JP2015501949A - マスク - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 35
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 19
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010019 resist printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 35
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- -1 for example Chemical class 0.000 description 4
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 3
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000007106 1,2-cycloaddition reaction Methods 0.000 description 2
- YGYCECQIOXZODZ-UHFFFAOYSA-N 4415-87-6 Chemical compound O=C1OC(=O)C2C1C1C(=O)OC(=O)C12 YGYCECQIOXZODZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N biphenylacetylene Chemical group C1=CC=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1 JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 238000007699 photoisomerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical class [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 2
- SPAMRUYRVYMHPV-UHFFFAOYSA-N 3a,4,5,7a-tetrahydroisoindole-1,3-dione Chemical class C1=CCCC2C(=O)NC(=O)C21 SPAMRUYRVYMHPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N Benzamide Chemical class NC(=O)C1=CC=CC=C1 KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPQDTOKHBBDYCL-UHFFFAOYSA-N C(C(=C)C)(=O)NC=C(C(=O)O)C.C(C=C)(=O)O Chemical class C(C(=C)C)(=O)NC=C(C(=O)O)C.C(C=C)(=O)O ZPQDTOKHBBDYCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N Chalcone Natural products C=1C=CC=CC=1C(=O)C=CC1=CC=CC=C1 DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005618 Fries rearrangement reaction Methods 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001558 benzoic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012668 chain scission Methods 0.000 description 1
- 235000005513 chalcones Nutrition 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- APEJMQOBVMLION-UHFFFAOYSA-N cinnamamide Chemical class NC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 APEJMQOBVMLION-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006352 cycloaddition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 125000005439 maleimidyl group Chemical class C1(C=CC(N1*)=O)=O 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007539 photo-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011907 photodimerization Methods 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract
Description
b = (a/t) × w
5a ≦ t
[マスクの製作]
厚さが約100μm程度のガラスフィルムにスパッタリングでクロムを蒸着して、厚さが約200nm程度であるクロム層を形成した。その後、レーザー蝕刻でクロム層を加工して、図2のような形態を有し、開口部の幅wが約540μmであり、厚さtが約100mmであり、開口部間の間隔が約540μmである金属層を製作した。その後、クオーツで製造された曲面形状の構造物の曲面に前記ガラスフィルムを付着して、図5のような形態のマスクを製作した。
前記製造されたマスクを使用して、図4及び図7に示したような装置を構成した。具体的には、光源では紫外線(UV)ランプを使用し、集光板では一般的なコリメーターレンズを使用し、偏光板ではワイヤグリッド偏向板を使用して、光源から照射された光が集光板で集光された後に偏向板を経てマスクに入射されるように装置を設計した。被照射体が据え置かれる装備では、曲面を有するロールを使用し、製作されたマスクの凹部の表面が前記ロールに対応するようにマスクを設置した。この時、マスクと被照射体が据え置かれるロールとの距離が約200μm程度になるようにした。ロールの曲率半径とマスクの曲率半径をおおよそ一致させて前記距離がロールの表面とマスクの全面でおおよそ同一に確保されるようにした。
光配向膜の2次配向過程で、光配向膜がマスクと密着されるように間隔を調節したことの以外は、実施例1と同一な方式で光学フィルタを製造した。このような方式で配向処理された光配向膜の拡大写真は、図9に示した。
2次配向過程で、マスクと光配向膜の間隔が約500μm程度になるように調節したことの以外は、実施例1と同一な方式で光学フィルタを製造した。このような方式で配向処理された光配向膜の拡大写真は、図10に示した。
40, 102:金属層
42, 1021:開口部
401:曲面構造物
50:被照射体
t:開口部の厚さ
w:開口部の幅
L1、L2:光
a:マスクと被照射体間の距離
b:離脱距離
S:照射部位
60:被照射体が据え置かれる装備
10、101、102:光照射手段
1:マスクを含む装置
Claims (20)
- 厚さが10μm〜300μmである透光性薄膜層と、
前記薄膜層の一面に存在し、被照射体に光をガイドすることができる開口部が一つ以上形成されている金属層と、を含むことを特徴とするマスク。 - 前記透光性薄膜層は、透光性セラミックス層であることを特徴とする請求項1に記載のマスク。
- 前記透光性セラミックス層は、ガラス層、ジルコニア層、アルミナ層、チタニア層またはクオーツ層であることを特徴とする請求項2に記載のマスク。
- 曲面を有する構造物をさらに含み、前記透光性薄膜層が前記構造物の曲面に曲面形状で付着されていることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載のマスク。
- 曲面形状で付着された前記透光性薄膜層の曲率半径は、10mm〜500mmであることを特徴とする請求項4に記載のマスク。
- 前記金属層は、金、銀、クロム、アルミニウム、銅、チタニウム、ニッケル、モリブデンまたはタングステンを含むことを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載のマスク。
- 厚さが10μm〜300μmである透光性薄膜層の表面に、被照射体に光をガイドすることができる開口部が一つ以上形成されている金属層を形成することを含むことを特徴とするマスクの製造方法。
