JP2016042584A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
注目されている。該トランジスタは集積回路(IC)や画像表示装置(表示装置)のよう
な電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシリ
コン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化物半導体が注目されて
いる。
度が1018/cm3未満であるインジウム(In)、ガリウム(Ga)、および亜鉛(
Zn)を含む非晶質酸化物を用いたトランジスタが開示されている(特許文献1参照)。
する水素や水の混入などが生じると、その電気伝導度が変化する恐れがある。このような
現象は、酸化物半導体を用いたトランジスタなどの半導体装置にとって、電気的特性の変
動要因となる。
することを目的の一とする。
め、変動要因となる水、水素、水酸基又は水素化物(水素化合物ともいう)などの不純物
が酸化物半導体膜に混入することを防止するものである。
物半導体膜は、昇温脱離分析において、水分子の脱離が0.5個/nm3以下である半導
体装置である。
、酸化物半導体膜は、昇温脱離分析において、水分子の脱離が0.1個/nm3以下であ
る半導体装置である。
00℃を超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、
酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を0.5個/nm3以下とする半導体装置の作製
方法である。なお、上記温度の上限は500℃以下であることが望ましい。
00℃を超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、
酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を0.1個/nm3以下とする半導体装置の作製
方法である。なお、上記温度の上限は500℃以下であることが望ましい。
い。
スと酸素の混合雰囲気であることが望ましい。また、上記において、トランジスタは、ガ
ラス基板上に形成されることが好ましい。
0℃以下、好ましくは300℃を超えて500℃以下、より好ましくは350℃以上45
0℃以下となるように加熱しながら酸化物半導体膜を成膜する。基板を加熱しながら酸化
物半導体膜を成膜することにより、酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気的特
性の変動要因となる水素、水、水酸基または水素化物などの水素原子を含む物質が、酸化
物半導体膜に混入することを防止できる。
物である水素を酸化物半導体から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含ま
れないように高純度化した酸化物半導体をいう。
電気的特性に温度依存性がほとんど見られない。また、光劣化によるトランジスタ特性の
変動も少ない。
。
導体装置を提供することができる。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名
称を示すものではない。
本実施の形態では、半導体装置および半導体装置の作製方法の一形態を、図1乃至図4を
用いて説明する。
図1には、開示する発明の一態様に係る半導体装置の例として、トランジスタ110の平
面図および断面図を示す。ここで、図1(A)は平面図であり、図1(B)および図1(
C)はそれぞれ、図1(A)におけるA−B断面およびC−D断面に係る断面図である。
なお、図1(A)では、煩雑になることを避けるため、トランジスタ110の構成要素の
一部(例えばゲート絶縁膜212など)を省略している。
6a、ソース電極208a、ドレイン電極208b、ゲート絶縁膜212、ゲート電極2
14を含む。図1に示すトランジスタにおいて、酸化物半導体膜206aは、絶縁膜20
2上に接して設けられている。
どの不純物が除去されたものである。酸化物半導体膜206aは、例えば、昇温脱離分析
(TDS:Thermal Desorption Spectroscopy)により
水分子の脱離が0.5個/nm3以下、好ましくは0.1個/nm3以下となる膜である
。
とにより、酸化物半導体を高純度化またはi型(真性)化することができる。このように
、高純度化またはi型化された酸化物半導体膜206aをトランジスタ110のチャネル
形成領域に用いることにより、トランジスタ110の電気的特性の変動を抑制することが
できるため、トランジスタの信頼性を向上させることができる。
に近い)、キャリア密度は非常に小さい値(1×1014/cm3以下、好ましくは1×
1012/cm3以下)をとる。これにより、トランジスタがオフ状態のときのリーク電
流(オフ電流)を極めて低減することができる。
構造を示す。開示する発明の一態様に係るトランジスタとして、図2(A)では、トップ
ゲート型のトランジスタ、図2(B)乃至図2(D)では、ボトムゲート型のトランジス
タを示している。
膜206a、ソース電極208a、ドレイン電極208b、ゲート絶縁膜212、ゲート
電極214を含む点で、トランジスタ110と共通している。トランジスタ120とトラ
ンジスタ110との相違は、酸化物半導体膜206aと、ソース電極208aやドレイン
電極208bが接続する位置である。すなわち、トランジスタ120では、酸化物半導体
膜206aの下部において、酸化物半導体膜206aと、ソース電極208aやドレイン
電極208bとが接している構造となる。
00上に、ゲート電極401、ゲート電極401を覆うようにゲート絶縁膜402、酸化
物半導体膜403a、ソース電極405a、ドレイン電極405b、および絶縁膜407
を含む。
07上であって酸化物半導体膜403aのチャネル形成領域に重畳する領域に導電膜41
0を設けた構成である。その他の構成要素については、図2(B)と同様である。なお、
導電膜410は、バックゲート電極として機能してもよい。導電膜410は、ゲート電極
401と導電膜410とで酸化物半導体膜403aのチャネル形成領域を挟むように配置
される。導電膜410の電位を変化させることで、トランジスタのしきい値電圧を変化さ
せることができる。
縁膜402、酸化物半導体膜403a、ソース電極405a、ドレイン電極405b、お
よび絶縁膜407を含む点で、図2(B)に示すトランジスタ310と共通している。図
2(B)に示すトランジスタ310と、図2(D)に示すトランジスタ330との相違は
、酸化物半導体膜403aと、ソース電極405aやドレイン電極405bが接続する位
置である。すなわち、トランジスタ330では、酸化物半導体膜403aの下部において
、酸化物半導体膜403aと、ソース電極405aやドレイン電極405bとが接してい
る構造となる。また、絶縁膜407上に絶縁膜409を設ける構成とすることもできる。
以下、図3および図4を用いて、トランジスタの作製工程の例について説明する。
図3(A)乃至図3(E)を用いて、図1に示すトランジスタ110の作製工程の一例に
ついて説明する。
熱性を有していることが必要となる。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、
サファイア基板などを、基板200として用いることができる。また、シリコンや炭化シ
リコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物
半導体基板、SOI基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子
