JP2015513820A - スルーガラスビアを使用する3drfl−cフィルタ - Google Patents
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Abstract
Description
102 第1の部分
104 スルーガラスビア(TGV)
106 第2の部分
108 基板
110 磁気コア
200 第2の3Dソレノイドインダクタ
202 第3の部分
204 TGV
206 第4の部分
208 基板
300 第1の3次元L-Cバンドパスフィルタ(3D L-C BPF)トポロジー
302 第1の部分
304 TGV
306 第2の部分
308 基板
312 部分
314 絶縁物
316 ポート/端子
318 ポート/端子
400 第2の3D L-C BPFトポロジー
500 別の3D L-C BPFトポロジー
600 別の3D L-C BPFトポロジー
700 別の3D L-C BPFトポロジー
900 ワイヤレス通信システム
920 遠隔ユニット
930 遠隔ユニット
940 基地局
950 遠隔ユニット
Claims (26)
- ガラス基板上にL-Cフィルタ回路を形成する方法であって、
前記ガラス基板の第1の面上に第1のインダクタの第1の部分を形成するステップと、
前記ガラス基板の第2の面上に前記第1のインダクタの第2の部分を形成するステップと、
スルーガラスビア(TGV)を介して前記第1のインダクタの前記第1の部分と前記第2の部分とを接続するステップとを含む、方法。 - 前記TGVの接続点を重複させることを可能にするために、前記第2の部分が前記第1の部分に対してある角度で形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記ガラス基板の前記第1の面上に第2のインダクタの第3の部分を形成するステップと、
前記ガラス基板の前記第2の面上に前記第2のインダクタの第4の部分を形成するステップと、
TGVを介して前記第3の部分と前記第4の部分とを接続するステップと、
相互インダクタンス結合を与えるために、それらのそれぞれの磁界を整合させるように前記第1および前記第2のインダクタを位置決めするステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間にMIM(金属-絶縁物-金属)キャパシタを形成するステップと、
前記MIMキャパシタを介して前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとを結合するステップとをさらに含む、請求項3に記載の方法。 - 前記第1のインダクタの磁気コアを形成するために、前記第1の部分と前記第2の部分との間に磁性材料を設けるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- ガラス基板と、
前記ガラス基板の第1の面上に形成された第1のインダクタの第1の部分と、
前記ガラス基板の第2の面上に形成された前記第1のインダクタの第2の部分と、
前記第1のインダクタの前記第1の部分と前記第2の部分とを接続するように構成されたスルーガラスビア(TGV)の第1のセットとを備える、L-Cフィルタ回路。 - 前記TGVの接続点を重複させることを可能にするために、前記第2の部分が前記第1の部分に対してある角度で形成される、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
- 前記ガラス基板の前記第1の面上に形成された第2のインダクタの第3の部分と、
前記ガラス基板の前記第2の面上に形成された前記第2のインダクタの第4の部分と、
前記第3の部分と前記第4の部分とを接続するように構成されたTGVの第2のセットとをさらに備え、前記第1および前記第2のインダクタが、それらの磁界が相互インダクタンス結合を与えるように整合されるように位置決めされる、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。 - 金属-絶縁物-金属(MIM)キャパシタをさらに備え、前記MIMキャパシタは、前記第1および前記第2のインダクタが前記MIMキャパシタを介して結合されるように、前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間に形成される、請求項8に記載のL-Cフィルタ回路。
- 磁性材料が前記第1のインダクタの磁気コアを形成するように、前記第1の部分と前記第2の部分との間に位置決めされた前記磁性材料をさらに備える、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
- 半導体ダイ内に組み込まれる、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
- セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定ロケーションデータユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスに組み込まれる、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
- ガラス基板上にL-Cフィルタ回路を形成する方法であって、
前記ガラス基板の第1の面上に第1のインダクタの第1の部分を形成するためのステップと、
前記ガラス基板の第2の面上に前記第1のインダクタの第2の部分を形成するためのステップと、
スルーガラスビア(TGV)を介して前記第1のインダクタの前記第1の部分と前記第2の部分とを接続するためのステップとを含む、方法。 - 前記TGVの接続点を重複させることを可能にするために、前記第2の部分が前記第1の部分に対してある角度で形成される、請求項13に記載の方法。
