JP2015501949A - マスク - Google Patents

マスク Download PDF

Info

Publication number
JP2015501949A
JP2015501949A JP2014544680A JP2014544680A JP2015501949A JP 2015501949 A JP2015501949 A JP 2015501949A JP 2014544680 A JP2014544680 A JP 2014544680A JP 2014544680 A JP2014544680 A JP 2014544680A JP 2015501949 A JP2015501949 A JP 2015501949A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
light
irradiated
layer
irradiated object
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014544680A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6102033B2 (ja
Inventor
ゴン シン、ブ
ゴン シン、ブ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chem Ltd filed Critical LG Chem Ltd
Publication of JP2015501949A publication Critical patent/JP2015501949A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6102033B2 publication Critical patent/JP6102033B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54Absorbers, e.g. of opaque materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/24Curved surfaces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本発明は、マスク、マスクの製造方法、光照射装置、光照射方法及び整列された光配向膜の製造方法に関するもので、本発明マスクを使用すれば、被照射体の表面に直進性が優れた光を均一な照度で照射することができる。また、本発明のマスクは、例えば、被照射体が曲面の場合にも効率的に光を照射することができる。【選択図】図1

Description

本発明は、マスク、マスクの製造方法、光照射装置、光照射方法及び整列された光配向膜の製造方法に関する。
液晶分子を一定方向に配列するために使用される液晶配向膜は多様な分野に適用されている。液晶配向膜では、光の照射により処理された表面として隣接する液晶分子を配列させることができる光配向膜がある。通常的に、光配向膜は、感光性物質(photosensitive material)の層に光、例えば、直線偏光された光を照射することにより、前記感光性物質を一定方向に整列(orientationally ordering)させて製造することができる。
例えば、特許文献1及び特許文献2などには、光配向膜を形成するための装置が開示されている。
より効率的に光配向膜を形成するためには、直進度が優れた光を均一な照度で被照射表面に照射する必要がある。このように直進度が優れた光を均一な照度で照射する技術は、光配向膜の形成工程はもちろん、例えば、フォトリソグラフィーのための露光などを含んだ多様な分野で有用に活用することができる。
大韓民国公開特許第2006−0053117号公報 大韓民国公開特許第2009−0112546号公報
本発明の目的は、マスク、マスクの製造方法、光照射装置、光照射方法及び整列された光配向膜の製造方法を提供することにある。
例示的なマスクは、透光性薄膜層及び前記透光性薄膜層の一面に形成された金属層を含むことができる。前記金属層には、例えば、被照射体に光をガイド(guide)できる開口部が一つ以上形成されている。図1は、透光性薄膜層101及び開口部1021が形成されている金属層102を含む例示的なマスクを示した図である。
透光性薄膜層は、例えば、開口部によってガイドされる光を透過させることができる薄い層として、約10μm〜300μm、25μm〜200μmまたは50μm〜100μm程度の厚さを有する層である。このような薄膜層は、柔軟性を有し、これによって、例えば、後述のように必要な場合、マスクを曲面形状で効果的に維持することができる。透光性薄膜層は、例えば、透光性セラミックス層である。すなわち、セラミックス層を必要によって前記厚さ範囲で薄く加工して薄膜層で使用することができる。セラミックス層では、ガラス層、ジルコニア層、アルミナ層、チタニアまたはクオーツ(quartz)層などを使用することができるが、これに限定されるものではない。
透光性薄膜層の少なくとも一つの表面には金属層が形成され、前記金属層には、被照射体の表面に光をガイドすることができる開口部が一つ以上形成されている。用語「被照射体の表面に光をガイドすることができる開口部」は、マスクの一側面、例えば、マスクの透光性薄膜層側またはその反対側に照射された光が、開口部を経由してマスクの他の側面に放射されて被照射体の表面に到逹するように形成された開口部を意味する。
開口部を経由して被照射体の表面に到逹する光は、直進度を有する光(collimated light or nearly collimated light)である。用語「直進度を有する光」は、マスクから放射された光が被照射体の表面に到逹する過程で拡散されるか、照射方向が意図しない方向に変更される現象が最小化に抑制されるか発生しない光を意味する。例えば、「直進度を有する光」は、マスクの他の側面に放射される過程で、発散角(divergence angle)が、約±10度以内、約±5度以内または約±3.5度以内である光を意味する。用語「発散角」は、マスクの平面に垂直した法線と開口部によってガイドされた光が進行する方向が成す角度を意味する。
開口部によってガイドされる光は、例えば、直線偏光された光(linearly polarized light)である。直線偏光された光は、被照射体が光配向膜の場合に、光配向膜の感光性物質を整列させて配向性を付与するために使用することができる。
金属層の開口部のサイズ、例えば、開口部の厚さ、幅または縦横比などは、ガイドされた光が照射される被照射体の表面とマスクとの距離を考慮して選択することができる。例えば、開口部の厚さ、幅または縦横比は、マスクと被照射体の表面との距離と一定な関数関係を有するように選択することができる。
図2及び図3は、例示的なマスクで開口部42が形成されている金属層40だけを示した図である。図2において、金属層40は、共通される方向に延長されながらお互いに平行に配置された複数の開口部42を含んでいる。図示しなかったが、前記マスクの金属層で開口部は一つのみを形成することができ、開口部の配置も図2及び図3に限定されないで、多様に設計することができる。金属層40で開口部42の数と配置形態は、特別に限定されないで、被照射体の種類によって適切に調節することができる。例えば、金属層40の開口部42の数と配置形態は、被照射体50がフォトレジストであれば、露光される部位の数や形態によって選択することができ、被照射体50が光配向膜であれば、配向性が付与される部位の数や形態などを考慮して選択することができる。
開口部42のサイズ、例えば、開口部42の厚さt、幅wまたは縦横比w/tは、被照射体50の表面とマスクの距離によって調節することができる。前記マスクと被照射体の表面との距離は、例えば、金属層の表面と被照射体の表面との距離を意味する。すなわち、マスクの透光性薄膜層が被照射体と対向して配置される場合にも、前記距離は、金属層の表面と被照射体の表面との距離で規定することができる。前記開口部42の厚さtは、マスクの一側面に照射された光が金属層40の開口部42を経由する最短距離を意味することができ、例えば、金属層40の一側面と他の側面を垂直に連結した直線の距離を意味する。また、開口部42の幅wは、開口部42の両側面を垂直に連結した直線の距離を意味する。前記被照射体の表面との距離によって調節される開口部のサイズは、例えば、開口部42の厚さtであることができる。開口部42のサイズは、開口部42から光の直進性を向上させるように調節することができる。
図3は、図2の金属層40をI−I方向に沿って切断した切断面として、金属層40の開口部42のサイズが被照射体50の表面との距離によって調節される場合を例示的に示している。
