JP2006189576A - フォトマスクおよびその製造方法、電子素子の製造方法 - Google Patents
フォトマスクおよびその製造方法、電子素子の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 フォトマスク基板上において、デバイスチップ領域を囲む外部領域を露光し、ダミー遮光パターンを形成することにより、エッチング量を減少させる。
【選択図】 図7
Description
図5(A)は、ポジ型フォトマスクのデバイスチップ領域におけるCrパターン占有面積率(デバイスチップ内描画面積率)と、石英ガラス基板21全面において図2(C)のドライエッチング工程でエッチング除去されるCr膜22の割合、すなわちエッチング面積率の関係を、図5(B)は、ネガ型フォトマスクの場合における、同様なデバイスチップ領域におけるCrパターン占有面積率(デバイスチップ内描画面積率)と、前記石英ガラス基板11前面におけるCr膜11のエッチング面積率の関係を示す。ただし、◆は前記デバイスチップ領域が100×80mmの大きさを、■は前記デバイスチップ領域が100×120mmの大きさを、さらに△は前記デバイスチップ領域が108×132mmの大きさを有する場合を示す。図5(A)および(B)の関係は、本発明者が、本願発明の基礎となる研究において見出したものである。
[第2実施例]
図12(A),(B)は、本発明の第2実施例によるフォトマスクの作製工程、特に図8(A)の描画工程において使われる露光データを示す。
[第3実施例]
図13は、本発明の第3実施例によるフォトマスクの作製工程を示す。
[第4実施例]
図14は、本発明の第4実施例によるフォトマスクの作製工程を示す。
[第5実施例]
以上の実施例では本発明を、石英ガラス基板上にCrなどの遮光パターンを直接に形成した、いわゆるバイナリ型のフォトマスクを例に説明したが、本発明はいわゆる超解像技術を使ったハーフトーンマスクの作製にあたっても有効である。
[第6実施例]
以下に、このようなハーフトーンフォトマスクを使ったフォトリソグラフィ工程によりシリコン基板上に半導体素子パターンを形成する例を図17(A)〜図18(D)を参照しながら説明する。
ネガ型レジストを用いて作製されたフォトマスクであって、
デバイスチップ領域が画成された透明基板と、
前記透明基板上、前記デバイスチップ領域中に形成された遮光デバイスパターンと、
前記透明基板上、前記デバイスチップ領域の外側に形成されたダミー遮光パターンとよりなることを特徴とするフォトマスク。
前記ダミー遮光パターンは、連続遮光膜よりなることを特徴とする付記1記載のフォトマスク。
前記ダミー遮光パターンは、複数のパターンよりなることを特徴とする付記1記載のフォトマスク。
前記透明基板は、前記デバイスチップ領域外にマークパターンを担持し、前記ダミー遮光パターンは、前記マークパターンを避けて形成されていることを特徴とする付記1〜3のうち、いずれか一項記載のフォトマスク。
前記ダミー遮光パターン中には、前記透明基板のエッジ部において前記透明基板を露出する開口部が形成されていることを特徴とする付記1〜4のうち、いずれか一項記載のフォトマスク。
前記デバイスチップ領域中において、前記透明基板と前記遮光デバイスパターンとの間には、ハーフトーン膜パターンが形成されていることを特徴とする付記1〜5のうち、いずれか一項記載のフォトマスク。
基板上の遮光膜上に形成されたネガレジストを露光し、前記基板上のデバイスチップ領域にネガレジストパターンを形成する工程と、
前記デバイスチップ領域において前記ネガレジストパターンをマスクに前記遮光膜をパターニングし、前記基板上、前記デバイスチップ領域に前記遮光膜により素子パターンを形成する工程とよりなるフォトマスクの製造方法であって、
さらに前記基板上の前記デバイスチップ領域外の外部領域において前記ネガレジストを露光する工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
前記外部領域を露光する工程は、前記外部領域について、前記基板のエッジ部およびマーク形成部を除き、一様に実行されることを特徴とする付記7記載のフォトマスクの製造方法。
前記外部領域において前記ネガレジスト膜を露光する工程は、前記デバイスチップ領域を露光する露光データとは別の露光データに基づいて実行されることを特徴とする付記7または8記載のフォトマスクの製造方法。
前記外部領域において前記ネガレジスト膜を露光する工程は、多重描画技術を適用せずに実行されることを特徴とする付記7〜9のうち、いずれか一項記載のフォトマスクの製造方法。
前記外部領域において前記ネガレジスト膜を露光する工程は、前記フォトマスクを製造するのに使われる露光工程の最後に実行されることを特徴とする付記7〜10のうち、いずれか一項記載のフォトマスクの製造方法。
前記デバイスチップ領域にネガレジストパターンを形成する際の前記ネガレジストを露光する工程は、第1の露光装置において実行され、
前記外部領域において前記ネガレジストを露光する工程は、第2露光装置において実行されることを特徴とする付記7〜10のうち、いずれか一項記載のフォトマスクの製造方法。
付記1〜6のうち、いずれか一項記載のフォトマスクを使った露光工程を含む電子装置の製造方法。
11A,41A デバイスチップ領域
11B,42B ブラインドパターン
11C,42C マスク製造マーク
12,22,42,63 遮光膜
13,43,64,65 ネガ型レジスト
14 ポジ型レジスト
41D 外部領域
41E 基板エッジ部
42D ダミー遮光パターン
42d カットアウト
42G ダミー遮光パターンカットアウト
51 描画装置クランプ機構
62 ハーフトーン膜
110 シリコン基板
112 素子分離絶縁膜
114 犠牲酸化膜
116,124 レジストパターン
118〜122,126〜130 不純物拡散領域
132 ゲート絶縁膜
136 反射防止膜
138 レジスト膜
140n,140p ゲート電極
Claims (10)
- ネガ型レジストを用いて作製されたフォトマスクであって、
デバイスチップ領域が画成された透明基板と、
前記透明基板上、前記デバイスチップ領域中に形成された遮光デバイスパターンと、
前記透明基板上、前記デバイスチップ領域の外側に形成されたダミー遮光パターンとよりなることを特徴とするフォトマスク。 - 前記ダミー遮光パターンは、連続遮光膜よりなることを特徴とする請求項1記載のフォトマスク。
- 前記透明基板は、前記デバイスチップ領域外にマークパターンを担持し、前記ダミー遮光パターンは、前記マークパターンを避けて形成されていることを特徴とする請求項1または2記載のフォトマスク。
- 前記ダミー遮光パターン中には、前記透明基板のエッジ部において前記透明基板を露出する開口部が形成されていることを特徴とする請求項1〜3のうち、いずれか一項記載のフォトマスク。
