KR102361643B1 - 메가 소닉 세정 장치 - Google Patents

메가 소닉 세정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102361643B1
KR102361643B1 KR1020170085927A KR20170085927A KR102361643B1 KR 102361643 B1 KR102361643 B1 KR 102361643B1 KR 1020170085927 A KR1020170085927 A KR 1020170085927A KR 20170085927 A KR20170085927 A KR 20170085927A KR 102361643 B1 KR102361643 B1 KR 102361643B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
inclined surface
protrusion
bottom wall
substrate
water tank
Prior art date
Application number
KR1020170085927A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190005378A (ko
Inventor
박성용
김성협
이성광
이광성
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020170085927A priority Critical patent/KR102361643B1/ko
Priority to US15/870,456 priority patent/US10937670B2/en
Publication of KR20190005378A publication Critical patent/KR20190005378A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102361643B1 publication Critical patent/KR102361643B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0288—Ultra or megasonic jets

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

일부 실시예들에 따른 메가 소닉 세정 장치는 한 쌍의 대향 내벽들 및 상기 한 쌍의 대향 내벽들과 연결된 바닥벽을 가지며 유체를 내부에 수용할 수 있도록 구성된 수조; 상기 수조 내에 배치되고 소정의 위치에서 기판을 지지하도록 구성된 복수개의 지지부들; 및 상기 바닥벽에 배치되고 상기 유체에 파동 형태의 에너지를 전달할 수 있도록 구성된 적어도 하나의 진동자를 포함하되, 상기 한 쌍의 대향 내벽들은 각각 상기 수조의 내측으로 돌출된 제1 돌출부를 갖고 상기 제1 돌출부는 상기 바닥벽으로부터 상기 복수개의 지지부들 이상으로 이격된다.

Description

메가 소닉 세정 장치{Megasonic cleaner}
본 발명은 반도체 세정 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 메가 소닉을 이용한 반도체 세정 장치에 관한 것이다
화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing, 이하 CMP)공정은 화학 물질과 및 기계적 힘의 결합으로 표면을 평탄화하는 공정이다. CMP 공정을 거친 기판에는 나노/미크론 크기의 미세 입자들이 잔존할 수 있다. 기판에 잔존하는 미세 입자들은 후속 공정에서 기판에 결함을 초래할 수 있다. 이에 따라 CMP 공정 이후에 기판 상에 잔존하는 미세 입자들을 효율적으로 제거하기 위한 방법 및 장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 신뢰성이 제고된 메가 소닉 세정 장치를 제공함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 생산 수율을 향상시킬 수 있는 메가 소닉 세정 장치를 제공함에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위한, 일부 실시예들에 따른 메가 소닉 세정 장치는 한 쌍의 대향 내벽들 및 상기 한 쌍의 대향 내벽들과 연결된 바닥벽을 가지며 유체를 내부에 수용할 수 있도록 구성된 수조; 상기 수조 내의 소정의 위치에 배치되고 기판을 지지하도록 구성된 복수개의 지지부들; 및 상기 바닥벽에 배치되고 상기 유체에 파동 형태의 에너지를 전달할 수 있도록 구성된 적어도 하나의 진동자를 포함하되, 상기 한 쌍의 대향 내벽들은 각각 상기 수조의 내측으로 돌출된 제1 돌출부를 갖고 상기 한 쌍의 대향 내벽들은 각각 상기 수조의 내측으로 돌출된 제1 돌출부를 가지며 상기 제1 돌출부는 상기 바닥벽 사이의 최단거리는 상기 복수개의 지지부들과 상기 바닥벽 사이의 거리 이상인 것을 특징으로 한다.
다른 일부 실시예들에 따른 메가 소닉 세정 장치는 한 쌍의 대향 내벽들 및 상기 한 쌍의 대향 내벽들과 연결된 바닥벽을 가지며 유체를 내부에 수용할 수 있도록 구성된 수조; 상기 수조 내의 소정의 위치에 배치되고 기판을 지지하도록 구성된 복수개의 지지부들; 및 상기 바닥벽에 배치되고 상기 유체에 제1 파동 에너지를 전달할 수 있도록 제1 진동자들 및 상기 한 쌍의 대향 내벽들에 배치되고 상기 유체에 제2 파동 에너지를 전달할 수 있도록 구성된 제2 진동자들을 포함하되, 상기 제2 진동자들은 상기 복수개의 지지부들의 위로 상기 제2 파동 에너지를 전달하는 것을 특징으로 한다.
다른 일부 실시예들에 따른 메가 소닉 세정 장치는 한 쌍의 대향 내벽들 및 상기 한 쌍의 대향 내벽들과 연결된 곡면 형태의 바닥벽을 가지며 유체를 내부에 수용할 수 있도록 구성된 수조; 상기 수조 내의 소정의 위치에 배치되고 기판을 지지하도록 구성된 복수개의 지지부들; 및 상기 바닥벽에 배치되고 상기 유체에 파동 형태의 에너지를 전달할 수 있도록 구성된 진동자를 포함하되 상기 진동자는 상기 바닥벽을 따라 균일하게 배치된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상에 따르면, 내부 수조 내에 배치된 기판의 전면에 균일하게 공동(Cavitation)을 제공할 수 있는 메가 소닉 세정 장치를 제공할 수 있다. 이에 따라, 메가 소닉 세정 장치의 세정 효율 및 신뢰도가 향상될 수 있고, 후속 공정에서 불량 발생을 방지하여 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1a은 일부 실시예들에 따른 메가 소닉 세정 장치에 포함되는 내부 수조를 설명하기 위한 사시도이다.
도 1b 내지 1e는 일부 실시예들에 따른 메가 소닉 세정 장치에 포함되는 내부 수조를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 2a 내지 2c는 일부 실시예들에 따른 메가 소닉 세정 장치에 포함되는 내부 수조를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 3은 일부 실시예들에 따른 메가 소닉 세정 장치에 포함되는 내부 수조를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 일부 실시예들에 따른 메가 소닉 세정 장치에 포함되는 내부 수조의 효과를 설명하기 위한 평면도들이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면 상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 1a은 일부 실시예들에 따른 메가 소닉 세정 장치를 설명하기 위한 사시도 이다. 도 1b는 도 1a의 메가 소닉 세정 장치를 일 방향에서 바라본 평면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면 메가 소닉 세정 장치는 내부 수조(100), 복수개의 지지부들(140) 및 진동자(130)를 포함할 수 있다.
