JP2000203981A

JP2000203981A - 多連型単結晶製造装置

Info

Publication number: JP2000203981A
Application number: JP11006607A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Uehara; 一浩上原; Hiroshi Okada; 広岡田
Original assignee: Kobe Steel Ltd
Current assignee: Kobe Steel Ltd
Priority date: 1999-01-13
Filing date: 1999-01-13
Publication date: 2000-07-25

Abstract

(57)【要約】【課題】ＧａＡｓ単結晶等を製造する場合、垂直ブリ
ッジマン法を採用するのが好適とされているが、この方
法は、単結晶の成長速度を３〜５ｍｍ／ｈという非常に
ゆっくりした速度で行う必要があった。そのため、生産
性に劣るという難点があった。【解決手段】圧力容器２内に複数のルツボ３を設ける
ことで、一度に複数の単結晶成長ができる構成とした。
この場合、各ルツボ３間において熱的干渉が起こるのを
防止するため、ルツボ３とこれを個別に囲むヒータ４と
の組み合わせを、個々に断熱材性のスペーサ部材１０に
よって熱的に区画遮断させた。また、各ルツボ３を一斉
に下降できるように、全体として共通の昇降台７で支持
させる構造にして、製造の容易化を図った。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多連型の単結晶製
造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（例えばＧａ
Ａｓ）やＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（例えばＣｄＴｅ）
等の単結晶を製造する方法としては、引き上げ法（ＣＺ
法）、水平ブリッジマン法（ＨＢ法）、水平温度勾配下
固化法（ＨＧＦ法）、垂直ブリッジマン法（ＶＢ法）及
び垂直温度勾配下固化法（ＶＧＦ法）等がある（例え
ば、特公平６−１０２５８８号公報等参照）。このう
ち、例えばＣＺ法では、単結晶を成長させる速度を１０
〜２０ｍｍ／ｈと迅速にできるが、これによって製造さ
れるφ３インチアンドープＧａＡｓ単結晶は、その転位
密度が１０万／ｃｍ²にも達するものとなる。なお、こ
のＣＺ法では、単結晶の成長速度を３〜５ｍｍ／ｈのゆ
っくりしたものに抑えても、転位密度を減少させること
は殆どできないということがあった。

【０００３】これに対し、ＶＢ法でφ３インチアンドー
プＧａＡｓ単結晶を製造した場合、数千／ｃｍ²といっ
た、上記ＣＺ法に比して実に１／１０の低転位密度にす
ることができるものとなっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のようにＶＢ法
は、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰなどのＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体として、低転位密度を有した高品質の単結晶を
成長させることができる点で、近年において非常に注目
されはじめている。なぜなら、低転位密度ＧａＡｓ結晶
等は、デバイスを高集積化させるうえでネックとされて
いる電気的特性のバラツキを減少させるなど、基板結晶
の低転位密度化が及ぼす好影響として、この種、化合物
半導体デバイス分野において極めて有益だからである。

【０００５】しかし、このＶＢ法によって、上記のよう
な低転位密度の単結晶を得るには、その成長速度を３〜
５ｍｍ／ｈといった非常にゆっくりした速度に設定する
必要があった。そのため、生産性が低いと言わざるを得
ない。なお、もし仮に、このＶＢ法において上記ＣＺ法
と同じ１０〜２０ｍｍ／ｈという速い速度で単結晶の成
長を行わせた場合、転位密度は数万／ｃｍ²程度にまで
増加してしまうということになっていた。本発明は上記
事情に鑑みてなされたものであって、低転位密度を有す
る単結晶の製造において高生産性を実現できるようにし
た多連型単結晶製造装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明では、上記目的を
達成するために、次の技術的手段を講じた。即ち、本発
明に係る多連型単結晶製造装置は、圧力容器と、この圧
力容器内に収納される複数のルツボと、各ルツボを個別
に囲んで設けられるヒータとを有したものとなってお
り、ヒータの加熱制御又はルツボの下降移動により、各
ルツボ内へ装填した化合物原料の融点を中心温度とする
上高下低の温度雰囲気帯をルツボに対して下方から上方
へ相対移動させて、各ルツボ内の底部に装填した種結晶
を起点として原料融液を下方から上方へ順次冷却固化さ
せてゆくというものである。

