JP2000169277A - 結晶およびその製造方法ならびにその方法に用いられる結晶成長用るつぼ - Google Patents
結晶およびその製造方法ならびにその方法に用いられる結晶成長用るつぼInfo
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Abstract
が多く、内表面に形成されたB2 O3 層によりpBNが
剥離されることのない、pBN製結晶成長用るつぼ、お
よびそれを用いた結晶製造方法、ならびにその方法によ
る得られ結晶を提供する。 【解決手段】 pBN製の結晶成長用るつぼであって、
種結晶収容部と増径部と直胴部とから構成される。直胴
部の直径D1 は100mm以上であり、任意の縦断面に
おける増径部の直径80mmの点から直胴部に至るまで
の部分において、表面距離が10mm離れた任意の2点
間の平均曲率半径が10mm以上であり、内表面のうち
少なくとも融液と接触する部分に、B2 O3 を主成分と
する薄層が形成されている。
Description
造方法ならびにその方法に用いられる結晶成長用るつぼ
に関するものであり、特に、BSO、LNO等の酸化
物、Si、Ge、SiGe等の半導体材料、GaAs、
InP等のIII−V族化合物半導体材料、CdTe、
ZnSe等のII−VI族化合物半導体材料等の結晶お
よびその製造方法ならびにその方法に用いられる結晶成
長用るつぼに関するものである。
ば、特開平10−87392号公報に開示された技術が
ある。
°以上90°未満の所定角度αで傾斜しており、底面と
側面の曲率半径が0mm以上10mm以下となるるつぼ
を用いて、温度勾配が1℃/cm以上5℃/cm未満で
VGF法またはVB法により結晶を成長するものであ
る。
た従来技術においては、以下のような問題点があった。
おける曲率半径が小さいと、pBN内部の残留応力が大
きくなる。そのため、るつぼの底面と側面との間の角部
の曲率半径が0mm以上10mm以下と非常に小さい
と、成長後に結晶をるつぼから取り出す時に、るつぼが
その曲率半径が小さい部分で破損しやすくなり、るつぼ
の再生利用回数が低下するという問題があった。るつぼ
の再生利用回数の低下は、結晶の製造コストの増加を招
く。また、結晶とるつぼとの接触を防止するために、p
BN製るつぼの内表面にB2 O3 層を形成すると、形成
後のB2 O3 層の収縮により、pBNが剥離しやすくな
る。pBNが剥離した部分は、B2 O3 層がなく、凹凸
が生じるため、その部分から欠陥が発生しやすくなり、
結晶が多結晶化してしまうという問題があった。これら
の問題は、るつぼの直胴部の直径が100mm以上にな
った時により顕著になった。
し、大口径の結晶を成長する際に、再生利用回数が多
く、内表面に形成されたB2 O3 層によりpBNが剥離
されることのない、pBN結晶成長用るつぼ、およびそ
れを用いた結晶の製造方法、ならびにその方法により得
られた結晶を提供することにある。
晶成長用るつぼは、pBN製の結晶成長用るつぼであっ
て、種結晶収容部と増径部と直胴部とから構成され、直
胴部の直径が100mm以上であり、任意の縦断面にお
ける増径部の直径80mmの点から直胴部に至るまでの
部分において、内面の表面距離が10mm離れた任意の
2点間の平均曲率半径が10mm以上である。
は、請求項1の発明の構成において、結晶成長用るつぼ
の内表面のうち少なくとも融液と接触する部分に、B2
O3 を主成分とする薄層が形成されている。
は、請求項2の発明の構成において、B2 O3 を主成分
とする薄層は、るつぼ自体を酸化させることによって形
成されている。
は、請求項2または請求項3の発明の構成において、内
表面のうち融液と接触する部分に形成されたB2 O3 を
主成分とする薄層は、平均厚みが5μm以上である。
請求項1〜請求項4のいずれかに記載の結晶成長用るつ
ぼ内に、種結晶および原料を収容するステップと、原料
を昇温して融液化するステップと、結晶成長用るつぼ内
の原料融液を、縦型に勾配が形成された温度分布下で、
種結晶と接触する部分から固化させるステップとを備え
ている。
記載の方法により製造された結晶であって、III−V
族化合物半導体からなる。
発明の構成において、III−V族化合物半導体は、G
aAs、InP、InAs、InSb、GaSb、およ
びGaPからなる群から選ばれるいずれかの化合物であ
る。
成長用るつぼ内面の「表面距離が10mm離れた任意の
2点間の平均曲率半径」とは、該2点とその中点を含ん
だ3点を結ぶ円弧の曲率半径として定義できる。
ち、製品となる基板を取出す部分を製造する部分であ
