、1.0×1016〜1.0×1018atom/cm3である。
その他の、第4領域15bと、第3領域15aおよび第6領域15cと、の間の関係は、第3の実施形態と同様である。
また、ゲート電極25と、第3領域15a、第4領域15bおよび第6領域15cと、の間の関係も、第3の実施形態と同様である。
正孔に対して、第4領域15bのポテンシャル障壁は、第3領域15aおよび第6領域15cのポテンシャル障壁よりもが低い。
第4領域15bとゲート電極25との間の距離が、第3領域15aと第3領域15aに隣接するゲート電極25との間の距離よりも大きいことで、より多くの正孔が、第3領域15aに隣接するゲート電極25から離れた位置を通過する。
また、第4領域15bとゲート電極25との間の距離が、第6領域15cと第6領域15cに隣接するゲート電極25との間の距離よりも大きいことで、より多くの正孔が、第6領域15cに隣接するゲート電極25から離れた位置を通過する。
すなわち、より多くの正孔が、第3領域15aに隣接するゲート電極25と、第6領域15cに隣接するゲート電極25の、双方のゲート電極25から離れた位置を通過する。
第4領域15bとゲート電極25との間の距離が、第3領域15aと第3領域15aに隣接するゲート電極25との間の距離よりも大きいことで、より多くの正孔が、第3領域15aに隣接するゲート電極25から離れた位置を通過する。
また、第4領域15bとゲート電極25との間の距離が、第6領域15cと第6領域15cに隣接するゲート電極25との間の距離よりも大きいことで、より多くの正孔が、第6領域15cに隣接するゲート電極25から離れた位置を通過する。
すなわち、より多くの正孔が、第3領域15aに隣接するゲート電極25と、第6領域15cに隣接するゲート電極25の、双方のゲート電極25から離れた位置を通過する。
本実施形態によれば、第3の実施形態に比べて、より多くの正孔が、ゲート電極25から離れた第1領域11aおよび第4領域15bを通過する。この結果、第1絶縁膜27近傍における正孔の密度がより一層低下するため、ゲート電極25に誘起される負電荷が低減される。
(第5の実施形態)
図6は、第5の実施形態に係る半導体装置500の一部の斜視断面図である。
図6は、第5の実施形態に係る半導体装置500の一部の斜視断面図である。
本実施形態では、nベース領域11は、第1領域11aと、第2領域11bと、を含む。第2領域11bは、第1領域11aよりも第1導電形の不純物濃度が高い。第2領域11bは、nベース領域11において、第1実施形態と比べて、nベース領域11とpベース領域15との界面から離れた位置に設けられている。
第1実施形態では、第1領域11aの直上におけるnベース領域11とpベース領域15との界面のZ方向の位置は、第2領域11bの直上におけるnベース領域11とpベース領域15との界面のZ方向の位置と、異なっていた。
これに対して、本実施形態では、第1領域11aの直上におけるnベース領域11とpベース領域15との界面のZ方向の位置は、第2領域11bの直上におけるnベース領域11とpベース領域15との界面のZ方向の位置と、ほぼ同じである。
第1実施形態では、第1領域11aの直上におけるnベース領域11とpベース領域15との界面のZ方向の位置は、第2領域11bの直上におけるnベース領域11とpベース領域15との界面のZ方向の位置と、異なっていた。
これに対して、本実施形態では、第1領域11aの直上におけるnベース領域11とpベース領域15との界面のZ方向の位置は、第2領域11bの直上におけるnベース領域11とpベース領域15との界面のZ方向の位置と、ほぼ同じである。
第2領域11bは、pベース領域15の下端が形成される位置よりも深い位置に不純物を注入することで形成される。このため、第2領域11bを形成する際の、pベース領域15に対する第1導電形の不純物の拡散による影響が、第1実施形態における、第2領域11bを形成する際の、pベース領域15に対する第1導電形の不純物の拡散による影響よりも小さい。
第1領域11aを形成する際に、pベース領域15の下端よりも深い位置に不純物を注入することで、その後の熱処理により第1領域11aを形成する際に、pベース領域15に拡散する第1導電形の不純物の量が低減される。このため、チャネル形成領域でもあるpベース領域15において、補償される第1導電形の不純物量が小さくなる。この結果、本実施形態によれば、他の実施形態と同様に、第1絶縁膜27近傍における正孔の密度を低下させつつ、各処理基板ごとのpベース領域15における不純物濃度のばらつきを抑制することが可能となる。