が設けられたものを、基板200として用いてもよい。
ける場合、可撓性基板上に直接的にトランジスタを作り込んでもよいし、また、これらの
基板に剥離層が設けられたものを用いてもよい。この基板にトランジスタを形成した後、
剥離層にてトランジスタを剥離して、他の基板、例えば、可撓性基板に転置してもよい。
窒化物、ガリウム酸化物、これらの混合材料、などを用いて、単層構造または積層構造で
形成することができる。また、絶縁膜202は、例えば、プラズマCVD法やスパッタリ
ング法などの成膜方法を用いて作製することができる。
も記す)を混入させない方法を用いて成膜することが好ましい。絶縁膜202に水素原子
を含む物質が含まれると、その水素原子を含む物質の酸化物半導体膜206への侵入、又
は水素原子を含む物質による酸化物半導体膜206中の酸素の引き抜き、が生じるおそれ
がある。これにより、酸化物半導体膜206のバックチャネルが低抵抗化(n型化)して
しまい、寄生チャネルが形成されるおそれがある。よって、絶縁膜202はできるだけ水
素原子を含む物質を含まない膜になるように作製することが好ましい。例えば、スパッタ
リング法によって成膜するのが好ましく、成膜する際に用いるスパッタガスとしては、水
素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好まし
い。
、Mg、Hf及びランタノイドから選ばれた一種以上の元素を含有する材料を用いること
ができる。例えば、四元系金属酸化物であるIn−Sn−Ga−Zn−O系の材料や、三
元系金属酸化物であるIn−Ga−Zn−O系の材料、In−Sn−Zn−O系の材料、
In−Al−Zn−O系の材料、Sn−Ga−Zn−O系の材料、Al−Ga−Zn−O
系の材料、Sn−Al−Zn−O系の材料、In−Hf−Zn−O系の材料、In−La
−Zn−O系の材料、In−Ce−Zn−O系の材料、In−Pr−Zn−O系の材料、
In−Nd−Zn−O系の材料、In−Sm−Zn−O系の材料、In−Eu−Zn−O
系の材料、In−Gd−Zn−O系の材料、In−Tb−Zn−O系の材料、In−Dy
−Zn−O系の材料、In−Ho−Zn−O系の材料、In−Er−Zn−O系の材料、
In−Tm−Zn−O系の材料、In−Yb−Zn−O系の材料、In−Lu−Zn−O
系の材料や、二元系金属酸化物であるIn−Zn−O系の材料、Sn−Zn−O系の材料
、Al−Zn−O系の材料、Zn−Mg−O系の材料、Sn−Mg−O系の材料、In−
Mg−O系の材料、In−Ga−O系の材料や、一元系金属酸化物In−O系の材料、S
n−O系の材料、Zn−O系の材料などを用いることができる。また、上記の材料にSi
O2を含ませてもよい。ここで、例えば、In−Ga−Zn−O系の材料とは、インジウ
ム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)を有する酸化物膜、という意味であり、そ
の組成比は特に問わない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでいてもよい。
材料を用いた薄膜とすることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから
選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Mとして、Ga、GaおよびAl、G
aおよびMn、またはGaおよびCoなどを用いることができる。
化物半導体膜206を厚くしすぎると(例えば、膜厚を50nm以上)、トランジスタが
ノーマリーオンとなってしまうおそれがあるためである。
法で作製するのが望ましい。例えば、スパッタリング法などを用いて作製することができ
る。
トを用いたスパッタリング法により形成する。
例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の
ターゲットを用いることができる。なお、ターゲットの材料および組成を上述に限定する
必要はない。例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の組
成比のターゲットを用いることもできる。
組成比として、原子数比で、In:Zn=50:1〜1:2(モル数比に換算するとIn
2O3:ZnO=25:1〜1:4)、好ましくはIn:Zn=20:1〜1:1(モル
数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1〜1:2)、さらに好ましくはIn:Z
n=15:1〜1.5:1(モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2〜3:
4)とする。例えば、In−Zn−O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子
数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5X+Yとする。
とする。充填率の高いターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜206は
緻密な膜とすることができるためである。
スと酸素の混合雰囲気下などとすればよい。また、酸化物半導体膜への水素、水、水酸基
、水素化物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物などの不純物が十分に
除去された高純度ガスを用いた雰囲気とすることが望ましい。
えて500℃以下、好ましくは300℃を超えて500℃以下、より好ましくは350℃
以上450℃以下となるように加熱する。
分に除去された高純度ガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板200上に酸化物半導
体膜206を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、排気手段として、クラ
イオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプなどの吸着型の真空ポンプを
用いることが望ましい。また、排気手段は、ターボポンプにコールドトラップを加えたも
のであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素、水、水酸
基または水素化物などの不純物(より好ましくは炭素原子を含む化合物も)などが除去さ
れているため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜206に含まれる水素、水、水酸基
または水素化物などの不純物の濃度を低減することができる。
原子を含む物質が混入するおそれがあるため、基板200を上述の温度で加熱することが
好ましい。基板200を上述の温度で加熱して、酸化物半導体膜206の成膜を行うこと
により、基板温度は高温となるため、水素結合は熱により切断され、酸化物半導体膜20
6に取り込まれにくい。したがって、基板200が上述の温度で加熱された状態で、酸化
物半導体膜206の成膜を行うことにより、酸化物半導体膜206に含まれる水素、水、
水酸基または水素化物などの不純物の濃度を十分に低減することができる。また、スパッ
タリングによる損傷を軽減することができる。
:Thermal Desorption Spectroscopy)が挙げられる。
例えば、室温から400℃程度に温度を上げていくことにより、200℃から300℃程
度にかけて酸化物半導体膜に含まれる水、水素、水酸基などの脱離を観測することができ
る。本実施の形態で得られた酸化物半導体膜206は、昇温脱離分析により水分子の脱離