- 基板上の遮光膜上に形成されたネガレジストを露光し、前記基板上のデバイスチップ領域にネガレジストパターンを形成する工程と、
前記デバイスチップ領域において前記ネガレジストパターンをマスクに前記遮光膜をパターニングし、前記基板上、前記デバイスチップ領域に前記遮光膜により素子パターンを形成する工程とよりなるフォトマスクの製造方法であって、
さらに前記基板上の前記デバイスチップ領域外の外部領域において前記ネガレジストを露光する工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 前記外部領域において前記ネガレジスト膜を露光する工程は、前記デバイスチップ領域を露光する露光データとは別の露光データに基づいて実行されることを特徴とする請求5記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記外部領域において前記ネガレジスト膜を露光する工程は、多重描画技術を適用せずに実行されることを特徴とする請求項5または6記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記外部領域において前記ネガレジスト膜を露光する工程は、前記フォトマスクを製造するのに使われる露光工程の最後に実行されることを特徴とする請求項5〜7のうち、いずれか一項記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記デバイスチップ領域にネガレジストパターンを形成する際の前記ネガレジストを露光する工程は、第1の露光装置において実行され、
前記外部領域において前記ネガレジストを露光する工程は、第2露光装置において実行されることを特徴とする請求項5〜8のうち、いずれか一項記載のフォトマスクの製造方法。 - 請求項1〜4のうち、いずれか一項記載のフォトマスクを使った露光工程を含む電子装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005000707A JP2006189576A (ja) | 2005-01-05 | 2005-01-05 | フォトマスクおよびその製造方法、電子素子の製造方法 |
US11/126,295 US7524591B2 (en) | 2005-01-05 | 2005-05-11 | Photomask and manufacturing method thereof, fabrication process of an electron device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005000707A JP2006189576A (ja) | 2005-01-05 | 2005-01-05 | フォトマスクおよびその製造方法、電子素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006189576A true JP2006189576A (ja) | 2006-07-20 |
Family
ID=36640846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005000707A Pending JP2006189576A (ja) | 2005-01-05 | 2005-01-05 | フォトマスクおよびその製造方法、電子素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7524591B2 (ja) |
JP (1) | JP2006189576A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015204399A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7785983B2 (en) * | 2007-03-07 | 2010-08-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device having tiles for dual-trench integration and method therefor |
KR101260221B1 (ko) * | 2011-12-01 | 2013-05-06 | 주식회사 엘지화학 | 마스크 |
TWI581072B (zh) * | 2015-11-20 | 2017-05-01 | 力晶科技股份有限公司 | 曝光裝置與曝光方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3495869B2 (ja) | 1997-01-07 | 2004-02-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US6485869B2 (en) * | 1999-10-01 | 2002-11-26 | Intel Corporation | Photomask frame modification to eliminate process induced critical dimension control variation |
JP2002252165A (ja) | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ホールパターン形成方法 |
TWI235415B (en) * | 2003-12-17 | 2005-07-01 | Macronix Int Co Ltd | Method and device for improving uniformity of critical dimension between different patterns of semiconductor devices |
-
2005
- 2005-01-05 JP JP2005000707A patent/JP2006189576A/ja active Pending
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JP2015204399A (ja) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060147817A1 (en) | 2006-07-06 |
US7524591B2 (en) | 2009-04-28 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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