JP2021533057A - 残留応力および転位のないaiii−bv結晶を製造する装置およびaiii−bv結晶から製造された基板ウエハ - Google Patents
残留応力および転位のないaiii−bv結晶を製造する装置およびaiii−bv結晶から製造された基板ウエハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021533057A JP2021533057A JP2020563910A JP2020563910A JP2021533057A JP 2021533057 A JP2021533057 A JP 2021533057A JP 2020563910 A JP2020563910 A JP 2020563910A JP 2020563910 A JP2020563910 A JP 2020563910A JP 2021533057 A JP2021533057 A JP 2021533057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- section
- single crystal
- crystal
- cross
- melt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 301
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 23
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 10
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 9
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 9
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 8
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 5
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 5
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 5
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 2
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPPQSCRMBWNHMW-UHFFFAOYSA-N Meprobamate Chemical compound NC(=O)OCC(C)(CCC)COC(N)=O NPPQSCRMBWNHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000791876 Selene Species 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/14—Crucibles or vessels
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02598—Microstructure monocrystalline
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
そして、第1のセクションは、中心軸に対して垂直な自身の断面領域に伴う内径を有し、その内径は公称径よりも、2mm以上、好ましくは3mm以上、より好ましくは5mm以上大きく、最大で20mm大きいことが好ましい。
また、第1のセクションは少なくとも部分的に円筒形状に形成され、52mm超〜60mmまたは82超〜90mmまたは102mm超〜110mmまたは127mm超〜145mmまたは152mm超〜172mmまたは202超〜220mmの内径を有する、
なお、公称径は、50mmもしくは2インチ、80mmもしくは3インチ、100mm、125mm、150mm、または200mmである。
すなわち、単結晶を製造するための方法は、原材料の溶融物(16)から結晶を製造する方法であって、第1の断面領域を含む第1のセクションと、第2の断面領域を含み種結晶を収容するための第2のセクションとを備え、前記第2の断面領域は前記第1の断面領域よりも小さく、前記第1のセクションおよび前記第2のセクションは、直接、または前記第1のセクションから前記第2のセクションへ先細りする第3のセクションを介して互いに接続され、前記溶融物を収容するためのるつぼを使用して、有向温度場(T)内において前記種結晶から凝固し始める溶融物内への結晶化を実施するときに、前記るつぼの前記第1のセクションは中心軸を有し、前記第2のセクションを、前記第1のセクションの前記中心軸から側方にオフセットさせて配置する、または、前記第2のセクションは、自身の中心軸の方向に沿った長さを有し、前記長さを、40mm〜120mm、好ましくは50mm〜90mm、より好ましくは60mm〜80mm(各範囲は境界値を含む)にする。
そして、前記有向温度場内において前記溶融物を冷却することにより前記結晶を成長させた後、後処理工程を前記冷却された結晶に適用し、前記後処理工程は、前記結晶の円筒壁形状もしくは管状形状のエッジ部分または非対称の円筒壁形状もしくは管状形状のエッジ部分を除去する工程を含み、前記後処理された結晶の断面領域が、前記成長後に冷却されたが前記後処理工程をまだ経ていない前記結晶の直径よりも、2mmから20mmを含む範囲の差だけ小さい直径を有するようにする。
また、原材料の溶融物から結晶を製造する別方法は、第1の断面領域を含む第1のセクションと、第2の断面領域を含み種結晶を収容するための第2のセクションとを備え、前記第2の断面領域は前記第1の断面領域よりも小さく、前記第1のセクションおよび前記第2のセクションは、直接、または前記第1のセクションから前記第2のセクションへ先細りする第3のセクションを介して互いに接続され、前記溶融物を収容するためのるつぼを使用して、有向温度場内において前記種結晶から凝固し始める溶融物内への結晶化を実施するときに、前記有向温度場において前記溶融物を冷却することにより前記結晶を成長させた後、後処理工程を前記冷却された結晶に適用し、前記後処理工程は、前記結晶の円筒壁形状もしくは管状形状のエッジ部分または非対称の円筒壁形状もしくは管状形状のエッジ部分を除去する工程を含み、前記後処理された結晶の断面領域が、前記成長後に冷却されたが前記後処理工程をまだ経ていない前記結晶の直径よりも、2mmから20mmを含む範囲の差だけ小さい直径を有するようにしている。そして、前記後処理工程はドリリング、ポリッシング、ラッピング、および/またはグラインディングを含むとよい。
