KR20200056970A - Ess용 고효율 인버터 구현을 위한 pwm 데드타임 제어방법 - Google Patents

Ess용 고효율 인버터 구현을 위한 pwm 데드타임 제어방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 ESS용 고효율 인버터 구현을 위한 PWM 데드타임 제어방법에 관한 것으로서, 디지털신호처리기에서 출력되는 PWM신호를 전달받는 게이트드라이버와 이에 연결되는 파워부를 포함하고 상기 게이트드라이버와 파워부에 스위칭소자인 MOSFET가 사용되는 인버터; 상기 인버터로부터 전송되는 직류(DC) 전력을 리튬배터리 등의 배터리에 충전하는 에너지저장시스템(ESS)을 포함하는 전기차량(EV)이나 하이브리드 전기차량(HEV)에 사용되는 ESS(에너지저장시스템)용 배터리 충전시스템에서 상기 인버터 운전을 위해 디지털신호처리기로부터 게이트드라이버 및 파워부로 전달되는 PWM신호의 데드타임을 제어하기 위한 PWM 데드타임 제어방법에 있어서, (A) 상기 디지털신호처리기로부터 출력되는 PWM신호가 게이트드라이버로 전달되어 파워부에 사용된 스위칭소자인 MOSFET로 전달하는 스위치 온오프 지연시간을 계산하는 단계; (B) 상기 게이트드라이버와 파워부 측 스위치의 특성에 따른 온오프 전류를 계산하는 단계; (C) 상기 파워부 측 스위치 기생 커패시터성분인 Cgs의 온도 변화에 따른 데드타임 수식을 유도 및 이를 이용하여 PWM신호의 데드타임을 가변 제어하는 단계; (D) 상기 게이트드라이버와 파워부 측 스위치 특성에 따른 온오프 지연시간과 온오프 전류 및 데드타임 유도식을 합하여 PWM신호의 최종 데드타임을 선정하는 단계; (E) 상기 파워부가 갖는 스위치의 기생 커패시터성분인 Cgs에 대해 온도 변화에 따른 온도값 보상을 수행하는 단계; (F) 상기 파워부가 갖는 스위치의 기생 커패시터성분인 Cgs의 온도 변화에 따른 온도값 보상을 적용한 전체 데드타임 수식을 유도하여 PWM신호의 데드타임을 제어하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 전기차량(EV)이나 하이브리드 전기차량(HEV)의 ESS용 인버터의 효율을 높일 수 있으므로 ESS용 배터리 충전시스템의 전체적인 효율을 증가시킬 수 있고, 전기차량(EV)이나 하이브리드 전기차량(HEV)의 ESS용 인버터에 사용된 스위칭소자의 특성에 따른 데드타임 수식을 유도하여 가변 제어하므로 기존에 비해 보다 정확한 제어를 수행할 수 있으며, 인버터의 고효율 운전을 수행할 수 있다.

Description

ESS용 고효율 인버터 구현을 위한 PWM 데드타임 제어방법{Pulse Width Modulation Dead Time Control Method for High Efficient Inverter of Energy Storage System}
본 발명은 전기차량(EV)이나 하이브리드 전기차량(HEV)에 사용되는 ESS(에너지저장시스템)용 배터리 충전시스템에 관한 기술로서, 더욱 상세하게는 ESS용 인버터에 사용된 스위칭소자(MOSFET 등)의 온도에 따른 기생커패시터 성분의 변화를 고려한 최적의 데드타임 기법을 적용하여 인버터를 고효율로 운전할 수 있도록 하며 ESS용 배터리 충전시스템의 전체적인 효율을 증가시킬 수 있도록 한 ESS용 고효율 인버터 제어를 위한 PWM 데드타임 제어방법에 관한 것이다.
전기차량(EV)이나 하이브리드 전기차량(HEV)에 사용되는 ESS(Energy Storage System; 에너지저장시스템)는 피크부하 저감과 정전관리의 역할을 하며 배터리와 계통간의 전력변환을 위해 인버터를 필요로 한다.
이러한 역할을 위한 ESS용 인버터는 높은 전력밀도와 전력변환 효율에서 ESS를 충전할 수 있도록 제어되어야 하며 계통과 연계되어 운전되어야한다.