메가 소닉 세정은 초음파 세척과 유사한 일종의 음향적인 세정이다. 이는 제품(예컨대, 기판 상에 형성된 회로 소자등)이 손상되지 않을 정도의 부드러운 세정 메커니즘으로 기판 세정 외에도, 의료용 임플란트 및 산업용 부품 세척에 이용될 수 있다.
점성 유체가 유동하는 공간에 고정면(여기서 기판에 해당할 수 있다.)이 제공된 경우, 고정면과 극히 인접한 영역에는 유체와 고정면 사이의 마찰에 의해 유동 속도가 실질적으로 0에 수렴할 수 있다. 유체역학에서 이러한 영역을 점성 경계(Viscous Boundary)라고 한다. 선행 연구에 따르면, 기판이 탈이온수 내에 배치된 경우 기판 표면으로부터 약 3μm 정도 높이의 점성 경계가 발생할 수 있다. 따라서, 기판을 세정액에 담근 후, 기판을 회전시키거나 세정액을 유동시킨다고 하더라도 기판에 잔존하는 3μm 이하의 미세 입자들의 세정은 실질적으로 불가능하다. 반면 메가 소닉 세정의 경우 공동(Cavitation)의 폭발로 인한 충격파를 발생하는데, 이러한 충격파는 점성 경계 내의 영역까지 확산되어 점성 경계 내에 잔존하는 미세 입자들을 제거할 수 있다. 따라서, 반도체 공정들 및 기판 상에 형성된 패턴들이 미세화 될수록 기판에 부착되는 입자들이 더욱 미세화 되므로, 메가 소닉 세정의 사용은 필수적이다.
내부 수조(100)의 측벽(110) 및 바닥벽(120)은 내부공간을 정의하여, 그 곳에 유체(FLD)를 수용할 수 있도록 구성된다. 측벽(110)의 구조에 대해서는 이하에서 자세히 기술하도록 한다. 내부 수조(100)에는 세정액 및 물(예컨대, 탈이온수)을 포함하는 유체(FLD)가 수용될 수 있다. 세정액은 유기 용매 또는 수용성 용매를 포함할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 도시되지 않았으나, 내부 수조(100)에는 물 공급 수단 및 세정액 공급 수단이 제공될 수 있다. 내부 수조(100)의 바깥 영역에 외부 수조(미도시)가 제공될 수 있다. 외부 수조는 내부 수조(100)로부터 외부로 넘친 유체(FLD)를 필터링하여 다시 내부 수조(100)에 공급할 수 있다. 외부 수조의 하면에는 유체(FLD)의 순환을 위한 유체 배출관이 연설되어 내부 수조(100)의 세정액 공급수단 및/또는 물 공급 수단과 연통된다. 유체 배출관에는, 유체의 압력을 일정 수치 이상으로 유지시켜 세정액 공급수단 및/또는 물 공급 수단으로 이송시키는 펌프와, 세정 공정에서 사용된 오염물질을 제거하기 위한 필터가 설치될 수 있다.
도 1a 내지 1e에서 내부 수조(100) 내에 배치된 기판(W) 상면에 평행하면서 서로 교차하는 두 방향을 각각 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로, 그리고 기판의 상면에 실질적으로 수직인 방향을 제3 방향(Z)으로 지칭한다. 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)은 제3 방향(Z)에 대하여 실질적으로 수직할 수 있다. 도면상에 화살표로 표시된 방향과 이의 반대 방향은 동일 방향으로 지칭한다. 전술한 방향에 대한 정의는 이하 모든 도면들에서 동일하다. 일반적으로 내부 수조(100)의 바닥벽(120)이 지면에 실질적으로 평행하게 놓인 상태로 메가 소닉 세정 장치가 동작할 수 있다. 바닥벽(120)이 지면에 실질적으로 평행하게 놓인 경우 제1 방향(X) 및 제3 방향(Z)은 지면에 실질적으로 평행하고 제2 방향(Y)은 지면에 실질적으로 수직할 수 있다.
내부 수조(100)의 바닥벽(120)에는 진동자들(130)이 배치될 수 있다. 진동자는 파동 형태의 에너지를 유체(FLD)에 전달할 수 있다. 진동자(130)는 압전 변환기(piezoelectric transducer)에 해당할 수 있다. 압전 변환기는 압전 현상을 이용하여, 입력된 압력을 전기 에너지로, 전기 에너지를 음향 에너지로 변환시켜 출력하는 장치에 해당할 수 있다. 진동자(130)는 예컨대 수백 kHz 범위의 주파수를 갖는 음향장을 생성할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 진동자(130)의 입력 파워를 증가시키는 경우 세정 효율이 상승할 수 있으나, 공동에 의해 발생하는 충격파가 지나치게 커져 기판(W) 상에 형성된 패턴 붕괴되거나 막질을 손상시키는 등의 문제점이 발생할 수 있다. 따라서 진동자(130)의 입력파워는 기판에 손상을 초래하지 않는 범위 내에서 조절되어야 한다. 진동자(130)가 유체(FLD) 내에 음향장을 형성하게 되면 유체(FLD)의 각 지점은 시간의 경과에 따라 감압과 증압을 반복하게 된다. 이에 따라 유체(FLD)가 수축과 팽창을 반복하게 되고, 유체(FLD)가 증기압 이하의 음압을 갖게 되는 경우 공동이 형성된다. 유체의 압력이 일정 수준 이상, 예컨대 유체(FLD)의 표면장력 이상이 되면 형성된 공동은 폭발하면서 커다란 충격파를 발생시킬 수 있다. 도 1a 및 1b를 참조하면 6개의 진동자(130)가 주어졌으나, 이에 제한되지 않고 1개 내지 5개 혹은 7개 이상의 진동자가 주어지는 것도 가능하다. 이때 진동자(130)에 의해 발생된 파동 형태의 에너지의 진행 방향은 화살표가 표시된 파선 또는 실선으로 도시된다. 여기서 파동 형태의 에너지, 또는 파동은 모두 진동자에 의해 유체(FLD)에 발생된 섭동이 유체를 매질로 하여 퍼져나가는 것을 의미한다. 또한 본 명세서에서 파동 형태의 에너지란 용어와 파동이란 용어는 혼용되어 사용될 수 있음을 유의해야 한다.
