KR102115307B1 - 글라스 패턴 형성 디바이스 및 글라스 패턴 형성 방법 - Google Patents

글라스 패턴 형성 디바이스 및 글라스 패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일실시예는 복수 개의 홀(hole)이 형성된 마스크를 글라스의 상면에 이격되도록 배치하는 단계(S100); 상기 마스크의 상부에서 상기 마스크를 향하여 입자를 분사하는 단계(S200); 상기 마스크를 상기 글라스에서 분리시키는 단계(S300); 그리고 상기 글라스를 세정하는 단계(S400)를 포함하는, 글라스 패턴 형성 방법(S10)을 제공할 수 있다.

Description

글라스 패턴 형성 디바이스 및 글라스 패턴 형성 방법{GLASS PATTERN FORMING DEVICE AND METHOD OF FORMING GLASS PATTERN}
본 발명은 글라스 패턴 형성 디바이스 및 글라스 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마스크에 가려진 영역의 글라스를 에칭하는 글라스 패턴 형성 디바이스 및 글라스 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
글라스는 건물 및 자동차에 많이 사용되고 있다. 또한 디스플레이 장치 및 휴대용 전자 기기 등에 글라스가 사용될 수 있다. 글라스(glass)는, 다양한 투명한 정도를 가질 수 있으며, 전기적으로 절연성을 가지므로, 전자 기기 등에 유용하게 적용될 수 있다.
한편 글라스의 광학적 성질은, 글라스의 표면 상태에 크게 영향 받을 수 있다. 예를 들어 글라스의 표면의 거친 정도는 글라스의 반사도와 반비례 관계를 가질 수 있다. 예를 들어 글라스 표면의 거친 정도는 글라스의 난반사 정도와 양의 상관관계를 가질 수 있다. 이에 글라스의 표면의 거친 정도를 위치에 따라 다양하게 설정하고 구현하는 연구가 진행되고 있다.
글라스 표면의 거친 정도를 위치에 따라 다양하게 구현하는 방법으로서, 예를 들어 에칭(etching)을 이용하는 방안이 고려될 수 있다. 글라스를 에칭하기 위하여, 글라스에 마스크(mask)를 결합시킬 수 있다. 글라스에 마스크를 결합시키고 글라스를 에칭하는 공정의 경우, 마스크는 글라스에 밀착될 수 있다. 이 경우, 글라스 표면의 거친 정도는, 마스크에 형성된 홀(hole)의 패턴(이하 “마스크 패턴”)에 대응될 수 있다.
그런데 글라스가 마스크에 밀착되는 경우, 마스크에 가려진 영역은 에칭의 효과를 거의 받지 못하게 될 수 있다. 이렇게 되면, 마스크 패턴의 경계에 대응된 경계가 글라스에 형성될 수 있다. 즉 글라스 표면의 거친 정도에 따라 글라스에 형성되는 글라스 패턴에 그라데이션(gradation) 효과가 나타나지 않을 수 있다. 그라데이션을 가지는 글라스 패턴은, 글라스의 광학적 성질을 구현하는 데 있어서 핵심적인 역할을 할 수 있으므로, 글라스 표면에 그라데이션을 가지는 글라스 패턴을 구현하는 공정이 요구될 수 있다.