이와 같은 ESS용 인버터는 종래 계통 연계운전에선 인버터 측 입력단 전압을 제어하며 ESS의 배터리나 신재생에너지 같은 대체 전원에서 생산하기 위한 전원을 공급하거나 계통 측에 공급하기 위해 동일한 듀티(Duty)의 스위칭제어를 하여 충전한다.
이때, 데드타임 설정은 게이트 드라이버에서도 지연되지만 이에 연결되는 파워부의 스위칭소자인 MOSFET의 기생성분에 따라서도 지연되는데, 종래에는 온도에 따른 MOSFET의 기생 커패시터성분의 변화를 고려하지 않고 고정값의 커패시터성분으로 데드타임을 고정하는 형태로 사용하고 있다.
하지만, 이러한 종래 방식에 의하면, 온도에 따라 기생 커패시터성분(Cgs) 값이 변화함에 의해 암쇼트 또는 긴 데드타임으로 손실 또는 인버터의 파손이 발생되는 문제점이 있었으며, 이로 인해 ESS용 인버터 측 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.
또한, 전기차량(EV)이나 하이브리드 전기차량(HEV)에 사용되는 ESS(에너지저장시스템)용 배터리 충전시스템에서는 제어방법과 시스템 구성에 따라 효율 차이가 크기 때문에 시스템의 운전제어 및 인버터의 효율 향상에 관한 연구가 요구되는 실정에 있다.
대한민국 등록특허공보 제10-1440197호 대한민국 등록특허공보 제10-1745078호
본 발명은 상술한 문제점 등을 개선 및 이를 감안하여 안출된 것으로서, 전기차량(EV)이나 하이브리드 전기차량(HEV)의 ESS(에너지저장시스템)용 인버터에 사용된 스위칭소자(MOSFET 등)의 온도에 따른 기생커패시터 성분의 변화를 고려한 최적의 데드타임 기법을 적용하여 배터리 충전시스템의 전체적인 효율을 증가시킬 수 있도록 한 ESS용 고효율 인버터 제어를 위한 PWM 데드타임 제어방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 ESS용 인버터에 사용된 스위칭소자의 온도변화에 따른 데드타임을 가변 제어하되, 온도에 따른 기생커패시터의 온도값을 보상하여주는 방식으로 ESS용 인버터의 효율을 높일 수 있도록 한 ESS용 고효율 인버터 제어를 위한 PWM 데드타임 제어방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 ESS용 인버터에 사용된 스위칭소자의 특성에 따른 데드타임 수식을 유도하여 기존에 비해 보다 정확한 제어를 수행할 수 있도록 하며, 인버터의 고효율 운전을 가능하게 하는 ESS용 고효율 인버터 제어를 위한 PWM 데드타임 제어방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 ESS용 고효율 인버터 제어를 위한 PWM 데드타임 제어방법은, 디지털신호처리기에서 출력되는 PWM신호를 전달받는 게이트드라이버와 이에 연결되는 파워부를 포함하고 상기 게이트드라이버와 파워부에 스위칭소자인 MOSFET가 사용되는 인버터; 상기 인버터로부터 전송되는 직류(DC) 전력을 리튬배터리 등의 배터리에 충전하는 에너지저장시스템(ESS)을 포함하는 전기차량(EV)이나 하이브리드 전기차량(HEV)에 사용되는 ESS(에너지저장시스템)용 배터리 충전시스템에서 상기 인버터 운전을 위해 디지털신호처리기로부터 게이트드라이버 및 파워부로 전달되는 PWM신호의 데드타임을 제어하기 위한 PWM 데드타임 제어방법에 있어서, (A) 상기 디지털신호처리기로부터 출력되는 PWM신호가 게이트드라이버로 전달되어 파워부에 사용된 스위칭소자인 MOSFET로 전달하는 스위치 온오프 지연시간을 계산하는 단계; (B) 상기 게이트드라이버와 파워부 측 스위치의 특성에 따른 온오프 전류를 계산하는 단계; (C) 상기 파워부 측 스위치 기생 커패시터성분인 Cgs의 온도 변화에 따른 데드타임 수식을 유도 및 이를 이용하여 PWM신호의 데드타임을 가변 제어하는 단계; (D) 상기 게이트드라이버와 파워부 측 스위치 특성에 따른 온오프 지연시간과 온오프 전류 및 데드타임 유도식을 합하여 PWM신호의 최종 데드타임을 선정하는 단계; (E) 상기 파워부가 갖는 스위치의 기생 커패시터성분인 Cgs에 대해 온도 변화에 따른 온도값 보상을 수행하는 단계; (F) 상기 파워부가 갖는 스위치의 기생 커패시터성분인 Cgs의 온도 변화에 따른 온도값 보상을 적용한 전체 데드타임 수식을 유도하여 PWM신호의 데드타임을 제어하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 상기 (A)단계에서는, 상기 게이트드라이버와 파워부 측 스위치의 온오프 지연시간은 아래 수식 1을 이용하여 계산하며, 게이트드라이버와 파워부가 형성하는 회로 상의 RC 시정수를 통하여 게이트드라이버와 파워부 측 스위치의 온오프 지연시간을 구하고 파워부가 갖는 스위치의 기생 커패시터성분인 Cgs 값의 충방전되는 시간을 보상하는 것을 특징으로 한다.