기판(W)은 CMP 공정, 기타 반도체 제조 공정을 거친 후 이송 로봇에 의해 내부 수조(100)에 배치될 수 있다. 기판(W)은 반도체 소자가 형성된, 또는 반도체 소자가 형성 중인 기판(W)에 해당할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 기판(W)은 Si 또는 Ge와 같은 반도체, 또는 SiGe, SiC, GaAs, InAs, 또는 InP와 같은 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 다른 예에서, 상기 기판(W)은 SOI (silicon on insulator) 구조를 가질 수 있다. 기판(W)에 형성될 수 있는 반도체 장치는 로직 소자, D-RAM, VNAND 메모리 등에 해당할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 기판(W)은 내부 수조(100) 내에 수용된 유체(FLD)에 잠길 수 있다.
기판(W)은 복수개의 지지부들(140)에 의해 지지될 수 있다. 복수개의 지지부들(140)은 기판(W)이 안정적으로 지지되도록 내부 수조(100) 내의 소정의 위치에 배치될 수 있다. 복수개의 지지부들(140) 중 일부는 대칭적으로 배치될 수 있다. 예컨대, 도 1b와 같이 세 개의 지지부들(140)이 제공되는 경우, 지지부들(140) 중 어느 둘은 내부 수조(100) 내의 서로 대칭적인 위치에 배치될 수 있고, 다른 하나의 지지부(140)는 대칭적으로 배치된 지지부들(140) 보다 아래에 배치될 수 있다. 이 때 아래에 배치된다 함은 바닥벽(120)에 더 인접하게 배치됨을 의미한다. 복수개의 지지부들(140)은 지지 롤러에 해당하여 기판을 회전시키도록 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 복수개의 지지부들(140)이 롤러에 해당하는 경우, 그 중 일부는 RPM(Rotation Per Minute) 게이지 센서 등을 포함하여 기판(W)의 회전속도를 측정하고 제어할 수 있다. 도 1a 및 1b를 참조하면 세 개의 지지부들(140)이 제공된 것으로 도시되었으나 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 두 개 또는 네 개 이상의 지지부들이 제공되는 것도 가능하다.
도 1c는 도 1b의 대향 내벽(110IW)에 인접한 일부분(P1)을 확대한 평면도이다. 도 1d 및 1e는 각각 도 1c의 일부분을(P11, P12) 확대한 평면도들이다. 설명의 편의상 도 1c 내지 1e에서 대향 내벽(110IW)의 일부 및 지지부들(140)을 제외한 구성요소는 생략되었다.
도 1b 내지 도 1e를 참조하면, 내부 수조(100)의 측벽(110) 중 일부는 기판과 평행한 평판 형태일 수 있다. 내부 수조(100)의 측벽(110) 중 한 쌍의 대향 내벽들(110IW)은 기판(S)을 사이에 두고 이격되어 배치될 수 있다. 대향 내벽들(110IW)은 기판을 중심으로 대칭적인 프로파일을 포함할 수 있다. 대향 내벽들(110IW)은 수직면(100SV) 및 제1 내지 제5 경사면들(110S1, 110S2, 110S3, 110S4, 110S5)을 가질 수 있다. 수직면(110SV)은 기판의 바닥벽(120)에 대하여 수직인 평면에 해당할 수 있다. 수직면(110SV)의 높이, 즉 제2 방향(Y) 길이는 상기 바닥벽(120)으로부터 상기 수직면(110SV)에 인접한 지지부(140)의 중심까지 거리와 실질적으로 동일할 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고 수직면(110SV)의 제2 방향(Y) 길이는 상기 바닥벽(120)으로부터 상기 수직면(110SV)에 인접한 지지부(140)의 중심까지 거리보다 더 크거나 작을 수 있다.
수직면(110SV) 상에 제1 내지 제5 경사면들(110S1, 110S2, 110S3, 110S4, 110S5)이 순차적으로 배치될 수 있다. 제1 내지 제5 경사면들(110S1, 110S2, 110S3, 110S4, 110S5)은 바닥벽(120)에 대해 소정의 경사를 지닌 평면에 해당할 수 있다. 제1 경사면(110S1)은 수직면(110SV)에 연결될 수 있다. 제2 경사면(110S2)은 제1 경사면(110S1)에 연결될 수 있다. 제3 경사면(110S3)은 제2 경사면(110S2)에 연결될 수 있다. 제4 경사면(110S4)은 제3 경사면(110S3)에 연결될 수 있다. 제4 경사면(110S4)은 제5 경사면(110S5)에 연결될 수 있다. 제1, 제3 및 제5 경사면들(110S1, 110S3, 110S5)은 바닥벽(120) 및 또는 바닥벽의 연장평면을 향할 수 있다. 제1, 제3 및 제5 경사면들(110S1, 110S3, 110S5)은 바닥벽(120)의 상면을 대향하여 경사진 프로파일을 가질 수 있다. 제2 및 제4 경사면들(110S2, 110S4)은 바닥벽(120)을 향하지 않을 수 있다. 제2 및 제4 경사면들(110S2, 110S4)은 바닥벽(120)의 반대 방향을 향할 수 있다.