図3において、L2は、開口部42によりガイドされた光のうち発散角が0度である光を示し、L1は、開口部42によりガイドされた光として、発散角がθ度である光を示している。発散角θは、図3のように、金属層40の平面に垂直した法線と開口部42によりガイドされた光が進行する方向が成す角度を意味する。
金属層40の開口部42は、直進度が優れた光を生成して被照射体50表面の照射領域、例えば、図3のSで表示される領域にのみ光が照射されるように構成することができる。例えば、発散角が大きい光が存在する場合にも、被照射体50で目的部位Sの外に、例えば、図面で「b」で表示される距離(以下、「離脱距離」と称する。)まで光が照射されないように、開口部42のサイズを被照射体50の表面とマスクの距離(例えば、図3のa)を考慮して、図3で離脱距離が最小化されるか存在しないように調節することができる。
例えば、開口部のサイズは、図3を参照すれば、被照射体50とマスクの距離a、開口部42の厚さt及び幅wが、下記数式1を満足するように選択することができる。
[数1]
b = (a/t) × w
図3において、離脱距離の範囲は、マスクの適用用途によって変更することができる。例えば、マスクのパターンの幅が大きい場合には、離脱距離を長くする必要があり、マスクのパターンの均一性が要求される場合には、離脱距離を最小化する必要がある。
例えば、離脱距離は、開口部42の幅wの1/5倍以下であり、したがって、開口部のサイズは、前記開口部の厚さtがマスクと被照射体50の表面との距離aとともに下記数式2を満足するように設定することができる。
[数2]
5a ≦ t
図3を参照すれば、開口部42の厚さtは、例えば、被照射体50の表面とマスクの距離aの約5倍以上、約6倍以上、約7倍以上、約8倍以上、約9倍以上または約10倍以上で調節することができる。開口部42の厚さの上限は、目的する離脱領域の程度によって調節されることで、特別に限定されるものではない。但し、厚さが厚くなれば、光の直進度は改善、すなわち、発散角は減るが、被照射体50に到逹する光の照度が下がるので、前記厚さtは、例えば、前記距離aの30倍以下、20倍以下または15倍以下で調節することができる。
金属層の開口部は、照射される光をガイドできるように形成する限り、多様な形状を有することができる。例えば、開口部42は、図3に示したように、対向する内壁が平行に形成されている形状であってもよい。このような場合、開口部42は、金属層40の厚さによって、正四角形または直四角形の断面形状を有する。必要な場合に、開口部は、光が照射される側、例えば、マスクで透光性薄膜層と接する金属層の面側を広く形成し、光が放射される側、例えば、金属層の透光性薄膜層と接する面の反対側を狭く形成して、光が照射される側から光が放射される側に行くほど幅が細くなるように構成することができる。前記幅が細くなる割合は、規則的であるかあるいは不規則的であってもよい。必要に応じて、開口部の幅が厚さ方向に沿って規則的または不規則的に細くなってから広くなるか、または広くなってから細くなるように開口部を形成することができる。
金属層を形成する素材は、特別に限定されない。例えば、金属層は、光を遮断または反射することができる金属を含む層であるあることができる。このような金属では、金、銀、クロム、アルミニウム、銅、チタニウム、ニッケル、モリブデンまたはタングステンなどを例示することができる。
マスクの開口部によってガイドされた光が照射される被照射体の種類は、特別に限定されない。被照射体の範疇には、直進度を有する光が均一な照度で照射される必要がある全ての種類の対象が含まれる。例えば、被照射体には、露光が必要なフォトレジストまたは光配向が必要な光配向膜などが含まれる。
マスクは、曲面を形成している状態で維持することができる。例えば、開口部によってガイドされた光が照射される表面が曲面で維持された表面の場合に、マスクが曲面で維持される必要がある。
表面が曲面で維持された被照射体では、例えば、ロールツーロール過程で光が照射される被照射体を例示することができる。用語「ロールツーロール工程」には、がイドロール、移送ロールまたは巻取ロールなどのロールを使用して被照射体を連続的に移送しながら光を照射する過程を含む工程が全て含まれる。ロールツーロール工程で被照射体に光を照射する過程は、例えば、被照射体がロールに巻かれた状態で実行することができる。このような方式で光を照射すれば、被照射体が効果的に固定された状態で光が照射される。
図4は、ロールツーロール工程で被照射体50にマスク40を媒介で光を照射する過程を例示的に示した図である。図4のように、被照射体50がロールに巻かれて表面が曲面で維持され、この状態で光を照射することができる。マスク40の開口部42の厚さtは、被照射体50との距離aによって調節することができ、また、表面の曲率半径も考慮することができる。マスク40が複数の開口部42を含む場合、各開口部42の厚さは同一に調節することができ、相違に調節してもよい。例えば、図4のように、曲面で形成された表面に光を照射する時には、マスク40と被照射体50の距離aは、各開口部42別に相違であり、このような場合に、各開口部42の厚さは、相違に調節することができるが、これに限定されるものではない。
マスクを曲面で維持する方法は、特別に限定されない。例えば、前記マスクは、曲面を有する構造物を追加で含み、前記透光性薄膜層が前記構造物に付着されて曲面形成で維持されている。マスクは、透光性薄膜層と金属層で形成されて柔軟性を有し、これによって、曲面構造物の曲面にその曲面の形状によって付着されて曲面を形成することができる。図5は、曲面を有する構造物401及び前記構造物401の曲面に順次付着されている透光性薄膜層101及び金属層102を含むマスクを例示的に示している。
曲面を有する構造物は、例えば、透光性を有する素材からなった板状の適切な構造物の表面を曲面加工して製造することができる。曲面構造物を形成することができる透光性を有する素材の例では、透光性薄膜層を形成する透光性セラミックス素材などを例示することができる。
曲面形状で維持されたマスクの形態、例えば、マスクの曲率半径などは、特別に限定されないで、被放射体に適切に光が照射されるように選択すれば良い。例えば、マスクの曲率半径は、曲面形状で維持された被照射体の曲率半径と対等になるように調節することができる。例えば、マスクが曲面で維持された場合に、マスクの透光性薄膜層は、10mm〜500mm程度の曲率半径を有することができる。
マスクは、例えば、透光性薄膜層の表面に前記開口部が一つ以上形成された金属層を形成する方式で製造することができる。
透光性薄膜層の表面に金属層を形成する方法は、特別に限定されるものではない。例えば、透光性薄膜層の表面にスパッタリングや物理的または化学的蒸着方式で金属層を形成するか、薄い金属フィルムを透光性薄膜層にラミネートする方式で金属層を形成することができる。前記形成される金属層の厚さは、特別に限定されないで、例えば、目的する開口部の厚さなどを考慮して調節することができる。
金属層を形成した後に金属層を加工して開口部を形成することができる。開口部の形成は、透光性薄膜層の表面に金属層を形成した後に加工により実行するか、金属フィルムが付着される場合には、薄膜層にフィルムを付着する前または後に加工により実行することができる。開口部は、例えば、スクリーン印刷、レジストプリンティング、フォトリソグラフィー工程やレーザーの照射による加工を通じて実行することができる。
マスクを製造する過程は、曲面を有する構造物に前記透光性薄膜層を付着する過程を追加で含むことができる。例えば、金属層が形成される前または後の透光性薄膜層を適切な粘着剤または接着剤を使用して曲面構造物に付着することができる。
また、本発明は、前記マスクを含む装置、例えば、光照射置に関するものである。例示的な装置は、前記マスク及び被照射体が据え置かれる装備を含む。
前記マスクは、例えば、装備に据え置かれた被照射体の表面との距離が約50mm以下になるように設置することができる。前記距離は、例えば、0mmを超過するか、0.001mm以上、0.01mm以上、0.1mm以上または1mm以上である。また、前記距離は、40mm以下、30mm以下、20mm以下または10mm以下である。被照射体の表面とマスクとの距離は、上述した上限及び下限の多様な組合せで設計することができる。
上述のように、装置に含まれるマスクで開口部の厚さは、前記被照射体の表面とマスクとの距離の約5倍以上、約6倍以上、約7倍以上、約8倍以上、約9倍以上または約10倍以上である。開口部の厚さは、前記被照射体の表面との距離の約30倍以下、約20倍以下または約25倍以下である。
被照射体が据え置かれる装備の種類は、特別に限定されないで、光が照射される間被照射体が安定的に維持されるように設計されている全ての種類の装備を含むことができる。
被照射体が据え置かれる装備は、被照射体の表面を曲面で維持した状態で被照射体を据え置くことができる装備である。このような装備の例では、上述のロールツーロール工程でのロールを例示することができるが、これに限定されるものではない。被照射体が据え置かれる装備が前記被照射体の表面を曲面で維持した状態で据え置くことができる装備の場合に、マスクも曲面で維持された状態で装置に含まれる。このような場合、マスクの曲面形状が被照射体が据え置かれる装備の曲面に対応するように装置に含まれる。例えば、図4のように、被照射体が据え置かれる装備60及びマスク40を含む装置に、図5のような形態のマスクが使用される場合に、マスクの曲面形状の凹部の表面が装備60に対応するように装置内に含まれることができる。すなわち、図5のような形態のマスクで金属層40が装備60に対向するように配置される。
曲面形状のマスクの曲率半径は、例えば、装備により維持される被照射体の曲率半径と対等な水準で調節できる。例えば、被照射体の表面の曲率半径が、約10mm〜500mm程度である場合、曲面形状のマスクの曲率半径も約10mm〜500mm程度で調節できる。
装置は、マスクに光を照射することができる光源を追加で含むことができる。光源では、マスク方向に光を照射することができるものであれば、目的によって特別な制限なしに使用することができる。例えば、マスクの開口部にガイドされる光を通じて光配向膜の配向やフォトレジストの露光などを実行しようとする場合には、光源では、紫外線の照射が可能な光源として、高圧水銀紫外線ランプ、メタルハライドランプまたはガリウム紫外線ランプなどを使用することができる。
光源は、一つまたは複数個の光照射手段を含むことができる。複数の光照射手段が含まれる場合に、照射手段の数や配置形態は、特別に限定されない。光源が複数の光照射手段を含む場合に、光照射手段は、2個以上の列を形成しており、2個以上の列の中でいずれの一つの列に位置する光照射手段と前記いずれの一つの列と隣接する他の列に位置されている光照射手段は、お互いに交差重畳するように配置することができる。
光照射手段がお互いに交差重畳されている場合は、いずれの一つの列に存在する光照射手段といずれの一つの列と隣接する他の列に存在する光照射手段の中心を連結する線は、各列と垂直した方向と平行しない方向(所定角度で傾いた方向)で形成されながら、光照射手段の照射面積は、各列と垂直した方向で一定部分がお互いに重なって存在する場合を意味する。
図6は、前記光照射手段の配置を例示的に説明している図である。図6では、複数の光照射手段10が2個の列、すなわち、A列とB列を形成しながら配置されている。図6の光照射手段の中で101で表示される光照射手段を第1の光照射手段とし、102で表示される光照射手段を第2の光照射手段とすれば、第1及び第2の光照射手段の中心を連結する線Pは、A列及びB列の方向と垂直する方向に形成されている線Cと平行ではないように形成されている。また、第1の光照射手段の照射面積と第2の光照射手段の照射面積は、A列及びB列の方向と垂直する方向にQの範囲ほど重畳されている。
このように配置すれば、光源により照射される光の光量を均一に維持することができる。前記いずれの一つの光照射手段と他の光照射手段が重畳される程度、例えば、図6でQの長さは、特別に限定されない。例えば、重畳される程度は、光照射手段の直径、例えば、図6のLの約1/3以上〜2/3以下である。
また、装置は、光源から照射される光の光量を調節するために、一つ以上の集光板を追加で含むことができる。集光板は、例えば、光源から照射された光が集光板に入射されて集光された後に、集光された光がマスクに照射されるように装置内に含まれることができる。集光板では、光源から照射された光を集光できるように形成されているものであれば、この分野で通常的に使われる構成を使用することができる。集光板では、レンチキュラーレンズ層などを例示することができる。
また、装置は、偏光板を追加で含むことができる。偏光板は、例えば、光源から照射された光から直線に偏光された光を生成するために使用することができる。偏光板は、例えば、光源から照射された光が偏光板に入射され、偏光板を透過した光が更にマスクに照射されるように装置内に含まれることができる。また、例えば、装置が集光板を含む場合には、偏光板は、光源から照射された光が集光板に集光された後に偏光板に入射できる位置に存在する。
偏光板では、光源から照射された光から直線偏光された光を生成することができるものであれば、特別に制限なしに使用できる。このような偏光板では、ブルースター角(Brewster Angle)で配置されたガラス板またはワイヤグリッド偏光板などを例示することができる。
図7は、光照射装置1の一つの例を示した図である。図7の装置1は、順に配置された光源10、集光板20、偏光板30、マスク40及び被照射体50を据え置く装備60を含んでいる。図7の装置1では、光源10から照射された光が、まず集光板20に入射して集光され、更に偏光板30に入射される。偏光板30に入射された光は、直線に偏光された光で生成され、更ににマスク40に入射されて開口部によってガイドされて被照射体50の表面に照射される。
本発明は、光照射方法に対するのもである。例示的な前記方法は、上述した光照射装置を使用して実行することができる。例えば、前記方法は、前記被照射体を据え置くことができる装備に被照射体を据え置いて、前記マスクを媒介で前記被照射体に光を照射する方法を含む。
前記過程でマスクに照射された光は、マスクの開口部を通じてガイドされて被照射体に照射される。この過程で、上述のようにマスクの開口部のサイズや形状などは、被照射体との距離や形状などによって調節することができる。
一つの例示で、前記被照射体は、光配向膜である。このような場合、前記光照射方法は、整列された光配向膜を製造する方法である。例えば、光配向膜が装備に固定された状態でマスクを媒介で直線偏光された光などを照射して光配向膜に含まれている光感性物質を所定方向に整列させて配向性が発現された光配向膜を製造することができる。
前記方法に適用できる光配向膜の種類は、特別に限定されない。該当分野では、光感性残基を含む化合物として、光配向膜の形成に使用できる多様な種類の光配向性化合物が公知されており、このような公知の物質は、全て光配向膜の形成に使用することができる。光配向性化合物では、例えば、トランス−シス光異性化(trans−cis photoisomerization)によって整列される化合物;鎖の切断(chain scission)または光酸化(photo−oxidation)などのような光分解(photo−destruction)によって整列される化合物;[2+2]付加環化([2+2]cycloaddition)、[4+4]付加環化または光二量化(photodimerization)などのような光架橋または光重合によって整列される化合物;光フリース転位(photo−Fries rearrangement)によって整列される化合物または開環/閉環(ring opening/closure)反応によって整列される化合物などを使用することができる。トランス−シス光異性化によって整列される化合物では、例えば、スルホン酸化ジアゾ色素(sulfonated diazo dye)またはアゾポリマー(azo polymer)などのアゾ化合物やスチルベン化合物(stilbenes)などを例示することができ、光分解によって整列される化合物では、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物(cyclobutane−1,2,3,4−tetracarboxylic dianhydride)、芳香族ポリシランまたはポリエステル、ポリスチレンまたはポリイミドなどを例示することができる。また、光架橋または光重合によって整列される化合物では、シンナメート(cinnamate)化合物、クマリン(coumarin)化合物、シンナムアミド(cinnamamide)化合物、テトラヒドロフタルイミド(tetrahydrophthalimide)化合物、マレイミド(maleimide)化合物、ベンゾフェノン化合物またはジフェニルアセチレン(diphenylacetylene)化合物や光感応性残基としてカルコニル(chalconyl)残基を有する化合物(以下、カルコン化合物)またはアントラセニル(anthracenyl)残基を有する化合物(以下、アントラセニル化合物)などを例示することができ、光フリース転位によって整列される化合物では、ベンゾエート(benzoate)化合物、ベンゾアミド(benzoamide)化合物、メタアクリルアミドアリール(メタ)アクリレート(methacrylamidoaryl methacrylate)化合物などの芳香族化合物を例示することができ、開環/閉環反応によって整列する化合物では、スピロピラン化合物などのように[4+2]π電子システム([4+2]π electronic system)の開環/閉環反応によって整列する化合物などを例示することができるが、これに限定されるものではない。このような光配向性化合物を使用した公知の方式を通じて前記光配向膜を形成することができる。例えば、光配向膜は、前記化合物を使用して適切な支持基材上に形成することができ、このような光配向膜は、被照射体を据え置くことができる装備、例えば、ロールにより移送されながら前記方法に適用されることができる。