これらの方法によって、単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ、特に、とりわけヒ化ガリウム(GaAs)またはリン化インジウム(InP)を含む、AIII−BV単結晶が得られる。
Claims (28)
- 原材料の溶融物(16)から結晶(14)を製造するための装置(1、1’’、1’’’)であって、
第1の断面領域を含む第1のセクション(4’、4’’)と、第2の断面領域を含み種結晶(12)を収容するための第2のセクション(6’)とを備え、前記溶融物(16)を収容して、有向温度場(T)内において前記種結晶(12)から凝固し始める溶融物内での結晶化を行うためのるつぼ(2’、2’’、2’’’)を有し、
前記第2の断面領域は前記第1の断面領域よりも小さく、
前記第1のセクションおよび前記第2のセクションは、直接、または前記第1のセクションから前記第2のセクションへ先細りする第3のセクション(8、8’)を介して互いに接続されており、
前記るつぼ(2’、2’’、2’’’)の前記第1のセクション(4’、4’’)は中心軸(M)を有し、
前記第2のセクション(6’)は前記第1のセクション(4’、4’’)の前記中心軸(M)から側方にオフセット(v)するように配置されている、
装置(1、1’’、1’’’)。 - 前記第2のセクションは長手方向軸を含み、
前記長手方向軸は、前記第1のセクションの領域内へ延ばした場合、前記第1のセクション内の前記るつぼの内側壁から15mm以下の距離、好ましくは10mm以下の距離、より好ましくは5mm以下の距離のところに延在する、
請求項1に記載の装置。 - 前記第2のセクション(6’)は少なくとも部分的に円筒形状に形成され、15mm以下、特に10mm〜15mmまたは5mm〜10mmの範囲の内径を有する、
請求項2に記載の装置。 - 前記第1のセクションは、少なくとも部分的に円筒形状に形成され、52mm超〜60mm、または82超〜90mm、または102mm超〜110mm、または127mm超〜145mm、または152mm超〜172mm、または202超〜220mmの内径(d’’、d’’’)を有する、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の装置。 - 前記装置(1)は、公称径を有する結晶を製造するように構成され、
前記公称径は、前記結晶を成長させる工程の後の後処理工程において達成され、
前記第1のセクションは、前記中心軸に対して垂直な自身の断面領域に伴う内径を有し、その内径は、前記公称径よりも、2mm以上、好ましくは3mm以上、より好ましくは5mm以上大きく、最大で10mm大きい、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の装置。 - 前記公称径は、50mmもしくは2インチ、80mmもしくは3インチ、100mm、125mm、150mm、または200mmである、
請求項5に記載の装置。 - 前記第2のセクション(6、6’)は、自身の中心軸(M)の方向に沿った長さ(k’)を有し、その長さは、40mm〜120mm、好ましくは50mm〜90mm、より好ましくは60mm〜80mmであり、各範囲は境界値を含む、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の装置。 - 1つ以上の加熱要素(10)を含む加熱装置をさら備え、
前記加熱装置は、温度勾配を有する前記有向温度場(T)を生成するように構成され、前記るつぼは前記温度場内に配置される、
請求1〜7のいずれか一項に記載の装置。 - 前記るつぼは、ヒ化ガリウム(GaAs)またはリン化インジウム(InP)からなる溶融物を収容するのに適した材料、好ましくは窒化ホウ素(BN)または熱分解析出窒化ホウ素(pBN)、から形成される、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の装置。 - 前記るつぼ(2’’)に加えて、さらに同一のるつぼが、対称かつ平行に同じ高さで配置されて設けられ、好ましくは、前記第2のセクション(6’)が前記中心軸(M)からオフセットしている一方向が、前記るつぼの配置の対称軸(Z)に向かって方向づけられている、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の装置(1’’’’、1’’’’’)。 - 原材料の溶融物(16)から結晶(14)を製造するための装置(1)であって、
第1の断面領域を含む第1のセクション(4’、4’’)と、第2の断面領域を含み種結晶(12)を収容するための第2のセクション(6’)とを備え、前記溶融物(16)を収容して、有向温度場(T)内において前記種結晶(12)から凝固し始める溶融物(16)内への結晶化を行うためのるつぼ(2’、2’’、2’’’)を有し、
前記第2の断面領域は前記第1の断面領域よりも小さく、
前記第1のセクションおよび前記第2のセクションは、直接、または前記第1のセクションから前記第2のセクションへ先細りする第3のセクション(8’)を介して互いに接続されており、
前記装置(1)は、公称径を有する結晶(14)を製造するように構成され、
前記公称径は、前記結晶(14)を成長させる工程の後の後処理工程において達成され、
前記第1のセクション(4’、4’’)は、中心軸(M)に対して垂直な自身の断面領域に伴う内径(d’’、d’’’)を有し、その内径は公称径(d)よりも、2mm以上、好ましくは3mm以上、より好ましくは5mm以上大きく、最大で20mm大きい、
装置(1)。 - 前記第1のセクションは少なくとも部分的に円筒形状に形成され、52mm超〜60mmまたは82超〜90mmまたは102mm超〜110mmまたは127mm超〜145mmまたは152mm超〜172mmまたは202超〜220mmの内径(d’’、d’’’)を有する、
請求項11に記載の装置。 - 前記公称径は、50mmもしくは2インチ、80mmもしくは3インチ、100mm、125mm、150mm、または200mmである、
請求項11に記載の装置。 - 原材料の溶融物(16)から結晶(14)を製造するための装置(1)であって、