제1 내지 제5 경사면들(110S1, 110S2, 110S3, 110S4, 110S5)은 바닥벽(120)에 대해 소정의 경사각들을 가질 수 있다. 이때 바닥벽(120)과 제1 내지 제5 경사면들(110S1, 110S2, 110S3, 110S4, 110S5)이 이루는 각은 두 개가 정의될 수 있다. 이하에서는 관습적인 방식과 동일하도록 두 평면이 이루는 두 개의 각 중 더 작은 것을 두 평면이 이루는 각으로 지칭하기로 한다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 돌출부(110P1)는 제1 및 제2 경사면(110S1, 110S2)을 포함할 수 있다. 제1 돌출부(110P1)는 내부 수조(100) 내부의 공간을 향하여 돌출될 수 있다. 대향 내벽들(110IW) 중 어느 하나의 제1 돌출부(110P1)는 대향 내벽들(110IW) 중 다른 하나를 향하여 돌출될 수 있다. 제2 돌출부(110P2)는 제3 및 제4 경사면(110S3, 110S4)을 포함할 수 있다. 제2 돌출부(110P2)는 내부 수조(100) 내부의 공간을 향하여 돌출될 수 있다. 대향 내벽들(110IW) 중 어느 하나의 제2 돌출부(110P2)는 대향 내벽들(110IW) 중 다른 하나를 향하여 돌출될 수 있다. 제1 돌출부(110P1)는 제2 돌출부(110P2) 보다 내부 수조(100) 내부의 공간을 향하여 더 돌출될 수 있다. 제1 돌출부(110P1)와 기판(W) 사이의 최단 거리는 제2 돌출부(110P2)와 기판(W) 사이의 최단 거리보다 더 짧을 수 있다. 기판(W)이 지지부(140)에 대해 완전히 고정되지 않아, 지지부(140)에 의해 회전함에 따라 진동할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 및 제2 돌출부(110P1, 110P2)는 진동하는 기판(W)과 접촉하지 않도록 지지부(140)에 의해 지지되는 기판(W)과 충분히 이격되도록 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면 복수개의 진동자들(130)이 제공된 경우, 최외각에 배치된 진동자들(130)에서 발생한 파동이 제1 경사면(110S1)에 도달할 수 있다. 제1 경사면(110S1)의 길이는 최외각에 배치된 진동자들(130)이 발생시킨 파동이 전부 제1 경사면(110S1)에 의해 반사되도록 바닥벽(120)과 소정의 각도를 이루며 소정의 길이로 연장될 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 하나의 진동자(130)에 의해 발생된 파동의 일부, 또는 진동자들(130) 중 일부에 의해 발생된 파동이 제1 경사면(110S1)에 도달할 수 있다.
하나의 대향 내벽(110IW)의 제1 경사면(110S1)에 의해 반사된 파동은 다른 대향 내벽(110IW)의 제3 경사면(110S3)에 도달할 수 있다. 제3 경사면(110S3)은 제1 경사면(110S1)에 의해 반사된 파동의 전부가 제3 경사면(110S3)에 의해 반사되도록 바닥벽(120)과 소정의 각도를 이루며 소정의 길이로 연장될 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 경사면(110S1)에 의해 반사된 파동의 일부만이 제3 경사면(110S3)에 의해 반사될 수 있다. 이어서, 하나의 대향 내벽(110IW의) 제3 경사면(110S3)에 의해 반사된 파동은 다른 대향 내벽(110IW)의 제5 경사면(110S5)에 도달할 수 있다. 제5 경사면(110S5)은 제3 경사면(110S3)에 의해 반사된 파동의 전부가 제5 경사면(110S5)에 의해 반사되도록 바닥벽(120)과 소정의 각도를 이루며 소정의 길이로 연장될 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 제3 경사면(110S3)에 반사된 파동의 일부만이 제5 경사면(110S5)에 도달할 수 있다.
진동자(130)에 의해 발생된 파동은 대향 내벽(110IW)에 도달한 후 반사의 법칙을 따라서 진행할 수 있다. 즉, 파동의 대향 내벽(110IW)에 대한 입사각과 반사각은 실질적으로 동일할 수 있다. 이때 입사각과 반사각은 일반적인 정의와 마찬가지로, 입사 평면의 법선을 기준하여 정의될 수 있다. 도면에 도시되었듯 제1 내지 제5 경사면들(110S1, 110S2, 110S3, 110S4, 110S5)이 바닥벽(120)과 이루는 각도, 또는 제1 방향(X)과 제3 방향(Y)에 의한 평면과 이루는 각도를 제1 내지 제5 경사각들(θ1, θ2, θ3, θ4¸ θ5)이라 지칭한다.
여기서, 도 1d를 참조하면 진동자들(130)은 직진성의 파동을 유체(FLD)에 전달하므로 제1 경사면(110S1)으로 입사하는 파동의 진행 방향은 바닥벽(120)과 실질적으로 수직할 수 있다. 이때 제1 내지 제3 보조선(X1, X2, X3)은 제1 방향과 실질적으로 평행한 가상의 선들이다. 제1 보조선(X1)은 수직면(110SV)과 제1 경사면(110S1)의 교선으로부터 제1 방향(X)과 실질적으로 평행한 방향으로 연장될 수 있다. 제2 보조선(X2)은 제2 경사면(110S2)과 제3 경사면(110S3)의 교선으로부터 제1 방향(X)과 실질적으로 평행한 방향으로 연장될 수 있다. 제3 보조선은 제4 경사면(110S4)과 제5 경사면(110S5)의 교선으로부터 제1 방향(X)과 실질적으로 평행한 방향으로 연장될 수 있다. 통상의 기술자는 기하학적 해석을 통해 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)이 직교함을 바탕으로 제1 경사면(110S1)에 입사하는 파동의 입사각이 제1 경사각(θ1)과 동일함을 알 수 있다. 따라서 제1 경사면(110S1)과 제1 경사면(110S1)에 입사 또는 반사되는 파동의 진행 방향이 이루는 각도는 90°- θ1으로 결정될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면 제1 경사면(110S1)에 반사된 파동의 진행 방향이 바닥벽(120)과 이루는 각도인 제1 지향각(α)은 다음의 수학식 1에 의해 결정된다.
[수학식 1]
Figure 112017064819448-pat00001
이때 파동은 유체(FLD)를 매질로 하여 내부 수조(100)의 바닥벽(120)과 실질적으로 멀어지는 방향으로 진행할 수 있다. 이에 따라 제1 경사각(θ1)은 아래 수학식 2에 따른 범위를 가질 수 있다.
[수학식 2]
Figure 112017064819448-pat00002
또한 제1 경사각(θ1)은 제1 경사면(110S1)에 의해 반사된 파동이 지지부들(140)에 도달하지 않도록 하는 소정의 값으로 결정될 수 있다. 제1 경사각(θ1)에 의해 반사된 파동이 지지부들(140) 위로 지나가도록 소정의 값으로 결정될 수 있다.