(수식 1)
Figure pat00001
여기에서, 상기 (B)단계에서는, 상기 게이트드라이버와 파워부 측 스위치의 특성에 따른 온오프 전류를 아래 수식 2를 이용하여 계산하고; 상기 (C)단계에서는, 상기 파워부 측 스위치 기생 커패시터성분인 Cgs의 온도 변화에 따른 데드타임 수식을 아래 수식 3의 형태로 유도하며; 상기 (D)단계에서는, 아래 수식 4의 형태로 PWM신호의 최종 데드타임 식을 유도하는 것을 특징으로 한다.
(수식 2)
Figure pat00002
(수식 3)
Figure pat00003
(수식 4)
Figure pat00004
여기에서, 상기 (E)단계에서는, 아래 수식 5를 이용하여 기생 커패시터성분인 Cgs의 온도 변화에 따른 온도값을 보상하여주는 것을 특징으로 한다.
(수식 5)
Figure pat00005
여기에서, 상기 (F)단계에서는, 상기 파워부 측 기생성분인 커패시터(Cgs)의 온도에 따른 변화를 대입하여 유도하되, 아래 수식 6의 형태로 전체 데드타임 수식을 유도 및 PWM신호의 데드타임을 제어하는 것을 특징으로 한다.
(수식 6)
Figure pat00006
본 발명에 따르면, 전기차량(EV)이나 하이브리드 전기차량(HEV)의 ESS용 인버터에 사용된 스위칭소자(MOSFET 등)의 온도에 따른 기생커패시터 성분의 변화를 고려한 최적의 데드타임 기법을 적용함으로써 ESS용 배터리 충전시스템의 전체적인 효율을 증가시킬 수 있으며, ESS용 인버터에 사용된 스위칭소자의 온도변화에 따른 데드타임을 가변 제어하되 온도에 따른 기생커패시터의 온도값을 보상하여주는 방식으로 ESS용 인버터의 효율을 높일 수 있는 유용한 효과를 달성할 수 있다.
본 발명은 전기차량(EV)이나 하이브리드 전기차량(HEV)의 ESS용 인버터에 사용된 스위칭소자의 특성에 따른 데드타임 수식을 유도하여 가변 제어하므로 기존에 비해 보다 정확한 제어를 수행할 수 있으며, 인버터의 고효율 운전을 수행할 수 있는 유용한 효과를 달성할 수 있다.
본 발명은 전기차량(EV)이나 하이브리드 전기차량(HEV)의 급속충전기, ESS용 충전기 등에 적용 가능할 뿐만 아니라 비상전력시스템(UPS) 등 2차 전지를 사용하는 분야에 적용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 ESS용 고효율 인버터 구현을 위한 PWM 데드타임 제어방법을 설명하기 위해 나타낸 ESS 시스템을 나타낸 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 ESS용 고효율 인버터 구현을 위한 PWM 데드타임 제어방법을 설명하기 위해 나타낸 것으로서, 인버터에 사용된 스위칭소자(MOSFET)의 기생성분을 나타낸 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 ESS용 고효율 인버터 구현을 위한 PWM 데드타임 제어방법을 설명하기 위해 나타낸 것으로서, PWM 데드타임 제어를 위한 시퀀스 순서도이다.