第1の断面領域を含む第1のセクション(4、4’’)と、第2の断面領域を含み種結晶(12)を収容するための第2のセクション(6、6’)とを備え、前記溶融物(16)を収容して、有向温度場(T)内において前記種結晶(12)から凝固し始める溶融物(16)内への結晶化を行うためのるつぼ(2、2’’’)を有し、
前記第2の断面領域は前記第1の断面領域よりも小さく、
前記第1のセクションおよび前記第2のセクションは、直接、または前記第1のセクションから前記第2のセクションへ先細りする第3のセクション(8、8’)を介して互いに接続されており、
前記第2のセクション(6、6’)は、自身の中心軸(M)の方向に沿った長さ(k’)を有し、前記長さ(k’)は、40mm〜120mm、好ましくは50mm〜90mm、より好ましくは60mm〜80mmであり、各範囲は境界値を含む、
装置(1)。 - 原材料の溶融物(16)から結晶(14)を製造する方法であって、
第1の断面領域を含む第1のセクション(4、4’’)と、第2の断面領域を含み種結晶(12)を収容するための第2のセクション(6’)とを備え、前記第2の断面領域は前記第1の断面領域よりも小さく、前記第1のセクションおよび前記第2のセクションは、直接、または前記第1のセクションから前記第2のセクションへ先細りする第3のセクション(8、8’)を介して互いに接続され、前記溶融物(16)を収容するためのるつぼ(2、2’’’)を使用して、有向温度場(T)内において前記種結晶(12)から凝固し始める溶融物(16)内への結晶化を実施するときに、
前記るつぼ(2、2’’’)の前記第1のセクション(4、4’’)は中心軸(M)を有し、前記第2のセクション(6、6’)を、前記第1のセクション(4、4’’)の前記中心軸(M)から側方にオフセットさせて配置する、または
前記第2のセクション(6)は、自身の中心軸(M)の方向に沿った長さ(k’)を有し、前記長さ(k’)を、40mm〜120mm、好ましくは50mm〜90mm、より好ましくは60mm〜80mm(各範囲は境界値を含む)にする、
方法。 - 前記有向温度場(T)内において前記溶融物を冷却することにより前記結晶を成長させた後、後処理工程を前記冷却された結晶に適用し、
前記後処理工程は、前記結晶(14)の円筒壁形状もしくは管状形状のエッジ部分または非対称の円筒壁形状もしくは管状形状のエッジ部分を除去する工程を含み、
前記後処理された結晶の断面領域が、前記成長後に冷却されたが前記後処理工程をまだ経ていない前記結晶の直径(d’’、d’’’)よりも、2mmから20mmを含む範囲の差だけ小さい直径(d)を有するようにした、
請求項15に記載の方法。 - 原材料の溶融物(16)から結晶(14)を製造する方法であって、
第1の断面領域を含む第1のセクション(4’、4’’)と、第2の断面領域を含み種結晶を収容するための第2のセクション(6’)とを備え、前記第2の断面領域は前記第1の断面領域よりも小さく、前記第1のセクションおよび前記第2のセクションは、直接、または前記第1のセクションから前記第2のセクションへ先細りする第3のセクション(8’)を介して互いに接続され、前記溶融物(16)を収容するためのるつぼ(2’、2’’、2’’’)を使用して、有向温度場(T)内において前記種結晶(12)から凝固し始める溶融物(16)内への結晶化を実施するときに、
前記有向温度場(T)において前記溶融物を冷却することにより前記結晶を成長させた後、後処理工程を前記冷却された結晶(14)に適用し、
前記後処理工程は、前記結晶(14)の円筒壁形状もしくは管状形状のエッジ部分または非対称の円筒壁形状もしくは管状形状のエッジ部分を除去する工程を含み、
前記後処理された結晶の断面領域が、前記成長後に冷却されたが前記後処理工程をまだ経ていない前記結晶の直径(d’’、d’’’)よりも、2mmから20mmを含む範囲の差だけ小さい直径(d)を有するようにした、
方法。 - 前記後処理工程はドリリング、ポリッシング、ラッピング、および/またはグラインディングを含む、
請求項16または17に記載の方法。 - 請求項15〜18のいずれか一項に記載の方法により得られる、単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ、特に、とりわけヒ化ガリウム(GaAs)またはリン化インジウム(InP)を含む、AIII−BV単結晶。
- 単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ、特に、とりわけヒ化ガリウム(GaAs)またはリン化インジウム(InP)を含む、AIII−BV単結晶であって、
自身の中心軸(M)に対して垂直な前記単結晶(14)の断面領域内の平均エッジピット密度(EPDav)として求められる前記結晶の格子内の転位の平均密度が、10cm−2以下、好ましくは5cm−2以下、より好ましくは3cm−2以下、さらにより好ましくは1cm−2以下であり、最も好ましくは転位がなく、前記単結晶または前記ウエハの直径が好ましくは150mm以上である、
単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ。 - 格子硬化ドーパント、特にホウ素、ケイ素、亜鉛、硫黄、インジウムが、単独でまたは組合せて前記単結晶の前記格子内に組み込まれている、
請求項20に記載の単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ。 - SIRD法による空間分解測定によって得られる、前記単結晶(14)または前記ウエハの断面領域上における、最大で+/−30kPa以下、好ましくは+/−25kPa以下の残留応力の分布を含み、前記空間分解測定の横方向解像度が、好ましくは100μmである、
請求項20に記載の単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ。 - 前記単結晶または前記ウエハの断面領域内において、0.25mm2の大きさの全ての測定場が前記断面領域を完全にカバーしており、測定グリッド内における転位の全くない測定場の割合が、前記断面領域の全面積の99%以上である、
請求項20〜22のいずれか一項に記載の単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ。 - 単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ、特に、とりわけヒ化ガリウム(GaAs)またはリン化インジウム(InP)を含む、AIII−BV単結晶であって、
SIRD法による空間分解測定によって得られる、前記単結晶(14)または前記ウエハの断面領域上における、最大で+/−30kPa以下、好ましくは+/−25kPa以下の残留応力の分布を含む、