도면상 제1 경사면(110S1)과 제1 수직면(110SV)의 교선으로부터, 가장 인접한 지지부(140)까지 제1 방향(X) 변위를 제1 변위(ΔX1), 제2 방향(Y) 변위를 제1 변위(ΔY1)라고 한다면 제1 지향각(α)은 다음의 [수학식 3]을 만족할 수 있다.
[수학식 3]
Figure 112017064819448-pat00003
여기서 arctan는 탄젠트의 역함수를 의미한다.
하나의 대향 내벽(110IW)의 제2 경사면(110S2)은 다른 대향 내벽(110IW)의 제1 경사면(110S1)에 의해 반사된 파동이 제2 경사면(110S2)에 도달하지 않도록 바닥벽(120)과 소정의 경사각을 가질 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 제2 경사면(110S2)은 제1 경사면(110S1)에 의해 반사된 파동의 일부가 제2 경사면(110S2)에 도달하도록 바닥벽(120)과 소정의 경사각을 가질 수 있다. 제2 경사면(110S2)은 제1 지향각(α) 보다 같거나 더 작은 제2 경사각(θ2)을 가질 수 있다. 제2 경사면(110S2)은 구현하려는 공동 분포 및 음향장 분포 환경에 따라 바닥벽(120)에 대해 소정의 각도를 가지며 소정의 길이로 연장될 수 있다.
제2 경사면(110S2)과 제3 경사면(110S3) 사이의 각도는 전술한 제2 및 제3 경사각(θ2, θ3)의 합으로 나타날 수 있다. 여기서 제2 경사면(110S2)과 제3 경사면(110S3) 사이의 각도는 내부 수조(100) 내에 정의될 수 있는 각도를 말한다. 제2 및 제3 경사각(θ2, θ3)의 합이 90°이하가 되는 경우 제2 및 제3 경사면(110S2, 110S3)에 의해 정의되는 공간에 와류가 형성될 수 있다. 이에 따라 기판(W) 표면으로부터 제거된 미세입자가 외부로 방출되지 못하고, 제2 및 제3 경사면(110S2, 110S3) 사이에 형성된 와류에 갖힐 수 있고 이후에 기판(W)에 재부착되는 문제가 발생할 수 있다. 제2 및 제3 경사면(110S2, 110S3)는 제2 및 제3 경사면(110S2, 110S3)의 사이에 와류가 형성되지 않도록 배치될 수 있다. 제2 및 제3 경사각(θ2, θ3)의 합 θ2+θ3은 90°이상일 수 있다.
이제 도 1e를 참조하면, 제3 경사면(110S3)에 제1 지향각(α)으로 입사한 파동이 제3 경사면(110S3)에 반사되어 바닥벽(120)에 대해 제2 지향각(β)을 가지고 진행할 수 있다. 제2 지향각(β)은 제1 지향각(α) 및 제3 경사각(θ3)과 소정의 관계를 가질 수 있다. 제2 지향각(β)은 다음의 [수학식 4]에 의해 결정될 수 있다.
[수학식 4]
Figure 112017064819448-pat00004
따라서, 제2 지향각(β)은 아래 [수학식 5]와 같이 제1 및 제3 경사각(θ1, θ3)에 의해 결정될 수 있다.
[수학식 5]
Figure 112017064819448-pat00005
제1 지향각(α) 및 제3 경사각(θ3)에 대한 제2 지향각(β)의 관계와 제2 지향각(β) 및 제5 경사각(θ5)에 대한 제3 지향각(γ)의 관계는 유사하다. 따라서 위의 [수학식 5]를 제3 지향각(γ)에 유추하여 적용할 수 있다. 제3 지향각(γ)은 아래 [수학식 6]과 같이 제1, 제3 및 제5 경사각(θ1, θ3, θ5) 의해 결정될 수 있다.
[수학식 6]
Figure 112017064819448-pat00006
예시적인 실시예들에 따르면 제1 지향각(α)은 제2 지향각(β)보다 클 수 있고, 제2 지향각(β)은 제3 지향각(γ) 보다 클 수 있으며, 제1 지향각(α)은 제3 지향각(γ)보다 클 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예시적인 실시예들에 따르면, 대향 내벽들(110IW)에 의해 반사된 파동이 진행하는 각도인 제1 내지 제3 지향각(α, β, γ)은 제1, 제3 및 제5 경사각(θ1, θ3, θ5)에 의해 결정될 수 있다. 따라서 제1, 제3 및 제5 경사각(θ1, θ3, θ5)을 소정의 값으로 설계하여 목표하는 음향장 분포 및/또는 공동 분포를 구현할 수 있다.
또한 하나의 대향 내벽(110IW)의 제4 경사면(110S4)은 다른 대향 내벽(110IW)의 제3 경사면(110S3)에 의해 반사된 파동이 도달하지 않는 경사각을 가질 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 제3 경사면(110S3)에 의해 반사된 파동의 일부가 제4 경사면(110S4)에 도달할 수 있다. 제4 경사면(110S4)은 바닥벽(120)의 반대방향을 향하되, 제2 지향각(β) 보다 같거나 더 작은 제4 경사각(θ4)을 가질 수 있다. 제4 경사면(110S4)은 구현하려는 음향장 환경에 따라 바닥벽(120) 소정의 각도를 이루며 적절한 길이로 연장될 수 있다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면 다섯 개의 경사면이 주어지고, 그 중 셋이 바닥벽을 대향하고, 나머지 둘이 바닥벽을 대향하지 않는 것으로 도시되었으나 이에 제한되는 것은 아니다. 공동 분포 또는 음향장 분포 특성에 따라 그 이상 또는 이하의 경사면들이 제공될 수 있다. 이에 따라 하나 또는 세개 이상의 돌출부가 제공될 수 있다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 효과를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4a를 참조하면 종래의 내부 수조(100P)는 바닥벽(120)과 연결되고 바닥벽(120)과 실질적으로 수직한 측벽(110P)을 포함할 수 있다. 종래의 내부 수조(100P) 내에 배치된 기판(W)은 공동이 발생하지 않는 쉐이딩 영역(S)을 포함하였다. 쉐이딩 영역(S)은 파동의 직진성에 의해 기판 상의 복수개의 지지부들(140)에 의해 가려진 영역에 진동자(130)에 의해 발생한 파동이 도달하지 않기 때문에 발생한다. 실험 결과에 따르면 기판(W)의 약 30%정도의 영역에서 공동이 발생하지 않는다. 이와 같은 불균일한 공동 분포에 의해 세정의 균일성 및 세정 효율이 저하되는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 롤러 형태의 지지부들(140)이 기판을 회전시켰으나, 기판(S) 전면에 균일하게 공동이 제공된 경우에 비해 세정의 균일성 및 효율이 떨어지는 문제점이 있었다. 이에 따라 기판(W)에 잔존하는 미세 입자들이 후속하는 브러쉬 스크럽등의 공정에서 기판의 긁힘(scratch), 깨짐(break) 및/또는 빠짐(Chipping) 등의 하자를 유발할 수 있다. 이러한 하자는 반도체 소자 제조 수율을 저하시키는 하나의 중요한 문제가 될 수 있다. 또한 측벽(110P)에 인접하게 배치된 진동자(130)에 의해 발생하는 파동 형태의 에너지의 적어도 일부가 기판(W)에 도달하지 못하고 낭비되는 문제점이 있었다.