前記方法で、マスクを媒介で光が照射される光配向膜は、1次配向処理された光配向膜である。1次配向処理は、例えば、一定方向に直線偏光された紫外線をマスクを媒介で光を照射する前に光配向膜、例えば、光配向膜の全体面に照射することにより実行することができる。1次配向処理された光配向膜にマスクを媒介で光を照射する際に、前記1次配向処理時とは異なる方向に偏光された光を照射すれば、開口部に対応する光配向膜の領域にのみ光が照射されて光配向性化合物が再整列され、これを通じて光配向性化合物の整列方向がパターン化されている光配向膜を製造することができる。
光配向膜の配向のために、例えば、直線偏光された紫外線を1回以上照射すると、配向層の配向は最終的に照射される光の偏光方向により決定される。したがって、光配向膜に一定方向に直線偏光された紫外線を照射して1次配向させた後に、マスクを媒介で所定部位にのみ1次配向処理時に使用した方向とは異なる方向に直線偏光された光に露出させると、光が照射される所定部位でばかり配向層の方向が1次配向処理時の方向とは異なる方向に変更される。これによって、第1の配向方向を有する第1の配向領域と第1の配向方向とは異なる第2の配向方向を有する第2の配向領域を少なくとも含むパターンまたは配向方向が相違である2種類以上の配向領域を光配向膜に形成することができる。
一つの例示で、1次配向時に照射される直線偏光された紫外線の偏光軸と1次配向後にマスクを媒介で実行される2次配向時に照射される直線偏光された紫外線の偏光軸が成す角度は、垂直である。前記垂直は、実質的な垂直を意味する。このような方式で、1次及び2次配向時に照射される光の偏光軸を制御して製造された光配向膜は、例えば、立体映像を具現することができる光学フィルタに使用することができる。
例えば、前記のように形成された光配向膜上に液晶層を形成して光学フィルタを製造することができる。液晶層を形成する方法は、特別に限定されないで、例えば、光配向膜上に光による架橋または重合が可能な液晶化合物を塗布及び配向した後に液晶化合物の層に光を照射して架橋または重合させて形成することができる。このような段階を経れば、液晶化合物の層は、光配向膜の配向によって配向及び固定され、配向方向が相異なっている2種類以上の領域を含む液晶フィルムを製造することができる。
光配向膜に塗布される液晶化合物の種類は、特別に限定されないで、光学フィルタの用途によって適切に選択することができる。例えば、光学フィルタが立体映像の具現のためのフィルタの場合には、液晶化合物は、下部に存在する配向層の配向パターンによって配向することができ、光架橋または光重合によってλ/4の位相差特性を示す液晶高分子層を形成できる液晶化合物である。用語「λ/4の位相差特性」は、入射される光をその波長の1/4倍ほど位相遅延させることができる特性を意味する。このような液晶化合物を使用すると、例えば、入射光を左円偏光された光及び右円偏光された光に分割できる光学フィルタを製造することができる。
また、液晶化合物を塗布して配向処理、すなわち、下部の配向層の配向パターンによって整列させる方式や、整列された液晶化合物を架橋または重合させる方式は、特別に限定されない。例えば、配向は、液晶化合物の種類によって化合物が液晶性を示すことができる適切な温度で液晶層を維持する方式などで進行することができる。また、架橋または重合は、液晶化合物の種類によって適切な架橋または重合が誘導できる水準の光を液晶層に照射して実行することができる。
本発明のマスクを使用すれば、被照射体の表面に直進性が優れた光を均一な照度で照射することができる。また、本発明のマスクは、例えば、被照射体が曲面の場合にも効率的に光を照射することができる。
例示的なマスクを示した模式図である。 開口部のサイズと被照射体とマスクの距離の関係を例示的に示した図である。 開口部のサイズと被照射体とマスクの距離の関係を例示的に示した図である。 例示的な光照射装置を示した図である。 曲面で維持された例示的なマスクを示した図である。 例示的な光照射手段の配置を示した図である。 例示的な光照射装置を示した図である[10:光源, 20:集光板, 30:偏光板, 40:マスク]。 第1の実施例により形成された光配向膜の状態を示した図である。 第2の実施例により形成された光配向膜の状態を示した図である。 第3の実施例により形成された光配向膜の状態を示した図である。
以下、実施例を通じて上述した内容をより詳しく説明するが、本発明のマスクなどの範囲は、下記提示された実施例により限定されるものではない。
<実施例1>
[マスクの製作]
厚さが約100μm程度のガラスフィルムにスパッタリングでクロムを蒸着して、厚さが約200nm程度であるクロム層を形成した。その後、レーザー蝕刻でクロム層を加工して、図2のような形態を有し、開口部の幅wが約540μmであり、厚さtが約100mmであり、開口部間の間隔が約540μmである金属層を製作した。その後、クオーツで製造された曲面形状の構造物の曲面に前記ガラスフィルムを付着して、図5のような形態のマスクを製作した。
[光学フィルタの製造]
前記製造されたマスクを使用して、図4及び図7に示したような装置を構成した。具体的には、光源では紫外線(UV)ランプを使用し、集光板では一般的なコリメーターレンズを使用し、偏光板ではワイヤグリッド偏向板を使用して、光源から照射された光が集光板で集光された後に偏向板を経てマスクに入射されるように装置を設計した。被照射体が据え置かれる装備では、曲面を有するロールを使用し、製作されたマスクの凹部の表面が前記ロールに対応するようにマスクを設置した。この時、マスクと被照射体が据え置かれるロールとの距離が約200μm程度になるようにした。ロールの曲率半径とマスクの曲率半径をおおよそ一致させて前記距離がロールの表面とマスクの全面でおおよそ同一に確保されるようにした。
その後、次のような方式で光配向膜及び光学フィルタを製造した。厚さが80μmであるTAC(Triacetyl cellulose)基材の上部に乾燥厚さが1,000Åになるようにポリシンナメート系列の化合物を含む光配向膜形成用コーティング液の層を形成した。前記層は、コーティング液をロールコーティング方法でTAC基材上にコーティングし、80℃で2分間乾燥させて、溶媒を除去して形成した。この時、溶液では、下記化学式1のシンナメート基を有するポリノルボルネン(重量平均分子量(Mw) = 150,000)及びアクリル系単量体の混合物を光開始剤(Igacure 907)と混合し、シクロヘキサノン溶媒にポリノルボルネンの固形分濃度が2wt%になるように溶解させて製造した(ポリノルボルネン:アクリル形単量体:光開始剤 = 2:1:0.25(重量比))。
Figure 2015501949
光配向膜上にマスクを媒介としないで直線偏光された紫外線(300mW/cm)を照射して、1次配向させた。その後、マスクを媒介で光配向膜上に1次配向時に使用した直線偏光された紫外線の偏光軸とは90度の角度で偏光軸を有する直線偏光された紫外線を照射(300mW/cm)して、2次配向を実施した。2次配向工程後に、配向層上にλ/4波長特性を有する位相遅延層を形成した。具体的には、光配向膜上に液晶化合物(LC242TM、BASF(製))を約1μmの乾燥厚さになるように塗布し、下部の光配向膜の配向によって配向させた後に、紫外線(300mW/cm)を約10秒間照射して液晶を架橋及び重合させて、下部光配向膜の配向によって遅相軸の方向が相異なっている領域を含む光学フィルタを製造した。
図8には、前記方式で配向処理された光配向膜の状態を示した拡大写真を示されている。図面から確認できるように、前記方式により効率的な配向パターンを有する光配向膜が形成された。
<実施例2>
光配向膜の2次配向過程で、光配向膜がマスクと密着されるように間隔を調節したことの以外は、実施例1と同一な方式で光学フィルタを製造した。このような方式で配向処理された光配向膜の拡大写真は、図9に示した。
<実施例3>
2次配向過程で、マスクと光配向膜の間隔が約500μm程度になるように調節したことの以外は、実施例1と同一な方式で光学フィルタを製造した。このような方式で配向処理された光配向膜の拡大写真は、図10に示した。
101:透光性薄膜層
40, 102:金属層
42, 1021:開口部
401:曲面構造物
50:被照射体
t:開口部の厚さ
w:開口部の幅
L1、L2:光
a:マスクと被照射体間の距離
b:離脱距離
S:照射部位
60:被照射体が据え置かれる装備
10、101、102:光照射手段
1:マスクを含む装置

Claims (20)

  1. 厚さが10μm〜300μmである透光性薄膜層と、
    前記薄膜層の一面に存在し、被照射体に光をガイドすることができる開口部が一つ以上形成されている金属層と、を含むことを特徴とするマスク。
  2. 前記透光性薄膜層は、透光性セラミックス層であることを特徴とする請求項1に記載のマスク。
  3. 前記透光性セラミックス層は、ガラス層、ジルコニア層、アルミナ層、チタニア層またはクオーツ層であることを特徴とする請求項2に記載のマスク。
  4. 曲面を有する構造物をさらに含み、前記透光性薄膜層が前記構造物の曲面に曲面形状で付着されていることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載のマスク。
  5. 曲面形状で付着された前記透光性薄膜層の曲率半径は、10mm〜500mmであることを特徴とする請求項4に記載のマスク。
  6. 前記金属層は、金、銀、クロム、アルミニウム、銅、チタニウム、ニッケル、モリブデンまたはタングステンを含むことを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載のマスク。
  7. 厚さが10μm〜300μmである透光性薄膜層の表面に、被照射体に光をガイドすることができる開口部が一つ以上形成されている金属層を形成することを含むことを特徴とするマスクの製造方法。
  8. 前記金属層は、前記透光性薄膜層の表面に金属を蒸着するかまたは前記透光性薄膜層の表面に金属フィルムをラミネートして形成することを特徴とする請求項7に記載のマスクの製造方法。
  9. 前記開口部は、スクリーン印刷、レジストプリンティング、フォトリソグラフィーまたはレーザー加工を通じて形成することを特徴とする請求項7または8に記載のマスクの製造方法。
  10. 曲面を有する構造物に前記透光性薄膜層を前記構造物の曲面に曲面形状で付着する工程をさらに含むことを特徴とする請求項7から9の何れか1項に記載のマスクの製造方法。
  11. 被照射体が据え置かれる装備と、
    請求項1から6の何れか1項に記載のマスクと、を含むことを特徴とする装置。
  12. 前記マスクの金属層の開口部の厚さは、前記マスク及び前記被照射体が据え置かれる装備との距離の5倍以上であることを特徴とする請求項11に記載の装置。
  13. 前記マスク及び前記被照射体が据え置かれる装備との距離は、50mm以下であることを特徴とする請求項11または12に記載の装置。
  14. 前記被照射体が据え置かれる装備は、前記被照射体の表面を曲面で維持した状態で前記被照射体を据え置くことができるように形成されていることを特徴とする請求項11から13の何れか1項に記載の装置。
  15. 前記被照射体が据え置かれる装備は、前記被照射体の表面を10mm〜500mmの曲率半径を有する曲面で維持するように形成されていることを特徴とする請求項14に記載の装置。
  16. 前記マスクに向いて直線偏光された光を照射することができる光源をさらに含むことを特徴とする請求項11から15の何れか1項に記載の装置。
  17. 請求項11から16の何れか1項に記載の装置に含まれる被照射体が据え置かれる装備に被照射体を据え置き、マスクを媒介で前記被照射体に光を照射することを特徴とする方法。
  18. 前記被照射体の表面を曲面で維持した状態で前記マスクを媒介で光を照射することを特徴とする請求項17に記載の方法。
  19. 曲面形状を有する前記マスクを媒介で表面が曲面で維持された前記被照射体に光を照射することを特徴とする請求項18に記載の方法。
  20. 請求項11から16の何れか1項に記載の装置に含まれる被照射体が据え置かれる装備に光配向膜を据え置き、マスクを媒介で前記光配向膜に直線偏光された光を照射することを特徴とする整列された光配向膜の製造方法。
JP2014544680A 2011-12-01 2012-12-03 マスク Active JP6102033B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110127628 2011-12-01
KR10-2011-0127628 2011-12-01
KR10-2012-0138866 2012-12-03
PCT/KR2012/010393 WO2013081439A1 (ko) 2011-12-01 2012-12-03 마스크
KR1020120138866A KR101473062B1 (ko) 2011-12-01 2012-12-03 마스크