単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ。 - 前記空間分解測定の横方向解像度が100μmである、
請求項24に記載の単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ。 - 前記単結晶またはウエハの直径が150mm以上である、
請求項24または25に記載の単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ。 - 単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ、特に、とりわけヒ化ガリウム(GaAs)またはリン化インジウム(InP)を含む、AIII−BV単結晶であって、
自身の中心軸(M)に対して垂直な前記単結晶(14)の断面領域内の平均エッジピット密度(EPDav)として求められる前記結晶の格子内の転位の平均密度が1000cm−2以下であり、
格子硬化ドーパント、特に、それぞれ単独のまたは組合せた、ホウ素、ケイ素、亜鉛、硫黄、インジウム、を含む電荷担体濃度が、7x1016Atoms/cm3以下、好ましくは1x1016atoms/cm3以下である、
単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ。 - 単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ、特に、とりわけヒ化ガリウム(GaAs)またはリン化インジウム(InP)を含む、AIII−BV単結晶であって、
前記結晶の原子格子における転位の平均密度が、700cm−2以下、好ましくは500cm−2以下、より好ましくは200cm−2以下であり、
総電荷担体濃度は7x1016atoms/cm3以下、好ましくは1x1016atoms/cm3以下である、
単結晶(14)または前記単結晶(14)からの分離により得られるウエハ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022090346A JP7510969B2 (ja) | 2019-06-07 | 2022-06-02 | Aiii-bv結晶から製造された基板ウエハ |
JP2024101479A JP2024111297A (ja) | 2019-06-07 | 2024-06-24 | Aiii-bv単結晶またはウエハ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019208389.7 | 2019-06-07 | ||
DE102019208389.7A DE102019208389A1 (de) | 2019-06-07 | 2019-06-07 | Verfahren zur Herstellung von Restspannungs- und versetzungsfreien AIII-BV-Substratwafern |
PCT/EP2020/065375 WO2020245215A1 (en) | 2019-06-07 | 2020-06-03 | Device and method of manufacturing aiii-bv-crystals and substrate wafers manufactured thereof free of residual stress and dislocations |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022090346A Division JP7510969B2 (ja) | 2019-06-07 | 2022-06-02 | Aiii-bv結晶から製造された基板ウエハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021533057A true JP2021533057A (ja) | 2021-12-02 |
JP7329541B2 JP7329541B2 (ja) | 2023-08-18 |
Family
ID=70977534
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020563910A Active JP7329541B2 (ja) | 2019-06-07 | 2020-06-03 | 残留応力および転位のないaiii-bv結晶を製造する装置 |
JP2022090346A Active JP7510969B2 (ja) | 2019-06-07 | 2022-06-02 | Aiii-bv結晶から製造された基板ウエハ |
JP2024101479A Pending JP2024111297A (ja) | 2019-06-07 | 2024-06-24 | Aiii-bv単結晶またはウエハ |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022090346A Active JP7510969B2 (ja) | 2019-06-07 | 2022-06-02 | Aiii-bv結晶から製造された基板ウエハ |
JP2024101479A Pending JP2024111297A (ja) | 2019-06-07 | 2024-06-24 | Aiii-bv単結晶またはウエハ |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11965266B2 (ja) |
EP (2) | EP3775328B1 (ja) |
JP (3) | JP7329541B2 (ja) |
KR (3) | KR102546061B1 (ja) |
CN (2) | CN112048770B (ja) |
DE (1) | DE102019208389A1 (ja) |
PL (1) | PL3775328T3 (ja) |
TW (3) | TWI768366B (ja) |
WO (1) | WO2020245215A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024142270A1 (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム単結晶基板およびその製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019208389A1 (de) * | 2019-06-07 | 2020-12-10 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Restspannungs- und versetzungsfreien AIII-BV-Substratwafern |
