JP2015141908A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015141908A5
JP2015141908A5 JP2014012027A JP2014012027A JP2015141908A5 JP 2015141908 A5 JP2015141908 A5 JP 2015141908A5 JP 2014012027 A JP2014012027 A JP 2014012027A JP 2014012027 A JP2014012027 A JP 2014012027A JP 2015141908 A5 JP2015141908 A5 JP 2015141908A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum processing
processing apparatus
sample stage
vacuum
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014012027A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2015141908A (ja
JP6293499B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2014012027A external-priority patent/JP6293499B2/ja
Priority to JP2014012027A priority Critical patent/JP6293499B2/ja
Priority to TW103127079A priority patent/TWI600101B/zh
Priority to TW106122760A priority patent/TWI644382B/zh
Priority to KR1020140107805A priority patent/KR101774532B1/ko
Priority to CN201410408799.8A priority patent/CN104810305B/zh
Priority to CN201711439328.3A priority patent/CN108155082B/zh
Priority to US14/468,397 priority patent/US11710619B2/en
Publication of JP2015141908A publication Critical patent/JP2015141908A/ja
Publication of JP2015141908A5 publication Critical patent/JP2015141908A5/ja
Priority to KR1020170109634A priority patent/KR101835438B1/ko
Publication of JP6293499B2 publication Critical patent/JP6293499B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2014012027A 2014-01-27 2014-01-27 真空処理装置 Active JP6293499B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014012027A JP6293499B2 (ja) 2014-01-27 2014-01-27 真空処理装置
TW103127079A TWI600101B (zh) 2014-01-27 2014-08-07 Vacuum processing equipment
TW106122760A TWI644382B (zh) 2014-01-27 2014-08-07 真空處理裝置
KR1020140107805A KR101774532B1 (ko) 2014-01-27 2014-08-19 진공 처리 장치
CN201410408799.8A CN104810305B (zh) 2014-01-27 2014-08-19 真空处理装置
CN201711439328.3A CN108155082B (zh) 2014-01-27 2014-08-19 真空处理装置的运转方法
US14/468,397 US11710619B2 (en) 2014-01-27 2014-08-26 Vacuum processing apparatus
KR1020170109634A KR101835438B1 (ko) 2014-01-27 2017-08-29 진공 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014012027A JP6293499B2 (ja) 2014-01-27 2014-01-27 真空処理装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018023776A Division JP6475877B2 (ja) 2018-02-14 2018-02-14 真空処理装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015141908A JP2015141908A (ja) 2015-08-03
JP2015141908A5 true JP2015141908A5 (enExample) 2017-03-02
JP6293499B2 JP6293499B2 (ja) 2018-03-14

Family

ID=53679672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014012027A Active JP6293499B2 (ja) 2014-01-27 2014-01-27 真空処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11710619B2 (enExample)
JP (1) JP6293499B2 (enExample)
KR (2) KR101774532B1 (enExample)
CN (2) CN104810305B (enExample)
TW (2) TWI644382B (enExample)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9293303B2 (en) * 2013-08-30 2016-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low contamination chamber for surface activation
JP6609425B2 (ja) * 2015-06-17 2019-11-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6607795B2 (ja) 2016-01-25 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6960737B2 (ja) 2017-01-23 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
JP6960830B2 (ja) * 2017-11-17 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置および真空処理装置の運転方法
CN111433390B (zh) * 2017-12-22 2022-09-27 株式会社村田制作所 成膜装置
JP7083463B2 (ja) 2018-02-23 2022-06-13 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
US11424106B2 (en) * 2018-05-28 2022-08-23 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus
CN109065432A (zh) * 2018-08-03 2018-12-21 德淮半导体有限公司 一种干法刻蚀设备
JP7296739B2 (ja) * 2019-01-31 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理装置の動作方法
JP6750928B2 (ja) * 2019-03-01 2020-09-02 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
KR102510306B1 (ko) 2020-04-21 2023-03-17 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법
CN111705302B (zh) * 2020-08-18 2020-11-10 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 可实现晶圆平稳升降的气相沉积设备
CN114582693B (zh) * 2020-11-30 2025-03-11 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其末端执行器、边缘环及方法