が0.5個/nm3以下、好ましくは0.1個/nm3以下となる膜にすることができる
。
直流(DC)電源を0.5kW、基板温度を400℃、成膜雰囲気を酸素(酸素流量比率
100%)雰囲気とする。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質
(パーティクル、ごみともいう)が軽減でき、膜厚分布も均一となるため好ましい。
入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、絶縁膜202の表面に付着している粉状
物質(パーティクル、ごみともいう)を除去することが好ましい。逆スパッタとは、基板
側に電圧を印加し、基板近傍にプラズマを形成して、基板の表面を改質する方法である。
なお、アルゴンに代えて、窒素、ヘリウム、酸素などのガスを用いてもよい。
(C)参照)。
た後、当該酸化物半導体膜206をエッチングすることによって行うことができる。上述
のマスクは、フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、イ
ンクジェット法などの方法を用いてマスクを形成しても良い。なお、酸化物半導体膜20
6のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよい。もちろん、これ
らを組み合わせて用いてもよい。
処理を行うことによって、酸化物半導体膜206a中に含まれる水素原子を含む物質をさ
らに除去し、酸化物半導体膜206aの構造を整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を
低減することができる。熱処理の温度は、不活性ガス雰囲気下、250℃以上700℃以
下、好ましくは450℃以上600℃以下、または基板の歪み点未満とする。不活性ガス
雰囲気としては、窒素、または希ガス(ヘリウム、ネオン、アルゴン等)を主成分とする
雰囲気であって、水、水素などが含まれない雰囲気を適用するのが望ましい。例えば、熱
処理装置に導入する窒素や、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N(9
9.9999%)以上、好ましくは7N(99.99999%)以上(すなわち、不純物
濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とする。
450℃、1時間の条件で行うことができる。この間、酸化物半導体膜206aは大気に
触れさせず、水や水素の混入が生じないようにする。
水化処理や、脱水素化処理などと呼ぶこともできる。当該熱処理は、例えば、酸化物半導
体膜を島状に加工した後、ゲート絶縁膜の形成後などのタイミングにおいて行うことも可
能である。また、このような脱水化処理、脱水素化処理は、一回に限らず複数回行っても
良い。
(これと同じ層で形成される配線を含む)を形成するための導電膜を形成し、当該導電膜
を加工して、ソース電極208aおよびドレイン電極208bを形成する(図3(D)参
照)。なお、ここで形成されるソース電極208aの端部とドレイン電極208bの端部
との間隔によって、トランジスタのチャネル長Lが決定されることになる。
、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元
素を成分とする金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)
等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下側または上側の一方または
双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜(窒化チタン膜、
窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)を積層させた構成を用いても良い。
酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In2O3)、
酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム酸化スズ合金(In2O3
―SnO2、ITOと略記する)、酸化インジウム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)
またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
ッチングに用いるレジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレ
ーザ光などを用いるとよい。
と極めて波長が短い超紫外線(Extreme Ultraviolet)を用いて、レ
ジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度
も大きい。したがって、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを微細化することが
可能であり、回路の動作速度を高めることができる。
を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成されたレジストマスクは、複数の膜厚を有す
る形状となり、アッシングによってさらに形状を変形させることができるため、異なるパ
ターンに加工する複数のエッチング工程に用いることが可能である。このため、一枚の多
階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスク
を形成することができる。つまり、工程の簡略化が可能となる。
部(凹部)を有する酸化物半導体膜206aとなることもある。
る酸化物半導体膜206aの表面に付着した水などを除去してもよい。
06aの一部と接するように、ゲート絶縁膜212を形成する。その後、ゲート電極(こ
れと同じ層で形成される配線を含む)を形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加
工して、ゲート電極214を形成する(図3(E)参照)。
、アルミニウム窒化物、ガリウム酸化物、これらの混合材料、などを用いて、単層構造ま
たは積層構造で形成することができる。また、ゲート絶縁膜212として、ガリウム酸化
物(例えば、酸化ガリウム)に酸化シリコンを0〜20atom%添加したものを用いる
こともできる。さらに、トランジスタのゲート絶縁膜として機能することを考慮して、酸
化ハフニウムなどの比誘電率が高い材料を採用しても良い。ここで、ゲート絶縁膜212
を形成した後、脱水化処理、脱水素化処理を行っても良い。
成後のいずれかにおいて、酸素ドープ処理を行ってもよい。酸素ドープとは、酸素(少な
くとも、酸素ラジカル、酸素原子、酸素イオン、のいずれかを含む)をバルクに添加する
ことを言う。なお、当該「バルク」の用語は、酸素を、薄膜表面のみでなく薄膜内部に添
加することを明確にする趣旨で用いている。また、「酸素ドープ」には、プラズマ化した
酸素をバルクに添加する「酸素プラズマドープ」が含まれる。
Vthのばらつきを低減すると共に、しきい値電圧のシフト量ΔVthを低減することが
できる。
誘導結合型プラズマ)方式を用いて励起された酸素プラズマを用いて行うことが好ましい
。
、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて形
成することができる。なお、ゲート電極214は、単層構造としても良いし、積層構造と
しても良い。
次に、図2(A)に示すトランジスタ120の作製工程の一例について説明する。