JP6798637B1 (ja) * | 2019-07-10 | 2020-12-09 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム単結晶基板 |
CN114111688B (zh) * | 2021-07-29 | 2023-08-25 | 深圳市中图仪器股份有限公司 | 正交轴系统的正交性的测量装置和方法 |
DE102023200457A1 (de) * | 2023-01-20 | 2024-07-25 | Freiberger Compound Materials Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von AIII-BV-Verbindungshalbleiter-Einkristallen sowie AIII-BV-Verbindungshalbleiter-Einkristall und -Wafer |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4666681A (en) * | 1983-06-06 | 1987-05-19 | Commissariat A L'energie Atomique | Apparatus for producing a monocrystal |
JPH06298588A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-25 | Dowa Mining Co Ltd | 縦型ボート法による化合物半導体単結晶の製造方法 |
JP2000203981A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-25 | Kobe Steel Ltd | 多連型単結晶製造装置 |
JP2005132717A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-05-26 | Showa Denko Kk | 化合物半導体単結晶およびその製造方法 |
JP2006143516A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶製造装置 |
JP2009051728A (ja) * | 2001-07-05 | 2009-03-12 | Axt Inc | 炭素ドーピング、抵抗率制御、温度勾配制御を伴う、剛性サポートを備える半導体結晶を成長させるための方法および装置 |
JP2010064936A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Hitachi Cable Ltd | 半導体結晶の製造方法 |
JP2010528964A (ja) * | 2007-06-06 | 2010-08-26 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 原料の溶融物から結晶を製造するための構成および方法、ならびに単結晶 |
JP2015231921A (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-24 | 住友電気工業株式会社 | 結晶成長用坩堝 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3656261B2 (ja) | 1994-10-24 | 2005-06-08 | 住友電気工業株式会社 | GaAs結晶の熱処理方法 |
JP3201305B2 (ja) | 1996-04-26 | 2001-08-20 | 住友電気工業株式会社 | Iii−v族化合物半導体結晶の製造方法 |
US6572700B2 (en) | 1997-12-26 | 2003-06-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor crystal, and method and apparatus of production thereof |
JP3797824B2 (ja) | 1998-07-07 | 2006-07-19 | 三菱化学株式会社 | p型GaAs単結晶およびその製造方法 |
DE19912486A1 (de) | 1999-03-19 | 2000-09-28 | Freiberger Compound Mat Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen sowie Kristallkeim |
US7175707B2 (en) * | 2003-03-24 | 2007-02-13 | Hitachi Cable Ltd. | P-type GaAs single crystal and its production method |
KR101030099B1 (ko) * | 2003-05-07 | 2011-04-20 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 인화인듐 기판 및 인화인듐 단결정과 그 제조 방법 |
DE112004001269T5 (de) | 2003-07-17 | 2006-07-20 | Showa Denko Kk | InP-Einkristall, GaAs-Einkristall und Verfahren zu deren Herstellung |
JP2005298254A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体単結晶成長用容器及びそれを用いた化合物半導体単結晶の製造方法 |
US7214269B2 (en) | 2004-10-15 | 2007-05-08 | Hitachi Cable, Ltd. | Si-doped GaAs single crystal substrate |