US12195314B2 (en) 2021-02-02 2025-01-14 Applied Materials, Inc. Cathode exchange mechanism to improve preventative maintenance time for cluster system
JP7548671B2 (ja) * 2021-03-17 2024-09-10 東京エレクトロン株式会社 開閉装置及び搬送室
WO2022201409A1 (ja) 2021-03-25 2022-09-29 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US12211674B2 (en) 2021-05-17 2025-01-28 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5900103A (en) * 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
JP2000133693A (ja) * 1998-08-19 2000-05-12 Shibaura Mechatronics Corp 真空装置用駆動機構および真空装置
JP3527450B2 (ja) * 1999-12-22 2004-05-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6719851B1 (en) * 2000-09-26 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Lid assembly for opening a process chamber lid and uses therefor
US6669783B2 (en) 2001-06-28 2003-12-30 Lam Research Corporation High temperature electrostatic chuck
US6700090B2 (en) * 2002-04-26 2004-03-02 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing method and plasma processing apparatus
TW558789B (en) * 2002-05-02 2003-10-21 Hitachi High Tech Corp Semiconductor processing device and diagnostic method of semiconductor processing device
JP4300003B2 (ja) * 2002-08-07 2009-07-22 東京エレクトロン株式会社 載置台の駆動装置及びプローブ方法
JP4277100B2 (ja) * 2002-11-14 2009-06-10 東京エレクトロン株式会社 搬送機構の基準位置補正装置及び基準位置補正方法
JP4219702B2 (ja) * 2003-02-06 2009-02-04 東京エレクトロン株式会社 減圧処理装置
JP4522795B2 (ja) * 2003-09-04 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP4426343B2 (ja) 2004-03-08 2010-03-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2006080347A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP4432728B2 (ja) * 2004-10-29 2010-03-17 株式会社島津製作所 真空処理装置
KR100667598B1 (ko) * 2005-02-25 2007-01-12 주식회사 아이피에스 반도체 처리 장치
CN100358097C (zh) * 2005-08-05 2007-12-26 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺处理系统及其处理方法
JP4355314B2 (ja) * 2005-12-14 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び該装置の蓋釣支装置
KR20080004118A (ko) * 2006-07-04 2008-01-09 피에스케이 주식회사 기판 처리 설비
JP2008311385A (ja) 2007-06-14 2008-12-25 Hitachi High-Technologies Corp 基板処理装置
US9328417B2 (en) 2008-11-01 2016-05-03 Ultratech, Inc. System and method for thin film deposition
TWI532114B (zh) * 2009-11-12 2016-05-01 Hitachi High Tech Corp Vacuum processing device and operation method of vacuum processing device
JP5564271B2 (ja) * 2010-01-20 2014-07-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
KR101136728B1 (ko) * 2010-10-18 2012-04-20 주성엔지니어링(주) 기판처리장치와 그의 분해 및 조립방법
JP5785712B2 (ja) * 2010-12-28 2015-09-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
US10023954B2 (en) * 2011-09-15 2018-07-17 Applied Materials, Inc. Slit valve apparatus, systems, and methods
US8895452B2 (en) * 2012-05-31 2014-11-25 Lam Research Corporation Substrate support providing gap height and planarization adjustment in plasma processing chamber
JP6491891B2 (ja) * 2015-01-23 2019-03-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP6609425B2 (ja) * 2015-06-17 2019-11-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6960737B2 (ja) * 2017-01-23 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
JP6960830B2 (ja) * 2017-11-17 2021-11-05 株式会社日立ハイテク 真空処理装置および真空処理装置の運転方法
JP7083463B2 (ja) * 2018-02-23 2022-06-13 株式会社日立ハイテク 真空処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015141908A5 (enExample)
TWI683363B (zh) 可減少污染顆粒的等離子體處理裝置、執行方法及蝕刻系統
JP6293499B2 (ja) 真空処理装置
JP2015183224A5 (enExample)
JP6491891B2 (ja) 真空処理装置
JP2018010992A5 (ja) プラズマ処理システム
JP2015146347A5 (enExample)
JP2011103496A5 (enExample)
JP2013527609A5 (enExample)
TW201611915A (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
WO2024212394A1 (zh) 连续镀膜生产线
JP6336231B1 (ja) 真空処理装置
JP6750928B2 (ja) 真空処理装置
CN204223387U (zh) 一种冻干机药瓶出箱机构
JP2019091918A (ja) 真空処理装置
CN207655396U (zh) 一种新型喷涂装置
JP2017002382A5 (enExample)
JP2008300552A (ja) 搬送室、真空処理装置
CN107847932A (zh) 用于装载处理容器的设备
JP6475877B2 (ja) 真空処理装置
JP2012054491A5 (enExample)
CL2016002871A1 (es) Aparato de molde para moldear metal en un entorno a alto vacío.
JP6352012B2 (ja) プラズマ処理装置
CN203976640U (zh) 传送带式箱形浸釉装置
JP4550554B2 (ja) 試料処理装置