CN104115399A - 使用贯穿玻璃通孔的3d rf lc滤波器 - Google Patents

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Abstract

具有贯穿玻璃通孔(TGV)的三维(3D)射频(RF)电感器-电容器(LC)带通滤波器。一种此类L-C滤波器电路包括：玻璃基板；第一电感器的在该玻璃基板的第一表面上形成的第一部分；第一电感器的在该玻璃基板的第二表面上形成的第二部分；以及配置成连接第一电感器的第一和第二部分的第一组TGV。另外，该L-C滤波器电路可包括与第一电感器相似的第二电感器、以及在第一和第二电感器之间形成的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器，从而第一和第二电感器通过该MIM电容器来耦合。

Description

使用贯穿玻璃通孔的3D RF LC滤波器
公开领域 
所公开的实施例涉及射频(RF)滤波器。具体而言，示例性实施例涉及包括贯穿玻璃通孔(TGV)的三维(3D)RF电感器-电容器(LC)带通滤波器。 
背景 
电感器在模拟电路和信号处理中被广泛使用。电感器协同电容器和其他组件可用来形成可加强或滤除特定信号频率的调谐电路或L-C滤波器。电感(用亨利H为单位测量)是在载流导体周围形成的磁场所导致的效应。诸如电感器的匝数、每环/匝的面积和其缠绕的材料之类的因素影响电感。电感器的品质因数(或即Q)是对其效率的测量。电感器的Q越高，其越逼近于理想无损电感器的行为。电感器的Q与其电感L成正比并与其内部电阻R成反比。相应地，可通过增大L和/或通过减小R来增大电感器的Q。 
通过布置螺线图案的迹线直接在印刷电路板上蚀刻出小电感器来设计在集成电路中使用的小电感器在本领域是已知的。然而，此类平面电感器不展现高Q值。此外，平面电感器自身不太适于与调谐电路中的其他电感元件耦合，或换言之，它们不展现高耦合系数K。 
对于模拟RF和片上系统(SOC)应用而言，三维电感器可被构造为缠绕在芯上的导电材料(诸如铜线或其他合适的金属)线圈。该芯可以是空气或者可包括硅基板、玻璃、或磁性材料。具有比空气高的磁导率的芯材料将磁场紧密地限制于电感器，藉此增大电感器的电感。尽管本领域中已知的三维电感器展现比平面电感器更佳的耦合系数K，但当前技术也对这些电感器可达成的Q因子强加了限制。例如，在玻璃基板上形成的、或缠绕在由玻璃制成的芯上的电感器可展现高磁导率、耦合系数和Q因子。然而，用于在玻璃基板上构造电感器的已知技术依赖于通孔，诸如贯穿硅通 孔(TSV)，其减损了玻璃基板的期望特性。 
相应地，本领域需要展现高Q和高耦合系数K的电感器和伴随的调谐电路设计。 
概述 
本发明的示例性实施例涉及用于射频(RF)滤波器的系统和方法。具体而言，示例性实施例涉及包括贯穿玻璃通孔(TGV)的三维(3D)RF电感器-电容器(L-C)带通滤波器。 
例如，示例性实施例涉及在玻璃基板上形成L-C滤波器电路的方法，其包括：在该玻璃基板的第一表面上形成第一电感器的第一部分；在该玻璃基板的第二表面上形成第一电感器的第二部分；以及经由贯穿玻璃通孔(TGV)来连接第一电感器的第一和第二部分。 
另一示例性实施例涉及L-C滤波器电路，其包括：玻璃基板；第一电感器的在该玻璃基板的第一表面上形成的第一部分；第一电感器的在该玻璃基板的第二表面上形成的第二部分；以及配置成连接第一电感器的第一和第二部分的第一组贯穿玻璃通孔(TGV)。 
另一示例性实施例涉及在玻璃基板上形成L-C滤波器电路的方法，其包括：用于在该玻璃基板的第一表面上形成第一电感器的第一部分的步骤；用于在该玻璃基板的第二表面上形成第一电感器的第二部分的步骤；以及用于经由贯穿玻璃通孔(TGV)来连接第一电感器的第一和第二部分的步骤。 
又一示例性实施例涉及L-C滤波器电路，其包括：由玻璃形成的基板装置；第一电感装置的在该基板装置的第一表面上形成的第一部分；第一电感装置的在该基板装置的第二表面上形成的第二部分；以及配置成连接第一电感装置的第一和第二部分的第一组贯穿玻璃通孔(TGV)。 