US20090098377A1 (en) * | 2005-03-31 | 2009-04-16 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Si-Doped GaAs Single Crystal Ingot and Process for Producing the Same, and Si-Doped GaAs Single Crystal Wafer Produced From Si-Doped GaAs Single Crystal Ingot |
US7566641B2 (en) | 2007-05-09 | 2009-07-28 | Axt, Inc. | Low etch pit density (EPD) semi-insulating GaAs wafers |
KR100868726B1 (ko) | 2007-05-11 | 2008-11-13 | 엑스탈테크놀로지 주식회사 | 갈륨비소 잉곳 생산을 위한 수직 브리지만 장치 및 방법 |
US10822722B2 (en) * | 2017-07-04 | 2020-11-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gallium arsenide crystal body and gallium arsenide crystal substrate |
CN109206980B (zh) * | 2018-10-31 | 2021-10-29 | 传美讯电子科技(珠海)有限公司 | 一种uv喷墨白色墨水 |
DE102019208389A1 (de) * | 2019-06-07 | 2020-12-10 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Restspannungs- und versetzungsfreien AIII-BV-Substratwafern |
-
2019
- 2019-06-07 DE DE102019208389.7A patent/DE102019208389A1/de active Pending
-
2020
- 2020-06-03 CN CN202010496246.8A patent/CN112048770B/zh active Active
- 2020-06-03 WO PCT/EP2020/065375 patent/WO2020245215A1/en unknown
- 2020-06-03 PL PL20730425.4T patent/PL3775328T3/pl unknown
- 2020-06-03 CN CN202310868230.9A patent/CN116856061A/zh active Pending
- 2020-06-03 TW TW109118710A patent/TWI768366B/zh active
- 2020-06-03 EP EP20730425.4A patent/EP3775328B1/en active Active
- 2020-06-03 KR KR1020217016136A patent/KR102546061B1/ko active IP Right Grant
- 2020-06-03 EP EP23186595.7A patent/EP4249650A3/en active Pending
- 2020-06-03 KR KR1020237041105A patent/KR20230165390A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-06-03 US US17/059,772 patent/US11965266B2/en active Active
- 2020-06-03 TW TW110110272A patent/TWI774282B/zh active
- 2020-06-03 KR KR1020227032693A patent/KR102628746B1/ko active IP Right Grant
- 2020-06-03 JP JP2020563910A patent/JP7329541B2/ja active Active
- 2020-06-03 TW TW109206980U patent/TWM616656U/zh unknown
-
2022
- 2022-06-02 JP JP2022090346A patent/JP7510969B2/ja active Active
-
2024
- 2024-06-24 JP JP2024101479A patent/JP2024111297A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4666681A (en) * | 1983-06-06 | 1987-05-19 | Commissariat A L'energie Atomique | Apparatus for producing a monocrystal |
JPH06298588A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-25 | Dowa Mining Co Ltd | 縦型ボート法による化合物半導体単結晶の製造方法 |
JP2000203981A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-25 | Kobe Steel Ltd | 多連型単結晶製造装置 |
JP2009051728A (ja) * | 2001-07-05 | 2009-03-12 | Axt Inc | 炭素ドーピング、抵抗率制御、温度勾配制御を伴う、剛性サポートを備える半導体結晶を成長させるための方法および装置 |
JP2005132717A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-05-26 | Showa Denko Kk | 化合物半導体単結晶およびその製造方法 |
JP2006143516A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶製造装置 |
JP2010528964A (ja) * | 2007-06-06 | 2010-08-26 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 原料の溶融物から結晶を製造するための構成および方法、ならびに単結晶 |
JP2010064936A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Hitachi Cable Ltd | 半導体結晶の製造方法 |
JP2015231921A (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-24 | 住友電気工業株式会社 | 結晶成長用坩堝 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024142270A1 (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム単結晶基板およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7329541B2 (ja) | 2023-08-18 |
EP3775328B1 (en) | 2023-11-08 |
KR20230165390A (ko) | 2023-12-05 |
EP4249650A3 (en) | 2023-10-25 |
TWI774282B (zh) | 2022-08-11 |
JP7510969B2 (ja) | 2024-07-04 |
KR20220132063A (ko) | 2022-09-29 |
TWI768366B (zh) | 2022-06-21 |
DE102019208389A1 (de) | 2020-12-10 |
KR102546061B1 (ko) | 2023-06-21 |
CN116856061A (zh) | 2023-10-10 |
PL3775328T3 (pl) | 2024-03-25 |
TW202132632A (zh) | 2021-09-01 |
EP3775328A1 (en) | 2021-02-17 |
TW202100818A (zh) | 2021-01-01 |
KR102628746B1 (ko) | 2024-01-24 |
US11965266B2 (en) | 2024-04-23 |
KR20210082508A (ko) | 2021-07-05 |
CN112048770A (zh) | 2020-12-08 |
EP4249650A2 (en) | 2023-09-27 |
JP2024111297A (ja) | 2024-08-16 |
US20220106702A1 (en) | 2022-04-07 |
TWM616656U (zh) | 2021-09-11 |
CN112048770B (zh) | 2023-08-29 |
JP2022119962A (ja) | 2022-08-17 |
WO2020245215A1 (en) | 2020-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2021533057A (ja) | 残留応力および転位のないaiii−bv結晶を製造する装置およびaiii−bv結晶から製造された基板ウエハ | |
JP5820439B2 (ja) | 原料の溶融物から製造される単結晶 | |
EP2933359B1 (en) | Method for growing a beta-ga2o3-based single crystal | |
Fukuda et al. | Growth of bulk single crystal ScAlMgO4 boules and GaN films on ScAlMgO4 substrates for GaN-based optical devices, high-power and high-frequency transistors | |
JP2023516634A (ja) | 低エッチピット密度、低すべり線密度、および低ひずみのリン化インジウム | |
Lee et al. | Effect of TaC-coated crucible on SiC single crystal growth | |
US20200181801A1 (en) | Ramo4 substrate and method of manufacture thereof, and group iii nitride semiconductor | |
US6878202B2 (en) | Method for growing single crystal of compound semiconductor and substrate cut out therefrom | |
WO2014200077A1 (ja) | 微細構造形成方法、半導体デバイスの製造方法、及びcmosの形成方法 | |
JP2012144411A (ja) | 半導体結晶の製造方法 | |
WO2024142270A1 (ja) | ヒ化ガリウム単結晶基板およびその製造方法 | |
Sudarshan | Materials science and engineering of bulk silicon carbides | |
Štěpánek et al. | Study of low Te-doped GaSb single crystals | |
JPH10298000A (ja) | 板状単結晶およびその製造方法 | |
Deitch et al. | Growth of Large Diameter Silicon-Germanium Monocrystals | |
Gupta et al. | Semiconductor Growth Techniques and Device Fabrication | |
Islam et al. | Study on polycrystallization in bulk InxGa1− xAs using micro-Raman and photoluminescence |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210212 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230606 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230711 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230807 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7329541 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |