JP2015216818A - スイッチング素子の駆動回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ドライブIC20は、ハイサイドスイッチSCpとローサイドスイッチSCnとを駆動する外部駆動信号SigCを入力する入力端子Tinと、信号生成回路21と、ハイサイド駆動部23Hと、ローサイド駆動部23Lとを備えている。信号生成回路21は、デッドタイムを算出する機能を有し、また、ハイサイド駆動信号gCp及びローサイド駆動信号gCnを生成する。ハイサイド駆動部23Hは、生成されたハイサイド駆動信号gCpに基づき、ハイサイドスイッチSCpをオンオフ操作する。ローサイド駆動部23Lは、ローサイド駆動信号gCnに基づき、ローサイドスイッチSCnをオンオフ操作する。
【選択図】 図2
Description
以下、本発明にかかるスイッチング素子の駆動回路を車載主機として回転機を備える車両に適用した第1実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態において、ハイサイドオフ遅延初期値tdoffHF、及びローサイドオン遅延初期値tdonLFは、ハイサイド,ローサイド電流が基準電流とされてかつ、ハイサイド,ローサイド素子温度が基準温度とされる状況下において設計時に予め設定された値である。このため、デッドタイムの初期値DTFも、ハイサイド,ローサイド電流が基準電流とされてかつ、ハイサイド,ローサイド素子温度が基準温度とされる状況下において設計時に予め設定された値となる。
本実施形態において、ローサイドオフ遅延初期値tdoffLF、及びハイサイドオン遅延初期値tdonHFは、ハイサイド,ローサイド電流が基準電流とされてかつ、ハイサイド,ローサイド素子温度が基準温度とされる状況下において設計時に予め設定された値である。このため、第1補正量ΔDT1は、設計時に想定したローサイドオフ遅延初期値tdoffLFと、実際のローサイドオフ遅延時間tdoffLとのずれを示す。また、第2補正量ΔDT2は、設計時に想定したローサイドオフ立ち下がり初期値tdoffLFと、実際のローサイドオフ立ち下がり時間tdoffLとのずれを示す。さらに、第3補正量ΔDT3は、設計時に想定したハイサイドオン遅延初期値tdonHFと、実際のハイサイドオン遅延時間tdonHとのずれを示す。
以下、第2実施形態について、先の第1実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、電流流通方向の判別手法を変更する。
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
Claims (10)
- ハイサイドスイッチング素子(SCp)とローサイドスイッチング素子(SCn)との直列接続体を備え、前記直列接続体が直流電源(12b)に並列接続された電力変換回路(12)に適用され、単一の集積回路(20)を備えるスイッチング素子の駆動回路であって、
前記集積回路は、
前記ハイサイドスイッチング素子と前記ローサイドスイッチング素子とを駆動する外部駆動信号を入力する入力端子(Tin)と、
前記ハイサイドスイッチング素子と前記ローサイドスイッチング素子との双方がオン状態とされることを回避するためのデッドタイムを算出するデッドタイム算出部(21)と、
前記入力端子を介して入力された前記外部駆動信号と、前記デッドタイム算出部によって算出された前記デッドタイムとに基づき、前記デッドタイムを実現するための駆動信号であって、前記ハイサイドスイッチング素子をオンオフ操作するハイサイド駆動信号と、前記デッドタイムを実現するための駆動信号であって、前記ローサイドスイッチング素子をオンオフ操作するローサイド駆動信号とを生成する信号生成部(21)と、
前記ハイサイド駆動信号に基づき前記ハイサイドスイッチング素子をオンオフ操作し、前記ローサイド駆動信号に基づき前記ローサイドスイッチング素子をオンオフ操作する駆動部(23H,23L)と、を有することを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。 - 前記集積回路は、前記ハイサイドスイッチング素子に流れる電流と、前記ローサイドスイッチング素子に流れる電流とを検出する電流検出部(28H,28L)をさらに有し、
前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ローサイドスイッチング素子のうち、実際の前記デッドタイムの開始タイミング直前にオフ操作に切り替えられる方を第1スイッチング素子とし、前記第1スイッチング素子がオフ操作に切り替えられた後、オン操作に切り替えられる方を第2スイッチング素子とし、