いては、トランジスタ110の作製工程に関する記載を参酌できる。
線を含む)を形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース電極208
aおよびドレイン電極208bを形成する。ソース電極208aおよびドレイン電極20
8bの詳細については、トランジスタ110の作製工程に関する記載を参酌できる。
化物半導体膜を形成し、当該酸化物半導体膜を加工して島状の酸化物半導体膜206aを
形成する。酸化物半導体膜206a詳細については、トランジスタ110の作製工程に関
する記載を参酌できる。
06aの一部と接するようにゲート絶縁膜212を形成し、その後、ゲート電極214を
形成する。ゲート絶縁膜212およびゲート電極214の詳細については、トランジスタ
110の作製工程に関する記載を参酌できる。
の工程で、酸化物半導体膜の脱水化処理、脱水素化処理を行うことが好ましい。
次に、図4(A)乃至図4(D)を用いて、図2(B)に示すトランジスタ310および
図2(C)に示すトランジスタ320の作製工程の一例について説明する。
めの導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ゲート電極401を形成する。その後、ゲ
ート電極401を覆うようにゲート絶縁膜402を形成する(図4(A)参照)。基板4
00およびゲート電極401の詳細については、それぞれ、基板200およびゲート電極
214に関する記載を参酌できる。
化物半導体膜403の詳細については、酸化物半導体膜206の記載を参酌できる。
(C)参照)。酸化物半導体膜403の加工方法の詳細については、酸化物半導体膜20
6の加工方法に関する記載を参酌できる。
ン電極(これと同じ層で形成される配線を含む)を形成するための導電膜を形成し、当該
導電膜を加工して、ソース電極405aおよびドレイン電極405bを形成する。その後
、酸化物半導体膜403a、ソース電極405aおよびドレイン電極405bを覆うよう
に絶縁膜407を形成する(図4(D)参照)。ソース電極405aおよびドレイン電極
405bの詳細については、ソース電極208aおよびドレイン電極208bの記載を参
酌できる。また、絶縁膜407の詳細については、絶縁膜202の記載を参酌できる。
2(C)に示すトランジスタ320を形成することができる。導電膜410の詳細につい
ては、ゲート電極401に関する記載を参酌できる。なお、導電膜410は、バックゲー
ト電極として機能する。バックゲート電極の電位を変化させることで、トランジスタのし
きい値電圧を変化させることができる。
を形成した後のいずれかの工程で、酸化物半導体膜の脱水化処理、脱水素化処理を行うこ
とが好ましい。
次に、図2(D)に示すトランジスタ330の作製工程について説明する。
めの導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ゲート電極401を形成する。その後、ゲ
ート電極401を覆うようにゲート絶縁膜402を形成する。基板400およびゲート電
極401、ゲート絶縁膜402の詳細については、それぞれ、基板200およびゲート電
極214、ゲート絶縁膜212に関する記載を参酌できる。
る配線を含む)を形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース電極4
05aおよびドレイン電極405bを形成する。ソース電極405aおよびドレイン電極
405bの詳細については、ソース電極208aおよびドレイン電極208bの記載を参
酌できる。
物半導体膜を形成し、当該酸化物半導体膜を加工して島状の酸化物半導体膜403aを形
成する。酸化物半導体膜403aの詳細については、酸化物半導体膜206aに関する記
載を参酌できる。
ように絶縁膜407を形成した後、絶縁膜407上に絶縁膜409を形成する。絶縁膜4
07及び絶縁膜409の詳細については、絶縁膜202の記載を参酌できる。例えば、絶
縁膜407をガリウム酸化物膜で形成し、絶縁膜409をシリコン酸化物膜で形成するこ
とができる。
の工程で、酸化物半導体膜の脱水化処理、脱水素化処理を行うことが好ましい。
板温度が、200℃を超えて500℃以下、好ましくは300℃を超えて500℃以下、
より好ましくは350℃以上450℃以下となるように加熱している。このような温度で
酸化物半導体膜の成膜を行うことにより、水素、水、水酸基または水素化物など不純物が
酸化物半導体膜に混入することを防止することができる。
とにより、酸化物半導体を高純度化またはi型(真性)化することができる。高純度化ま
たはi型化された酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域に用いることにより
、トランジスタの電気的特性の変動を抑制することができるため、トランジスタの信頼性
を向上させることができる。
に近い)、キャリア密度は非常に小さい値(1×1014/cm3以下、好ましくは1×
1012/cm3以下)をとる。これにより、トランジスタがオフ状態のときのリーク電
流(オフ電流)を極めて低減することができる。
ことができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
宜組み合わせて用いることができる。
実施の形態1で例示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置(表示装置と
もいう)を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部または全体
を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
て、シール材4005が設けられ、第2の基板4006によって封止されている。図5(
A)においては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域と
は異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成され
た走査線駆動回路4004、信号線駆動回路4003が実装されている。また別途形成さ
れた信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004または画素部4002に与えら
れる各種信号および電位は、FPC(Flexible printed circui
t)4018a、4018bから供給されている。
2と、走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている
。また画素部4002と、走査線駆動回路4004の上に第2の基板4006が設けられ
ている。よって画素部4002と、走査線駆動回路4004とは、第1の基板4001と
シール材4005と第2の基板4006とによって、表示素子と共に封止されている。図
5(B)および図5(C)においては、第1の基板4001上のシール材4005によっ
て囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結
晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。図5(B)および図
5(C)においては、別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路400
4または画素部4002に与えられる各種信号および電位は、FPC4018から供給さ
れている。
1の基板4001に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆
動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の
一部のみを別途形成して実装しても良い。
ip On Glass)方法、ワイヤボンディング方法、或いはTAB(Tape A
utomated Bonding)方法などを用いることができる。図5(A)は、C
OG方法により信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004を実装する例であり、
図5(B)は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図5(C
)は、TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
を含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPCもしくはTABテープもし
くはTCPが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、または表示素子にCOG方式によりIC(集積回路)が直接実装
されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
ており、実施の形態1で示したトランジスタを適用することができる。
発光表示素子ともいう)、を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって
輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electro
Luminescence)、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作
用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
B)のM−Nにおける断面図に相当する。
を有しており、接続端子電極4015および端子電極4016はFPC4018が有する
端子と異方性導電膜4019を介して、電気的に接続されている。
016は、トランジスタ4010、トランジスタ4011のソース電極およびドレイン電
極と同じ導電膜で形成されている。
トランジスタを複数有しており、図6乃至図8では、画素部4002に含まれるトランジ
スタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれるトランジスタ4011とを例示して
いる。
で示したトランジスタを適用することができる。トランジスタ4010、トランジスタ4
011は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、図6乃至図
8で示す本実施の形態の半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供することができ
る。
ネルを構成する。表示素子は表示を行うことがでれば特に限定されず、様々な表示素子を
用いることができる。
子である液晶素子4013は、第1の電極層4030、第2の電極層4031、および液
晶層4008を含む。なお、液晶層4008を挟持するように配向膜として機能する絶縁
膜4032、4033が設けられている。第2の電極層4031は第2の基板4006側
に設けられ、第1の電極層4030と第2の電極層4031とは液晶層4008を介して
積層する構成となっている。なお、図5(B)に示す表示装置において、表示素子として
液晶素子を用いた場合のM−Nにおける断面が、図6に相当する。
、液晶層4008の膜厚(セルギャップ)を制御するために設けられている。なお球状の
スペーサを用いていても良い。
晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これら
の液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイ
ラルネマチック相、等方相等を示す。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。
ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1msec以下と短
く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜
を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こ
される静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減す
ることができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。
1Ω・cm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ω・cm以上である。なお、本明
細書における固有抵抗率の値は、20℃で測定した値とする。
ク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。高純度の酸化
物半導体膜を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して
1/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分であ
る。
における電流値(オフ電流値)を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号
の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よ
って、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果
を奏する。
較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置
の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。ま
た、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製するこ
とができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。
lane−Switching)モード、FFS(Fringe Field Swit
ching)モード、ASM(Axially Symmetric aligned
Micro−cell)モード、OCB(Optical Compensated B
irefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liqui
d Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liq
uid Crystal)モードなどを用いることができる。
透過型の液晶表示装置としてもよい。ここで、垂直配向モードとは、液晶表示パネルの液
晶分子の配列を制御する方式の一種であり、電圧が印加されていないときにパネル面に対
して液晶分子が垂直方向を向く方式である。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられ
るが、例えば、MVA(Multi−Domain Vertical Alignme
nt)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)