본 발명에 대해 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같으며, 이와 같은 상세한 설명을 통해서 본 발명의 목적과 구성 및 그에 따른 특징들을 보다 잘 이해할 수 있게 될 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 ESS용 고효율 인버터 구현을 위한 PWM 데드타임 제어방법은 도 1에 나타낸 바와 같이, 전력계통이나 AC 그리드 등으로부터 교류(AC) 전력을 공급받아 직류(DC) 전력으로 변환하는 전력변환장치인 인버터(100)와, 상기 인버터(100)로부터 전송되는 직류(DC) 전력을 리튬배터리 등의 배터리에 충전하는 에너지저장시스템(ESS)(200)을 포함하는 에너지저장시스템(ESS)용 배터리 충전시스템이 요구된다.
이때, 상기 인버터(100)는 도 2에 나타낸 바와 같이, 스위칭소자인 MOSFET가 사용된 게이트드라이버(120)와 파워부(130)가 연결된 회로를 포함하며, 전압기 및 전류기 등 외부 센서디바이스로부터 입력받은 전류 및 전압에 대해 아날로그신호를 디지털신호 처리하여 ADC 레벨에 맞는 전압으로 분배한 후에 Fault 처리 및 PI제어기(비례적분제어기)를 경유하여 PWM(펄스폭변조)으로 출력하는 디지털신호처리기(110)를 포함한다.
상기 인버터(100)는 상기 디지털신호처리기(110)를 통해 인버터 측 입력단 전압을 제어하는데, 상기 디지털신호처리기(110)로부터 PWM신호를 전달받고 상기 게이트드라이버(120)와 파워부(130)를 통해 스위칭 제어를 수행하여 에너지저장시스템(200)의 배터리에 충전한다.
상기 게이트드라이버(120)와 파워부(130)를 통해서는 ESS의 배터리나 신재생에너지 같은 대체 전원에서 생산하기 위한 전원을 공급하거나 계통 측에 공급하기 위한 동일한 듀티(Duty)의 스위칭 제어를 수행한다.
이러한 인버터(100)의 기본적 구성에 대해 본 발명에서는 상기 디지털신호처리기(110)로부터 전달되는 PWM신호의 데드타임을 제어함으로써 인버터(100)를 고효율로 운전할 수 있도록 한다.
즉, 본 발명에서는 인버터(100) 측 파워부(130)를 구성하는 스위칭소자인 MOSFET의 온도에 따라 달라지는 기생 커패시터성분(Cgs)의 변화를 고려하여 MOSFET의 온도 변화에 따른 데드타임을 가변 제어하도록 설정함으로써 인버터(100)의 고효율 운전을 가능하게 한다.
이에, 본 발명은 파워부(130) 측 스위칭소자로 사용된 MOSFET의 온도에 따른 기생 커패시터성분(Cgs)의 온도값을 보상하는 방식을 적용하며, 이를 위해 MOSFET의 온도에 따라 달라지는 기생 커패시터성분(Cgs)을 고려한 데드타임 수식을 유도하여 데드타임을 가변 제어함으로써 인버터(100) 측 안정성과 효율을 증대시킬 수 있도록 하고 고효율의 시스템 운전을 수행할 수 있도록 한다.
상세하게, 본 발명에서는 상기 인버터(100)를 구성하는 게이트드라이버(120)와 파워부(130) 측 지연시간을 분석하고 온도에 따른 기생 커패시터성분(Cgs)의 변화를 고려하여 스위치의 특성에 따른 데드타임 수식을 유도하여 데드타임을 선정하고 온도에 따라 변화하는 기생 커패시터성분(Cgs)의 이득값을 보상하여 데드타임을 제어할 수 있도록 한다.
이에 기반하여, 본 발명의 실시예에 따른 ESS용 고효율 인버터 구현을 위한 PWM 데드타임 제어방법에 대해 도 2 및 도 3을 참조하여 더욱 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
디지털신호처리기(110)로부터 게이트드라이버(120) 및 파워부(130)로 전달되는 PWM신호의 데드타임을 제어하기 위한 것으로서, PWM신호가 게이트드라이버(120)로 전달되어 파워부(130)에 사용된 스위칭소자인 MOSFET로 전달하는 스위치 온오프 지연시간을 계산한다(S10).
이때, 게이트드라이버(120)와 파워부(130)가 형성하는 회로 상의 RC 시정수를 통하여 게이트드라이버(120)와 파워부(130) 측 스위치의 온오프 지연시간을 구한다.
여기에서, 상기 게이트드라이버(120)와 파워부(130) 측 스위치의 온오프 지연시간(Ton, Toff)은 아래 수식 1을 유도하여 계산할 수 있다.
(수식 1)
Figure pat00007
여기에서, 게이트드라이버(120)와 파워부(130) 측 스위치의 온오프 지연시간을 구하며, 이를 통해 파워부(130)가 갖는 스위치의 기생 커패시터성분인 Cgs 값의 충방전되는 시간을 보상한다.
여기에서, PWM신호의 데드타임을 제어할 수 있는 값은 디지털신호처리기(110)에서 보내는 값만 제어할 수 있으므로 파워부(130) 측 스위치 기생 커패시터성분인 Cgs의 충방전되는 시간을 고려하여 보상을 수행함이 바람직하다.
상기와 같이, 수식 1을 유도하여 RC 시정수를 이용한 게이트드라이버(120)와 파워부(130) 측 스위치의 온오프 지연시간을 구한 후에는 아래 수식 2를 통해 스위치의 특성에 따른 온오프 전류를 계산한다(S20).
(수식 2)
Figure pat00008
상기와 같이, 수식 2를 통해 게이트드라이버(120)와 파워부(130) 측 스위치의 특성에 따른 온오프 전류를 계산한 후에는 파워부(130) 측 스위치 기생 커패시터성분인 Cgs의 온도 변화에 따른 데드타임 수식을 아래 수식 3과 같이 유도 및 이를 이용하여 PWM신호의 데드타임을 가변 제어한다(S30).
(수식 3)
Figure pat00009
이어, 상기와 같이 게이트드라이버(120)와 파워부(130) 측 스위치 특성에 따른 온오프 지연시간의 수식 1과 온오프 전류의 수식 2 및 데드타임 유도 수식 3을 합하여 PWM신호의 최종 데드타임을 선정한다(S40).
즉, 아래 수식 4와 같이 PWM신호의 최종 데드타임 수식을 유도할 수 있다.
(수식 4)
Figure pat00010
그리고, 파워부(130)가 갖는 스위치의 기생 커패시터성분인 Cgs에 대해 온도 변화에 따른 보상을 수행한다(S50).
이때, 기생 커패시터성분인 Cgs의 온도 변화에 따른 온도값을 보상하여주며, 아래 수식 5를 이용할 수 있다.
(수식 5)
Figure pat00011
마지막으로, 파워부(130)가 갖는 스위치의 기생 커패시터성분인 Cgs가 갖는 온도 변화에 따른 온도값 보상을 적용한 전체 데드타임 수식을 유도하여 PWM신호의 데드타임을 제어한다(S60).
이때, 상기 전체 데드타임 수식은 파워부(130) 측 기생성분인 커패시터(Cgs)의 온도에 따른 변화를 대입하여 유도한 것으로서, 아래 수식 6으로 나타낼 수 있다.
(수식 6)
Figure pat00012
또한, 상기 수식 1 내지 수식 6에 사용된 부호에 대해 정의하면 아래와 같다.
Figure pat00013
이에 따라, 본 발명에 따른 ESS용 고효율 인버터 구현을 위한 PWM 데드타임 제어방법을 통해서는 인버터에 사용되는 스위칭소자인 MOSFET의 기생 커패시터성분의 온도특성을 고려하여 상술한 시퀀스로 동작토록 제어함으로써 종래 데드타임 고정방식에 비해 더욱 정확하게 데드타임을 적용할 수 있으며, 상술한 시퀀스 동작에 의한 최적의 데드타임 제어를 통해 ESS용 인버터를 고효율로 운전할 수 있게 되므로 전기차량(EV)이나 하이브리드 전기차량(HEV)에 사용되는 ESS(에너지저장시스템)용 배터리 충전시스템에 대한 전체적인 효율을 증대시킬 수 있는 장점을 제공할 수 있다.
이상에서 설명한 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 이러한 실시예에 극히 한정되지 않는다 할 것이며, 본 발명의 기술적 사상과 청구범위 내에서 이 기술분야의 당업자에 의하여 이루어지는 다양한 수정과 변형 또는 단계의 치환 등은 본 발명의 기술적 범주 내에 해당한다 할 것이다.