(第6の実施形態)
図7は、第6の実施形態に係る半導体装置600の一部の斜視断面図である。
図7(a)と(b)とは互いに異なる位置の断面を表したものである。
図7は、第6の実施形態に係る半導体装置600の一部の斜視断面図である。
図7(a)と(b)とは互いに異なる位置の断面を表したものである。
本実施形態は、第1の実施形態と比較して、第2領域11bが、コンタクト領域23直下の領域の少なくとも一部に設けられていない点で異なる。すなわち、nベース領域11のうち、Z方向においてコンタクト領域23と並ぶ領域の少なくとも一部において、第2領域11bが設けられていない。他の表現によると、Z方向における第2領域11bが存在する位置において、第1導電形の不純物濃度が高い領域、および第1導電形の不純物濃度が低い領域が、Y方向に交互に設けられている。
本実施形態では、nベース領域11のうち、正孔が排出されるコンタクト領域23直下の領域の第1導電形の不純物濃度が、nベース領域11のうち、エミッタ領域17直下の領域の第1導電形の不純物濃度よりも低い。このため、第1実施形態に比べて、正孔がより効率的にnベース領域11から排出される。従って、第1実施形態に比べて、第1絶縁膜27近傍に蓄積される正孔の密度がより一層低減し、ゲート電極25に誘起される負電荷がさらに低減される。
図8は第1実施形態に係る半導体装置のシミュレーション結果である。
図8は、ゲート電極25と電極29との間の領域における、第1各導電形の不純物濃度の分布を示している。各領域における不純物濃度は、第1導電形の不純物と第2導電形の不純物とが互いに補償された後の、第1各導電形の不純物濃度を示している。
図8のグレースケールで示した分布において、中間色(灰色)よりも白い(淡い)ほど、第1導電形の不純物濃度が高く、色の領域は、第1導電形の半導体領域を示しており、より色が白い領域ほど第1導電形の不純物濃度が高いことを示している。また、図8において、中間色(灰色)よりも黒い(濃い)ほど、第1導電形の不純物濃度が高いことを示している。
なお、図8において、第2導電形の半導体領域は、その濃度に関わらず、全て黒色で表されている。色の領域は、第2導電形の半導体領域を示しており、より色が黒い領域ほど第2導電形の不純物濃度が高いことを示している。
図8のスケールに示されている数値の単位はatom/cm3である。
図8は、ゲート電極25と電極29との間の領域における、第1各導電形の不純物濃度の分布を示している。各領域における不純物濃度は、第1導電形の不純物と第2導電形の不純物とが互いに補償された後の、第1各導電形の不純物濃度を示している。
図8のグレースケールで示した分布において、中間色(灰色)よりも白い(淡い)ほど、第1導電形の不純物濃度が高く、色の領域は、第1導電形の半導体領域を示しており、より色が白い領域ほど第1導電形の不純物濃度が高いことを示している。また、図8において、中間色(灰色)よりも黒い(濃い)ほど、第1導電形の不純物濃度が高いことを示している。
なお、図8において、第2導電形の半導体領域は、その濃度に関わらず、全て黒色で表されている。色の領域は、第2導電形の半導体領域を示しており、より色が黒い領域ほど第2導電形の不純物濃度が高いことを示している。
図8のスケールに示されている数値の単位はatom/cm3である。
このシミュレーション結果から、ゲート電極25と電極29との間の領域において、ゲート電極25から電極29に向かう方向(X方向)に、第1導電形の不純物濃度の勾配が形成されていることがわかる。そして、第1導電形の不純物濃度が高い領域とゲート電極25との間の距離が、この領域よりも第1導電形の不純物濃度が低い領域とゲート電極25との間の距離より、小さいことがわかる。
また、ゲート電極25と電極29との間の領域において、ゲート電極25から電極29に近づくにつれて、pベース領域15の深さが深くなっていることがわかる。すなわち、pベース領域15は、コレクタ領域19側に延びた領域を含み、その領域が、ゲート電極25から離れた位置に存在していることがわかる。
上述した、各実施形態で述べた、各半導体領域における不純物濃度の相対的な高低については、例えば、SCM(走査型静電容量顕微鏡)を用いて確認することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
11…nベース領域 15…pベース領域 17…エミッタ領域 19…コレクタ領域 23…コンタクト領域 25…ゲート電極 27…第1絶縁膜 29…電極 31…第2絶縁膜