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015501949A true JP2015501949A (ja) 2015-01-19
JP6102033B2 JP6102033B2 (ja) 2017-03-29

Family

ID=48665369

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014544640A Pending JP2015507213A (ja) 2011-12-01 2012-01-19 マスク
JP2014544680A Active JP6102033B2 (ja) 2011-12-01 2012-12-03 マスク
JP2014544679A Active JP5869144B2 (ja) 2011-12-01 2012-12-03 マスクを含む装置およびこれを用いた光照射方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014544640A Pending JP2015507213A (ja) 2011-12-01 2012-01-19 マスク

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014544679A Active JP5869144B2 (ja) 2011-12-01 2012-12-03 マスクを含む装置およびこれを用いた光照射方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8999613B2 (ja)
EP (2) EP2787387B1 (ja)
JP (3) JP2015507213A (ja)
KR (5) KR101260221B1 (ja)
CN (3) CN103959155B (ja)
TW (3) TWI486720B (ja)
WO (2) WO2013081439A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101232181B1 (ko) * 2010-02-03 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리
KR101260221B1 (ko) * 2011-12-01 2013-05-06 주식회사 엘지화학 마스크
US9140979B2 (en) * 2011-12-01 2015-09-22 Lg Chem, Ltd. Mask
KR102057812B1 (ko) * 2012-04-20 2019-12-19 오에이치알 파마서티컬, 인코포레이티드 Ptp1b 연관 질병의 치료용 아미노스테로이드
KR102235338B1 (ko) * 2014-09-03 2021-04-05 삼성디스플레이 주식회사 곡면형 액정표시패널 제조방법 및 곡면형 액정표시패널 제조설비
EP3035122B1 (en) * 2014-12-16 2019-03-20 ATOTECH Deutschland GmbH Method for fine line manufacturing
CN105572973B (zh) * 2015-12-23 2018-10-09 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种掩膜板及光配向方法
TWM520154U (zh) * 2016-01-26 2016-04-11 Sun Same Entpr Co Ltd 印面曝光機專用治具
EP3410214A4 (en) * 2016-01-27 2019-01-23 LG Chem, Ltd. FILM MASK, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR FORMING PATTERNS USING THE FILM MASK, AND PATTERN THUS FORMED
CN108351604B (zh) 2016-01-27 2020-10-30 株式会社Lg化学 膜掩模、其制备方法、使用膜掩模的图案形成方法和由膜掩模形成的图案
JP6690814B2 (ja) * 2016-01-27 2020-04-28 エルジー・ケム・リミテッド フィルムマスク、その製造方法およびこれを用いたパターンの形成方法
WO2018148229A1 (en) * 2017-02-07 2018-08-16 Kent State University Photopatterning of molecular orientations
JP2019219463A (ja) * 2018-06-18 2019-12-26 株式会社東海理化電機製作所 反射型偏光部材の加工方法、および反射型偏光部材
KR102115307B1 (ko) * 2018-09-17 2020-05-26 크루셜텍(주) 글라스 패턴 형성 디바이스 및 글라스 패턴 형성 방법
CN109407461B (zh) * 2018-10-26 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 光掩模及其制作方法和制作显示器件的方法
KR20200055871A (ko) * 2018-11-13 2020-05-22 삼성디스플레이 주식회사 기판 식각 방법
KR102675986B1 (ko) * 2018-11-23 2024-06-18 주식회사 나래나노텍 개선된 세라믹 마스크 제조 방법 및 그 세라믹 마스크
CN114908316B (zh) * 2022-04-28 2023-07-21 昆山丘钛微电子科技股份有限公司 一种镜片、摄像头模组、镜片镀膜方法和掩膜板

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02110841A (ja) * 1988-10-19 1990-04-24 Canon Inc 情報記録媒体用基板の成形用ロール状スタンパーの製造方法及びそれを用いた情報記録媒体用基板の製造方法
JP2000035677A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Adtec Engineeng:Kk 露光装置
JP2003516563A (ja) * 1999-12-09 2003-05-13 オートロジック・インフォーメーション・インターナショナル・インコーポレーテッド フォトクロミックフィルムからなるイメージングマスクを用いた製版システム及びその方法
JP2007072171A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Fujifilm Corp パターン露光方法及び装置
JP2008083215A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Seiko Epson Corp 配向膜製造用マスク及び液晶装置の製造方法
JP2008107453A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Dainippon Ink & Chem Inc 偏光照射装置、光配向膜用配向装置、及びそれを使用して得た光配向膜
JP2008216653A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Fujifilm Corp 露光装置のフォトマスク保持構造、及び保持方法
JP2010060681A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Hitachi Maxell Ltd リソグラフィ用のマスクの製造方法、表面加工方法、光学素子成形用の金型の製造方法および光学素子の製造方法
WO2010090429A2 (ko) * 2009-02-03 2010-08-12 주식회사 엘지화학 입체영상 표시장치용 광학필터 제조방법
JP2011033907A (ja) * 2009-08-04 2011-02-17 Nikon Corp 照明装置、露光装置、照明方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2011090172A (ja) * 2009-10-23 2011-05-06 Mesh Kk 露光装置
JP2011095719A (ja) * 2009-09-29 2011-05-12 Nec Lcd Technologies Ltd 光学素子の製造方法、光学素子用露光装置、光学素子、照明光学装置、表示装置、および電子機器
WO2011090355A2 (ko) * 2010-01-22 2011-07-28 (주)Lg화학 광배향막 배향 처리용 점착 필름
KR101063056B1 (ko) * 2010-09-29 2011-09-08 동우 화인켐 주식회사 필름 노광 시스템 및 방법
JP2011526069A (ja) * 2008-01-22 2011-09-29 ローイス インコーポレイテッド 大面積ナノパターン形成方法および装置
JP2013518296A (ja) * 2010-01-22 2013-05-20 エルジー・ケム・リミテッド 光配向膜配向処理用粘着フィルム
JP2013543595A (ja) * 2010-09-29 2013-12-05 ドンウー ファイン−ケム カンパニー リミテッド 露光システム

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4597151A (en) * 1980-02-04 1986-07-01 Solartron Electronics, Inc. Fluid pressure transmitting diaphragm assembly and method of manufacture
US5155370A (en) * 1988-09-09 1992-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Device for detecting the relative position of first and second objects
JP2535657Y2 (ja) * 1991-02-14 1997-05-14 トヨタ自動車株式会社 露光装置
US5344729A (en) * 1992-06-26 1994-09-06 Martin Marietta Corporation Conformal photomask for three-dimensional printed circuit board technology
US5395718A (en) * 1992-11-18 1995-03-07 The Boeing Company Conformal photolithographic method and mask for manufacturing parts with patterned curved surfaces
JPH07110571A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Toppan Printing Co Ltd 光学マスクおよびマスクブランク
JPH0895231A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Olympus Optical Co Ltd 球面フォトマスクおよびパターン作製方法
JPH08248618A (ja) * 1995-03-14 1996-09-27 Sony Corp レチクル
KR100192360B1 (ko) * 1996-08-21 1999-06-15 구본준 위상 반전 마스크 제조방법
KR100248209B1 (ko) * 1997-06-27 2000-03-15 김영환 회절 격자 형성용 마스크 및 이를 이용한 회절격자 형성방법
AU2747899A (en) * 1998-03-20 1999-10-18 Nikon Corporation Photomask and projection exposure system
US6416908B1 (en) * 2000-06-29 2002-07-09 Anvik Corporation Projection lithography on curved substrates
JP2003005344A (ja) 2001-06-20 2003-01-08 Nec Corp ハーフトーン位相シフトマスク及びその製造方法
JP2005167030A (ja) * 2003-12-03 2005-06-23 Sony Corp マスクおよび露光方法
US7030963B2 (en) * 2004-05-03 2006-04-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3826145B2 (ja) * 2004-07-16 2006-09-27 株式会社クラレ 集光フィルム、液晶パネルおよびバックライト並びに集光フィルムの製造方法
JP4506412B2 (ja) * 2004-10-28 2010-07-21 ウシオ電機株式会社 偏光素子ユニット及び偏光光照射装置
JP2006189576A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Fujitsu Ltd フォトマスクおよびその製造方法、電子素子の製造方法
JP2006201538A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法
JP2006293197A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Sanee Giken Kk 半導体レーザを用いた露光用光源
KR100683779B1 (ko) 2005-05-28 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 마스크 제조용 포토마스크 및 이를 이용한 마스크 프레임어셈블리의 제작방법
US20070020531A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-25 Chin-Lung Lin Phase shift mask for patterning ultra-small hole features
US8383330B2 (en) * 2005-09-07 2013-02-26 Fujifilm Corporation Pattern exposure method and pattern exposure apparatus
WO2007040138A1 (ja) * 2005-10-04 2007-04-12 Kimoto Co., Ltd. 表面凹凸の作製方法
JP2007115817A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Ushio Inc 光照射装置
KR101254805B1 (ko) * 2006-05-22 2013-04-15 엘지디스플레이 주식회사 Uv 차단 마스크 및 이의 제조 방법
KR20080062154A (ko) * 2006-12-29 2008-07-03 삼성전기주식회사 마이크로 렌즈 제조방법 및 마이크로 렌즈용 마스터제조방법
JP5013367B2 (ja) * 2007-01-17 2012-08-29 Nltテクノロジー株式会社 液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法
JP4937808B2 (ja) * 2007-03-26 2012-05-23 フェニックス電機株式会社 光源装置ならびにこれを用いた露光装置
KR101497886B1 (ko) * 2007-05-09 2015-03-04 가부시키가이샤 니콘 포토마스크용 기판, 포토마스크용 기판의 성형 부재, 포토마스크용 기판의 제조 방법, 포토마스크, 및 포토마스크를 사용한 노광 방법
WO2008139643A1 (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Sanei Giken Co., Ltd. 露光方法および露光装置
JP5089362B2 (ja) * 2007-12-13 2012-12-05 信越化学工業株式会社 フォトマスクおよび露光方法
JP4968165B2 (ja) 2008-04-24 2012-07-04 ウシオ電機株式会社 光配向用偏光光照射装置
JP4547641B2 (ja) * 2008-09-22 2010-09-22 ソニー株式会社 位相差板の製造方法
US8187775B2 (en) * 2009-04-13 2012-05-29 Battelle Memorial Institute High resolution photomask
JP2011081049A (ja) * 2009-10-05 2011-04-21 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置
JP5660786B2 (ja) * 2010-02-16 2015-01-28 富士フイルム株式会社 パターニング位相差フィルムとその製造方法、偏光眼鏡、映像表示システムとその製造方法
TWM401196U (en) * 2010-09-24 2011-04-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Moving mechanism
KR101260221B1 (ko) * 2011-12-01 2013-05-06 주식회사 엘지화학 마스크

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02110841A (ja) * 1988-10-19 1990-04-24 Canon Inc 情報記録媒体用基板の成形用ロール状スタンパーの製造方法及びそれを用いた情報記録媒体用基板の製造方法
JP2000035677A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Adtec Engineeng:Kk 露光装置
JP2003516563A (ja) * 1999-12-09 2003-05-13 オートロジック・インフォーメーション・インターナショナル・インコーポレーテッド フォトクロミックフィルムからなるイメージングマスクを用いた製版システム及びその方法
JP2007072171A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Fujifilm Corp パターン露光方法及び装置
JP2008083215A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Seiko Epson Corp 配向膜製造用マスク及び液晶装置の製造方法
JP2008107453A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Dainippon Ink & Chem Inc 偏光照射装置、光配向膜用配向装置、及びそれを使用して得た光配向膜
JP2008216653A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Fujifilm Corp 露光装置のフォトマスク保持構造、及び保持方法
JP2011526069A (ja) * 2008-01-22 2011-09-29 ローイス インコーポレイテッド 大面積ナノパターン形成方法および装置
JP2010060681A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Hitachi Maxell Ltd リソグラフィ用のマスクの製造方法、表面加工方法、光学素子成形用の金型の製造方法および光学素子の製造方法
WO2010090429A2 (ko) * 2009-02-03 2010-08-12 주식회사 엘지화학 입체영상 표시장치용 광학필터 제조방법
JP2012517024A (ja) * 2009-02-03 2012-07-26 エルジー・ケム・リミテッド 立体映像表示装置用光学フィルタの製造方法
JP2011033907A (ja) * 2009-08-04 2011-02-17 Nikon Corp 照明装置、露光装置、照明方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2011095719A (ja) * 2009-09-29 2011-05-12 Nec Lcd Technologies Ltd 光学素子の製造方法、光学素子用露光装置、光学素子、照明光学装置、表示装置、および電子機器
JP2011090172A (ja) * 2009-10-23 2011-05-06 Mesh Kk 露光装置
WO2011090355A2 (ko) * 2010-01-22 2011-07-28 (주)Lg화학 광배향막 배향 처리용 점착 필름
JP2013518296A (ja) * 2010-01-22 2013-05-20 エルジー・ケム・リミテッド 光配向膜配向処理用粘着フィルム
KR101063056B1 (ko) * 2010-09-29 2011-09-08 동우 화인켐 주식회사 필름 노광 시스템 및 방법
JP2013543595A (ja) * 2010-09-29 2013-12-05 ドンウー ファイン−ケム カンパニー リミテッド 露光システム

Also Published As

Publication number Publication date
TW201324059A (zh) 2013-06-16
KR20130061656A (ko) 2013-06-11
EP2787386A1 (en) 2014-10-08
CN103959155B (zh) 2017-02-22
CN103959156A (zh) 2014-07-30
WO2013081439A1 (ko) 2013-06-06
EP2787387A4 (en) 2016-01-20
KR20130140593A (ko) 2013-12-24
US8895213B2 (en) 2014-11-25
CN103959157A (zh) 2014-07-30
TW201344310A (zh) 2013-11-01
JP2015507214A (ja) 2015-03-05
JP2015507213A (ja) 2015-03-05
TW201341909A (zh) 2013-10-16
US20130314685A1 (en) 2013-11-28
EP2787387A1 (en) 2014-10-08
KR20140085410A (ko) 2014-07-07
US20130321787A1 (en) 2013-12-05
TWI620973B (zh) 2018-04-11
EP2787387B1 (en) 2020-05-20
JP6102033B2 (ja) 2017-03-29
TWI486720B (zh) 2015-06-01
WO2013081438A1 (ko) 2013-06-06
EP2787386A4 (en) 2016-01-13
CN103959157B (zh) 2017-09-01
KR20130061657A (ko) 2013-06-11
TWI498647B (zh) 2015-09-01
KR101473062B1 (ko) 2014-12-16
US8999613B2 (en) 2015-04-07
KR101653042B1 (ko) 2016-08-31
JP5869144B2 (ja) 2016-02-24
CN103959155A (zh) 2014-07-30
KR101260221B1 (ko) 2013-05-06
KR101377297B1 (ko) 2014-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6102033B2 (ja) マスク
KR101370135B1 (ko) 편광 분리 소자
US20120092742A1 (en) Mask
US10012870B2 (en) Alignment device and manufacturing method of alignment film and display substrate
KR101370094B1 (ko) 편광 분리 소자
US10175570B2 (en) Reticle and fabrication method thereof, and method for fabricating patterns on a substrate
JP6402390B2 (ja) 偏光紫外線分離素子
JP4764197B2 (ja) 液晶表示用基板の製造方法
JP6201223B2 (ja) 偏光分離素子の製造方法
KR20150016157A (ko) 포토 마스크

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150428

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150512

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150812

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151013

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160113

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160705

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161107

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20161114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170131

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170210

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6102033

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250