【０００７】換言すれば、この多連型単結晶製造装置
は、単結晶製造装置（圧力容器とルツボとヒータとを有
するもの）の複数台を、それらの圧力容器を共用させる
かたちで組み合わせた構成となったものであり、これら
単結晶製造装置での個々の単結晶の成長速度が従来と同
じでも、その全体としては、一度の製造稼働で複数の単
結晶を得ることができることから、この多連型単結晶製
造装置による単結晶の生産数を従来の数倍（要するに単
結晶製造装置としての組み合わせ台数倍に相当）に増や
せるということになり、結果として、単結晶の単位個数
あたりの生産能率を飛躍的に高めたことになる。

【０００８】ところで、圧力容器内の各ルツボに対する
温度制御を、それぞれ各別に行うようにすることは可能
ではあるが、全てのルツボに対する温度制御を総合的に
一括して行えるようにすることが、品質の均一性をはじ
め、コスト面及び手間面から望まれるところである。そ
こで、各ルツボの下部に対し、ルツボ内の底部に装填し
た種結晶の下端部を外嵌可能にする吸熱部を上端部に有
し、且つ下方へ延びる下端部に放熱部を有した高熱伝導
性部材を設けると共に、この高熱伝導性部材の吸熱部と
種結晶下端部との外嵌部分まわりを包囲するようにして
断熱材を設けるようにするとよい。

【０００９】すなわち、種結晶を起点に単結晶の成長が
はじまる過程で、高熱伝導性部材がその吸熱部によって
種結晶の下端部から熱を奪い、これを下端側の放熱部を
介して放熱させるようにしているため、これによって原
料融液の下部温度（種結晶に接触している部分の温度）
に比して種結晶の下端寄りを低温に保つことができるこ
とに繋がり、この部分間での温度勾配を大きく採れるも
のとなっている。従って、種結晶が原料融液に完全に溶
融されてしまうということがなくなり、単結晶成長開始
段階の種付け工程において、種結晶を確実に残存させる
ことができることになる。

【００１０】また、これに加え、高熱伝導性部材の吸熱
部によって種結晶の下端部を外嵌している部分を更に断
熱材で包囲するようにしているため、この種結晶に対し
ては外周方向からの熱吸収が遮断され、外乱としての熱
影響を受けない状態に保持できることにもなっている。
圧力容器内において、隣接するルツボ相互間（この場合
のルツボはヒータを含んだものを言う）を断熱材製のス
ペーサ部材によって区画保持させるようにすると、各ル
ツボにおける温度環境を、一層、外乱のない単独環境に
遮断でき、従って、いちいち個別に温度センサ等を設け
なくても全体として統一的且つ同調的な温度制御ができ
ることになる。

【００１１】従って、それだけ制御が容易となり、且つ
品質的に均一な単結晶を得ることができることになる。
この多連型単結晶製造装置を、ＶＢ法や液体封止垂直ブ
リッジマン法（ＬＥ−ＶＢ法）等に従って稼働させるも
のとする場合には、ヒータの囲み領域内で昇降自在に設
けられたルツボ支持台によって個々のルツボを支持さ
せ、このルツボ支持台を共通の昇降台で保持させ、この
昇降台を昇降駆動機構により昇降させる構造とすればよ
いものである。なお、この場合、高熱伝導性部材は、上
記ルツボ支持台に内蔵させるかたちとすればよい。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１乃至図４は、本発明に係る多
連型単結晶製造装置１の第１実施形態を示している。図
１及び図２に示すように、この多連型単結晶製造装置１
は、圧力容器２と、この圧力容器２内に収納される複数
（図例では６個）のルツボ３と、各ルツボ３を個別に囲
んで設けられる円筒形をしたヒータ４（このヒータ４も
ルツボ３と同じく６個ある）とを有している。

【００１３】個々のルツボ３は、それぞれヒータ４の囲
み領域内に設けられるツボ支持台５の上で支持されてお
り、これら各ルツボ支持台５は、全体として一つの昇降
台７に対して保持されており、そしてこの昇降台７は、
昇降駆動軸８を介して圧力容器２の外に設けられた適宜
昇降駆動機構（図示略）により昇降可能になっている。
この昇降駆動機構による昇降台７の下降速度は、３〜５
ｍｍ／ｈとなるように設定されている。