モード、ASVモードなどを用いることができる。また、画素(ピクセル)をいくつかの
領域(サブピクセル)に分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチ
ドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。
防止部材などの光学部材(光学基板)などは適宜設ける。例えば、偏光基板および位相差
基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを
用いてもよい。
(フィールドシーケンシャル駆動方式)を行うことも可能である。フィールドシーケンシ
ャル駆動方式を適用することで、カラーフィルタを用いることなく、カラー表示を行うこ
とができる。
ことができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGB(Rは
赤、Gは緑、Bは青を表す)の三色に限定されない。例えば、RGBW(Wは白を表す)
、又はRGBに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、
色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明はカラ
ー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することも
できる。
子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料
が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機E
L素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
て、基板上にトランジスタおよび発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出
す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側および基板とは反対側
の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用
することができる。
513は、画素部4002に設けられたトランジスタ4010と電気的に接続している。
なお発光素子4513の構成は、第1の電極層4030、電界発光層4511、第2の電
極層4031の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子4513から取
り出す光の方向などに合わせて、発光素子4513の構成は適宜変えることができる。な
お、図5(B)に示す表示装置において、表示素子として発光素子を用いた場合のM−N
における断面が、図7に相当する。
材料を用い、第1の電極層4030上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲
率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
されていてもどちらでも良い。
4031および隔壁4510上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコ
ン膜、窒化酸化シリコン膜、DLC膜等を形成することができる。また、第1の基板40
01、第2の基板4006、およびシール材4005によって封止された空間には充填材
4514が設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、
脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等)やカバ
ー材でパッケージング(封入)することが好ましい。
は熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、ポリイ
ミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA(エ
チレンビニルアセテート)を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよ
い。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
る。電子ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)とも呼ばれており、紙
と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能と
いう利点を有している。
、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数
分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプ
セル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するも
のである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移
動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色を含む
)とする。
ゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレク
トロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を
用いればよい。
できる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用
いる電極層である第1の電極層および第2の電極層の間に配置し、第1の電極層および第
2の電極層に電位差を生じさせて球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法
である。
の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。
れた第2の電極層4031との間には黒色領域4615aおよび白色領域4615bを有
し、周りに液体で満たされているキャビティ4612を含む球形粒子4613が設けられ
ており、球形粒子4613の周囲は樹脂等の充填材4614で充填されている。第2の電
極層4031が共通電極(対向電極)に相当する。第2の電極層4031は、共通電位線
と電気的に接続される。
ス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチッ
ク基板などを用いることができる。プラスチックとしては、FRP(Fiberglas
s−Reinforced Plastics)板、PVF(ポリビニルフルオライド)
フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。ま
た、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシート
を用いることもできる。
、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の
、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また上記有
機絶縁材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リン
ガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いることができる。なお、これらの材料