り、インゴット直径がほぼ一定となる部分である。ま
た、るつぼの「増径部」とは、種結晶が収容される種結
晶収容部から徐々に直径が大きくなり、直径がほぼ一定
となる直胴部に至るまでの部分をいう。なお、pBN製
結晶成長用るつぼの場合、製造上の問題から、通常、直
胴部は、増径部側から開放端部に向けて少しずつではあ
るが徐々に直径が大きくなっていることが多い。
るつぼの一例の形状の一部を示す縦断面図である。
は、pBN製であって種結晶収容部と増径部と直胴部と
から構成されている。
である。また、任意の縦断面における増径部の直径80
mmの点から直胴部に至るまでの部分において、表面距
離が10mm離れた任意の2点間の平均曲率半径(R
1 )が10mm以上である。
面のうち、原料溶液と接触する部分には、平均厚みが5
μm以上のB2 O3 層が形成されている。このB2 O3
層は、pBN製結晶成長用るつぼ自体を酸化させること
によって形成されたものである。
おいては、特に、直胴部の直径が120mm以上の大口
径の場合、任意の縦断面における増径部の直径100m
mの点から直胴部に至るまでの部分において、内面の表
面距離が10mm離れた任意の2点間の平均曲率半径が
10mm以上であるように設計することによって、再生
利用回数を増加でき、かつ、B2 O3 層の形成によるp
BN表面の剥離も、有効に防止できるようになり、本発
明の有効性はより顕著となる。
の直径(D2 )が15mm、種結晶収容部と増径部間の
曲率半径(R2 )が10mm、増径部角度(θ)が45
°、増径部と直胴部間の曲率半径(R1 )が10mm、
直胴部の直径(D1 )が130mmのpBN製結晶成長
用るつぼを用いて、VGF法によりInP単結晶の成長
を実施した。
面に、pBNの酸化により、80μm厚のB2 O3 層を
形成したが、pBNの剥離はなかった。
成長用るつぼの種結晶収容部に種結晶を収容し、その上
にInPを5kgと、B2 O3 を200gとをチャージ
した。この状態で、原料温度を徐々に上げて融液化し
た。その後、結晶成長用るつぼを10mm/時間の速度
で徐々に下降させて、種結晶と接触する部分から単結晶
を成長させていった。
果、単結晶の歩留りは50%以上、EPDも平均600
0cm-2以下と極めて良好なInP単結晶を、再現性よ
く成長することができた。また、るつぼの再生利用回数
は7回となった。
胴部間の曲率半径(R1 )を6mm、9mm、15mm
と変えて、実施の形態1と同様の実験を行なった。
時点でpBN内表面が剥離するトラブルが発生する確率
が、それぞれ50%、20%、0%となった。さらに、
るつぼの再生利用回数は、それぞれ2回、3回、8回と
なった。一方、結晶成長用るつぼの直胴部の直径を90
mmにすると、増径部と直胴部間の曲率半径(R1 )が
6mmと9mmの各々の場合に対して、pBN剥離のト
ラブルが発生する確率は、それぞれ10%と0%に激減
した。また、るつぼの再生利用回数も、6回と7回に増
加した。
mm以上の大きなpBN製結晶成長用るつぼの場合、る
つぼの再生利用回数を増加し、B2 O3 層形成時のpB
N剥離のトラブル発生を防止するためには、増径部と直
胴部間の曲率半径(R1 )を10mm以上とする必要が
あることがわかった。なお、pBNの剥離がある場合
は、剥離がない場合に比べて、単結晶化確率が1/5以
下に低下し、EPD等の結晶品質が低下することがわか
っている。
部の直径(D2 )が15mm、種結晶収容部と増径部間
の曲率半径(R2 )が20mm、増径部角度(θ)が4
0°、増径部と直胴部間の曲率半径(R1 )が10m
m、直胴部の直径(D1 )が160mmのpBN製結晶
成長用るつぼを用いて、VB法によりGaAs単結晶の
成長を実施した。
面に、pBNの酸化により7μm厚のB2 O3 層を形成
したが、pBNの剥離はなかった。
成長用るつぼの種結晶収容部に種結晶を収容し、その上
にGaAsを20kgと、B2 O3 を200gとをチャ
ージした。この状態で、原料温度を徐々に上げて融液化
した。その後、結晶成長用るつぼを10mm/時間の速
度で徐々に下降させて、種結晶と接触する部分から単結
晶を成長させていった。
結果、単結晶の歩留りは60%以上、EPDも平均80
00cm-2以下と極めて良好なGaAs単結晶を、再現
性よく成長することができた。
率半径(R2 )を6mmおよび9mmと変えて、実施例
2と同様の実験を行なった。
表面にB2 O3 層を形成しても、pBNの剥離は全く起
こらないことを確認した。また、るつぼの再生利用回数
は、それぞれ6回および8回になった。
長用るつぼの他の例の形状の一部を示す縦断面図であ
る。
70mmの位置に段を形成し、その部分の曲率半径(R
3 )および(R4 )をそれぞれ5mm、9mmとした。
他の部分の形状は、図1に示す結晶成長用るつぼと全く
同様であるので、その説明は省略する。
ぼの内表面に、pBNの酸化により、B2 O3 層を形成
した。その結果、pBNの剥離は生じなかった。また、
るつぼの再生利用回数は、6回であった。
mmの位置に、図2に示す実施例3の結晶成長用るつぼ
と同様の段を形成した。
面に、実施例3と同様に、B2 O3層を形成したとこ
ろ、pBN剥離の発生する確率が20%に増加した。ま
た、るつぼの再生利用回数は、3回に低下した。
の位置に同様の段を形成した場合には、pBN剥離の発
生する確率は、50%まで増加した。また、るつぼの再
生利用回数は、2回にまで低下した。
m以上の部分に、曲率半径が10mm未満の部分がある
と、るつぼの再生利用回数が低下し、B2 O3 層を形成
した際に、pBNの剥離が生じやすくなることがわかっ
た。
5μmとに変えて、実施例2と同様の実験を行なった。
%と20%になった。以上より、B2 O3 層の厚みが5
μm以上の場合に、単結晶化向上の効果が顕著になるこ
とが確認された。
と、厚みが均一にならないため、pBNの剥離が生じや
すくなり、単結晶歩留りが10%以下に下がった。
は、pBN製結晶成長用るつぼ自体の酸化が優れている
ことが確認された。
明によれば、直径が100mm以上の大口径の結晶を成
長する場合でも、pBN製結晶成長用るつぼの再生利用
回数を増加させることができる。その結果、結晶製造コ
ストを低下させることができる。
0mm以上の大口径の結晶を成長する場合でも、pBN
製結晶成長用るつぼの内表面に形成されるB2 O3 層に
よるpBNの剥離が有効に防止できる。その結果、単結
晶歩留りを向上させることができる。
晶成長用るつぼの内表面にB2 O3層をより均一に形成
することができるため、B2 O3 層によるpBNの剥離
をより有効に防止できる。その結果、さらに単結晶歩留
りを向上させることができる。
晶成長用るつぼの内表面に形成されるB2 O3 層が厚い
ため、成長する結晶がるつぼと接触する確率が低下す
る。その結果、さらに単結晶歩留りを向上させることが
できる。
も、低欠陥で単結晶歩留りが高い結晶を再現性よく成長
することができる。
は、大口径でも、低欠陥で単結晶歩留りが高い結晶であ
る。また、GaAs、InP、InAs、InSb、G
aSb、およびGaP等は、pBNと同族元素である。
その結果、不純物となっても電気的に不活性となるた
め、電気的に良好な結晶が得られる。
一部を示す縦断面図である。
の一部を示す縦断面図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 pBN製の結晶成長用るつぼであって、 種結晶収容部と増径部と直胴部とから構成され、 前記直胴部の直径が100mm以上であり、 任意の縦断面における前記増径部の直径80mmの点か
ら直胴部に至るまでの部分において、内面の表面距離が
10mm離れた任意の2点間の平均曲率半径が10mm
以上である、結晶成長用るつぼ。 - 【請求項2】 前記結晶成長用るつぼの内表面のうち少
なくとも融液と接触する部分に、B2 O3 を主成分とす
る薄層が形成された、請求項1記載の結晶成長用るつ
ぼ。 - 【請求項3】 前記B2 O3 を主成分とする薄層は、前
記るつぼ自体を酸化させることによって形成された、請
求項2記載の結晶成長用るつぼ。 - 【請求項4】 前記内表面のうち融液と接触する部分に
形成されたB2 O3を主成分とする薄層は、平均厚みが
5μm以上である、請求項2または請求項3記載の結晶
成長用るつぼ。 - 【請求項5】 請求項1〜請求項4のいずれかに記載の
結晶成長用るつぼ内に、種結晶および原料を収容するス
テップと、 前記原料を昇温して融液化するステップと、 前記結晶成長用るつぼ内の原料融液を、縦型に勾配が形
成された温度分布下で、前記種結晶と接触する部分から
固化させるステップと、 を備えた、結晶の製造方法。 - 【請求項6】 請求項5に記載の方法により製造された
結晶であって、 III−V族化合物半導体からなる、結晶。 - 【請求項7】 前記III−V族化合物半導体は、Ga
As、InP、InAs、InSb、GaSb、および
GaPからなる群から選ばれるいずれかの化合物であ
る、請求項6記載の結晶。
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JP34397298A JP4154775B2 (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | 結晶の製造方法およびその方法に用いられる結晶成長用るつぼ |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011010724A1 (ja) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体結晶の製造方法、半導体結晶の製造装置および半導体結晶 |
WO2011096597A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-08-11 | 住友電気工業株式会社 | 結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器、およびそれを用いた半導体結晶の成長方法 |
JP2012236770A (ja) * | 2003-05-07 | 2012-12-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 |
JP2015231921A (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-24 | 住友電気工業株式会社 | 結晶成長用坩堝 |
-
1998
- 1998-12-03 JP JP34397298A patent/JP4154775B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012236770A (ja) * | 2003-05-07 | 2012-12-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 |
JP2015129091A (ja) * | 2003-05-07 | 2015-07-16 | 住友電気工業株式会社 | 燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 |
WO2011010724A1 (ja) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体結晶の製造方法、半導体結晶の製造装置および半導体結晶 |
JP5757237B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2015-07-29 | 住友電気工業株式会社 | 半導体結晶の製造方法および製造装置 |
US9187843B2 (en) | 2009-07-23 | 2015-11-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method and apparatus for producing semiconductor crystal, and semiconductor crystal |
WO2011096597A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2011-08-11 | 住友電気工業株式会社 | 結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器、およびそれを用いた半導体結晶の成長方法 |
CN102906314A (zh) * | 2010-05-21 | 2013-01-30 | 住友电气工业株式会社 | 用于晶体生长的热分解氮化硼容器和使用该容器的半导体晶体生长方法 |
JP5915178B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2016-05-11 | 住友電気工業株式会社 | 結晶成長用熱分解窒化ホウ素製容器、およびそれを用いた半導体結晶の成長方法 |
DE112011101731B4 (de) * | 2010-05-21 | 2018-03-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Behälter aus pyrolytischem Bornitrid zum Wachsen eines Kristalls, und Verwendung des Behälters |
JP2015231921A (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-24 | 住友電気工業株式会社 | 結晶成長用坩堝 |
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