도 4b를 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 내부 수조(100)는 복수개의 경사면들을 포함하는 대향 내벽(110IW)을 포함한다. 이에 따라 진동자(130)에 의해 발생되는 파동 형태의 에너지가 대향 내벽(110IW)에 반사되어 기판(W)의 대부분의 영역상을 진행하게 된다. 일부 실시예들에 따르면, 기판 전체 영역 중 약 95% 이상의 영역에서 공동이 형성될 수 있다. 이에 따라 내부 수조(100) 내의 기판 전면에 균일하게 공동을 제공할 수 있도록 구성된 메가 소닉 세정 장치를 제공할 수 있다. 따라서, 메가 소닉 세정 장치의 세정 효율 및 신뢰도가 향상될 수 있고, 후속 공정에서 불량 발생을 방지하여 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
도 2a는 일부 실시예들에 따른 메가 소닉 세정 장치에 포함될 수 있는 내부 수조(200)를 도시한 평면도이다. 도 2b는 도 2a의 대향 내벽(210IW)에 인접한 일부(P1')를 확대한 평면도이고, 도 2c는 도 2b의 일부(P2')를 확대한 평면도이다. 설명의 편의를 위해 도 1a 내지 1e를 이용하여 설명한 것과 중복되는 것은 생략하고 차이점을 위주로 기술하기로 한다.
도 2a 내지 2c를 참조하면 내부 수조(200)는 바닥벽(220), 한 쌍의 대향 내벽들(210IW)을 포함하는 측벽(210) 및 복수개의 지지부들(140)을 포함한다. 내부 수조(200)는 내부에 유체(FLD)를 수용할 수 있도록 구성되며, 유체(FLD)는 도 1a를 참조하여 설명한 것과 동일하다. 한 쌍의 대향 내벽들(210IW)은 바닥벽(220)에 대해 실질적으로 수직하고 바닥벽(220)과 연결된 수직면(210SV)을 포함한다. 한쌍의 대향 내벽들(210IW)은 바닥벽(220) 상에 순차적으로 배치되고, 순차적으로 서로 연결된 제1 내지 제5 경사면들(210S1, 210S2, 210S3, 210S4, 210S5)을 포함할 수 있다.
제1 내지 제5 경사면들(210S1, 210S2, 210S3, 210S4, 210S5)은 바닥벽(220)의 상면과 각각 순서대로 제1 내지 제5 경사각들(θ1', θ2', θ3', θ4', θ5')을 이룰 수 있다. 도 2b 및 도 2c의 제1 내지 제3 보조선들(X1', X2', X3')은 제1 방향(X)에 평행할 수 있다. 제1 보조선(X1')은 제1 경사면(210S1)으로부터 제1 방향(X)으로 연장될 수 있다. 제2 보조선(X2')은 제2 경사면(210S2) 및 제3 경사면(210S3) 사이의 교선으로부터 제1 방향(X)으로 연장될 수 있다. 제3 보조선(X3')은 제4 경사면(210S4) 및 제5 경사면(210S5) 사이의 교선으로부터 제1 방향(X)으로 연장될 수 있다.
제1 진동자(230a)는 바닥벽(220)에 배치되되 도 1a 내지 1e를 이용하여 설명한 진동자(130)와 실질적으로 동일할 수 있다. 제2 진동자(230b)는 대향 내벽들(210IW)에 배치되되 도 1a 내지 1e를 이용하여 설명한 진동자(130)와 실질적으로 동일할 수 있다. 제2 진동자(230b)는 대향 내벽들(210IW)의 제1 경사면(210S1)에 배치될 수 있다. 제2 진동자(230b)는 유체(FLD)에 제1 경사면(210S1)과 실질적으로 수직한 방향으로 진행하는 파동 형태의 에너지를 전달할 수 있다. 이에 따라 제2 진동자(230b)에 의해 발생된 파동의 진행방향과 바닥벽(220)이 이루는 각도인 제1 지향각(α1')은 아래의 [수학식 7]에 의해 결정될 수 있다.
[수학식 7]
Figure 112017064819448-pat00007
일부 실시예들에 따르면 제1 경사면(210S1)은 바닥벽(220) 및 또는 그의 연장 평면의 반대 방향을 향할 수 있다. 제1 경사면(210S1)은 유체(FLD)와 외부 기체와의 경계면, 즉 내부 수조(200)에 수용된 유체(FLD)의 상면을 향할 수 있다. 이에 따라 제2 진동자(230b)에 의해 발생한 파동은 위로 진행할 수 있다. 파동은 유체(FLD)를 매질로하여 내부 수조(200)의 바닥벽(220)과 멀어지는 방향으로 진행할 수 있다. 이에 따라 제1 경사각(θ1')은 아래 [수학식 8]에 따른 범위를 가질 수 있다.
