JP2015231921A - 結晶成長用坩堝 - Google Patents
結晶成長用坩堝 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015231921A JP2015231921A JP2014118743A JP2014118743A JP2015231921A JP 2015231921 A JP2015231921 A JP 2015231921A JP 2014118743 A JP2014118743 A JP 2014118743A JP 2014118743 A JP2014118743 A JP 2014118743A JP 2015231921 A JP2015231921 A JP 2015231921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylindrical portion
- crucible
- inner diameter
- crystal
- crystal growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 462
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 90
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 24
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 50
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 45
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 38
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 26
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
最初に、本発明の実施形態を列挙して説明する。
以下、本願発明の実施形態について図を参照しながら詳細に説明する。実施形態の説明に用いられる各図において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとし、重複する説明は繰り返されない場合がある。また、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、必ずしもその個数、量などに限定されない。また、各図は模式的なものであり、長さ、幅および厚さの比率等は実際のものと同一とは限らない。
<結晶成長用坩堝>
第1の実施形態に係る結晶成長用坩堝について説明する。
坩堝10を用いた半導体単結晶の製造方法について説明する。
第1の実施形態において、従来よりも径の大きな種結晶を用いた場合であっても、半導体単結晶における結晶欠陥、特にリネージの発生を抑制することができる。これについて、従来技術と比較しながら説明する。
<結晶成長用坩堝>
第2の実施形態に係る結晶成長用坩堝について説明する。
坩堝30を用いた半導体単結晶の製造方法は、第1の実施形態と同様であるため、その説明は繰り返さない。
第2の実施形態において、従来よりも径の大きな種結晶を用いた場合であっても、製造される半導体単結晶における結晶欠陥の発生を抑制することができる。これについて、従来技術と比較しながら説明する。
<結晶成長用坩堝>
第3の実施形態に係る結晶成長用坩堝について説明する。
坩堝40を用いた半導体単結晶の製造方法は、第1の実施形態と同様であるため、その説明は繰り返さない。
第1の実施形態において詳述したように、従来と比して径の大きな種結晶を用いて欠陥の少ない半導体単結晶を製造するためには、シーディング段階での固液界面の形状を適正化する必要がある。
第3円筒部の下端の内径が50mm以上であり、第3円筒部の厚さT1、底部の厚さT2がT2<T1の関係式を満たす結晶成長用坩堝(図1参照)を用いて、GaAs単結晶を製造した。
第1円筒部の内径:105mm
第3円筒部の内径:85.0mm
第3円筒部の厚さT1:1000μm
底部の厚さT2:750μm。
以下の形状を有する結晶成長用坩堝を用いた以外は、実施例1と同様の方法により、合計10本のGaAs単結晶を製造した。
第1円筒部の内径:105mm
第3円筒部の内径:85.0mm
第3円筒部の厚さT1:1000μm
底部の厚さT2:1000μm。
第3円筒部の下端の内径が50mm以上であり、第3円筒部において、上端の内径D1、下端の内径D2がD2<D1の関係式を満たす結晶成長用坩堝(図4参照)を用いて、GaAs単結晶を製造した。具体的には、以下の形状を有する結晶成長用坩堝を用いた以外は、実施例1と同様の方法により、合計5本のGaAs単結晶を製造した。
第1円筒部の内径:105mm
第3円筒部の上端の内径D1:85.5mm
第3円筒部の下端の内径D2:85.0mm
第3円筒部の厚さT1:1000μm
底部の厚さT2:1000μm。
第3円筒部の下端の内径が50mm以上であり、第3円筒部の厚さT1、底部の厚さT2がT2<T1の関係式を満たし、かつ第3円筒部の上端の内径D1、下端の内径D2がD2<D1の関係式を満たす結晶成長用坩堝を用いて、GaAs単結晶を製造した。具体的には、以下の形状を有する結晶成長用坩堝を用いた以外は、実施例1と同様の方法により、合計10本のGaAs単結晶を製造した。
第1円筒部の内径:105mm
第3円筒部の上端の内径D1:85.5mm
第3円筒部の下端の内径D2:85.0mm
第3円筒部の厚さT1:1000μm
底部の厚さT2:750μm。
第3円筒部の下端の内径が100mm以上であり、第3円筒部の厚さT1、底部の厚さT2がT2<T1の関係式を満たし、かつ第3円筒部の上端の内径D1、下端の内径をD2がD2<D1の関係式を満たす結晶成長用坩堝を用いて、GaAs単結晶を製造した。具体的には、まず、以下の形状を有する結晶成長用坩堝を準備した。
第1円筒部の内径:160mm
第3円筒部の上端の内径D1:140.0mm
第3円筒部の下端の内径D2:139.4mm
第3円筒部の厚さT1:1100μm
底部の厚さT2:800μm。
以下の形状を有する結晶成長用坩堝を用いた以外は、実施例4と同様の方法により、合計5本のGaAs単結晶を製造した。