KR101567731B1
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 글라스의 표면에 패턴을 형성하는 공정에 있어서, 상기 글라스에 마스크를 일정 간격 이격시켜 입자를 분사하는 글라스 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 상기 글라스 표면에 그라데이션을 가지는 글라스 패턴을 형성시키는 글라스 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면(an aspect)에 따르면, 본 발명은, 글라스(glass)를 안착하는 프레임; 복수 개의 홀을 형성하는 마스크를 지지하는 홀더; 상기 프레임과 홀더 중 적어도 하나에 결합되어 구동력을 제공하여, 상기 프레임에 대한 상기 홀더의 위치를 결정하는 액추에이터부; 상기 액추에이터부와 입자 분사 장치에 전기적으로 연결된 제어부; 그리고 상기 제어부에 전기적으로 연결되며, 상기 프레임에 대한 상기 홀더의 위치 정보를 획득하는 센서부를 포함하고, 상기 마스크의 일면은 상기 글라스를 마주하며, 상기 제어부는, 상기 입자 분사 장치가 상기 마스크의 타면을 향하여 입자를 제공하도록 제어하고, 상기 프레임에 대하여 상기 홀더가 소정 간격으로 이격되도록 상기 액추에이터부를 구동시키는, 글라스 패턴 형성 디바이스를 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 제어부는, 상기 프레임에 대한 상기 홀더의 위치가 주기적으로 변환되도록 상기 액추에이터부를 구동시킬 수 있다.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 센서부는, 상기 프레임에 대한 상기 홀더의 상대적 위치 정보를 포함하는 제1 신호를 생성하여 상기 제어부에 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 제어부는, 상기 제1 신호와 기 설정된 알고리즘에 기초하여, 출력 신호를 생성하고, 상기 출력 신호를 상기 액추에이터부에 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 액추에이터부는, 상기 출력 신호를 수신하면, 상기 출력 신호에 대응된 작동을 수행할 수 있다.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 복수 개의 홀(hole)을 형성하는 마스크를 글라스의 상면에 이격되도록 배치하는 단계(S100); 상기 마스크의 상부에서 상기 마스크를 향하여 입자를 분사하는 단계(S200); 상기 마스크를 상기 글라스에서 분리시키는 단계(S300); 그리고 상기 글라스를 세정하는 단계(S400)를 포함하는, 글라스 패턴 형성 방법(S10)을 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 분사 단계(S200)에서, 상기 마스크의 상기 글라스에 대한 상대적 위치는 주기적으로 변화할 수 있다.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 분사 단계(S200)에서, 상기 마스크는, 상기 글라스에 대하여, 수평 방향과 수직 방향으로 주기적으로 이동할 수 있다.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 마스크에 형성된 복수 개의 홀은, 위치에 따라 다른 크기를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 마스크에 형성된 복수 개의 홀은, 위치에 따라 다른 수밀도를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 분사 단계(S200)는, 상기 마스크의 상부에서 상기 마스크를 향하여 입자를 분사하여, 상기 글라스를 에칭하는 단계(S201)를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 분사 단계(S200)는, 상기 마스크의 상부에서 상기 마스크를 향하여 입자를 분사하여, 상기 입자를 상기 글라스에 증착시키는 단계(S202)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 글라스 패턴 방법은, 상기 글라스에 마스크를 일정 간격 이격시켜 입자를 분사할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 글라스 패턴 형성 방법은, 상기 글라스 표면에 그라데이션을 가지는 글라스 패턴을 형성시킬 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스의 표면 처리 과정을 나타낸 도면이다.
도 2는, 도 1에 도시된 글라스와 마스크를 A-A를 따라 자른 단면을 나타낸 도면이다.
도 3은, 마스크의 실시예를 나타낸 도면이다.
도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스 패턴 형성 디바이스의 블록도이다.
도 5 및 6은, 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스 패턴 형성 공정을 나타낸 플로우 차트이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스(glass, 100)의 표면 처리 과정이 나타날 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스(100)는 판(板)의 형상을 가질 수 있다. 도 1에서 글라스(100)는 플레이트(plate)의 형상을 가지나, 글라스(100)의 형상이 이에 국한되지 않을 수 있다. 예를 들어 글라스(100)는 곡면의 형상을 가질 수 있다. 도 1에서, 설명의 편의를 위해서, 글라스(100)는 수평면에 위치할 수 있다. 즉, 글라스(100)의 하면(下面)은, 수평면을 마주할 수 있다.
글라스(100)의 상면(上面)에 마스크(200)가 배치될 수 있다. 마스크(200)는, 마스크 바디(210)를 포함할 수 있다. 마스크 바디(210)는, 마스크(200)의 골격을 형성할 수 있다. 마스크 바디(210)의 외주(outer circumference)는 글라스(100)에 대응될 수 있다. 마스크 바디(210)는 강성을 가질 수 있다. 예를 들어 마스크 바디(210)는 금속을 포함할 수 있다.
마스크 패턴(220)이 마스크 바디(210)에 형성될 수 있다. 마스크 패턴(220)은, 복수 개의 홀(hole) 또는 개구(opening)를 포함할 수 있다. 마스크 패턴(220)은, “홀” 또는 “개구”라 칭할 수 있다. 복수 개의 홀(220)은, 프로파일(profile)을 가질 수 있다. 마스크 패턴(220)의 프로파일은, 홀(220)의 수밀도에 의해 결정될 수 있다. 또는 마스크 패턴(220)의 프로파일은, 홀(220)의 크기에 의해 결정될 수 있다. 또는 마스크 패턴(220)의 프로파일은, 홀(220)의 크기와 수밀도에 의해 결정될 수 있다.
예를 들어 홀(220)의 크기는, 위치에 따라 다를 수 있다. 예를 들어 마스크 바디(210)의 중심에서 일변(an edge)으로 갈수록, 홀(220)의 크기는 작아질 수 있다. 예를 들어 마스크 바디(210)의 중심에서 타변(opposite edge)으로 갈수록, 홀(220)의 크기는 작아질 수 있다. 마스크 바디(210)의 타변은, 마스크 바디(210)의 일변의 맞은편에 위치할 수 있다.
글라스(100)에 마스크(200)가 배치된 상태에서, 마스크(200)의 상부에 샌드 블라스트 장치(300)가 위치할 수 있다. 샌드 블라스트 장치(sand blast apparatus, 300)는, 마스크(200)의 상면에 샌드 블로우(400)를 제공할 수 있다.
샌드 블로우(400)는, 작은 입자의 흐름(flow)일 수 있다. 예를 들어 샌드 블로우(400)는, 모래 입자, 금속 알갱이, 그리고 광물 알갱이 중 적어도 하나의 흐름일 수 있다. 샌드 블로우(400)는, “입자 블로우” 또는 “알갱이 블로우”라 칭할 수 있다. 샌드 블라스트 장치(300)는, “입자 분사 장치”라 칭할 수 있다.
샌드 블로우(400)는, 예를 들어 글라스(100)에 증착되는 입자의 흐름일 수 있다. 샌드 블라스트 장치(300)는, “증착 장치”라 칭할 수 있다. 샌드 블로우(400)가 글라스(100)에 가해지면, 샌드 블로우(400)를 형성하는 입자가 글라스(100)에 증착될 수 있다. 샌드 블로우(400)를 형성하는 입자는, 글라스(100)를 형성하는 재질과 동일하거나 유사한 분자를 포함할 수 있다. 글라스(100)에 형성된 패턴은, 글라스(100)에 증착되는 입자의 양에 따라 달라질 수 있다.
다른 예를 들어 샌드 블로우(400)는, 글라스(100)를 식각할 수 있는 유체(fluid)의 흐름일 수 있다. 샌드 블로우(400)는, “유체 블로우” 또는 “유체 흐름”이라 칭할 수 있다. 샌드 블라스트 장치(300)는, “유체 분사 장치”라 칭할 수 있다.
예를 들어 샌드 블로우(400)는, 플라즈마(plasma)의 흐름일 수 있다. 예를 들어 샌드 블로우(400)는, 식각액의 흐름일 수 있다. 식각액은, 미스트(mist)의 형태로 제공될 수 있다.
샌드 블로우(400)는, 마스크 패턴(220)을 통과하여 글라스(100)에 가해질 수 있다. 샌드 블로우(400)가 글라스(100)의 상면에 가해지면, 글라스(100)의 상면은 패턴(pattern)을 형성할 수 있다. 글라스(100)에 형성된 패턴은, “글라스 패턴”이라 칭할 수 있다. 즉 샌드 블로우(400)는, 글라스 패턴을 형성할 수 있다.
샌드 블라스트 장치(300)가 작동된 이후에, 마스크(200)가 글라스(100)에서 제거될 수 있다. 글라스(100)의 상면(上面)은, 샌드 블로우(400)에 의해 거칠어질 수 있다. 즉 글라스(100) 상면의 표면 상태는, 샌드 블로우(400)에 의해 달라질 수 있다.
샌드 블로우(400)는, 마스크 패턴(220)의 크기에 대응되어, 글라스(100)에 가해질 수 있다. 샌드 블로우(400)는, 예를 들어 글라스(100) 상면의 중심부에, 상대적으로 많이 가해질 수 있다. 샌드 블로우(400)는, 예를 들어 글라스(100) 상면의 양 변(일변 및 타변)에 상대적으로 적게 가해질 수 있다.
글라스(100) 상면의 표면 상태는, 마스크 패턴(220)에 대응될 수 있다. 예를 들어 글라스(100) 상면의 중심부측 표면은, 상대적으로 많이 거칠어질 수 있다. 예를 들어 글라스(100) 상면의 양 변(일변 및 타변)측 표면은, 상대적으로 적게 거칠어질 수 있다. 따라서 글라스(100) 상면에 형성된 글라스 패턴은, 마스크 패턴(220)에 대응되어, 그라데이션(gradation)을 형성할 수 있다.
글라스(100) 상면의 거친 정도는, 글라스(100)의 미끄러운 정도(slippery degree or slip)와 음의 상관관계를 가질 수 있다. 글라스(100)가 이동 단말기 또는 휴대용 전자 기기에 적용되는 경우, 글라스(100) 표면의 거친 정도는 해당 기기의 그립감에 영향을 제공할 수 있다.