- 前記金属層は、前記透光性薄膜層の表面に金属を蒸着するかまたは前記透光性薄膜層の表面に金属フィルムをラミネートして形成することを特徴とする請求項7に記載のマスクの製造方法。
- 前記開口部は、スクリーン印刷、レジストプリンティング、フォトリソグラフィーまたはレーザー加工を通じて形成することを特徴とする請求項7または8に記載のマスクの製造方法。
- 曲面を有する構造物に前記透光性薄膜層を前記構造物の曲面に曲面形状で付着する工程をさらに含むことを特徴とする請求項7から9の何れか1項に記載のマスクの製造方法。
- 被照射体が据え置かれる装備と、
請求項1から6の何れか1項に記載のマスクと、を含むことを特徴とする装置。 - 前記マスクの金属層の開口部の厚さは、前記マスク及び前記被照射体が据え置かれる装備との距離の5倍以上であることを特徴とする請求項11に記載の装置。
- 前記マスク及び前記被照射体が据え置かれる装備との距離は、50mm以下であることを特徴とする請求項11または12に記載の装置。
- 前記被照射体が据え置かれる装備は、前記被照射体の表面を曲面で維持した状態で前記被照射体を据え置くことができるように形成されていることを特徴とする請求項11から13の何れか1項に記載の装置。
- 前記被照射体が据え置かれる装備は、前記被照射体の表面を10mm〜500mmの曲率半径を有する曲面で維持するように形成されていることを特徴とする請求項14に記載の装置。
- 前記マスクに向いて直線偏光された光を照射することができる光源をさらに含むことを特徴とする請求項11から15の何れか1項に記載の装置。
- 請求項11から16の何れか1項に記載の装置に含まれる被照射体が据え置かれる装備に被照射体を据え置き、マスクを媒介で前記被照射体に光を照射することを特徴とする方法。
- 前記被照射体の表面を曲面で維持した状態で前記マスクを媒介で光を照射することを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 曲面形状を有する前記マスクを媒介で表面が曲面で維持された前記被照射体に光を照射することを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 請求項11から16の何れか1項に記載の装置に含まれる被照射体が据え置かれる装備に光配向膜を据え置き、マスクを媒介で前記光配向膜に直線偏光された光を照射することを特徴とする整列された光配向膜の製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20110127628 | 2011-12-01 | ||
KR10-2011-0127628 | 2011-12-01 | ||
KR10-2012-0138866 | 2012-12-03 | ||
PCT/KR2012/010393 WO2013081439A1 (ko) | 2011-12-01 | 2012-12-03 | 마스크 |
KR1020120138866A KR101473062B1 (ko) | 2011-12-01 | 2012-12-03 | 마스크 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015501949A true JP2015501949A (ja) | 2015-01-19 |
JP6102033B2 JP6102033B2 (ja) | 2017-03-29 |
Family
ID=48665369
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014544640A Pending JP2015507213A (ja) | 2011-12-01 | 2012-01-19 | マスク |
JP2014544680A Active JP6102033B2 (ja) | 2011-12-01 | 2012-12-03 | マスク |
JP2014544679A Active JP5869144B2 (ja) | 2011-12-01 | 2012-12-03 | マスクを含む装置およびこれを用いた光照射方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014544640A Pending JP2015507213A (ja) | 2011-12-01 | 2012-01-19 | マスク |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014544679A Active JP5869144B2 (ja) | 2011-12-01 | 2012-12-03 | マスクを含む装置およびこれを用いた光照射方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8999613B2 (ja) |
EP (2) | EP2787387B1 (ja) |
JP (3) | JP2015507213A (ja) |
KR (5) | KR101260221B1 (ja) |
CN (3) | CN103959155B (ja) |
TW (3) | TWI486720B (ja) |
WO (2) | WO2013081439A1 (ja) |
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-
2012
- 2012-01-17 KR KR1020120005381A patent/KR101260221B1/ko active IP Right Grant
- 2012-01-19 CN CN201280059575.XA patent/CN103959155B/zh active Active
- 2012-01-19 JP JP2014544640A patent/JP2015507213A/ja active Pending
- 2012-01-20 TW TW101102857A patent/TWI486720B/zh active
- 2012-12-03 CN CN201280059578.3A patent/CN103959156A/zh active Pending
- 2012-12-03 CN CN201280059582.XA patent/CN103959157B/zh active Active
- 2012-12-03 WO PCT/KR2012/010393 patent/WO2013081439A1/ko unknown
- 2012-12-03 JP JP2014544680A patent/JP6102033B2/ja active Active
- 2012-12-03 EP EP12854234.7A patent/EP2787387B1/en active Active
- 2012-12-03 EP EP12853235.5A patent/EP2787386A4/en not_active Withdrawn
- 2012-12-03 KR KR1020120138866A patent/KR101473062B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-03 JP JP2014544679A patent/JP5869144B2/ja active Active
- 2012-12-03 TW TW101145290A patent/TWI620973B/zh active
- 2012-12-03 TW TW101145291A patent/TWI498647B/zh active
- 2012-12-03 KR KR1020120138867A patent/KR101377297B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-03 WO PCT/KR2012/010392 patent/WO2013081438A1/ko unknown
-
2013
- 2013-08-05 US US13/959,427 patent/US8999613B2/en active Active
- 2013-08-06 US US13/960,425 patent/US8895213B2/en active Active
- 2013-11-26 KR KR1020130144637A patent/KR20130140593A/ko active Search and Examination
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150428 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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