図8は第1実施形態に係る半導体装置のシミュレーション結果である。
図8は、ゲート電極25と電極29との間の領域における、第1導電形の不純物濃度の分布を示している。各領域における不純物濃度は、第1導電形の不純物と第2導電形の不純物とが互いに補償された後の、第1導導電形の不純物濃度を示している。
図8のグレースケールで示した分布において、白い(淡い)ほど、第1導電形の不純物濃度が高いことを示している。
なお、図8において、第2導電形の半導体領域は、その濃度に関わらず、全て黒色で表されている。
図8のスケールに示されている数値の単位はatom/cm3である。
図8は、ゲート電極25と電極29との間の領域における、第1導電形の不純物濃度の分布を示している。各領域における不純物濃度は、第1導電形の不純物と第2導電形の不純物とが互いに補償された後の、第1導導電形の不純物濃度を示している。
図8のグレースケールで示した分布において、白い(淡い)ほど、第1導電形の不純物濃度が高いことを示している。
なお、図8において、第2導電形の半導体領域は、その濃度に関わらず、全て黒色で表されている。
図8のスケールに示されている数値の単位はatom/cm3である。
Claims (7)
- 第2導電形の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に設けられた第1導電形の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域上に設けられた第2導電形の第3半導体領域と、
前記第3半導体領域上に設けられた第1導電形の第4半導体領域と、
前記第2半導体領域、前記第3半導体領域、および前記第4半導体領域に、第1絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記第2半導体領域において、前記第3半導体領域および前記第1絶縁膜に隣接する第1領域と、前記第1領域および第3半導体領域に隣接し、前記第1領域よりも前記第1絶縁膜から離れた、前記第1領域の第1導電形の不純物濃度よりも第1導電形の不純物濃度が低い第2領域と、
を備えた半導体装置。 - 前記第3半導体領域は、前記第1絶縁膜および前記第1領域に隣接する第3領域と、前記第2領域および前記第3領域に隣接し、前記第3領域よりも前記第1絶縁膜から離れた第4領域と、を含み、
前記第1領域および前記第3領域の界面と、前記第1半導体領域と、の間の距離は、前記第2領域および前記第4領域の界面と、前記第1半導体領域と、の間の距離よりも大きい請求項1記載の半導体装置。 - 前記第4領域は、前記第3領域の第2導電形の不純物濃度よりも高い、第2導電形の不純物濃度を有する請求項2記載の半導体装置。
- 前記第2半導体領域、前記第3半導体領域、および前記第4半導体領域に、第2絶縁膜を介して設けられた電極をさらに備え、
前記第2領域は前記第2絶縁膜と隣接しており、前記第1領域は、前記第2領域よりも前記第2絶縁膜から離れた請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記第2半導体領域、前記第3半導体領域、および前記第4半導体領域に、第2絶縁膜を介して設けられた第2ゲート電極と、
前記第2半導体領域において、前記第3半導体領域および前記第2絶縁膜に隣接し、前記第2領域の第1導電形の不純物濃度よりも高い第1導電形の不純物濃度を有する第5領域と、をさらに備え、
前記第2領域は、前記第5領域よりも前記第2絶縁膜から離れた請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記第2領域の一部と前記第4領域の一部は、前記第1半導体領域から前記第2半導体領域に向かう第1方向において、同じ位置に設けられた請求項2〜5のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第3半導体領域上に選択的に設けられた第2導電形の第5半導体領域をさらに備え、
前記第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域から前記第2半導体領域に向かう第1方向において前記第5半導体領域と並ぶ領域の少なくとも一部に、前記第2領域が設けられていない請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体装置。
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