又一示例性实施例涉及L-C滤波器电路，其包括：包括耦合在高电压电源和地之间的第一电感器和第一电容器的第一L-C储能电路；包括耦合在该高电压电源和地之间的第二电感器和第二电容器的第二L-C储能电路；以及耦合第一L-C储能电路和第二L-C储能电路的L-C滤波装置，其 中第一和第二电感器是使用贯穿玻璃通孔(TGV)在玻璃基板的第一和第二表面上形成的三维螺线管电感器，并且其中第一电容器被形成为该玻璃基板的第一表面上的在第一电感器和第二电感器之间的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器，并且第二电容器被形成为该玻璃基板的第一表面上的在第二电感器和该L-C滤波装置之间的MIM电容器。 
附图简述 
给出附图以辅助对本发明的实施例的描述，且提供附图仅用于对实施例的解说而非限制。 
图1A解说使用TGV在玻璃基板上形成的示例性电感器。 
图1B解说使用TGV在玻璃基板上形成并且还包括磁芯的示例性电感器。 
图2解说其磁场被对准的两个示例性电感器。 
图3A解说用使用TGV的电感器和电容器来设计的示例性L-C BPF。 
图3B解说图3A的L-C BPF的对应电路级示意表示。 
图3C解说图3A-B的L-C BPF的频率响应特性。 
图4A解说用使用TGV的电感器和电容器来设计的另一示例性L-C BPF。 
图4B解说对图4A的L-C BPF的对应电路级示意表示。 
图4C解说图4A-B的L-C BPF的频率响应特性。 
图5A解说用使用TGV的电感器和电容器来设计的又一示例性L-C BPF。 
图5B解说图5A的L-C BPF的对应电路级示意表示。 
图5C解说图5A-B的L-C BPF的频率响应特性。 
图6A解说用使用TGV的电感器和电容器来设计的又一示例性L-C BPF。 
图6B解说图6A的L-C BPF的频率响应特性。 
图7A解说用使用TGV的电感器和电容器来设计的又一示例性L-C BPF。 
图7B解说图7A的L-C BPF的频率响应特性。 
图8是根据示例性实施例的使用TGV在玻璃基板上形成电感器的方法的流程图表示. 
图9是解说其中本公开的实施例可被有利地采用的示例性无线通信系统900。 
详细描述 
本发明的各方面在以下针对本发明具体实施例的描述和有关附图中被公开。可以设计替换实施例而不会脱离本发明的范围。另外，本发明中众所周知的元素将不被详细描述或将被省去以免湮没本发明的相关细节。 
措辞“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何实施例并不必然被解释为优于或胜过其他实施例。同样，术语“本发明的实施例”并不要求本发明的所有实施例都包括所讨论的特征、优点、或工作模式。 
本文中所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，而并不旨在限定本发明的实施例。如本文所使用的，单数形式的“一”、“某”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。还将理解，术语“包括”、“具有”、“包含”和/或“含有”在本文中使用时指明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元素、和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、组件和/或其群组的存在或添加。 
此外，许多实施例是根据将由例如计算设备的元件执行的动作序列来描述的。将认识到，本文描述的各种动作能由专用电路(例如，专用集成电路(ASIC))、由正被一个或多个处理器执行的程序指令、或由这两者的组合来执行。另外，本文描述的这些动作序列可被认为是完全体现在任何形式的计算机可读存储介质内，其内存储有一经执行就将使相关联的处理器执行本文所描述的功能性的相应计算机指令集。因此，本发明的各种方面可以用数种不同形式来体现，所有这些形式都已被构想落在所要求保护的主题内容的范围内。另外，对于本文描述的每个实施例，任何此类实施例的对应形式可在本文被描述为例如“配置成执行所描述的动作的逻 辑”。 