글라스(100) 상면의 광학적 성질은, 글라스 패턴에 대응될 수 있다. 예를 들어 글라스(100) 상면 중심부의 반사도(反射度)는, 글라스(100) 상면 양 변에 인접한 부분의 반사도 보다 작을 수 있다. 즉 글라스(100) 상면 중심부는, 글라스(100) 상면 양 변에 인접한 부분에 비하여, 덜 눈부실 수 있다. 또는 글라스(100) 상면 중심부에서 빛이 난반사(亂反射)되는 정도는, 글라스(100) 상면 양 변에 인접한 부분에서 빛이 난반사되는 정도에 비하여, 클 수 있다. 즉 글라스(100) 상면 중심부에서 빛이 분산되는 정도는, 글라스(100) 상면 양 변에 인접한 부분에서 빛이 분산되는 정보에 비하여, 클 수 있다.
마스크(200)가 글라스(100)에 밀착된 상태에서 샌드 블라스트 장치(300)가 가동되면, 글라스(100)의 상면에 형성된 글라스 패턴은, 마스크 패턴(220)과 실질적으로 동일할 수 있다. 즉 인접한 홀(220) 사이의 마스크 바디(210) 부분은, 샌드 블로우(400)로부터 글라스(100)를 보호할 수 있으므로, 글라스(100)의 상면에 형성된 마스크 패턴은 마스크 바디(210)의 형상을 가질 수 있다. 따라서 글라스(100)의 상면에 형성된 글라스 패턴은, 마스크 바디(210)의 형상에 대응될 수 있다.
마스크(200)가 글라스(100)의 상면에서 이격되어 배치될 수 있다. 마스크(200)가 글라스(100)의 상면에서 이격되어 배치된 상태에서 샌드 블로우(400)가 마스크(200)에 가해지면, 인접한 홀(220) 사이의 마스크 바디(210) 부분의 아래에 위치한 글라스(100)의 영역에 샌드 블로우(400)가 가해질 수 있다. 인접한 홀(220) 사이의 마스크 바디(210) 부분의 아래에 위치한 글라스(100)의 영역에 샌드 블로우(400)가 가해지면, 글라스(100)의 상면에 형성된 글라스 패턴이 마스크 패턴(220)의 프로파일에 대응될 수 있다.
도 2는, 도 1에 도시된 글라스(100)와 마스크(200)를 A-A를 따라 자른 단면을 나타낸 도면이다. 도 2의 (a)는, 마스크(200)의 배치 및 홀(220)의 크기를 나타낼 수 있다. 도 2의 (b)는, 마스크(200)에 의해 영향을 받는 글라스(100)를 나타낼 수 있다.
도 2의 (a)를 참조하면, 마스크(200)는 글라스(100)로부터 이격될 수 있다. 예를 들어 마스크(200)는, 글라스(100)로부터 제1 높이(h1) 만큼 이격될 수 있다. 마스크(200)는, 두께를 형성할 수 있다. 예를 들어 마스크(200)의 두께는, 제1 두께(t1)일 수 있다. 홀(220)의 크기는, 제1 크기(r1)일 수 있다. 제1 크기(r1)는, 글라스(100, 도 1 참조)의 위치(지점, 地點)에 따라 달라질 수 있다.
도 2의 (b)를 참조하면, 글라스(100)의 일면(예를 들어 상면)은, 제1 영역(101)과 제2 영역(103)을 포함할 수 있다. 제1 영역(101)은, 홀(220)에 대응될 수 있다. 제1 영역(101)은, 홀(220)을 마주할 수 있다. 제2 영역(103)은, 마스크 바디(210)에 대응될 수 있다. 제2 영역(103)은, 마스크 바디(210)를 마주할 수 있다.
마스크(200)가 글라스(100)에 접하는 상태가 고려될 수 있다. 마스크(200)가 글라스(100)에 접한 상태에서 샌드 블로우(400, 도 1 참조)가 마스크(200)에 가해지면, 샌드 블로우(400, 도 1 참조)는 제1 영역(101)에 가해질 수 있다. 그러나 제2 영역(103)은, 마스크 바디(210)에 가려져서, 샌드 블로우(400, 도 1 참조)의 영향을 받지 않을 수 있다.
도 1 및 2에 도시된 바와 같이 마스크(200)가 글라스(100)에서 이격된 상태가 고려될 수 있다. 샌드 블로우(400, 도 1 참조)가 마스크(200)에 가려지면, 샌드 블로우(400, 도 1 참조)는 제1 영역(101)에 직접적으로 가해질 수 있다. 또한 샌드 블로우(400, 도 1 참조)는, 글라스(100)와 마스크(200)의 이격된 공간을 통해, 제2 영역(103)에 가해질 수 있다. 따라서 제2 영역(103)은, 샌드 블로우(400, 도 1 참조)의 영향을 받을 수 있다.
제2 영역(103)이 샌드 블로우(400, 도 1 참조)의 영향을 받으면, 글라스 패턴은 그라데이션을 가질 수 있다. 즉 제2 영역(103)의 거친 정도가 샌드 블로우(400, 도 1 참조)에 의해 달라질 수 있다. 이로써, 글라스(100) 표면의 기계적 또는/및 광학적 성질은, 글라스(100) 표면의 위치에 따라 점진적으로 변화할 수 있다. 달리 말하면, 글라스(100) 표면의 거친 정도는, 글라스(100) 표면의 위치를 기준으로, 스무딩 효과(smoothing effect)를 가질 수 있다.
제2 영역(103)이 샌드 블로우(400, 도 1 참조)에 의해 영향을 받는 정도는, 제1 크기(r1), 제1 두께(t1), 그리고 제1 높이(h1) 중 적어도 하나 또는 그 조합에 의할 수 있다. 예를 들어 제2 영역(103)이 샌드 블로우(400, 도 1 참조)에 의해 영향을 받는 정도는, 제1 크기(r1)와 양의 상관관계(positive correlation)을 가질 수 있다. 예를 들어 제2 영역(103)이 샌드 블로우(400, 도 1 참조)에 의해 영향을 받는 정도는, 제1 높이(h1)와 양의 상관관계를 가질 수 있다. 예를 들어 제2 영역(103)이 샌드 블로우(400, 도 1 참조)에 의해 영향을 받는 정도는, 제1 두께(t1)와 음의 상관관계(negative correlation)을 가질 수 있다.
도 1 및 2를 참조하면, 샌드 블라스트 장치(300)가 작동되는 동안, 제1 높이(h1)가 변화(varying)될 수 있다. 즉 샌드 블라스트 장치(300)가 작동되는 동안, 마스크(200)와 글라스(100) 사이의 거리는 변화될 수 있다. 예를 들어 샌드 블라스트 장치(300)가 작동되어 샌드 블로우(400)가 마스크(200)에 가해지는 동안, 마스크(200)와 글라스(100) 사이의 거리는, 작아짐과 커짐을 반복할 수 있다. 즉 마스크(200)는 글라스(100)에 대하여 수직 이동(또는 운동)을 할 수 있다.
샌드 블라스트 장치(300)가 작동되는 동안, 마스크(200)는, 글라스(100)에 대하여 수평 이동(또는 운동)을 할 수 있다. 마스크(200)는 고정되고 글라스(100)가 수평 이동(또는 운동)을 할 수 있다. 또는 글라스(100)가 고정되고 마스크(200)가 수평 이동(또는 운동)을 할 수 있다. 또는 글라스(100)와 마스크(200)가 동시에 수평 이동(또는 운동)을 할 수 있다.
마스크(200)가 글라스(100)에 대하여 수평 방향으로 이동하면, 제1 영역(101)과 제2 영역(103)은, 변화될 수 있다. 예를 들어, 마스크(200)가 글라스(100)에 대하여 수평 방향으로 이동하면, 제1 영역(101)은 제2 영역(103)이 되고 제2 영역(103)은 제1 영역(101)이 될 수 있다.
마스크(200)가 글라스(100)에 대하여 수직 방향 또는/및 수평 방향으로 이동함으로써, 마스크 바디(210)에 대응된 제2 영역(103)이 효과적으로 샌드 블로우(400)의 영향을 받을 수 있다. 마스크(200)의 글라스(100)에 대한 수직 방향 또는/및 수평 방향 이동은, 진자(pendulum)의 이동과 유사할 수 있다. 예를 들어 마스크(200)의 글라스(100)에 대한 수직 방향 또는/및 수평 방향 이동은, 단진자(simple pendulum)의 운동에 대응될 수 있다.
도 3은, 마스크(200)의 실시예를 나타낸 도면이다. 도 3은, 마스크 패턴(220)의 상면을 나타낸 도면이다. 도 3의 (a)를 참조하면, 마스크 패턴(220)은, 마스크(200)의 중심부에서 멀어질수록 작아질 수 있다. 마스크 패턴(220)은, 마스크(200)의 중심에서 방사상으로 멀어질수록 낮은 밀도를 가지는 프로파일을 가질 수 있다.
도 3의 (b)를 참조하면, 마스크 패턴(220)은 일변(一邊)에서 타변(他邊)으로 갈수록 좁아지는 폭을 가질 수 있다. 마스크(200)의 타변은, 마스크(200)의 일변의 맞은편에 위치할 수 있다. 마스크 패턴(220)은, 마스크(200)의 일변에서 타변으로 갈수록 낮은 밀도를 가지는 프로파일을 가질 수 있다.
도 1 내지 3에서 나타난 마스크 패턴(220) 이외에, 마스크 패턴(220)은 다양한 크기 패턴 및 밀도 패턴을 가질 수 있다. 예를 들어 전체적으로 “X” 형상을 가지는 마스크 패턴(220)이 형성될 수 있다. 예를 들어 전체적으로 물결 무늬를 가지는 마스크 패턴(220)이 형성될 수 있다.
도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스 패턴 형성 디바이스(500)의 블록도를 나타낸 도면이다. 글라스 패턴 형성 디바이스(500)는, 샌드 블라스트 장치(300)와 함께, 글라스(100, 도 1 및 2 참조)에 패턴을 형성할 수 있다.
글라스 패턴 형성 디바이스(500)는, 프레임(510)을 포함할 수 있다. 프레임(510)은, 글라스(100, 도 1 및 2 참조)를 수용할 수 있다. 즉 글라스(100, 도 1 및 2 참조)는 프레임(510)에 안착될 수 있다.
글라스 패턴 형성 디바이스(500)는, 홀더(520)를 포함할 수 있다. 홀더(520)는, 마스크(200, 도 1 내지 3 참조)를 지지할 수 있다. 홀더(520)는, 글라스(100, 도 1 및 2 참조)에 대한 마스크(200, 도 1 내지 3 참조)의 상대적 위치를 결정할 수 있다.
글라스 패턴 형성 디바이스(500)는, 센서부(530)를 포함할 수 있다. 센서부(530)는, 제1 신호(S1)를 생성할 수 있다. 센서부(530)는, 홀더(520)의 프레임(510)에 대한 상대적 위치(또는 속도) 정보를 획득할 수 있다. 제1 신호(S1)는, 홀더(520)의 프레임(510)에 대한 상대적 위치(또는 속도) 정보를 포함할 수 있다. 또는 센서부(530)는, 글라스(100, 도 1 및 2 참조)에 대한 마스크(200, 도 1 내지 3 참조)의 상대적 위치(또는 속도) 정보를 획득할 수 있다. 제1 신호(S1)는, 글라스(100, 도 1 및 2 참조)에 대한 마스크(200, 도 1 내지 3 참조)의 상대적 위치(또는 속도) 정보를 포함할 수 있다.
글라스 패턴 형성 디바이스(500)는, 제어부(540)를 포함할 수 있다. 제어부(540)는, 제1 신호(S1)를 수신할 수 있다. 제어부(540)는, 제1 신호(S1) 및 기 설정된 알고리즘에 기초하여, 제2 신호(S2), 제3 신호(S3), 그리고 제4 신호(S4)를 생성할 수 있다. 출력 신호(S2, S3, S4)는, 제2 신호(S2), 제3 신호(S3), 그리고 제4 신호(S4) 중 적어도 하나를 의미할 수 있다. 액추에이터 신호(S3, S4)는, 제3 신호(S3)와 제4 신호(S4) 중 적어도 하나를 의미할 수 있다.
제어부(540)는, 제2 신호(S2)를 샌드 블라스트 장치(300)에 제공할 수 있다. 제2 신호(S2)는, 샌드 블라스트 장치(300)의 작동에 관한 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어 샌드 블라스트 장치(300)는, 제2 신호(S2)에 따라, 작동을 개시하거나 종료할 수 있다.
글라스 패턴 형성 디바이스(500)는, 액추에이터부(550)를 포함할 수 있다. 액추에이터부(550)는, 프레임(510)에 결합되거나 홀더(520)에 결합될 수 있다. 또는 액추에이터부(550)는, 프레임(510)과 홀더(520)에 결합될 수 있다. 액추에이터부(550)는, 프레임(510)에 대한 홀더(520)의 상대적 위치를 변화시킬 수 있다.
액추에이터부(550)는, 제1 액추에이터(551)와 제2 액추에이터(553)를 포함할 수 있다. 제1 액추에이터(551)에 의한 홀더(520)의 프레임(510)에 대한 이동 방향은, 제1 방향일 수 있다. 제2 액추에이터(553)에 의한 홀더(520)의 프레임(510)에 대한 이동 방향은 제2 방향일 수 있다. 제1 방향은, 제2 방향과 다를 수 있다. 예를 들어 제1 방향은, 수평 방향일 수 있다. 예를 들어 제2 방향은, 수직 방향일 수 있다.
제1 액추에이터(551)는, 제어부(540)로부터 제3 신호(S3)를 수신할 수 있다. 제3 신호(S3)는, 제1 액추에이터(551)의 작동에 관한 정보를 포함할 수 있다. 제1 액추에이터(551)는, 제3 신호(S3)에 따라 작동될 수 있다.
제2 액추에이터(553)는, 제어부(540)로부터 제4 신호(S4)를 수신할 수 있다. 제4 신호(S4)는, 제2 액추에이터(553)의 작동에 관한 정보를 포함할 수 있다. 제2 액추에이터(553)는, 제4 신호(S4)에 따라 작동될 수 있다.
제어부(540)는 외부 기기와 통신할 수 있다. 제어부(540)는 통신 모듈을 포함할 수 있다. 예를 들어 제어부(540)는, 유선 통신 모듈(예를 들어 RS-232 방식)을 포함할 수 있다. 예를 들어 제어부(540)는, 무선 통신 모듈(예를 들어Wi-Fi 방식 또는 Bluetooth 방식)을 포함할 수 있다.
도 5는, 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스 패턴 형성 방법(S10)을 나타낸 플로우 차트이다. 글라스 패턴 형성 방법(S10)은, “글라스 패턴 형성 공정” 또는 “글라스 그라데이션 형성 방법” 또는 “글라스 그라데이션 형성 공정”이라 칭할 수 있다. 도 5는, 도 1 내지 4와 함께 설명될 수 있다.
도 5를 참조하면, 글라스 패턴 형성 방법(S10)은, 마스크(200)를 글라스(100)에 배치하는 단계(S100)를 포함할 수 있다. 이 단계(S100)는, “마스크 설치 단계”라 칭할 수 있다. 이 단계(S100)에서, 마스크(200)는, 글라스(100)에 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어 이 단계(S100)에서, 마스크(200)는 글라스(100)에 제1 높이(h1) 만큼 이격될 수 있다. 이 단계(S100)에서, 글라스(100)는 프레임(510)에 안착되고, 마스크(200)는 홀더(520)에 결합될 수 있다.
이 단계(S100)에서, 제어부(540)는 센서부(530)로부터 제1 신호(S1)를 수신할 수 있다. 이 단계(S100)에서, 제어부(540)는 제1 신호(S1)로부터 글라스(100)에 대한 마스크(200)의 상대적 위치 정보를 획득할 수 있다. 글라스(100)에 대한 마스크(200)의 상대적 위치가 기설정된 위치 정보와 다를 경우, 제어부(540)는 액추에이터부(550)를 작동시켜서 글라스(100)에 대한 마스크(200)의 상대적 위치를 조정할 수 있다.
글라스 패턴 형성 방법(S10)은, 글라스(100)에 입자를 분사하는 단계(S200)를 포함할 수 있다. 이 단계(S200)에서, 샌드 블라스트 장치(300)는, 마스크(200)의 상부에서 마스크(200)를 향하여 입자를 분사할 수 있다. 이 단계(S200)는, “분사 단계”라 칭할 수 있다.
이 단계(S200)에서, 제어부(540)는 제2 신호(S2)를 샌드 블라스트 장치(300)에 제공할 수 있다. 샌드 블라스트 장치(300)는, 제2 신호(S2)를 수신하면, 샌드 블로우(400)를 마스크(200)에 제공할 수 있다.
이 단계(S200)에서, 제어부(540)는, 제3 신호(S3) 또는/및 제4 신호(S4)를, 액추에이터부(550)에 제공할 수 있다. 액추에이터부(550)는, 제3 신호(S3) 또는/및 제4 신호(S4)를 수신할 수 있다. 액추에이터부(550)는, 제3 신호(S3) 또는/및 제4 신호(S4)에 따라, 글라스(100)에 대한 마스크(200)의 상대적 위치를 조정할 수 있다.
입자를 분사하는 단계(S200)는, 글라스(100)를 에칭(etching)하는 단계(S201)를 포함할 수 있다. 이 단계(S201)는, “에칭 단계” 또는 “식각 단계”라 칭할 수 있다. 이 단계(S201)에서, 샌드 블라스트 장치(300)는, 샌드 블로우(400)를 제공하여 글라스(100)를 에칭할 수 있다.
입자를 분사하는 단계(S200)는, 글라스(100)에 입자를 증착시키는 단계(S202)를 포함할 수 있다. 이 단계(S202)는, “증착 단계”라 칭할 수 있다. 이 단계(S202)에서, 샌드 블라스트 장치(300)는 입자를 제공하여 글라스(100) 표면에 입자를 증착시킬 수 있다.