で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。
ピンコート法、ディッピング法、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリ
ーン印刷、オフセット印刷等)、ロールコーティング、カーテンコーティング、ナイフコ
ーティング等を用いることができる。
部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して
透光性とする。
対向電極層などともいう)においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、お
よび電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。
)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有
する導電性材料を用いることができる。
(Mo)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(N
b)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタ
ン(Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等の金属、
又はその合金、若しくはその窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる
。
マーともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子として
は、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンま
たはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若
しくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体またはその誘導
体などがあげられる。
を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
体装置を提供することができる。なお、実施の形態1で例示したトランジスタは上述の表
示機能を有する半導体装置のみでなく、電源回路に搭載されるパワーデバイス、LSI等
の半導体集積回路、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置など
様々な機能を有する半導体装置に適用することが可能である。
宜組み合わせて用いることができる。
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用すること
ができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン
受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメ
ラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう
)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機など
が挙げられる。上記実施の形態で説明した半導体装置を具備する電子機器の例について説
明する。
、表示部3003、キーボード3004などによって構成されている。実施の形態1また
は2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いノート型のパーソナルコン
ピュータとすることができる。
部インターフェイス3025と、操作ボタン3024等が設けられている。また操作用の
付属品としてスタイラス3022がある。実施の形態1または2で示した半導体装置を適
用することにより、より信頼性の高い携帯情報端末(PDA)とすることができる。
1および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体2703
は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行うこ
とができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部(図9(C)では表示部2705)に文章を表示し、左側の表
示部(図9(C)では表示部2707)に画像を表示することができる。実施の形態1ま
たは2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い電子書籍2700とする
ことができる。
体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカー2725などを備え
ている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面
にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏
面や側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子など)、記録媒体挿入部などを
備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせ
た構成としてもよい。
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
れている。筐体2801には、表示パネル2802、スピーカー2803、マイクロフォ
ン2804、ポインティングデバイス2806、カメラ用レンズ2807、外部接続端子
2808などを備えている。また、筐体2800には、携帯電話の充電を行う太陽電池セ
ル2810、外部メモリスロット2811などを備えている。また、アンテナは筐体28
01内部に内蔵されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することに
より、信頼性の高い携帯電話とすることができる。
いる複数の操作キー2805を点線で示している。なお、太陽電池セル2810で出力さ
れる電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
2802と同一面上にカメラ用レンズ2807を備えているため、テレビ電話が可能であ
る。スピーカー2803およびマイクロフォン2804は音声通話に限らず、テレビ電話
、録音、再生などが可能である。さらに、筐体2800と筐体2801は、スライドし、
図9(D)のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適
した小型化が可能である。
能であり、充電およびパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、
外部メモリスロット2811に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存および移動に対
応できる。
よい。
眼部3053、操作スイッチ3054、表示部(B)3055、バッテリー3056など
によって構成されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することによ
り、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。
体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示す
ることが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持した
構成を示している。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信
頼性の高いテレビジョン装置9600とすることができる。
コン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から
出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
宜組み合わせて用いることができる。
に関して調査した結果について説明する。
することにより、温度毎に試料からの脱離成分の質量スペクトルを得るものである。測定
装置のバックグラウンド真空度は1.33×10−7Pa(10−9Torr)であるた
め、極微量成分についての分析が可能である。本実施例ではESCO社のEMD−WA1
000Sを使用した。
50nm成膜した。酸化物半導体膜の成膜条件は、基板温度を室温、200℃、400℃
の3条件とした。また、成膜雰囲気をアルゴンと酸素の混合雰囲気(酸素流量比率33%
)とした。
は質量数1の物質(H)の強度、図10(B)は質量数2の物質(H2)の強度、図11
(A)は質量数17の物質(OH)の強度、図11(B)は質量数18の物質(H2O)
の強度を示している。
A)は質量数1の物質(H)の強度、図12(B)は質量数2の物質(H2)の強度、図
13(A)は質量数17の物質(OH)の強度、図13(B)は質量数18の物質(H2
O)の強度を示している。
A)は質量数1の物質(H)の強度、図14(B)は質量数2の物質(H2)の強度、図
15(A)は質量数17の物質(OH)の強度、図15(B)は質量数18の物質(H2
O)の強度を示している。
50℃付近でピークが検出された。また、図12(A)に示す200℃で成膜した酸化物
半導体膜は、室温で成膜した酸化物半導体膜と比較してピークが低くなった。これらに対
して、図14(A)に示す400℃で成膜した酸化物半導体膜は、ピークはほとんど検出
されなかった。
12(B)に示す200℃で成膜した酸化物半導体膜、及び図14(B)に示す400℃
で成膜した酸化物半導体膜のいずれにおいても、ピークはほとんど検出されなかった。
よび図13(A)に示す200℃で成膜した酸化物半導体膜は、300℃付近でピークが
検出されたが、図15(A)に示す400℃で成膜した酸化物半導体膜は、ピークはほと
んど検出されなかった。
および図13(B)に示す200℃で成膜した酸化物半導体膜は、300℃付近でピーク
が検出されたが、図15(B)に示す400℃で成膜した酸化物半導体膜は、ピークはほ
とんど検出されなかった。
分子の個数を求めた結果について説明する。
ルにおける、ピーク強度の積分値から算出することができる。つまり、TDSスペクトル
のピーク強度の積分値と、標準試料から得られている基準値を用いることによって、水分
子の脱離量を計算することができる。
物半導体膜の水分子の脱離量は(NH2O)は、下記に示す数式(1)から求めることが
できる。
、標準試料の水素分子(H2)のTDSスペクトルの積分値である。すなわち、NH2/
SH2を標準試料の基準値とする。SH2Oは、酸化物半導体膜の水分子(H2O)のT
DSスペクトルの積分値である。αは、TDSスペクトル強度に影響する係数である。前
記式(1)の詳細に関しては、特開平06−275697号公報を参照されたい。
において、温度150℃以上400℃以下の範囲において積分値を算出し、標準試料と比
較することで、水分子の個数を算出した。なお、標準試料として、1×1016atom
s/cm3の水素原子を含むシリコンウェハを用いた。
H2O)の個数を求めると、それぞれ1.06個/nm3、0.31個/nm3、0.0
5個/nm3(検出下限値以下)であることが分かった。なお、質量数1の物質(H)、
質量数17の物質(OH)が示す測定値は、水分子に由来した物質が強く影響していると
考えられる。よって、上記水分子の個数の算出にあたっては、水分子が検出器において解
離してできる質量数1の物質(H)、質量数17の物質(OH)などの数を考慮した。
Ga−Zn−O系非単結晶膜中から脱離する水、OH、Hなどの不純物が低減されている
ことがわかった。400℃で成膜した酸化物半導体膜では、成膜時においてその主成分以
外の不純物が極力含まれず、高純度化されていることがわかった。
性の安定したトランジスタを得ることができる。
120 トランジスタ
200 基板
202 絶縁膜
206 酸化物半導体膜
206a 酸化物半導体膜
208a ソース電極
208b ドレイン電極
212 ゲート絶縁膜
214 ゲート電極
310 トランジスタ
320 トランジスタ
330 トランジスタ
400 基板
401 ゲート電極
402 ゲート絶縁膜
403 酸化物半導体膜
403a 酸化物半導体膜
405a ソース電極
405b ドレイン電極
407 絶縁膜
409 絶縁膜
410 導電膜
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカー
2800 筐体
2801 筐体
2802 表示パネル
2803 スピーカー
2804 マイクロフォン
2805 操作キー
2806 ポインティングデバイス
2807 カメラ用レンズ
2808 外部接続端子
2810 太陽電池セル
2811 外部メモリスロット
3001 本体
3002 筐体
3003 表示部
3004 キーボード
3021 本体
3022 スタイラス
3023 表示部
3024 操作ボタン
3025 外部インターフェイス
3051 本体
3053 接眼部
3054 操作スイッチ
3055 表示部(B)
3056 バッテリー
3057 表示部(A)
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 トランジスタ
4011 トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4018a FPC
4018b FPC
4019 異方性導電膜
4021 絶縁層
4030 電極層
4031 電極層
4032 絶縁膜
4033 絶縁膜
4035 スペーサ
4510 隔壁
4511 電界発光層
4513 発光素子
4514 充填材
4612 キャビティ
4613 球形粒子
4614 充填材
4615a 黒色領域
4615b 白色領域
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
Claims (4)
- トランジスタのチャネル形成領域となる酸化物半導体膜を、300℃を超えて450℃以下の温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、前記酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を0.1個/nm3以下とする半導体装置の作製方法。
- 前記酸化物半導体膜は、In、Ga、Znの少なくとも一を含む請求項1に記載の半導体装置の作製方法。
- 前記酸化物半導体膜の形成雰囲気は、希ガス雰囲気、酸素雰囲気、または希ガスと酸素の混合雰囲気である、請求項1または2に記載の半導体装置の作製方法。
- 前記トランジスタは、ガラス基板上に形成される、請求項1乃至3のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
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