示例性实施例涉及调谐电路，诸如使用可在玻璃基板上形成的电感性和电容性元件的L-C带通滤波器(BPF)。而且，实施例可包括贯穿玻璃通孔(TGV)以在玻璃基板的第一表面和第二表面之间形成连接，从而形成3D BPF。以此方式，实施例可配置成将3D BPF的磁场限制于玻璃基板，由此增强其性能并减少其相应频率响应特性中的波动。使用前述TGV的实施例还可涉及3D L-C BPF的特定电路拓扑，其包括L-C储能电路之间的电感器耦合以移除频率响应的通带中不期望的杂散波动。 
现在参照图1A，解说了一般性地标示为100并根据示例性实施例配置的3D螺线管电感器。电感器100可在基板108上形成，基板108可以是玻璃基板。玻璃基板可促成低介电损耗并基本上消除涡流损耗。在电感器100中，第一部分102用阴影部分解说。第一部分102可由导电材料(诸如金属)形成并布置于第一表面(诸如基板108的顶表面)上。用虚线解说的第二部分106可类似地由导电材料形成并布置于第二表面(诸如基板108的底表面)上。第一部分102和第二部分106可由穿过基板108的TGV104(用深阴影解说)连接。如图所示，第二部分106可相对于第一部分102成一角度地形成以允许TGV104的交叠连接点。 
与根据先前已知技术形成的通孔相比较而言，在示例性实施例中用TGV来穿过(可由玻璃形成的)基板108地连接第一部分102和第二部分106将导致电感器100的电感L的较低损耗。进一步，较厚的金属线可用于在玻璃基板之上形成第一部分102和第二部分106。而且，TGV可被形成为具有比用于通孔的先前已知技术更大的厚度。相应地，较厚的金属线和通孔将导致电感器100的各匝中较低的电阻R。如将看到的，较高电感L连同较低电阻R将对电感器100的较高Q因子作贡献。进一步，技术人员将认识到，电感器100在玻璃基板108上的3D配置还将使磁场限制于该玻璃基板，并由此进一步提高质量并降低损耗。 
在一些实施例中，可提供芯(诸如磁芯)以进一步提高示例性电感器的电感。例如，参照图1B解说了芯110。芯110可由磁性材料制成并设在基板108之内，藉此提高该芯的磁导率。诸如CoFe、CoFeB、NiFe等已知 磁性材料可用于在基板108内形成芯110。将理解，包括芯110是可任选的，并且在没有磁芯的情况下，由玻璃形成的基板108的磁导率可与空气芯的磁导率相似。 
现在参照图2，示出了另一实施例，其中提供了第二3D螺线管电感器200。电感器200被放置成与上述电感器100紧邻，以使它们各自相应的磁场对准。以此方式对准磁场可使得实现电感器100和200之间正的互电感耦合，藉此增强电感器100和200中的每个电感器的电感和Q因子。尽管电感器200被解说成在与电感器100的基板108不同的第二基板208上形成，但在一些实施例中，基板208和基板108可合并为单个基板。与电感器100相似，电感器200包括在第一表面(诸如基板208的顶表面)上形成的第三部分202、在第二表面(诸如基板208的底表面)上形成的第四部分206、以及连接第三部分202和第四部分206的TGV204。基板208也可由玻璃形成。 
而且，参照图2，电感器100被示为包括4匝，而电感器200被示为包括3匝。在不失一般性的情况下，可为任一电感器选择任何合适的匝数，同时谨记，电感器的电感与该电感器的匝数的平方成正比。附加地或替换地，电感器100和200中的一者或两者可设有用于进一步提高其电感值的磁芯(诸如图1B的芯110)。进一步，如先前讨论的，在给定电感器100和200的三维本质的情况下，电感器100和200之间的耦合系数K可比用平面电感器可达成的耦合系数K更高。 
现在转向图3A，解说了标示为300并根据示例性实施例形成的第一3D L-C BPF拓扑。图3A解说了在基板308上形成的4个电感器L1、L2、L3和L4。电感器L1被解说成具有单匝并与电感器100相似地形成，其具有在基板308的第一表面上的第一部分302和在基板308的第二表面上的第二部分306，其中第一部分302和第二部分306可由TGV304连接。其余电感器L2-L4可相似地形成并且所有4个电感器L1-L4可如图所示地耦合，以对准其各自相应的磁场并提供正的互电感耦合。 
除电感器L1-L4之外，图3A还解说了耦合到电感器L1-L4的4个电容器C1-C4。这4个电容器C1-C4中的每个电容器可形成为金属－绝缘体 －金属(MIM)电容器。例如，参照电容器C3，部分312可以是金属电极并且电容结可由绝缘体314形成。如图所示，电容器可在由TGV形成的结处耦合到电感器。还解说了2个端口/端子316和318(其可以是L-C BPF300的输入/输出焊盘)、以及接地连接“GND”。 