- 前記ガラス基板の前記第1の面上に第2のインダクタの第3の部分を形成するためのステップと、
前記ガラス基板の前記第2の面上に前記第2のインダクタの第4の部分を形成するためのステップと、
TGVを介して前記第3および前記第4の部分を接続するためのステップと、
相互インダクタンス結合を与えるために、それらのそれぞれの磁界を整合させるように前記第1および前記第2のインダクタを位置決めするためのステップとをさらに含む、請求項13に記載の方法。 - 前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間に金属-絶縁物-金属(MIM)キャパシタを形成するためのステップと、
前記MIMキャパシタを介して前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとを結合するためのステップとをさらに含む、請求項15に記載の方法。 - 前記第1のインダクタの磁気コアを形成するために、前記第1の部分と前記第2の部分との間に磁性材料を設けるためのステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- ガラスで形成された基板手段と、
前記基板手段の第1の面上に形成された第1のインダクタンス手段の第1の部分と、
前記基板手段の第2の面上に形成された前記第1のインダクタンス手段の第2の部分と、
前記第1のインダクタンス手段の前記第1の部分と前記第2の部分とを接続するように構成されたスルーガラスビア(TGV)の第1のセットとを備える、L-Cフィルタ回路。 - 高電圧源とグランドとの間に結合された第1のインダクタと第1のキャパシタとを備える第1のL-Cタンクと、
前記高電圧源とグランドとの間に結合された第2のインダクタと第2のキャパシタとを備える第2のL-Cタンクと、
前記第1のL-Cタンクと前記第2のL-Cタンクとを結合するL-Cフィルタ手段とを備え、
前記第1および前記第2のインダクタが、スルーガラスビア(TGV)を使用してガラス基板の第1および第2の面上に形成された3次元ソレノイドインダクタであり、
前記第1のキャパシタが、前記ガラス基板の前記第1の面上の前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間の金属-絶縁物-金属(MIM)キャパシタとして形成され、前記第2のキャパシタが、前記ガラス基板の前記第1の面上の前記第2のインダクタと前記L-Cフィルタ手段との間のMIMキャパシタとして形成される、L-Cフィルタ回路。 - 前記L-Cフィルタ手段が、
高電圧源とグランドとの間に結合された第3のインダクタと第3のキャパシタとを備える第3のL-Cタンクと、
前記高電圧源とグランドとの間に結合された第4のインダクタと第4のキャパシタとを備える第4のL-Cタンクとを備え、
前記第3のキャパシタが、前記ガラス基板の前記第1の面上の前記第1のインダクタと前記第3のインダクタとの間のMIMキャパシタとして形成され、前記第4のキャパシタが、前記ガラス基板の前記第1の面上の前記第4のインダクタと前記第2のインダクタとの間のMIMキャパシタとして形成される、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。 - 前記L-Cフィルタ手段が、TGVを使用して前記ガラス基板の前記第1および前記第2の面上に形成された3次元ソレノイドインダクタとして形成された第5のインダクタを備える、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
- 前記L-Cフィルタ手段が、前記ガラス基板の前記第1の面上に前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間のMIMキャパシタとして形成された第5のキャパシタを備える、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
- 前記L-Cフィルタ手段が、
高電圧源とグランドとの間に結合された第6のインダクタと第6のキャパシタとを備える第6のL-Cタンクと、
前記第1のL-Cタンクと前記第6のL-Cタンクとを結合する第7のキャパシタと、
前記第6のL-Cタンクと前記第2のL-Cタンクとを結合する第8のキャパシタとを備え、
前記第6のインダクタが、TGVを使用してガラス基板の前記第1および前記第2の面上に形成された3次元ソレノイドインダクタであり、
前記第6、前記第7、および前記第8のキャパシタがMIMキャパシタとして形成される、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。 - 前記L-Cフィルタ手段が、
高電圧源と前記第1のL-Cタンクとの間に結合された第9のキャパシタと、
前記第2のL-Cタンクと前記高電圧源との間に結合された第10のキャパシタと、
前記第9のキャパシタと前記第10のキャパシタとに結合された第11のキャパシタとを備え、
前記第9、前記第10、および前記第11のキャパシタがMIMキャパシタとして形成される、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。 - 半導体ダイ内に組み込まれる、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
- セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定ロケーションデータユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスに組み込まれる、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
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