【００１４】圧力容器２内におけるルツボ３の平面配置
状況は、隣接するもの同士間を等間隔にした車座状を呈
しており、これら各ルツボ３の配置間には、断熱材製の
スペーサ部材１０が介設されるかたちとなっている。従
って、このスペーサ部材１０が各ルツボ３（ヒータ４を
含む）の隣接間を熱的に区画保持させる作用を奏してい
ることになる。すなわち、このスペーサ部材１０として
の形状は、太い短円柱形であり、且つその周方向に沿っ
た配置で両端面間を貫通する複数（６個）の収納孔１０
ａが設けられたものとなっており、これら各収納孔１０
ａでルツボ３及びヒータ４を収納する構造となってい
る。

【００１５】このスペーサ部材１０は、例えばカーボ
ン、シリカ、アルミナ、ジルコニア等のファイバ成形材
により形成するのが好適である。圧力容器２内におい
て、このスペーサ部材１０の外周部には、更に断熱壁１
１が設けられている。図３に示すように、ルツボ３は、
円筒形本体部１３と、この本体部１３の底部で縮径して
下端が解放したシード部１４とを有している。本体部１
３は最初に化合物原料１５や液体封止材１６を収容させ
る部分であり、またシード部１４は種結晶１７を装填さ
せる部分であることは言うまでもない。

【００１６】このルツボ３を支持するルツボ支持台５
は、ルツボ３を立て姿勢にして保持可能なルツボ受部２
０と、このルツボ受部２０の下部に設けられる台座部２
１とを有している。ルツボ受部２０の下端部と台座部２
１の上端部とは内部連通構造になっている。また、この
台座部２１内には、上端部に吸熱部２３を有すると共
に、これより下方へ延びる下端部に放熱部２４を有する
高熱伝導性部材２５が収納されていると共に、この高熱
伝導性部材２５を包み込む状態で断熱材２６が充填され
た構造になっている。

【００１７】高熱伝導性部材２５の吸熱部２３には、そ
の上面中央部に凹部２７が設けられており、また断熱材
２６には、この高熱伝導性部材２５の凹部２７に対応し
て連通孔２８が形成されている。この連通孔２８は、ル
ツボ受部２０の下端部と台座部２１の上端部との内部連
通部分に対して合致している。従って、ルツボ受部２０
に対してルツボ３を保持させると、ルツボ３のシード部
１４が台座部２１内へ差し込まれ、更にシード部１４の
下端部が断熱材２６の連通孔２８を突き抜けて、高熱伝
導性部材２５における吸熱部２３の凹部２７へ嵌合され
る状態となる。

【００１８】そして、このときルツボ３のシード部１４
内に種結晶１７が装填されていれば、この種結晶１７の
下端部を高熱伝導性部材２５の吸熱部２３が外嵌するか
たちとなり、この外嵌部分まわりを更に断熱材２６が包
囲する状態が得られることになる。高熱伝導性部材２５
は、例えばグラファイト、アルミナ、窒化ホウ素、炭化
珪素、高融点金属等により形成するのが好適である。ま
た、断熱材２６は、例えばカーボン、シリカ、アルミ
ナ、ジルコニア等のファイバ成形材により形成するのが
好適である。

【００１９】ヒータ４は、上下複数段（図例では４段）
のヒータエレメント３０を、リング状スペーサ３１を介
して積み上げることによって形成されたもので、個々の
ヒータエレメント３０が円環形体に形成されている。ヒ
ータ４の囲み領域内の適宜位置に温度センサ（図示略）
が設けられ、ヒータエレメント３０のうち、ヒータ４の
下部寄り（例えば上から３段目又は４段目）に位置付け
られるものが化合物原料１５の融点温度になり、これよ
り上側が高温、下側が低温となるように、即ち、融点を
中心温度とする上高下低の温度雰囲気帯が形成されるよ
うに、全体が温度制御されるものとなっている。

【００２０】なお、上記の温度センサ（図示略）は、全
てのヒータ４内に設けることも可能であるが、各ヒータ
４内は上記スペーサ部材１０によって熱的に遮断された
雰囲気下に保持されており、従って相互干渉は無いもの
と見なすことができるので、いずれか一つのヒータ４に
だけ温度センサを設けて、これによって全てのヒータ４
を同調的に温度制御するようにしてもよい。次に、この
ような構成の多連型短結晶製造装置１を用いて、ＧａＡ
ｓ単結晶を製造する状況を説明する。

【００２１】各ルツボ３に対し、シード部１４に種結晶
１７を装填すると共に、本体部１３に化合物原料１５と
してＧａＡｓを、またその上から液体封止材１６として
Ｂ₂Ｏ₃を収納させ、これらルツボ３を図３に示すセッ
ト状態におく。また、昇降駆動部（図示略）において、
昇降台７（即ち、各ルツボ３）を最上位置へ保持させ
る。圧力容器２内を真空引きした後、アルゴン等の不活
性ガスを充填して１００気圧に設定し、ヒータ４を、上
記のように所定高さに化合物原料１５の融点温度が含ま
れる温度雰囲気帯となるように温度制御する。

【００２２】これにより、それぞれのルツボ３内では化
合物原料１５が溶融して原料融液（図４中の符号１５ａ
参照）となり、その上面が液体封止材１６で密封された
状態となる。そのため、原料融液（１５ａ）が種結晶１
７に接触する部分において種付けが行われ、単結晶（図
４中の符号３５参照）の成長が開始される。また、原料
融液（１５ａ）からＡｓ等の高蒸気圧成分が発生するこ
とが液体封止材１６によって抑制され、原料組成乃至成
長中の結晶組成が変化することが防止されている。

【００２３】そこで、昇降駆動部（図示略）を駆動させ
て昇降台７を３〜５ｍｍ／ｈで下降させる。すると、図
４に示すように、各ルツボ３内では、ヒータ４において
化合物原料１５の融点温度に設定された部位（例えば上
から３段目又は４段目のヒータエレメント３０）を通過
するのと同行して単結晶３５の成長が進行する。このと
き、種結晶１７の下端部では、高熱伝導性部材２５の吸
熱部２３から放熱部２４を介して熱が奪われる状態が維
持され、原料融液１５ａの下部温度（種結晶１７に接触
している部分の温度）に比して種結晶１７の下端寄りは
低温に保たれるようになる。従って、種結晶１７は、そ
の上下端間での温度勾配を大きく採れることになる。

【００２４】しかも、高熱伝導性部材２５の吸熱部２３
が種結晶１７を外嵌している部分を、そのまわりから断
熱材２６が包囲しているため、この種結晶１７に対する
外周方向からの熱吸収が遮断される状態になっている。
また、隣接するルツボ３相互間でスペーサ部材１０によ
る熱遮断がされていることも、種結晶１７に対する熱的
外乱を防止するうえで、一層、有益となっている。この
ようなことから、仮に、各ルツボ３ごとで生じている単
結晶３５の成長レベルに水平面方向で多少の誤差を有し
ていたとしても（成長度合にバラツキがあるときで
も）、最も温度の高いルツボ３において、種結晶１７が
原料融液１５ａに完全に溶融されてしまうということは
生じない。

【００２５】そのため、単結晶３５成長開始段階の種結
晶を溶かす恐れのあった種付け工程において、種結晶１
７が全てのルツボ３で確実に残存されることになり、結
果、全てのルツボ３で製造された単結晶３５は、高品質
で、且つ品質の均一なものとなる。このように、一つの
単結晶を製造するのに要する時間内で、複数（６個）の
単結晶を製造することができるものである。図５は、本
発明に係る多連型単結晶製造装置１の第２実施形態にお
ける主要部を示している。

【００２６】この第２実施形態では、ヒータ４の囲み領
域内に、ルツボ３を包囲するインナチャンバ（気密容
器）４０が設けられている点で、第１実施形態と顕著な
違いがある。なお、このルツボ３がヒータ４によって囲
まれ、またこれらルツボ３及びヒータ４の組み合わせと
して圧力容器２内に複数設けられている点、各ルツボ３
が共通の昇降台７を介して昇降駆動機構（図示略）によ
り昇降可能になっている点等は、第１実施形態（図１参
照）の場合と同様である。

【００２７】インナチャンバ４０は、逆コップ形をした
もので、その下端部がルツボ支持台５の台座部２１に対
して気密的に固定されている。従って、このインナチャ
ンバ４０は、ルツボ支持台５が昇降駆動機構（図示略）
による昇降台７の昇降と共に昇降するときに、これらと
一緒に昇降する。インナチャンバ４０の下部寄りには、
ルツボ支持台５の台座部２１との周間を詰めるかたちで
リング形体をしたリザーバ４１が設けられている。この
リザーバ４１は、断面溝型をしており、上部にＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体におけるＰやＡｓ、或いはＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体におけるＺｎやＳｅ等の高蒸気圧成分を
配置できるようになっている。

【００２８】このリザーバ４１において、その内径は、
台座部２１の外径と気密的に嵌合し得る寸法に形成され
ているが、その外径は、インナチャンバ４０の内径に比
してやや小さめに形成されている。従って、インナチャ
ンバ４０内の雰囲気は、リザーバ４１の外周部を通じて
僅かではあるがその下方へも連通したものとなってい
る。そして、このリザーバ４１の下部側には、インナチ
ャンバ４０内外を連通する細径の連通管４２が設けられ
ている。従って、このインナチャンバ４０の内外におい
て圧力バランスが採れるようになっており、圧力容器２
内の真空引き時をはじめ、加圧、減圧時においてインナ
チャンバ４０が破損しないようになっている。

【００２９】この連通管４２は、ガス分子の平均自由行
路（分子が任意時間中に次の衝突までに進む距離の平
均）よりも十分に長く形成されており、これによってイ
ンナチャンバ４０内で発生する高蒸気圧成分ガスがイン
ナチャンバ４０から外部へ漏洩する量は実質的に無視し
得る程度になっている。そして、ヒータ４には、その最
下部において、リザーバ４１に対応させるようにして、
上記高蒸気圧成分の蒸発用ヒータエレメント４３が設け
られている。このような構成の多連型短結晶製造装置１
では、ヒータ４による加熱でルツボ３内へ装填された化
合物原料１５が溶融され、解離圧を発生させたときに、
リザーバ４１に配置された高蒸気圧成分が同時に蒸発用
ヒータエレメント４３によって加熱され、これと平衡す
る蒸気圧を発生することになる。従って、ルツボ３内に
おいて原料組成乃至成長中の結晶組成を変化させること
がなくなり、安定した単結晶成長が得られることにな
る。すなわち、これによって高品質の単結晶を製造でき
ることになる。

【００３０】また、蒸発用ヒータエレメント４３の温度
制御により、リザーバ４１の周辺温度をインナチャンバ
４０内において最も低温域に設定できるため、このリザ
ーバ４１に配置された高蒸気圧成分ガスが下方へ流動し
たり、インナチャンバ４０内の各所で凝結析出したりす
るのを防止できるという各種利点を得ることができる
（なお、その他詳細は、特開平７−３３０４７９号公報
等参照）。ところで、本発明は上記各実施形態に限定さ
れるものではなく、種々変形することができる。

【００３１】例えば、製造する単結晶としては、ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体では、ＧａＡｓの他、ＧａＰ，Ｉｎ
Ｐなどでもよく、またＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ではＺ
ｎＳｅなどがあり、更に光学材料用酸化物系単結晶、フ
ッ化物系単結晶、フェライトなどの酸化物磁性材料単結
晶、金属単結晶など、その種類は特に限定されるもので
はない。また採用し得る製造方法としても、上記したよ
うに、ＶＢ法やＬＥ−ＶＢ法に限らず、ＶＧＦ法等でも
よい。

【００３２】なお、第１実施形態や第２実施形態におい
て、それらのルツボ支持台５を昇降台７に対して着脱可
能にし、且つ、ヒータ４の位置調節又は交換を可能にす
る等、互いに互換性を持たせる構造を採用しておけば、
化合物原料１５の種類等に応じて、製造方法を簡単に選
択できるようになり、一層、好適である。

【００３３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る多連型
単結晶製造装置は、圧力容器内に複数のルツボと、各ル
ツボを個別に囲むヒータとを設け、ＶＢ法、ＬＥ−ＶＢ
法又はＶＧＦ法等により各ルツボ内で原料融液を下方か
ら上方へ順次冷却固化させてゆくものであるから、単結
晶の成長速度は従来と同じであっても、一度の製造稼働
で複数の単結晶を得ることができ、結果として、単結晶
の単位個数あたりの生産能率を飛躍的に高められるもの
である。すなわち、低転位密度を有する単結晶の製造に
おいて高生産性を実現できるものである。

【００３４】各ルツボの下部に高熱伝導性部材を設ける
と共に、このまわりに断熱材を設けると、種結晶が原料
融液に溶融されてしまうのを防止し、且つ種結晶に対す
る外周方向からの熱影響を阻止できるため、結果として
全てのルツボに対する温度制御を総合的に一括して行え
ることになり、得られる単結晶の品質の均一性をはじ
め、コスト面及び手間面等で好適となる。圧力容器内に
おいて、隣接するルツボ相互間を断熱材製のスペーサ部
材で区画保持させることで、各ルツボを各独立して同様
な温度雰囲気に保持できるため、全体を統一的同調的に
温度制御でき、その容易化や品質的な均一化ができる利
点がある。

【００３５】ヒータの囲み領域内で昇降自在に設けたル
ツボ支持台により各ルツボを支持させ、このルツボ支持
台を共通の昇降台を介して昇降駆動機構により昇降させ
る構造とすれば、ＶＢ法やＬＥ−ＶＢ法等での稼働に好
適であり、構造の簡潔化及び制御の容易化が図れる利点
がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る多連型単結晶製造装置の第１実施
形態を示す側断面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線拡大矢視図である。

【図３】図２のＢ−Ｂ線拡大断面図である。

【図４】図３からの動作状況（動作中）を説明した図で
ある。

【図５】本発明に係る多連型単結晶製造装置の第２実施
形態についてその主要部を図３と比較しやすく示した側
断面図である。

【符号の説明】

１多連型単結晶製造装置２圧力容器３ルツボ４ヒータ５ルツボ支持台７昇降台１０スペーサ部材１５化合物原料１５ａ原料融液１７種結晶２３吸熱部２４放熱部２５高熱伝導性部材４０インナチャンバ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧力容器（２）と、該圧力容器（２）内
に収納される複数のルツボ（３）と、各ルツボ（３）を
個別に囲んで設けられるヒータ（４）とを有しており、
ヒータ（４）の加熱制御又はルツボ（３）の下降移動に
より、各ルツボ（３）内へ装填した化合物原料（１５）
の融点を中心温度とする上高下低の温度雰囲気帯をルツ
ボ（３）に対して下方から上方へ相対移動させて、各ル
ツボ（３）内の底部に装填した種結晶（１７）を起点と
して原料融液（１５ａ）を下方から上方へ順次冷却固化
させてゆくことを特徴とする多連型単結晶製造装置。
【請求項２】前記各ルツボ（３）の下部には、ルツボ
（３）内の底部に装填した種結晶（１７）の下端部を外
嵌可能な吸熱部（２３）を上端部に有し且つ下方へ延び
る下端部に放熱部（２４）を有した高熱伝導性部材（２
５）が設けられていると共に、該高熱伝導性部材（２
５）の吸熱部（２３）による種結晶（１７）下端部の外
嵌部分まわりを包囲する断熱材（２６）が設けられてい
ることを特徴とする請求項１記載の多連型単結晶製造装
置。
【請求項３】前記圧力容器（２）内において、隣接す
るルツボ（３）相互間が断熱材製のスペーサ部材（１
０）によって区画保持されていることを特徴とする請求
項１又は請求項２記載の多連型単結晶製造装置。
【請求項４】各ルツボ（３）が各ヒータ（４）の囲み
領域内で昇降自在に設けられたルツボ支持台（５）を介
して共通の昇降台（７）に保持されており、該昇降台
（７）が昇降駆動機構により昇降可能とされていること
を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の
多連型単結晶製造装置。