前記デッドタイム算出部は、前記第1スイッチング素子がオン状態とされている場合において前記電流検出部による前記第1スイッチング素子に流れる電流検出値が小さいとき、該電流検出値が大きいときよりも前記デッドタイムを短縮補正し、前記第2スイッチング素子がオン状態とされている場合において前記電流検出部による前記第2スイッチング素子に流れる電流検出値が小さいとき、該電流検出値が大きいときよりも前記デッドタイムを伸張補正する請求項1記載のスイッチング素子の駆動回路。 - 前記集積回路は、前記ハイサイドスイッチング素子の温度と、前記ローサイドスイッチング素子の温度とを検出する温度検出部(24H,24L)をさらに有し、
前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ローサイドスイッチング素子のうち、実際の前記デッドタイムの開始タイミング直前にオフ操作に切り替えられる方を第1スイッチング素子とし、前記第1スイッチング素子がオフ操作に切り替えられた後、オン操作に切り替えられる方を第2スイッチング素子とし、
前記デッドタイム算出部は、前記温度検出部による前記第1スイッチング素子の温度検出値が低い場合、該温度検出値が高い場合よりも前記デッドタイムを短縮補正し、前記温度検出部による前記第2スイッチング素子の温度検出値が低い場合、該温度検出値が高い場合よりも前記デッドタイムを伸張補正する請求項1又は2記載のスイッチング素子の駆動回路。 - 前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ローサイドスイッチング素子のうち、実際の前記デッドタイムの開始タイミング直前にオフ操作に切り替えられる方を第1スイッチング素子とし、前記第1スイッチング素子がオフ操作に切り替えられた後、オン操作に切り替えられる方を第2スイッチング素子とし、
前記集積回路は、前記信号生成部によって生成された前記第2スイッチング素子に対応する前記駆動信号がオフ操作指令からオン操作指令に切り替えられてから、前記第2スイッチング素子の開閉制御端子の電圧がその上限値未満の規定電圧まで上昇するまでの遅延時間に相当する時間を計時する計時部(30H,30L)をさらに有し、
前記デッドタイム算出部は、前記計時部によって計時された時間に基づき、前記デッドタイムを算出する請求項1〜3のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。 - 前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ローサイドスイッチング素子のうち、実際の前記デッドタイムの開始タイミング直前にオフ操作に切り替えられる方を第1スイッチング素子とし、前記第1スイッチング素子がオフ操作に切り替えられた後、オン操作に切り替えられる方を第2スイッチング素子とし、
前記集積回路は、前記信号生成部によって生成された前記第1スイッチング素子に対応する前記駆動信号がオン操作指令からオフ操作指令に切り替えられてから、前記第1スイッチング素子の開閉制御端子の電圧がその下限値よりも高い所定電圧まで下降するまでの遅延時間に相当する時間を計時する計時部(30H,30L)をさらに有し、
前記デッドタイム算出部は、前記計時部によって計時された時間に基づき、前記デッドタイムを算出する請求項1〜4のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。 - 前記電力変換回路は、前記ハイサイドスイッチング素子と前記ローサイドスイッチング素子との接続点に接続されたリアクトル(12b)を有し、前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ローサイドスイッチング素子のうち少なくとも一方がオンオフ操作されることで、入力された直流電圧を目標電圧に変圧して出力するチョッパ式のコンバータを含む請求項1〜5のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。
- 前記集積回路は、前記入力端子を1つ有し、
前記集積回路は、
前記ハイサイドスイッチング素子の開閉制御端子に接続されるハイサイド出力端子(THO)と、
前記ローサイドスイッチング素子の開閉制御端子に接続されるローサイド出力端子(TLO)とをさらに有し、
前記駆動部は、
前記ハイサイド駆動信号に基づき、前記ハイサイド出力端子を介して前記ハイサイドスイッチング素子の開閉制御端子の電圧を調整することで、前記ハイサイドスイッチング素子をオンオフ操作するハイサイド駆動部(23H)と、
前記ローサイド駆動信号に基づき、前記ローサイド出力端子を介して前記ローサイドスイッチング素子の開閉制御端子の電圧を調整することで、前記ローサイドスイッチング素子をオンオフ操作するローサイド駆動部(23L)とを含む請求項1〜6のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。 - 前記電力変換回路は、入力される直流電圧を交流電圧に変換して電圧印加対象(10)に印加するインバータ(12)を含み、
前記インバータにおいて、前記ハイサイドスイッチング素子(S¥p)及び前記ローサイドスイッチング素子(S¥n)のそれぞれには、フリーホイールダイオード(D¥p,D¥n)が逆並列に接続され、
前記インバータにおいて、前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ローサイドスイッチング素子のそれぞれは、第1端子及び第2端子を有し、
前記インバータにおいて、前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ローサイドスイッチング素子のそれぞれは、その開閉制御端子の電圧がそのスレッショルド電圧以上とされることで、前記第1端子と前記第2端子との間の電流の流通が可能とされ、
前記インバータに対応する前記集積回路は、
前記ハイサイド駆動信号、前記ハイサイドスイッチング素子の前記第1端子と前記第2端子との間の電位差、前記ローサイド駆動信号、及び前記ローサイドスイッチング素子の前記第1端子と前記第2端子との間の電位差に基づき、前記ハイサイドスイッチング素子と前記ローサイドスイッチング素子との接続点と、前記電圧印加対象との間に流れる電流の流通方向を判別する判別部と、
前記判別部によって判別された電流の流通方向と、前記デッドタイム算出部によって算出された前記デッドタイムとに基づき、前記ハイサイド駆動信号及び前記ローサイド駆動信号を生成するためのデッドタイム補償を行うデッドタイム補償部とをさらに有する請求項1〜7のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。 - 前記電力変換回路は、入力される直流電圧を交流電圧に変換して電圧印加対象(10)に印加するインバータ(12)を含み、
前記インバータにおいて、前記ハイサイドスイッチング素子(S¥p)及び前記ローサイドスイッチング素子(S¥n)のそれぞれには、フリーホイールダイオード(D¥p,D¥n)が逆並列に接続され、
前記インバータにおいて、前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ローサイドスイッチング素子のそれぞれは、第1端子及び第2端子を有し、
前記インバータにおいて、前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ローサイドスイッチング素子のそれぞれは、その開閉制御端子の電圧がそのスレッショルド電圧以上とされることで、前記第1端子と前記第2端子との間の電流の流通が可能とされ、
前記インバータに対応する前記集積回路は、
前記ハイサイドスイッチング素子に流れる電流と、前記ローサイドスイッチング素子に流れる電流とを検出する電流検出部(28H,28L)と、
前記電流検出部による電流検出値、前記ハイサイドスイッチング素子の前記第1端子と前記第2端子との間の電位差、及び前記ローサイドスイッチング素子の前記第1端子と前記第2端子との間の電位差に基づき、前記ハイサイドスイッチング素子と前記ローサイドスイッチング素子との接続点と、前記電圧印加対象との間に流れる電流の流通方向を判別する判別部と、
前記判別部によって判別された電流の流通方向と、前記デッドタイム算出部によって算出された前記デッドタイムとに基づき、前記ハイサイド駆動信号及び前記ローサイド駆動信号を生成するためのデッドタイム補償を行うデッドタイム補償部とをさらに有する請求項1〜7のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。 - 前記集積回路は、前記デッドタイム算出部によって算出された前記デッドタイムを外部に出力する出力部をさらに有する請求項1〜9のいずれか1項に記載のスイッチング素子の駆動回路。
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