100: 인버터 110: 디지지털신호처리기
120: 게이트드라이버 130: 파워부
200: ESS

Claims (5)

  1. 디지털신호처리기에서 출력되는 PWM신호를 전달받는 게이트드라이버와 이에 연결되는 파워부를 포함하고 상기 게이트드라이버와 파워부에 스위칭소자인 MOSFET가 사용되는 인버터; 상기 인버터로부터 전송되는 직류(DC) 전력을 리튬배터리 등의 배터리에 충전하는 에너지저장시스템(ESS)을 포함하는 전기차량(EV)이나 하이브리드 전기차량(HEV)에 사용되는 ESS(에너지저장시스템)용 배터리 충전시스템에서 상기 인버터 운전을 위해 디지털신호처리기로부터 게이트드라이버 및 파워부로 전달되는 PWM신호의 데드타임을 제어하기 위한 PWM 데드타임 제어방법에 있어서,
    (A) 상기 디지털신호처리기로부터 출력되는 PWM신호가 게이트드라이버로 전달되어 파워부에 사용된 스위칭소자인 MOSFET로 전달하는 스위치 온오프 지연시간을 계산하는 단계;
    (B) 상기 게이트드라이버와 파워부 측 스위치의 특성에 따른 온오프 전류를 계산하는 단계;
    (C) 상기 파워부 측 스위치 기생 커패시터성분인 Cgs의 온도 변화에 따른 데드타임 수식을 유도 및 이를 이용하여 PWM신호의 데드타임을 가변 제어하는 단계;
    (D) 상기 게이트드라이버와 파워부 측 스위치 특성에 따른 온오프 지연시간과 온오프 전류 및 데드타임 유도식을 합하여 PWM신호의 최종 데드타임을 선정하는 단계;
    (E) 상기 파워부가 갖는 스위치의 기생 커패시터성분인 Cgs에 대해 온도 변화에 따른 온도값 보상을 수행하는 단계;
    (F) 상기 파워부가 갖는 스위치의 기생 커패시터성분인 Cgs의 온도 변화에 따른 온도값 보상을 적용한 전체 데드타임 수식을 유도하여 PWM신호의 데드타임을 제어하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 ESS용 고효율 인버터 구현을 위한 PWM 데드타임 제어방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 (A)단계에서는,
    상기 게이트드라이버와 파워부 측 스위치의 온오프 지연시간은 아래 수식 1을 이용하여 계산하며, 게이트드라이버와 파워부가 형성하는 회로 상의 RC 시정수를 통하여 게이트드라이버와 파워부 측 스위치의 온오프 지연시간을 구하고 파워부가 갖는 스위치의 기생 커패시터성분인 Cgs 값의 충방전되는 시간을 보상하는 것을 특징으로 하는 ESS용 고효율 인버터 구현을 위한 PWM 데드타임 제어방법.
    (수식 1)
    Figure pat00014
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 (B)단계에서는,
    상기 게이트드라이버와 파워부 측 스위치의 특성에 따른 온오프 전류를 아래 수식 2를 이용하여 계산하고;
    상기 (C)단계에서는,
    상기 파워부 측 스위치 기생 커패시터성분인 Cgs의 온도 변화에 따른 데드타임 수식을 아래 수식 3의 형태로 유도하며;
    상기 (D)단계에서는,
    아래 수식 4의 형태로 PWM신호의 최종 데드타임 식을 유도하는 것을 특징으로 하는 ESS용 고효율 인버터 구현을 위한 PWM 데드타임 제어방법.
    (수식 2)
    Figure pat00015

    (수식 3)
    Figure pat00016

    (수식 4)
    Figure pat00017
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 (E)단계에서는,
    아래 수식 5를 이용하여 기생 커패시터성분인 Cgs의 온도 변화에 따른 온도값을 보상하여주는 것을 특징으로 하는 ESS용 고효율 인버터 구현을 위한 PWM 데드타임 제어방법.
    (수식 5)
    Figure pat00018
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 (F)단계에서는,
    상기 파워부 측 기생성분인 커패시터(Cgs)의 온도에 따른 변화를 대입하여 유도하되, 아래 수식 6의 형태로 전체 데드타임 수식을 유도 및 PWM신호의 데드타임을 제어하는 것을 특징으로 하는 ESS용 고효율 인버터 구현을 위한 PWM 데드타임 제어방법.
    (수식 6)
    Figure pat00019
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