[수학식 8]
Figure 112017064819448-pat00008
도 2a 내지 2c를 참조하면 제1 경사면(210S1)의 최하단과 제1 경사면(210S1)에 가장 인접한 지지부(140)의 중심은 바닥벽(220)으로부터 실질적으로 동일한 레벨 상에 배치될 수 있다. 다시 말해, 제1 경사면(210S1)의 최하단으로부터 바닥벽(220) 사이의 제2 방향(Y) 거리와 제1 경사면(210S1)에 가장 인접한 지지부(140)의 중심과 바닥벽(220) 사이의 거리가 실질적으로 동일할 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 경사면(210S1)의 최하단이 가장 인접한 지지부(140)의 중심보다 바닥벽(220)으로부터 더 멀리 이격되거나, 바닥벽(220)에 더 인접한 것도 가능하다.
예시적인 실시예들에 따르면 제2 진동자(230b)에서 발생한 파동은 복수개의 지지부들(140) 상으로 진행할 수 있다. 제2 진동자(230b)에서 발생한 파동은 제2 진동자(230b)에 가장 인접한 지지부(140) 상으로 진행할 수 있다. 제2 진동자(230b)의 최하단과 가장 인접한 지지부(140) 사이의 제1 방향(X) 변위를 제1 변위(ΔX'), 제2 방향(Y) 변위를 제2 변위(ΔY')라고 한다면 제1 지향각(α)은 다음의 [수학식 9]을 만족할 수 있다.
[수학식 9]
Figure 112017064819448-pat00009
이어서 제2 내지 제5 경사각(θ2', θ3', θ4', θ5')과 제2 및 제3 지향각들(β', γ')의 정의 및 관계는 도 1c 내지 1e를 참조하여 설명한 것과 유사하므로 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
예시적인 실시예들에 따르면 제2 진동자(230b)가 유체(FLD)에 전달한 파동 형태의 에너지는 지지부들(140)상으로 진행하며 대향 내벽들(210IW)에 반사되어, 기판(W) 전면에 균일하게 진행된다. 이에 따라, 지지부들(140)에 의해 유발되는 기판(W) 상의 쉐이딩 영역(미도시)의 면적을 감소시킬 수 있다. 이에 따라 기판(W) 전체에 균일한 공동 분포를 제공할 수 있는 메가 소닉 세정 장치를 제공할 수 있다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 메가 소닉 세정 장치에 포함될 수 있는 내부 수조(300)를 도시한 평면도이다.
설명의 편의상 도 1a 내지 1e를 이용하여 설명한 것과 중복되는 설명은 생략하고 차이를 위주로 기술하기로 한다.
도 3을 참조하면, 내부 수조(300)는 바닥벽(320) 및 바닥벽(320)에 연결된 측벽(310)을 포함하여 그 내부 공간에 유체(FLD)를 수용할 수 있도록 구성된다. 이때 내부 공간이라 함은, 측벽(310) 및 바닥벽(320)에 의해 정의되는 공간을 의미한다. 내부 수조(300)는 기판(W)을 지지하도록 구성된 복수개의 지지부들(140)을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면 바닥벽(320)은 곡면에 해당할 수 있다. 바닥벽(320)은 U자형일 수 있다. 바닥벽(320)의 상면의 프로파일은 타원, 원, 포물선, 쌍곡선들 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 진동자(330)는 바닥벽(320)에 제공될 수 있다.
진동자(330)는 도 1a를 이용하여 설명한 진동자(130)와 실질적으로 동일하므로 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. 진동자(330)는 바닥벽(320)을 따라서 균일하게 배치될 수 있다. 예컨대, 복수개의 진동자들(330)이 제공된 경우, 복수개의 진동자들(330)은 바닥벽(320)을 따라서 등간격으로 제공될 수 있다. 복수개의 진동자들(330)은 바닥벽(320)의 곡면을 따라서 서로 이격되고 정렬되어 배치되되 복수개의 진동자들(330) 중 이웃한 두 진동자들(330) 사이의 바닥벽(320)의 곡면을 따른 거리가 서로 실질적으로 동일할 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 바닥벽(320)을 따라서 연장되는 하나의 진동자(330)가 제공될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면 진동자들(330)은 유체(FLD)에 바닥벽(320)의 각 부분들에 대한 법선 방향으로 파동 형태의 에너지를 전달할 수 있다. 따라서 지지부들에 의해 유발되는 기판(W) 상의 쉐이딩 영역(미도시)의 면적을 감소시킬 수 있다. 이에 따라 기판(W) 전체에 균일한 공동 분포를 제공할 수 있는 메가 소닉 세정 장치를 제공할 수 있다.
지금까지, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100, 200, 300: 내부 수조, 110: 측벽, 110IW: 대향 내벽 110S1, 110S2, 110S3, 110S4, 110S5: 경사면, 110SV: 수직면, 120: 바닥벽, 130, 230a, 230b, 330: 진동자 140: 지지부 θ1, θ2, θ3, θ4, θ5: 경사각, α, β, γ: 지향각, W: 기판, FLD: 유체

Claims (10)

  1. 한 쌍의 대향 내벽들 및 상기 한 쌍의 대향 내벽들과 연결된 바닥면을 가지며 유체를 내부에 수용할 수 있도록 구성된 용기;
    상기 용기 내의 소정의 위치에 배치되고 기판을 지지하도록 구성된 복수개의 지지부들; 및
    상기 바닥면에 배치되고 상기 유체에 파동 형태의 에너지를 전달할 수 있도록 구성된 적어도 하나의 진동자를 포함하고,
    상기 한 쌍의 대향 내벽들은, 각각 상기 용기의 내측으로 돌출된 제1 돌출부 및 각각 상기 용기의 내측으로 돌출되고 상기 제1 돌출부 상에 배치된 제2 돌출부를 가지며,
    상기 제1 돌출부와 상기 바닥면 사이의 최단거리는 상기 복수개의 지지부들의 중심과 상기 바닥면 사이의 거리와 같거나 더 크고,
    상기 제1 돌출부는, 상기 바닥면을 대향하는 평면인 제1 경사면 및 상기 제1 경사면과 연결된 평면인 제2 경사면을 가지며, 및
    상기 제2 돌출부는, 상기 제2 경사면과 연결되고 상기 바닥면을 대향하는 평면인 제3 경사면을 가지는 것을 특징으로 하는 메가 소닉 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 돌출부와 상기 바닥면 사이의 최단 거리와 상기 복수개의 지지부들의 상기 중심과 상기 바닥면 사이의 최단 거리는 동일한 것을 특징으로 하는 메가 소닉 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 한 쌍의 대향 내벽들은 상기 기판을 중심으로 대칭인 것을 특징으로 하는 메가 소닉 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 돌출부의 상기 제1 경사면은 상기 제1 경사면에 도달한 상기 파동 형태의 에너지가 상기 제1 경사면에 반사되어 상기 복수개의 지지부들의 위로 진행하도록 구성된 것을 특징으로 하는 메가 소닉 세정 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 경사면에 반사된 상기 파동 형태의 에너지의 진행 방향과 상기 제2 경사면은 서로 평행한 것을 특징으로 하는 메가 소닉 세정 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 경사면에 반사된 상기 파동 형태의 에너지의 진행방향과 상기 바닥면 사이의 각도인 제1 지향각은 상기 제3 경사면에 반사된 상기 파동 형태의 에너지의 진행 방향과 상기 바닥면 사이의 각도인 제2 지향각보다 더 큰 것을 특징으로 하는 메가 소닉 세정 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 돌출부에 반사된 상기 파동 형태의 에너지는 상기 바닥면으로부터 더 멀어지는 방향으로 진행하는 것을 특징으로 하는 메가 소닉 세정 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 경사면의 연장 평면과 상기 바닥면이 이루는 각도 중 더 작은 것은 0도 보다 크고 45도 보다 작은 것을 특징으로 하는 메가 소닉 세정 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 돌출부는 상기 제2 돌출부보다 상기 용기의 내측으로 더 돌출된 것을 특징으로 하는 메가 소닉 세정 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 돌출부는 상기 제3 경사면과 연결된 평면인 제4 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 메가 소닉 세정 장치.