글라스 패턴 형성 방법(S10)은, 글라스(100)로부터 마스크(200)를 분리하는 단계(S300)를 포함할 수 있다. 이 단계(S300)는, “마스크 분리 단계”라 칭할 수 있다. 이 단계(S300)에서, 마스크(200)는 글라스(100)로부터 분리될 수 있다.
글라스 패턴 형성 방법(S10)은, 글라스(100)를 워싱(washing)하는 단계(S400)를 포함할 수 있다. 이 단계(S400)는, “워싱 단계” 또는 “세척 단계” 또는 “세정 단계”라 칭할 수 있다. 이 단계(S400)에서, 글라스(100)는 세정될 수 있다.
도 6은 에칭 단계를 나타낸 플로우 차트이다. 도 6은, 도 1 내지 5와 함께 설명될 수 있다. 도 6을 참조하면, 분사 단계(S200)는, 샌드 블라스트 장치(300)의 분사를 개시하는 단계(S210)를 포함할 수 있다. 이 단계(S210)는, “개시 단계”라 칭할 수 있다. 이 단계(S210)에서, 샌드 블라스트 장치(300)의 작동이 개시될 수 있다. 이 단계(S210)에서, 샌드 블로우(400)가 마스크(200)에 가해질 수 있다.
이 단계(S210)에서, 마스크(200)는 글라스(100)에 대하여 수평 이동 또는/및 수직 이동할 수 있다. 예를 들어 이 단계(S210)에서, 마스크(200)는 글라스(100)에 대하여 진자 운동(이동)을 시작할 수 있다. 이 단계(S210)에서, 제어부(540)는 액추에이터부(550)를 제어하여, 마스크(200)를 글라스(100)에 대하여 주기적으로 이동하도록 할 수 있다.
분사 단계(S200)는, 종료 사유 발생을 판단하는 단계(S220)를 포함할 수 있다. 이 단계(S220)에서, 제어부(540)는, 분사 단계(S200)의 종료 사유가 발생했는지 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어 제어부(540)는 외부로부터 종료 명령 정보를 포함하는 신호를 획득할 수 있다.
분사 단계(S200)는, 샌드 블라스트 장치(300)의 분사를 종료하는 단계(S230)를 포함할 수 있다. 분사 단계(S200)의 종료 사유가 발생된 것으로 판단되면, 제어부(540)는 이 단계(S230)를 수행할 수 있다. 이 단계(S230)에서, 제어부(540)는, 샌드 블라스트 장치(300)를 종료시키고 액추에이터부(550)의 작동을 종료시킬 수 있다.
분사 단계(S200)의 종료 사유가 발생된 것으로 판단되지 않으면, 제어부(540)는 종료 사유 발생을 판단하는 단계(S220)를 수행할 수 있다. 분사 단계(S200)의 종료 사유가 발생된 것으로 판단되지 않으면, 제어부(540)는, 샌드 블라스트 장치(300)와 액추에이터부(550)를 지속적으로 작동시킬 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 글라스 101: 제1 영역
103: 제2 영역 200: 마스크
210: 마스크 바디 220: 마스크 패턴
300: 샌드 블라스트 장치 400: 샌드 블로우
500: 글라스 패턴 형성 디바이스 510: 프레임
520: 홀더 530: 센서부
540: 제어부 550: 액추에이터부

Claims (7)

  1. 마스크에 의해 가려진 글라스의 영역에 그라데이션 효과를 부여하기 위한 글라스 패턴 형성 방법으로서,
    복수 개의 홀(hole)이 형성된 상기 마스크를 상기 글라스의 상면에 이격되도록 배치하는 단계(S100);
    상기 마스크의 상부에서 상기 마스크를 향하여 입자를 분사하여 상기 글라스를 에칭하고 상기 글라스에 상기 그라데이션 효과를 부여하는 단계(S200);
    상기 마스크를 상기 글라스에서 분리시키는 단계(S300); 그리고
    상기 글라스를 세정하는 단계(S400)를 포함하는,
    글라스 패턴 형성 방법(S10).
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 단계(S200)에서,
    상기 마스크는,
    상기 입자가 상기 마스크를 향하여 분사되는 동안,
    상기 글라스에 대한 상대적 위치가, 수평 방향 또는 수직 방향 중 적어도 하나의 방향으로 달라지도록 주기적으로 이동하는,
    글라스 패턴 형성 방법(S10).
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 마스크에 형성된 복수 개의 홀은,
    위치에 따라 다른 크기를 가지는,
    글라스 패턴 형성 방법(S10).
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 마스크에 형성된 복수 개의 홀은,
    위치에 따라 다른 수밀도를 가지는,
    글라스 패턴 형성 방법(S10).
  6. 삭제
  7. 삭제
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