现在参照图3B，解说了L-C BPF300的对应电路级示意表示。结合参照图3A-B，通过使用TGV使电感器L1-L4和电容器C1-C4间的各种耦合是高效且无损的。在通过较高耦合系数增强的Q因子和电感方面，电感器的性能相应地改善，藉此改善了L-C BPF300的频率特性。 
例如，现在参照图3C，解说了根据图3A-B形成的L-C BPF的频率响应。如图3B所示，由L1-C1形成的电感器-电容器(L-C)对以及由L4-C4形成的L-C对被示为分流接地，而L-C对(或储能电路)L2-C2和L3-C3被示为串联在两个端口/端子316和318之间。形成分流器的L-C储能电路L1-C1和L4-C4对图3C的频率响应中的通带作贡献，而串联的L-C对L2-C2和L3-C3为零值作贡献。在示例性实施例中，对L-C连接的合适修改可提供L-C BPF的频率响应中更平滑的通带。在以下实施例中，描述了替换性3D L-C BPF拓扑，同时一般保留诸如以上描述的L-C BPF300的L1-C1和L4-C4之类的L-C储能电路，但用各种L-C滤波装置(诸如电容器和电感器)替换L-C对L2-C2和L3-C3。 
例如，参照图4A，解说了一般性地标示为400的第二3D L-C BPF拓扑。L-C BPF400在许多方面与L-C BPF300相似，并且为方便理解起见，基本上保留了图3A的附图标记。结合参照图3A和图4A，L-C BPF400与L-C BPF300的显著不同之处在于电容器C2和C3已从L-C BPF400中消除。结果是，L-C BPF300的L-C滤波装置——电感器L2和L3——表现为串联并被组合成表示L-C BPF400中的较大电感器L2-3。 
图4B解说对L-C BPF400的对应电路级示意表示。如图4B所示，L-C储能电路L1-C1和L4-C4表现为由组合电感器L2-3耦合的分流器。观察到，L-C BPF400的电路拓扑在通带中产生改善的频率响应特性，其无杂散波动。例如，参照图4C，解说了L-C BPF400的频率响应。可从图4C与图3C相比较中看到，极点被移除并且观察到更宽和更平滑的通带。改善的通 带的一个原因是组合电感器L2-3促成了L-C对L1-C1和L4-C4之间的更好耦合。而且，使用TGV形成并包括耦合L-C储能电路L1-C1和L4-C4的电感器L2-3的L-C BPF400的电感器耦合3D拓扑可提供通带中的宽频率范围。在一个示例中，L-C BPF400中的高Q耦合电感器可实现最高达10GHz的具有最小-39dB抑制且无杂散波动的频率范围。 
在一些实施例中，可在常规L-C BPF拓扑中通过使用玻璃基板上利用TGV的示例性3D电感器和电容器配置这些常规L-C BPF来实现改善的频率响应特性。例如，参照图5A-C，解说了一般性地标示为500的又一3D L-C BPF拓扑。图5解说可以是常规的但根据示例性实施例使用玻璃基板上利用TGV的3D电感器和电容器来配置的L-C电路拓扑。对应电路级示意表示在图5B中给出。与图4B相比较，可看到，图5B中的L-C滤波装置——电容器C5——替代图4B的电感器L2-3。参照图5C中解说的L-C BPF500的频率响应，观察到，用电容器C5连接L-C储能电路L1-C1和L4-C4的L-C BPF500的电容器耦合配置在组成电感器和电容器根据示例性实施例使用TGV配置在玻璃基板上时产生比用这些L-C组件的常规实现可达成的频率响应特性更平滑且更宽的通带。 
参照图6A，解说了又一L-C BPF配置，其中电路拓扑可以是常规的，但其中的L-C组件可根据示例性实施例来形成。为了达到图6A的L-C BPF600的配置，包括由串联电容器耦合的又一L-C储能电路的L-C滤波装置可被添加在图5A的L-C BPF500的L-C储能电路L1-C1和L4-C4之间。相应地，L-C BPF600还包括通过电容器C7和C8耦合到L-C储能电路L1-C1和C4-L4的L-C储能电路C6-L6。当与图5B中解说的频率响应相比较时，源自附加组件——电容器C6、C7、C8和电感器L6——的增强耦合提供了图6B中解说的频率响应。 
在图7A中解说了又一L-C BPF配置，其中电路拓扑可以是常规的，但其中的L-C组件可根据示例性实施例来形成。再次，从图5B的L-C BPF500开始，可通过从L-C BPF500消除电容器C5并添加L-C滤波装置——电容器C9、C10和C11——来达成图7A的L-C BPF700，如图所示。L-C电容器储能电路L1-C1和L4-C4之间的变更的耦合可产生对频率响应特性 的改变，如由图7B所描绘的。 
相应地，可看到，L-C BPF电路的性能和频率响应特性可通过将该L-C BPF配置成具有根据示例性实施例的玻璃基板上使用TGV的组成L-C滤波装置(诸如电感器和电容器)来改善。 
将领会，各实施例包括用于执行本文中公开的过程、功能和/或算法的各种方法。例如，如图8所解说，实施例可包括用于在玻璃基板(例如，图1的108)上形成L-C滤波器电路的方法，该方法包括：在该玻璃基板的第一表面上形成第一电感器(例如，图1的100)的第一部分(例如，图1的102)——框802；在该玻璃基板的第二表面上形成第一电感器的第二部分(106)——框804；以及经由贯穿玻璃通孔(TGV)(例如，图1的104)连接第一电感器的第一和第二部分——框806。 
本领域技术人员将领会，信息和信号可使用各种不同技术和技艺中的任何一种来表示。例如，以上描述通篇可能引述的数据、指令、命令、信息、信号、位(比特)、码元、和码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光学粒子、或其任何组合来表示。 
此外，本领域技术人员将领会，结合本文中公开的实施例描述的各种解说性逻辑块、模块、电路、和算法步骤可被实现为电子硬件、计算机软件、或两者的组合。为清楚地解说硬件与软件的这一可互换性，各种解说性组件、块、模块、电路、和步骤在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于具体应用和施加于整体系统的设计约束。技术人员对于每种特定应用可用不同的方式来实现所描述的功能性，但这样的实现决策不应被解读成导致脱离了本发明的范围。 
结合本文中公开的实施例描述的方法、序列和/或算法可直接在硬件中、在由处理器执行的软件模块中、或在这两者的组合中体现。软件模块可驻留在RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、或本领域中所知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质耦合到处理器以使得该处理器能从/向该存储介质读写信息。替换地，存储介质可以被整合到处理器。 
相应地，本发明的实施例可包括实施用于使用TGV的玻璃基板上的 L-C电路的方法的计算机可读介质。因此，本发明并不限于所解说的示例且任何用于执行文本所描述的功能性的手段均被包括在本发明的实施例中。附加方面在所附附录A中公开，其形成本公开的一部分并且其全部内容明确纳入于此。 
图9解说了其中可有利地采用本公开的实施例的示例性无线通信系统900。出于解说目的，图9示出了三个远程单元920、930和950以及两个基站940。在图9中，远程单元920被示为移动电话，远程单元930被示为便携式计算机，而远程单元950被示为无线本地环路系统中的位置固定的远程单元。例如，这些远程单元可以是移动电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元(诸如个人数据助理)、启用GPS的设备、导航设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、位置固定的数据单元(诸如仪表读数装备)、或者存储或检索数据或计算机指令的任何其他设备，或者其任何组合。尽管图9解说了根据本公开的教义的远程单元，但本公开并不限于这些所解说的示例性单元。本公开的各实施例可适于用在包括有源集成电路系统(包括存储器和用于测试和表征的片上电路系统)的任何设备中。 
上述公开的设备和方法通常能被设计并被配置在GDSII和GERBER计算机文件中、存储在计算机可读介质上。这些文件进而被提供给制造处理者，制造处理者基于这些文件来制造器件。结果产生的产品是半导体晶片，其随后被切割为半导体管芯并被封装成半导体芯片。这些芯片随后用在上文描述的设备中。 
尽管上述公开示出了本发明的解说性实施例，但是应当注意到，在其中可作出各种更换和改动而不会脱离如所附权利要求定义的本发明的范围。根据本文中所描述的本发明实施例的方法权利要求的功能、步骤和/或动作不必按任何特定次序来执行。此外，尽管本发明的要素可能是以单数来描述或主张权利的，但是复数也是已料想了的，除非显式地声明了限定于单数。 

Claims (26)

1.一种用于在玻璃基板上形成L-C滤波器电路的方法，包括：
在所述玻璃基板的第一表面上形成第一电感器的第一部分；
在所述玻璃基板的第二表面上形成所述第一电感器的第二部分；以及
经由贯穿玻璃通孔(TGV)来连接所述第一电感器的所述第一和第二部分。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二部分相对于所述第一部分成一角度地形成以允许所述TGV的交叠连接点。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述玻璃基板的所述第一表面上形成第二电感器的第三部分；
在所述玻璃基板的所述第二表面上形成所述第二电感器的第四部分；
经由TGV来连接所述第三和第四部分；以及
将所述第一和第二电感器定位成对准它们各自相应的磁场以提供互电感耦合。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述第一和第二电感器之间形成MIM(金属－绝缘体－金属)电容器；以及
通过所述MIM电容器来耦合所述第一和第二电感器。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述第一部分和所述第二部分之间提供磁性材料，以形成所述第一电感器的磁芯。
6.一种L-C滤波器电路，包括：
玻璃基板；
第一电感器的在所述玻璃基板的第一表面上形成的第一部分；
所述第一电感器的在所述玻璃基板的第二表面上形成的第二部分；以及
第一组贯穿玻璃通孔(TGV)，其配置成连接所述第一电感器的所述第一和第二部分。
7.如权利要求6所述的L-C滤波器电路，其特征在于，所述第二部分相对于所述第一部分成一角度地形成以允许所述TGV的交叠连接点。
8.如权利要求6所述的L-C滤波器电路，其特征在于，还包括：
第二电感器的在所述玻璃基板的所述第一表面上形成的第三部分；
所述第二电感器的在所述玻璃基板的所述第二表面上形成的第四部分；以及
第二组TGV，其配置成连接所述第三和第四部分，其中所述第一和第二电感器被定位成使它们的磁场对准以提供互电感耦合。
9.如权利要求8所述的L-C滤波器电路，其特征在于，还包括：
在所述第一和第二电感器之间形成的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器，从而所述第一和第二电感器通过所述MIM电容器来耦合。
10.如权利要求6所述的L-C滤波器电路，其特征在于，还包括：
位于所述第一部分和所述第二部分之间的磁性材料，从而所述磁性材料形成所述第一电感器的磁芯。
11.如权利要求6所述的L-C滤波器电路，其特征在于，所述L-C滤波器电路被集成在半导体管芯中。
12.如权利要求6所述的L-C滤波器电路，其特征在于，所述L-C滤波器电路被集成到从包括以下各项的组中选择的设备中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、和计算机。
13.一种用于在玻璃基板上形成L-C滤波器电路的方法，包括：
用于在所述玻璃基板的第一表面上形成第一电感器的第一部分的步骤；
用于在所述玻璃基板的第二表面上形成所述第一电感器的第二部分的步骤；以及
用于经由贯穿玻璃通孔(TGV)来连接所述第一电感器的所述第一和第二部分的步骤。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第二部分相对于所述第一部分成一角度地形成以允许所述TGV的交叠连接点。
15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括：
用于在所述玻璃基板的所述第一表面上形成第二电感器的第三部分的步骤；
用于在所述玻璃基板的所述第二表面上形成所述第二电感器的第四部分的步骤；
用于经由TGV来连接所述第三和第四部分的步骤；以及
用于将所述第一和第二电感器定位成对准它们各自相应的磁场以提供互电感耦合的步骤。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括：
用于在所述第一和第二电感器之间形成金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的步骤；以及
用于通过所述MIM电容器来耦合所述第一和第二电感器的步骤。
17.如权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括：
用于在所述第一部分和所述第二部分之间提供磁性材料以形成所述第一电感器的磁芯的步骤。
18.一种L-C滤波器电路，包括：
由玻璃形成的基板装置；
第一电感装置的在所述基板装置的第一表面上形成的第一部分；
所述第一电感装置的在所述基板装置的第二表面上形成的第二部分；以及
第一组贯穿玻璃通孔(TGV)，其配置成连接所述第一电感装置的所述第一和第二部分。
19.一种L-C滤波器电路，包括：
第一L-C储能电路，其包括耦合在高电压电源和地之间的第一电感器和第一电容器；
第二L-C储能电路，其包括耦合在所述高电压电源和地之间的第二电感器和第二电容器；以及
L-C滤波装置，其耦合所述第一L-C储能电路和所述第二L-C储能电路，
其中所述第一和第二电感器是使用贯穿玻璃通孔(TGV)在玻璃基板的第一和第二表面上形成的三维螺线管电感器，以及
其中所述第一电容器被形成为所述玻璃基板的所述第一表面上的在所述第一电感器和所述第二电感器之间的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器，并且所述第二电容器被形成为所述玻璃基板的所述第一表面上的在所述第二电感器和所述L-C滤波装置之间的MIM电容器。
20.如权利要求19所述的L-C滤波器电路，其特征在于，所述L-C滤波装置包括：
第三L-C储能电路，其包括耦合在高电压电源和地之间的第三电感器和第三电容器；
第四L-C储能电路，其包括耦合在所述高电压电源和地之间的第四电感器和第四电容器；以及
其中所述第三电容器被形成为所述玻璃基板的所述第一表面上的在所述第一电感器和所述第三电感器之间的MIM电容器，并且所述第四电容器被形成为所述玻璃基板的所述第一表面上的在所述第四电感器和所述第二电感器之间的MIM电容器。
21.如权利要求19所述的L-C滤波器电路，其特征在于，所述L-C滤波装置包括第五电感器，其形成为使用TGV在所述玻璃基板的所述第一和第二表面上形成的三维螺线管电感器。
22.如权利要求19所述的L-C滤波器电路，其特征在于，所述L-C滤波装置包括第五电容器，其形成为所述玻璃基板的所述第一表面上的在所述第一电感器和所述第二电感器之间的MIM电容器。
23.如权利要求19所述的L-C滤波器电路，其特征在于，所述L-C滤波装置包括：
包括耦合在高电压电源和地之间的第六电感器和第六电容器的第六L-C储能电路；
耦合所述第一L-C储能电路和所述第六L-C储能电路的第七电容器；以及
耦合所述第六L-C储能电路和所述第二L-C储能电路的第八电容器；
其中所述第六电感器是使用TGV在玻璃基板的所述第一和第二表面上形成的三维螺线管电感器；以及
其中所述第六、第七和第八电容器被形成为MIM电容器。
24.如权利要求19所述的L-C滤波器电路，其特征在于，所述L-C滤波装置包括：
耦合在高电压电源和所述第一L-C储能电路之间的第九电容器；
耦合在所述第二L-C储能电路和高电压电源之间的第十电容器；以及
耦合到所述第九和第十电容器的第十一电容器；
其中所述第九、第十和第十一电容器被形成为MIM电容器。
25.如权利要求19所述的L-C滤波器电路，其特征在于，所述L-C滤波器电路被集成在半导体管芯中。
26.如权利要求19所述的L-C滤波器电路，其特征在于，所述L-C滤波器电路被集成在从包括以下各项的组中选择的设备中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、和计算机。
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