KR1020170085927A 2017-07-06 2017-07-06 메가 소닉 세정 장치 KR102361643B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170085927A KR102361643B1 (ko) 2017-07-06 2017-07-06 메가 소닉 세정 장치
US15/870,456 US10937670B2 (en) 2017-07-06 2018-01-12 Megasonic cleaner

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170085927A KR102361643B1 (ko) 2017-07-06 2017-07-06 메가 소닉 세정 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190005378A KR20190005378A (ko) 2019-01-16
KR102361643B1 true KR102361643B1 (ko) 2022-02-10

Family

ID=64902894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170085927A KR102361643B1 (ko) 2017-07-06 2017-07-06 메가 소닉 세정 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10937670B2 (ko)
KR (1) KR102361643B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113237179B (zh) * 2021-06-24 2022-07-22 河南省肿瘤医院 一种多人病房空气净化系统及方法
KR20230023957A (ko) * 2021-08-11 2023-02-20 삼성전자주식회사 반도체 검사 장치 및 방법
US12042827B1 (en) * 2023-05-09 2024-07-23 Yield Engineering Systems, Inc. Integrated ultrasonics and megasonics cleaning

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009125645A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Pre-Tech Co Ltd 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
JP2011255274A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2696017B2 (ja) 1991-10-09 1998-01-14 三菱電機株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
US6148833A (en) 1998-11-11 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Continuous cleaning megasonic tank with reduced duty cycle transducers
US6523557B2 (en) 2000-12-13 2003-02-25 Imtec Acculine, Inc. Megasonic bath
US7165565B2 (en) 2002-12-16 2007-01-23 Applied Materials, Inc. Megasonic wafer cleaning tank with reflector for improved wafer edge cleaning
EP1635960A2 (en) * 2003-06-06 2006-03-22 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus to process substrates with megasonic energy
KR100526214B1 (ko) 2003-09-25 2005-11-03 주식회사 실트론 메가소닉을 이용한 웨이퍼 세정장치
US20070006892A1 (en) 2005-07-08 2007-01-11 Imtec Acculine, Inc. Uniform, far-field megasonic cleaning method and apparatus
US8486199B2 (en) 2011-07-22 2013-07-16 Lam Research Ag Ultrasonic cleaning method and apparatus
JP2014075383A (ja) 2012-10-02 2014-04-24 Renesas Electronics Corp 半導体製造装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009125645A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Pre-Tech Co Ltd 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
JP2011255274A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10937670B2 (en) 2021-03-02
KR20190005378A (ko) 2019-01-16
US20190013218A1 (en) 2019-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102361643B1 (ko) 메가 소닉 세정 장치
KR101384595B1 (ko) 초음파 세정 장치 및 초음파 세정 방법
KR100931856B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
US20130167881A1 (en) Composite transducer apparatus and system for processing a substrate and method of constructing the same
JP5466638B2 (ja) 半導体基板を洗浄する装置及び方法
TW200623247A (en) A substrate processing apparatus and method
US20070006892A1 (en) Uniform, far-field megasonic cleaning method and apparatus
CN101540269B (zh) 清洁半导体基材的方法和装置
CN112371645B (zh) 声波清洗装置及晶圆清洗设备
JPH079900B2 (ja) 超音波洗浄装置
CN102327883B (zh) 兆声波清洗头及具有该清洗头的兆声波清洗系统
KR100952087B1 (ko) 패터닝된 기판의 메가소닉 세정을 위한 방법 및 장치
WO2004030052A2 (en) Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
KR101551271B1 (ko) 반사파 방지를 위한 초음파 세정 장치 및 이를 이용한 세정 시스템
CN102430543B (zh) 晶圆的清洗装置及清洗方法
KR101001312B1 (ko) 초음파 세정 장치
JP5592734B2 (ja) 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
KR20130142662A (ko) 초음파 세정 장치
TWI528436B (zh) 用以處理平坦物體之聲波能量系統、方法及裝置
JPH0669550B2 (ja) 超音波洗浄装置と被洗浄物保持具
KR20060132246A (ko) 음향 진동을 이용한 웨이퍼 세정 장비
JP5531489B2 (ja) ウェーハ端面の洗浄方法及び装置、並びに洗浄液供給装置
JP5320845B2 (ja) 洗浄装置、洗浄方法及び電子デバイスの製造方法
KR102350244B1 (ko) 기판 처리 장치와 기판 처리 방법 및 진동발생장치
KR20100047462A (ko) 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant