KR20110099481A - 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치 - Google Patents

단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110099481A
KR20110099481A KR1020100018534A KR20100018534A KR20110099481A KR 20110099481 A KR20110099481 A KR 20110099481A KR 1020100018534 A KR1020100018534 A KR 1020100018534A KR 20100018534 A KR20100018534 A KR 20100018534A KR 20110099481 A KR20110099481 A KR 20110099481A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
single crystal
cooling water
cooling
upper flange
chamber
Prior art date
Application number
KR1020100018534A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101275382B1 (ko
Inventor
왕학의
나광하
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020100018534A priority Critical patent/KR101275382B1/ko
Priority to PCT/KR2011/001394 priority patent/WO2011108830A2/en
Priority to US13/039,275 priority patent/US20120000416A1/en
Publication of KR20110099481A publication Critical patent/KR20110099481A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101275382B1 publication Critical patent/KR101275382B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

실시예는 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치에 관한 것이다.
실시예에 따른 단결정 냉각장치는 원형의 상부플랜지(upper flange); 및 상기 상부플랜지에서 하측으로 연장되어 형성되면서 상기 상부플랜지의 직경보다 직경이 감소되는 하부플랜지(lower flange);를 포함할 수 있다.

Description

단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치{Single Crystal Cooling Apparatus and Single Crystal Grower including the same}
실시예는 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치에 관한 것이다.
웨이퍼의 제조를 위해서는 먼저 단결정 실리콘을 잉곳(ingot) 형태로 성장시켜야 한다.
실리콘 단결정 잉곳(IG) 성장을 위한 대표적인 제조방법으로는 단결정인 종자결정(seed crystal)을 용융 실리콘에 담근 후 천천히 끌어올리면서 결정을 성장시키는 쵸크랄스키(Czochralsk:CZ)법이 있다.
종래기술에 의하면 단결성 잉곳의 성장하는 데 있어 잉곳 상부의 열을 흡수하여 성장 속도를 상승하기 위하여 잉곳 상부에 냉각 장치가 구비되어 있다.
그런데, 냉각 능력을 향상시키기 위해서 용융액과 냉각장치가 최대한 가까이 있어야 하지만, 종래의 냉각장치의 경우 직경(Diameter) 검출센서를 통하여 잉곳 직경의 검출을 위해 용융액과 냉각장치를 최대한 가까이 두기가 어려워 일정 수준이상의 잉곳 성장 속도를 증가하는 것이 불가능한 문제가 있었다.
실시예는 냉각장치를 멜트 용융면과 최대한 밀착시킴으로써 잉곳 성장 속도를 향상시킬 수 있는 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 단결정 냉각장치는 원형의 상부플랜지(upper flange); 및 상기 상부플랜지에서 하측으로 연장되어 형성되면서 상기 상부플랜지의 직경보다 직경이 감소되는 하부플랜지(lower flange);를 포함할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 단결정 성장장치는 도가니를 포함하는 제1 챔버; 상기 제1 챔버 상에 구비된 제2 챔버; 및 상기 제1 챔버에 구비된 단결정 냉각장치;를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치에 의하면, 냉각 장치의 설치 위치와 형상을 변경하여 냉각장치를 멜트 표면과 최대한 밀착시킴으로써 잉곳 성장 속도를 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 냉각장치 형상 변경에 따른 내부 물순환 구조를 변경시켜 냉각성능의 향상 및 누수 발생가능성을 줄일 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 단결정 성장장치의 예시도.
도 2a는 일 실시예에 따른 단결정 냉각장치의 평면도.
도 2b는 다른 실시예에 따른 단결정 냉각장치의 평면도.
도 3a은 일 실시예에 따른 단결정 냉각장치의 단면도.
도 3b는 다른 실시예에 따른 단결정 냉각장치의 단면도.
도 4는 실시예에 따른 단결정 냉각장치 적용시의 냉각수 온도 변화도.
이하, 실시예에 따른 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 단결정 성장장치의 예시도다.
실시예에 따른 단결정 성장장치(100)는 챔버(110), 도가니(120), 히터(130), 인상수단(150), 냉각장치(160) 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 따른 단결정 성장장치(100)는 챔버(110)와, 상기 챔버(110)의 내부에 구비되며, 실리콘 융액을 수용하는 도가니(120)와, 상기 챔버(110)의 내부에 구비되며, 상기 도가니(120)를 가열하는 히터(130) 및 종자결정(152)이 일단에 결합된 인상수단(150) 및 열실드(155) 등을 포함할 수 있다.
상기 챔버(110)는 반도체 등의 전자부품 소재로 사용되는 실리콘 웨이퍼(wafer)용 단결정 잉곳(Ingot)을 성장시키기 위한 소정의 공정들이 수행되는 공간을 제공한다.
상기 챔버(110)는 도가니(120)가 수용되는 제1 챔버(111)와, 상기 제1 챔버(111) 상에 단결정 잉곳(IG)이 성장되어 나가는 제2 챔버(112)를 포함할 수 있다. 상기 제1 챔버(111)는 성장챔버(growing chamber)일 수 있고, 상기 제2 챔버(112)는 풀챔버(pull chamber) 일 수 있다.
상기 챔버(110)의 내벽에는 히터(130)의 열이 상기 챔버(110)의 측벽부로 방출되지 못하도록 복사 단열체(140)가 설치될 수 있다.
실시예는 실리콘 단결정 성장 시의 산소 농도를 제어하기 위하여 석영 도가니(120)의 회전 내부의 압력 조건 등 다양한 인자들을 조절할 수 있다. 예를 들어, 실시예는 산소 농도를 제어하기 위하여 실리콘 단결정 성장 장치의 챔버(110) 내부에 아르곤 가스 등을 주입하여 하부로 배출할 수 있다.
상기 도가니(120)는 실리콘 융액(SM)을 담을 수 있도록 상기 제1 챔버(111)의 내부에 구비되며, 석영 재질로 이루어질 수 있다. 상기 도가니(120)의 외부에는 도가니(120)를 지지할 수 있도록 흑연으로 이루어지는 도가니 지지대(125)가 구비될 수 있다. 상기 도가니 지지대(125)는 회전축(127) 상에 고정 설치되고, 이 회전축(127)은 구동수단(미도시)에 의해 회전되어 도가니(120)를 회전 및 승강 운동시키면서 고-액 계면이 동일한 높이를 유지하도록 할 수 있다.
상기 히터(130)는 도가니(120)를 가열하도록 제1 챔버(111)의 내부에 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 히터(130)는 도가니 지지대(125)를 에워싸는 원통형으로 이루어질 수 있다. 이러한 히터(130)는 도가니(120) 내에 적재된 고순도의 다결정 실리콘 덩어리를 용융하여 실리콘 융액(SM)으로 만들게 된다.
실시예는 실리콘 단결정 잉곳(IG) 성장을 위한 제조방법으로는 단결정인 종자결정(seed crystal)(152)을 실리콘 융액(SM)에 담근 후 천천히 끌어올리면서 결정을 성장시키는 쵸크랄스키(Czochralsk:CZ)법을 채용할 수 있다.
이 방법에 따르면, 먼저, 종자결정(152)으로부터 가늘고 긴 결정을 성장시키는 네킹(necking)공정을 거치고 나면, 결정을 직경방향으로 성장시켜 목표직경으로 만드는 숄더링(shouldering)공정을 거치며, 이후에는 일정한 직경을 갖는 결정으로 성장시키는 바디그로잉(body growing)공정을 거치며, 일정한 길이만큼 바디그로잉이 진행된 후에는 결정의 직경을 서서히 감소시켜 결국 용융 실리콘과 분리하는 테일링(tailing)공정을 거쳐 단결정 성장이 마무리된다.
도 2a는 일 실시예에 따른 단결정 냉각장치의 평면도이며, 도 2b는 다른 실시예에 따른 단결정 냉각장치의 평면도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2a, 도 2b에 도시된 단결정 냉각장치(160)의 I-I'선을 따른 단면도이다.
실시예에 따른 단결정 냉각장치에 의하면, 냉각 장치의 설치 위치와 형상을 변경하여 냉각장치를 멜트 용융면과 최대한 밀착시킴으로써 잉곳 성장 속도를 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 냉각장치 형상 변경에 따른 내부 물순환 구조를 변경시켜 냉각성능의 향상 및 누수 발생가능성을 줄일 수 있다.
예를 들어, 실시예에 따른 단결정 냉각장치(160)는 상부와 하부의 직경이 다를 수 있으며, 도가니(120)가 구비되는 제1 챔버(111) 내에 실리콘 융액(SM)과 근접하여 설치됨으로써 단결정화된 잉곳(IG)의 냉각속도를 높일 수 있다.
예를 들어, 상기 단결정 냉각장치(160)는 원형의 상부플랜지(upper flange)(161) 및 상기 상부플랜지(161)에서 하측으로 연장되어 형성되면서 상기 상부플랜지(161)의 직경보다 직경이 감소하는 하부플랜지(lower flange)(162)를 포함할 수 있다.
상기 단결정 냉각장치(160)는 열실드(155) 상측에 콘 형상(cone shape)으로 형성되어 설치될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 볼트, 걸림턱 등의 결합수단(164)에 의해 제1 챔버(111) 내부에 고정설치될 수 있다.
상기 단결정 냉각장치(160)의 밑단은 잉곳(IG)의 지름보다 큰 지름으로 개방된 상태가 되어 성장되는 단결정 잉곳(IG)이 통과할 수 있다.
실시예에 따른 단결정 냉각장치(160)는 상기 하부플랜지(162)에 냉각수 순환로를 구비하여 잉곳을 냉각할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 따른 단결정 냉각장치(160)는 상기 하부플랜지(162) 일측에 형성된 하나 이상의 제1 냉각수 주입구(162a) 및 상기 하부플랜지(162) 타측에 형성된 하나 이상의 제1 냉각수 배출구(162b)를 포함함으로써 잉곳을 냉각할 수 있다.
도 3a은 일 실시예에 따른 단결정 냉각장치의 단면도이다.
실시예는 상기 상부플랜지(161)와 상기 하부플랜지(162)는 각각 냉각수 순환로를 구비하여 상부플랜지(161)와 하부플랜지(162)의 열 부하를 줄일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 도 3b와 같이 상기 상부플랜지(161)와 상기 하부플랜지(162)는 냉각수 순환로를 공통으로 구비할 수도 있다.
이하 설명에서 상부플랜지(161)와 하부플랜지(162)는 각각 냉각수 순환로를 구비하는 것으로 설명하나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 따른 단결정 냉각장치(160)는 상기 상부플랜지(161) 일측에 형성된 하나 이상의 제2 냉각수 주입구(161a)와, 상기 상부플랜지(161) 타측에 형성된 하나 이상의 제2 냉각수 배출구(161b)와, 상기 하부플랜지(162) 일측에 형성된 하나 이상의 제1 냉각수 주입구(162a) 및 상기 하부플랜지(162) 타측에 형성된 하나 이상의 제1 냉각수 배출구(162b)를 포함함으로써 상부플랜지(161)와 하부플랜지(162)의 열 부하를 줄일 수 있다.
실시예는 도 2a와 같이 제2 냉각수 주입구(161a)와, 제2 냉각수 배출구(161b)가 인접하게 형성되고, 제1 냉각수 주입구(162a) 및 제1 냉각수 배출구(162b)가 인접하게 형성되는 경우 주입구와 배출구 사이에 냉각수 차단막이 형성될 수 있다.
도 2b는 다른 실시예에 따른 단결정 냉각장치의 평면도이다.
실시예에 의하면 상기 상부플랜지(161)의 냉각수 주입구와 냉각수 배출구가 복수로 형성될 수 있으며, 이는 상부플랜지(161)에 한정되는 것이 아니고, 하부플랜지(162)도 냉각수 주입구와 냉각수 배출구가 복수로 형성될 수 있다.
예를 들면, 상기 상부플랜지(161)는 제3 및 제4 냉각수 주입구(161c, 161d)와 제3 및 제4 냉각수 배출구(161e, 161f)를 구비할 수 있고, 제3 냉각수 주입구(161c)는 제3 냉각수 배출구(161e)와 연통되고, 제4 냉각수 주입구(161d)는 제4 냉각수 배출구(161f)와 연통될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 의하면 제3,제4 냉각수 주입구(161c, 161d) 사이 및 제3, 제4 냉각수 배출구(161e, 161f) 사이에 냉각수 차단막이 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 의하면 복수의 냉각수 주입구와 복수의 냉각수 배출구를 구비함으로써 단결정 냉각장치의 냉각효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 실시예는 냉각수 순환의 길이 및 시간을 단축함으로써 냉각효율을 증대시킬 수 있다. 예를 들어, 도 3b와 같이 상기 제3, 제4 냉각수 주입구(161c, 161d)와 상기 제3 및 제4 냉각수 배출구(161e, 161f)가 반대방향, 예를 들어 상기 상부플랜지(161)의 중심을 기준으로 상호 반대 방향에 설치되는 경우 냉각수 순환의 길이 및 시간을 단축함으로써 냉각효율을 증대시킬 수 있다.
도 4는 실시예에 따른 단결정 냉각장치 적용시의 냉각수 온도 변화도이다.
실시예에 의하면 상기 상부플랜지(161)와 상기 하부플랜지(162)에서 냉각 후 배출되는 냉각수의 온도는 약 40℃ 이하로서 양호하다. 예를 들어, 상기 상부플랜지(161)와 상기 하부플랜지(162)에서 냉각 후 배출되는 냉각수의 온도는 약 31℃ 이하로 매우 양호하여 잉곳의 냉각을 효율적으로 진행할 수 있다.
이에 따라 실시예에 의하면 종래기술에 비해 인상속도(Pulling speed)가 약 40% 이상이 향상되어 수율의 향상에 매우 큰 효과를 가지게 된다.
실시예에 따른 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치에 의하면, 냉각 장치의 설치 위치와 형상을 변경하여 냉각장치를 멜트 용융면과 최대한 밀착시킴으로써 잉곳 성장 속도를 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 냉각장치 형상 변경에 따른 내부 물순환 구조를 변경시켜 냉각성능의 향상 및 누수 발생가능성을 줄일 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 원형의 상부플랜지(upper flange); 및
    상기 상부플랜지에서 하측으로 연장되어 형성되면서 상기 상부플랜지의 직경보다 직경이 감소되는 하부플랜지(lower flange);를 포함하는 단결정 냉각장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 하부플랜지는
    콘 형상(cone shape)인 단결정 냉각장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 하부플랜지의 밑단은 개방된 단결정 냉각장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 하부플랜지 일측에 형성된 하나 이상의 제1 냉각수 주입구; 및
    상기 하부플랜지 타측에 형성된 하나 이상의 제1 냉각수 배출구;를 포함하는 단결정 냉각장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 상부플랜지 일측에 형성된 하나 이상의 제2 냉각수 주입구; 및
    상기 상부플랜지 타측에 형성된 하나 이상의 제2 냉각수 배출구;를 더 포함하는 단결정 냉각장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 냉각수 주입구와 상기 제2 냉각수 배출구는 상기 상부플랜지의 중심을 기준으로 상호 반대 방향에 구비되는 단결정 냉각장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 상부플랜지와 상기 하부플랜지는 각각 냉각수 순환로를 구비하는 단결정 냉각장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 상부플랜지와 상기 하부플랜지는 냉각수 순환로를 공통으로 구비하는 단결정 냉각장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 상부플랜지와 상기 하부플랜지에서 냉각 후 배출되는 냉각수의 온도는 40℃ 이하인 단결정 냉각장치.
  10. 도가니를 포함하는 제1 챔버;
    상기 제1 챔버 상에 구비된 제2 챔버; 및
    상기 제1 챔버에 구비된 상기 제1 항 내지 제9 항 중 어느 하나의 단결정 냉각장치;를 포함하는 단결정 성장장치.
KR1020100018534A 2010-03-02 2010-03-02 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치 KR101275382B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100018534A KR101275382B1 (ko) 2010-03-02 2010-03-02 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치
PCT/KR2011/001394 WO2011108830A2 (en) 2010-03-02 2011-02-28 Single crystal cooling apparatus and single crystal grower including the same
US13/039,275 US20120000416A1 (en) 2010-03-02 2011-03-02 Single crystal cooling apparatus and single crystal grower including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100018534A KR101275382B1 (ko) 2010-03-02 2010-03-02 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110099481A true KR20110099481A (ko) 2011-09-08
KR101275382B1 KR101275382B1 (ko) 2013-06-14

Family

ID=44542700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100018534A KR101275382B1 (ko) 2010-03-02 2010-03-02 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120000416A1 (ko)
KR (1) KR101275382B1 (ko)
WO (1) WO2011108830A2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101407395B1 (ko) * 2012-11-09 2014-06-17 주식회사 티씨케이 잉곳 성장장치의 리플렉터
KR20200042516A (ko) * 2017-09-01 2020-04-23 실트로닉 아게 n형 도펀트로 도핑된 ＜100＞ 배향을 갖는 실리콘의 단결정 및 이러한 단결정의 제조 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5904079B2 (ja) * 2012-10-03 2016-04-13 信越半導体株式会社 シリコン単結晶育成装置及びシリコン単結晶育成方法
KR20150107540A (ko) * 2014-03-14 2015-09-23 (주)기술과가치 잉곳 제조 장치
JP7432734B2 (ja) * 2020-08-10 2024-02-16 西安奕斯偉材料科技股▲ふん▼有限公司 単結晶炉の組立スリーブ及び単結晶炉

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08119786A (ja) * 1994-10-24 1996-05-14 Mitsubishi Materials Corp 単結晶引上装置
DE19503357A1 (de) * 1995-02-02 1996-08-08 Wacker Siltronic Halbleitermat Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls
US6579362B2 (en) * 2001-03-23 2003-06-17 Memc Electronic Materials, Inc. Heat shield assembly for crystal puller
JP4407539B2 (ja) * 2005-03-08 2010-02-03 株式会社Ｓｕｍｃｏ 単結晶インゴットの引上げ速度のシミュレーション方法
US8241424B2 (en) * 2005-09-30 2012-08-14 Sumco Techxiv Kabushiki Kaisha Single crystal semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method
JP2007112663A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体単結晶製造装置および製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101407395B1 (ko) * 2012-11-09 2014-06-17 주식회사 티씨케이 잉곳 성장장치의 리플렉터
KR20200042516A (ko) * 2017-09-01 2020-04-23 실트로닉 아게 n형 도펀트로 도핑된 ＜100＞ 배향을 갖는 실리콘의 단결정 및 이러한 단결정의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20120000416A1 (en) 2012-01-05
KR101275382B1 (ko) 2013-06-14
WO2011108830A2 (en) 2011-09-09
WO2011108830A3 (en) 2012-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101540232B1 (ko) 잉곳성장장치
US9217208B2 (en) Apparatus for producing single crystal
EP2971274B1 (en) Czochralski crucible for controlling oxygen and related methods
TWI652380B (zh) 用於增強至熔融體之熱傳導的長晶系統及坩堝
JP2008100904A (ja) チョクラルスキー法を用いた半導体単結晶製造方法、この方法により製造された半導体単結晶インゴット及びウエハー
KR101275382B1 (ko) 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치
JP2009114054A (ja) 酸素濃度特性が改善した半導体単結晶の製造方法
TW201437440A (zh) 用於改良連續柴可斯基（ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）方法之隔熱罩
JP2007182373A (ja) 高品質シリコン単結晶の製造方法及びこれを用いて製造されたシリコン単結晶ウェーハ
JP6257483B2 (ja) シリコン単結晶製造方法
JP4151474B2 (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶
CN109537045B (zh) 用于硅晶锭生长的换热器、硅晶锭的生长炉和制备硅晶锭的方法
KR101266701B1 (ko) 단결정 냉각장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치
JPH11349392A (ja) 単結晶の製造方法および製造装置
JP5617812B2 (ja) シリコン単結晶ウエーハ、エピタキシャルウエーハ、及びそれらの製造方法
KR100906281B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 열실드 구조물 및 이를 이용한 실리콘 단결정 잉곳 성장장치
US8691013B2 (en) Feed tool for shielding a portion of a crystal puller
WO2013125161A1 (ja) 単結晶製造装置及び単結晶製造方法
KR20070064210A (ko) 단결정 잉곳 성장장치
CN116590793A (zh) 水冷装置和单晶炉
TWI567253B (zh) 長晶裝置
KR101330418B1 (ko) 단결정 잉곳 성장방법 및 이에 의해 제조된 웨이퍼
JPH11130579A (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法及びその製造装置
KR20100069248A (ko) 단결정 잉곳성장장치의 산소농도 제어 모듈 및 방법
RU2382121C1 (ru) Устройство для выращивания монокристаллов кремния методом чохральского

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160401

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170328

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180319

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190325

Year of fee payment: 7