第1円筒部の内径:160mm
第3円筒部の上端の内径D1:139.5mm
第3円筒部の下端の内径D2:85.0mm
第3円筒部の厚さT1:1100μm
底部の厚さT2:1100μm。
第3円筒部の下端の内径が50mm以上であり、底部は、結晶成長用坩堝の内側に向けてたわんでおり、そのたわみ量Sは外縁側から中心側に向けて大きくなる結晶成長用坩堝を用いて、GaAs単結晶を製造した。具体的には、まず、以下の形状を有する結晶成長用坩堝を準備した。
第1円筒部の内径:105mm
第3円筒部の内径:55.0mm
第3円筒部の長さLc:50mm
たわみ量Smax:0.8〜1.4mm。
以下の形状を有する結晶成長用坩堝を用いた以外は、実施例6〜10と同様の方法により、GaAs単結晶を製造した。
第1円筒部の内径:105mm
第3円筒部の上端の内径D1:55.5mm
第3円筒部の下端の内径D2:55.0mm
第3円筒部の長さLc:50mm
たわみ量Smax:1.5〜2.5mm。
第3円筒部の下端の内径は100mm以上であり、第3円筒部の上端の内径D1、下端の内径D2がD2<D1の関係式を満たし、かつ底部が結晶成長用坩堝の内側に向けてたわんでおり、そのたわみ量Sは外縁側から中心側に向けて大きくなる結晶成長用坩堝を用いて、GaAs単結晶を製造した。具体的には、まず、以下の形状を有する結晶成長用坩堝を準備した。
第1円筒部の内径:130mm
第3円筒部の上端の内径D1:102.5mm
第3円筒部の下端の内径D2:102.0mm
第3円筒部の長さLc:50mm
たわみ量Smax:1.8〜2.3mm。
以下の形状を有する結晶成長用坩堝を用いた以外は、実施例15〜18と同様の方法により、GaAs単結晶を製造した。
第1円筒部の内径:130mm
第3円筒部の上端の内径D1:103.5mm
第3円筒部の下端の内径D2:102.0mm
第3円筒部の長さLc:50mm
たわみ量Smax:3.2〜3.8mm。
11,31,41 第1円筒部、
12,32,42 第2円筒部、
13,33,43 第3円筒部、
14,34,44 底部、
21 種結晶、
21a 上面
22a,22b B2O3固体、
23a〜23d 原料固体、
24 原料融液、
100 製造装置、
101 アンプル、
102 収容体、
103 蓋体、
104 坩堝台、
105 支軸、
106 ヒータ、
107 断熱材、
108 気密容器、
201 直胴部、
202 種結晶収容部、
203 肩部。
Claims (10)
- 半導体単結晶を製造するための熱分解窒化ホウ素製の結晶成長用坩堝であって、
上下方向に延びる第1円筒部と、
前記第1円筒部の下端に連続して延びる第2円筒部と、
前記第2円筒部の下端に連続して延びる第3円筒部と、
前記第3円筒部の下端に連続し、かつ前記第3円筒部の下端を閉塞する底部と、を備え、
前記第1円筒部の内径は、前記第3円筒部の内径よりも大きく、
前記第2円筒部の内径は、前記第1円筒部側から前記第3円筒部側に向けて小さくなり、
前記第3円筒部の下端の内径は50mm以上であり、
前記第3円筒部の厚さをT1、前記底部の厚さをT2としたとき、T2<T1の関係式を満たす、結晶成長用坩堝。 - 0.1mm≦T2<T1≦5.0mmの関係式を満たす、請求項1に記載の結晶成長用坩堝。
- T2/T1<0.8の関係式を満たす、請求項1または請求項2に記載の結晶成長用坩堝。
- 半導体単結晶を製造するための熱分解窒化ホウ素製の結晶成長用坩堝であって、
上下方向に延びる第1円筒部と、
前記第1円筒部の下端に連続して延びる第2円筒部と、
前記第2円筒部の下端に連続して延びる第3円筒部と、
前記第3円筒部の下端に連続し、かつ前記第3円筒部の下端を閉塞する底部と、を備え、
前記第1円筒部の内径は、前記第3円筒部の内径よりも大きく、
前記第2円筒部の内径は、前記第1円筒部側から前記第3円筒部側に向けて小さくなり、
前記第3円筒部の下端の内径は50mm以上であり、
前記第3円筒部において、上端部の内径をD1、前記下端の内径をD2としたとき、D2<D1の関係式を満たす、結晶成長用坩堝。 - 0.005mm≦D1−D2≦1.000mmの関係式を満たす、請求項4に記載の結晶成長用坩堝。
- 半導体単結晶を製造するための熱分解窒化ホウ素製の結晶成長用坩堝であって、
上下方向に延びる第1円筒部と、
前記第1円筒部の下端に連続して延びる第2円筒部と、
前記第2円筒部の下端に連続して延びる第3円筒部と、
前記第3円筒部の下端に連続し、かつ前記第3円筒部の下端を閉塞する底部と、を備え、
前記第1円筒部の内径は、前記第3円筒部の内径よりも大きく、
前記第2円筒部の内径は、前記第1円筒部側から前記第3円筒部側に向けて小さくなり、
前記第3円筒部の下端の内径は50mm以上であり、
前記底部は、前記結晶成長用坩堝の内側に向けてたわんでおり、そのたわみ量Sは外縁側から中心側に向けて大きくなる、結晶成長用坩堝。 - 前記第3円筒部の上下方向の長さをLc、前記第3円筒部の前記下端の内径をD2、前記たわみ量Sの最大値をSmaxとしたとき、0.1mm≦SmaxおよびLc×Smax/D2≦1.5mmを満たす、請求項6に記載の結晶成長用坩堝。
- 前記第3円筒部の下端の内径は75mm以上である、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の結晶成長用坩堝。
- 13−15族半導体からなる半導体単結晶を製造するための結晶成長用坩堝である、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の結晶成長用坩堝。
- 前記13−15族半導体は、InPまたはGaAsである、請求項9に記載の結晶成長用坩堝。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014118743A JP6503642B2 (ja) | 2014-06-09 | 2014-06-09 | 結晶成長用坩堝 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014118743A JP6503642B2 (ja) | 2014-06-09 | 2014-06-09 | 結晶成長用坩堝 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015231921A true JP2015231921A (ja) | 2015-12-24 |
JP6503642B2 JP6503642B2 (ja) | 2019-04-24 |
Family
ID=54933672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014118743A Active JP6503642B2 (ja) | 2014-06-09 | 2014-06-09 | 結晶成長用坩堝 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6503642B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021533057A (ja) * | 2019-06-07 | 2021-12-02 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh | 残留応力および転位のないaiii−bv結晶を製造する装置およびaiii−bv結晶から製造された基板ウエハ |
CN117702275A (zh) * | 2024-02-05 | 2024-03-15 | 浙江康鹏半导体有限公司 | 基于双层坩埚的磷化铟单晶生长方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0340987A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶育成方法 |
JPH05330971A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-14 | Bestal Corp | 結晶成長のための改良装置および方法 |
JP2000169277A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 結晶およびその製造方法ならびにその方法に用いられる結晶成長用るつぼ |
JP2004142992A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Showa Denko Kk | ルツボキャップ及び単結晶成長方法 |
WO2004106597A1 (ja) * | 2003-05-07 | 2004-12-09 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | 燐化インジウム基板および燐化インジウム単結晶とその製造方法 |
JP2005132717A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-05-26 | Showa Denko Kk | 化合物半導体単結晶およびその製造方法 |
JP2006188403A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶とその製造方法および製造装置 |
JP2010064936A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Hitachi Cable Ltd | 半導体結晶の製造方法 |
WO2011096597A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-08-11 | 住友電気工業株式会社 | 結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器、およびそれを用いた半導体結晶の成長方法 |
JP2012020886A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 結晶成長容器および結晶製造方法 |
JP2012236733A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Shinshu Univ | 結晶育成用るつぼ及び結晶の育成方法 |
-
2014
- 2014-06-09 JP JP2014118743A patent/JP6503642B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0340987A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶育成方法 |
JPH05330971A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-14 | Bestal Corp | 結晶成長のための改良装置および方法 |
JP2000169277A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 結晶およびその製造方法ならびにその方法に用いられる結晶成長用るつぼ |
JP2004142992A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Showa Denko Kk | ルツボキャップ及び単結晶成長方法 |
WO2004106597A1 (ja) * | 2003-05-07 | 2004-12-09 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | 燐化インジウム基板および燐化インジウム単結晶とその製造方法 |
JP2005132717A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-05-26 | Showa Denko Kk | 化合物半導体単結晶およびその製造方法 |
JP2006188403A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶とその製造方法および製造装置 |
JP2010064936A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Hitachi Cable Ltd | 半導体結晶の製造方法 |
WO2011096597A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-08-11 | 住友電気工業株式会社 | 結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器、およびそれを用いた半導体結晶の成長方法 |
JP2012020886A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 結晶成長容器および結晶製造方法 |
JP2012236733A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Shinshu Univ | 結晶育成用るつぼ及び結晶の育成方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021533057A (ja) * | 2019-06-07 | 2021-12-02 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh | 残留応力および転位のないaiii−bv結晶を製造する装置およびaiii−bv結晶から製造された基板ウエハ |
JP2022119962A (ja) * | 2019-06-07 | 2022-08-17 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | Aiii-bv結晶から製造された基板ウエハ |
JP7329541B2 (ja) | 2019-06-07 | 2023-08-18 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 残留応力および転位のないaiii-bv結晶を製造する装置 |
US11965266B2 (en) | 2019-06-07 | 2024-04-23 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Device and method of manufacturing AIII-BV-crystals and substrate wafers manufactured thereof free of residual stress and dislocations |
CN117702275A (zh) * | 2024-02-05 | 2024-03-15 | 浙江康鹏半导体有限公司 | 基于双层坩埚的磷化铟单晶生长方法 |
CN117702275B (zh) * | 2024-02-05 | 2024-04-19 | 浙江康鹏半导体有限公司 | 基于双层坩埚的磷化铟单晶生长方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6503642B2 (ja) | 2019-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20120304916A1 (en) | Method of producing silicon carbide single crystal | |
JP2010202485A (ja) | 炭化珪素単結晶製造用坩堝、並びに炭化珪素単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JP4830312B2 (ja) | 化合物半導体単結晶とその製造方法 | |
JP2004099340A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
JP2015231921A (ja) | 結晶成長用坩堝 | |
KR20110099481A (ko) | 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치 | |
JP2006232570A (ja) | GaAs単結晶の製造方法 | |
JP2011148694A (ja) | 化合物半導体単結晶基板 | |
JP2010064936A (ja) | 半導体結晶の製造方法 | |
US10119199B2 (en) | Method for producing SiC single crystal | |
KR20150062278A (ko) | 사파이어 초고온 단결정 성장로 단열 구조 | |
JP2002293686A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法及びそれから切り出した基板 | |
JPH1087392A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JPH11349392A (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP4784095B2 (ja) | 化合物半導体単結晶とその製造方法および製造装置 | |
JP5370393B2 (ja) | 化合物半導体単結晶基板 | |
JP5651480B2 (ja) | 3b族窒化物結晶の製法 | |
JP2009190914A (ja) | 半導体結晶製造方法 | |
JPH04198084A (ja) | 半導体単結晶引上用底着き防止治具 | |
WO2022123957A1 (ja) | 単結晶製造装置 | |
JP2018177552A (ja) | 単結晶育成用坩堝 | |
JP2018150181A (ja) | 単結晶育成用坩堝および単結晶育成方法 | |
US20220002901A1 (en) | Heat shield device and smelting furnace | |
KR102060188B1 (ko) | 실리콘카바이드 단결정의 제조 장치 및 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 | |
JPH11130579A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法及びその製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190311 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6503642 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |