JP2015138818A - プリント回路板及び積層型半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】はんだのブリッジの発生を防止する。【解決手段】半導体パッケージ２００が、インターポーザ２０１とインターポーザ２０１の一方の面２１１に実装された半導体素子２０２とを有する。インターポーザ２０１の他方の面２１２には、複数のランド２２０が形成されている。プリント配線板３０１においてインターポーザ２０１の面２１２に対向する対向面３１１には、複数のランド３３０が形成されている。プリント配線板３０１の複数のランド３３０は、ランド２２０にはんだ４０１で接続されたランド３３１からなるランド群３４１と、絶縁部材３５０にはんだ４０２で接続されたランド３３２からなるランド群３４２とに分けられる。ランド群３４２は、インターポーザ２０１の面２１２の中心点Ｐｏを中心とする所定領域Ｒに対向する領域に配置されている。ランド群３４１は、ランド群３４２を囲うようにランド群３４２の周囲に配置されている。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置のインターポーザとプリント配線板とをはんだ接合したプリント回路板、及び半導体装置のインターポーザ同士をはんだ接合した積層型半導体装置に関する。

近年、電子機器の高機能化が進む中で、半導体装置としての半導体パッケージにおいては、端子数の増加に対応でき、かつ小型化に有利な構造がますます求められてきている。このような半導体パッケージの例として、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型やＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体パッケージが知られている。

この種の半導体パッケージでは、インターポーザ（パッケージ基板）の底面の領域を利用して電極を配置している。これにより、端子数をより多く確保でき、しかも実装スペースを小さくできる。

特にＬＧＡ型の半導体パッケージにおいては、はんだボールを用いずに、半導体パッケージとプリント配線板のそれぞれに形成された、ランド間の接合を行うことができる。そのため実装工程を簡易化でき、かつ、実装後の半導体パッケージ全体の実装高さを低くできるので、薄型化に有利な点などから、今後、様々な製品に使われることが期待されている。

ＬＧＡ型の半導体パッケージをマザーボードや別の半導体パッケージのインターポーザ等のプリント配線板に実装する製造方法は、プリント配線板に形成されたランド上にはんだペーストを印刷する。続いてマウンターなどの搭載装置を用いて半導体パッケージをプリント配線板に搭載する。その後、半導体パッケージが搭載されたプリント配線板をリフロー炉に投入し、はんだペーストを加熱溶融することで、半導体パッケージのインターポーザとプリント配線板とに形成されたランド同士を、はんだで電気的に接続する。

このようにＬＧＡ型の半導体パッケージをプリント配線板に実装する製造方法では、印刷されたはんだペーストのみでランド間を接合するため、半導体パッケージにはんだボールを搭載する必要が無いので、工程が簡易化できる。しかもはんだ体積が少量であることから、はんだ高さを低く形成できるので、薄型化に有利な構造が得られる。

通常、リフロー工程中のプリント配線板と半導体パッケージでは、内部に積層された配線パターンの熱膨張の影響により、加熱によって反りが発生する。特に、半導体パッケージのインターポーザには、インターポーザよりも線膨張係数の低い半導体素子が搭載されており、半導体素子が実装された面とは反対側の面が凸となるように反りが発生しやすい。

ＬＧＡ実装構造では、はんだ高さが低いことから、上述したようにインターポーザに反りが生じると、半導体パッケージのインターポーザとプリント配線板との間隔が狭くなった箇所では、より一層、はんだが潰れてブリッジが発生しやすくなる。そのため、はんだのブリッジの発生を防ぐためには、半導体パッケージのインターポーザとプリント配線板に反りが生じたとしても、はんだを潰れにくくする必要がある。

はんだを潰れにくくする方法の一つとして、半導体パッケージのインターポーザとプリント配線板のうち一方の基板にのみダミーランドを形成し、他方の基板に電気的に接合されないようにした、ダミーはんだを用いる技術が提案されている（特許文献１参照）。この特許文献１の構成では、他方の基板のダミーはんだ（ダミーランド）に対応する位置にはランドが形成されていない。

ランドが形成されている場合、ＣｕあるいはＡｕ等の導体からなるランド表面と、溶融したはんだとのぬれ性が良いため、はんだの先端部がランド表面に接触すると、はんだがランド表面にぬれ広がる。そのため、はんだの高さが低くなる。

これに対し、ランドが形成されていないソルダーレジストの表面では、溶融したはんだとのぬれ性が低く、はんだがぬれ広がりにくい。そのため、ソルダーレジスト表面に溶融したはんだが接触すると、溶融したはんだの表面張力によって、はんだの先端部とソルダーレジストとの接触面積を最小にしようとする力が働く。したがって、片方のランドしか接合されないようにしたはんだでは、両方のランドが接合される場合に比べて、はんだ高さ（両基板の間隔）が高く（広く）形成される。

特開２００８−１２４３６３号公報

しかし、インターポーザの中央領域に電極となるランドがある場合、ランド同士を接合するはんだの表面張力により、インターポーザの中央領域と、この領域に対向するプリント配線板との間隔が狭くなるように力が作用する。これにより、ダミーはんだも押し潰されて隣接するはんだに接触し、ダミーはんだと隣のはんだとの間でブリッジを引き起こすことがあった。このようにダミーはんだが隣接する電極となるはんだに吸い寄せられると、ダミーはんだを吸い寄せたはんだと、当該はんだに隣接する別のはんだとの間でブリッジが発生することがあった。

そこで、本発明は、はんだのブリッジの発生を防止することを目的とするものである。

本発明のプリント回路板は、半導体素子、及び一方の面に前記半導体素子が実装され、他方の面に導電性の複数のランドが形成されたインターポーザを有する半導体装置と、前記インターポーザの他方の面に対向する対向面に導電性の複数のランドが形成されたプリント配線板と、を備え、前記インターポーザ及び前記プリント配線板のうち一方の基板に形成された複数のランドは、他方の基板に形成されたランドにはんだで接続された第１ランド群と、前記他方の基板の絶縁部材にはんだで接続された第２ランド群と、を有し、前記第２ランド群を構成するランドが、前記インターポーザの他方の面の中心点を中心とする所定領域に対応する位置に配置されており、前記第１ランド群を構成するランドが、前記第２ランド群を囲うように前記第２ランド群の周囲に配置されていることを特徴とする。

本発明によれば、第２ランド群を構成するランドに接合させたはんだを潰れにくくすることができ、はんだがランドからはみ出すのを抑制することができるので、はんだのブリッジが生じるのを防止することができる。

第１実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図である。 第２実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図である。 第３実施形態に係るプリント回路板のプリント配線板を示す平面図である。 第３実施形態に係るプリント回路板のプリント配線板の変形例を示す平面図である。 第４実施形態に係るプリント回路板のプリント配線板を示す平面図である。 第４実施形態に係るプリント回路板のプリント配線板の変形例を示す平面図である。 第５実施形態に係る積層型半導体装置を示す断面図である。 ダミーランドの形状を変えたときのはんだの広がり量を調べた実験結果を示す図である。

以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。

［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図である。図１（ａ）は、プリント回路板のプリント配線板（マザーボード）を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩＢ−ＩＢ線に沿うプリント回路板を示す断面図である。

図１（ｂ）に示すように、プリント回路板１００は、半導体装置である半導体パッケージ２００と、半導体パッケージ２００が実装されたプリント配線板（マザーボード）３０１とを備えている。

半導体パッケージ２００は、ＬＧＡ型の半導体パッケージである。半導体パッケージ２００は、インターポーザ（パッケージ基板）２０１と、インターポーザ２０１の一方の面２１１に実装された半導体素子（半導体チップ）２０２とを有している。

インターポーザ２０１及びプリント配線板３０１には、ＦＲ−４等のガラスエポキシ材からなる多層配線基板やフレキシブル基板などの有機基板のほか、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板などの無機基板を用いることができる。第１実施形態では、プリント配線板３０１には、ガラスエポキシ材からなる多層配線基板を用い、半導体パッケージ２００のインターポーザ２０１には、セラミック基板を用いる。

半導体パッケージ２００（インターポーザ２０１）の大きさは特に限定されず、反りの影響を受けやすい大きいサイズであってもよい。たとえば外形が３０［ｍｍ］角以上の大きさのパッケージを用いることができる。

半導体素子２０２は、不図示の封止部材で封止されている。封止部材としては、エポキシ樹脂を用いたモールド封止やアンダーフィルのほか、半導体素子２０２の実装部で気密空間を形成したガラス封止や、ウェハーレベルパッケージを用いてもよい。

インターポーザ２０１の一方の面２１１とは反対側の他方の面２１２には、導電性の複数のランド２２０が等間隔に格子状に形成されている。第１実施形態では複数のランド２２０は、他方の面２１２の中心点Ｐｏ（図１（ａ））を中心とする所定領域（中央領域、内側領域）Ｒを囲むように、換言すれば所定領域Ｒに対する外側領域に、格子状に間隔Ｄ２で等間隔に配置されている。したがって、インターポーザ２０１の所定領域Ｒにはランドは形成されていない。

プリント配線板３０１においてインターポーザ２０１の面２１２に対向する面（対向面）３１１には、導電性の複数のランド３３０が互いに間隔をあけて形成されている。

ここで、ランド２２０の周囲には、不要なはんだの付着を防ぐための絶縁部材２３０からなる保護層が、ランド２２０を構成する導体パターンの表面の少なくとも一部が露出するように開口された状態で、面２１２に形成されている。同様に、ランド３３０の周囲には、不要なはんだの付着を防ぐための絶縁部材３５０からなる保護層が、ランド３３０を構成する導体パターンの表面の少なくとも一部が露出するように開口された状態で、面３１１に形成されている。これら開口部の形状によって、ランド２２０，３３０の外形が形成される。これら絶縁部材２３０，３５０は、ランド２２０，３３０よりもはんだの濡れ性が低いものを用いている。

プリント配線板３０１では、絶縁部材３５０として、例えば厚さ３０［μｍ］程度で形成される樹脂からなるソルダーレジストを用いる。半導体パッケージ２００のインターポーザ２０１では、絶縁部材２３０として、例えば５［μｍ］程度の厚さで形成されるアルミナコートからなるソルダーレジストを用いる。ランド２２０，３３０の形状（開口部の形状）は、特に限定されず、同一の大きさであってもよいし、異なる大きさを用いてもよいが、第１実施形態では、共にΦ１．０［ｍｍ］の円形状としている。

第１実施形態では、インターポーザ２０１及びプリント配線板３０１のうち一方の基板が、プリント配線板３０１であり、他方の基板が、インターポーザ２０１である。

一方の基板であるプリント配線板３０１に形成された複数のランド３３０は、インターポーザ２０１に形成されたランド２２０にはんだ（電極はんだ）４０１で接続された電極ランド群（第１ランド群）３４１を有している。つまり、電極ランド群３４１を構成する複数のランド（電極ランド）３３１は、ランド２２０と同じ間隔Ｄ２で等間隔に格子状に配置されている。そして、電極ランド３３１とランド２２０とに電極はんだ４０１が接合されて、電極ランド３３１とランド２２０とが電気的及び機械的に接続されている。

また、複数のランド３３０は、インターポーザ２０１の絶縁部材２３０にはんだ（ダミーはんだ）４０２で接続されたダミーランド群（第２ランド群）３４２を有している。つまり、ダミーランド群３４２を構成する複数のランド（ダミーランド）３３２には、ダミーはんだ４０２が接合されているが、ダミーランド３３２はランド２２０とは電気的に絶縁状態である。そして、ダミーはんだ４０２は、絶縁部材２３０に接触している状態であるが、電気的に接続させるためではなく、基板間の間隔を保持するための柱部材として配置させている。

よって、電極ランド３３１は、信号の伝送路又は電力の伝送路の一部、即ち電極として機能するランドである。一方、ダミーランド３３２は、信号及び電力のいずれの伝送路でもなく、基板２０１，３０１間の間隔を保持するためのダミーはんだ４０２の接合用に用いられ、電気的な機能がないダミーのランドである。

ダミーランド３３２は、インターポーザ２０１の中心点Ｐｏを中心とする所定領域Ｒに対応する位置、第１実施形態では、プリント配線板３０１の対向面３１１においてインターポーザ２０１の所定領域Ｒに対向する領域に配置されている。電極ランド３３１は、ダミーランド群３４２を囲うようにダミーランド群３４２の周囲に配置されている。ダミーランド３３２は、等間隔に格子状に配置されている。

つまり、半導体パッケージ２００のインターポーザ２０１の面２１２とプリント配線板３０１の面３１１との間の領域内において、外側領域には電極はんだ４０１のみを配置し、内側領域にはダミーはんだ４０２のみを配置している。

ダミーランド３３２（ダミーはんだ４０２）の配置個数は、外側領域に所望の電極ランド３３１（電極はんだ４０１）を配置できる範囲であれば特に限定されないが、少なくとも４個、第１実施形態では４個としている。

はんだ４０１，４０２には、鉛はんだや鉛フリーはんだ（例えばＳｎＢｉ系及びＳｎＡｇＣｕ系など）を用いることができる。ランド２２０，３３０は、例えばインターポーザ２０１やプリント配線板３０１に有機基板を用いる場合はＣｕを用いるが、Ｃｕの上面に更にＮｉめっきとＡｕめっきを形成していてもよい。また、ランド２２０，３３０は、インターポーザ２０１やプリント配線板３０１にセラミック基板を用いる場合には、タングステンからなるメタライズ層を形成後、Ｎｉめっき、Ａｕめっきの順に積層して形成してもよい。その他、表面酸化物を除去することではんだと接合できる材質であれば、上記に限らずランドを構成するために用いることができる。

ランド２２０同士及び電極ランド３３１同士の配置ピッチ（間隔Ｄ２）は、例えば０．５［ｍｍ］とする。最内周に位置する電極ランド３３１と最外周に位置するダミーランド３３２との間隔Ｄ１、即ち電極ランド３３１と、該電極ランド３３１に隣接するダミーランド３３２との間隔Ｄ１は、間隔Ｄ２よりも広いのが好ましい。第１実施形態では、間隔Ｄ１は、１．０［ｍｍ］とする。

ダミーランド３３２同士の隣接間隔は特に限定されず、インターポーザ２０１とプリント配線板３０１の反りによって生じる、ダミーはんだ４０２の潰れの大きさに応じて、電極ランド３３１同士の間隔Ｄ２よりも広くすることも可能である。第１実施形態では、間隔Ｄ２と同じ０．５［ｍｍ］とする。

次に、第１実施形態における半導体パッケージ２００を備えたプリント回路板１００の製造方法について説明する。

まず、プリント配線板３０１に形成されたＣｕからなる電極ランド３３１及びダミーランド３３２上に、不図示の印刷機を用いてはんだペーストを印刷する。はんだペーストは、融点が１４０［℃］程度であるＳｎＢｉ系のはんだ粒子とフラックスの混合物を用いる。

はんだペーストの供給量は、印刷版のマスク開口部の体積によっておおよそ決定されるため、開口サイズと印刷版の厚さによって変えることができる。

電極はんだ４０１とダミーはんだ４０２のそれぞれに対して、はんだペーストの供給量を変えることもできる。第１実施形態では、電極はんだ４０１とダミーはんだ４０２共に、ランド径と同一サイズのΦ１．０［ｍｍ］をマスク開口径とし、版厚を０．３［ｍｍ］とする。

続いてマウンターなどの搭載装置を用いて、プリント配線板３０１の面３１１上に半導体パッケージ２００を搭載する。具体的には、搭載装置にて吸着ヘッドにより半導体パッケージ２００をピックアップし、カメラにより位置決めした後、予めプリント配線板３０１に印刷されたはんだペースト上に搭載する。

インターポーザ２０１の面（底面）２１２には、プリント配線板３０１に形成された電極ランド３３１に対向する位置にのみランド２２０が形成されている。従って、インターポーザ２０１に形成された各ランド２２０は、電極ランド３３１上のはんだペーストに接触する。

その後、半導体パッケージ２００が搭載されたプリント配線板３０１をリフロー炉に投入する。リフロー炉にてはんだの融点以上の温度ではんだペーストを加熱することで、はんだ粒子を溶融させ、インターポーザ２０１に形成されたランド２２０とプリント配線板３０１に形成された電極ランド３３１とをはんだ４０１で電気的に接続する。

このリフロー加熱を行うことで、半導体パッケージ２００のインターポーザ２０１とプリント配線板３０１に反りが発生する。図１（ｂ）に示すように、インターポーザ２０１は、一方の面２１１にインターポーザ２０１よりも線膨張係数の低い半導体素子２０２が搭載されているので、他方の面２１２が凸、即ち下向きに凸の形状となる反りが生じる。プリント配線板３０１は上向きに凸の状となる反りが生じる。このことから、中央部では端部に比べて５０〜１００［μｍ］程度上下間隔が狭くなる。

このとき、中央部に配置したダミーはんだ４０２の高さは、上述した反りの影響に加えて、パッケージ重量、はんだ量、ランド面積等によって決定されるが、第１実施形態では、おおよそ１００［μｍ］以下となる。

電極はんだ４０１ではないダミーはんだ４０２は、製造時にダミーランド３３２上の溶融はんだが絶縁部材２３０に接することにより、ランド２２０，３３１間の溶融はんだよりも溶融はんだの濡れ広がりが抑制される。そして、プリント配線板３０１のダミーランド３３２が、インターポーザ２０１の中心点Ｐｏを中心とする所定領域Ｒに対向する領域に形成され、この領域には電極ランド３３１がない。

即ち、反りによって中央部の上下間隔が外周部の上下間隔よりも狭くなった場合に、ダミーはんだ４０２が電極はんだ４０１の内側に集中的に配置されているので、インターポーザ２０１とプリント配線板３０１との間隔を広げるように力が働きやすい。したがって、これらダミーランド３３２上のダミーはんだ４０２により基板間隔が保持され、ダミーはんだ４０２と電極はんだ４０１とのブリッジ、電極はんだ４０１同士のブリッジを防止することができる。

ところで、半導体パッケージ２００が搭載されない状態ではんだを溶融したときの高さは、基板間中央部の２倍の高さ２００［μｍ］前後となるようにはんだペーストの量が設定されている。従って、中央部に配置したダミーはんだ４０２では、半分程度の高さまで押し潰されるため、ダミーランド３３２からはみ出して、周囲に広がろうとする。

上下間で押し潰された溶融はんだは、外圧による負荷が小さい方向へ押し出されるので、インターポーザ２０１とプリント配線板３０１との間隔が広い方向に広がろうとする。すなわち、潰された溶融はんだは、インターポーザ２０１とプリント配線板３０１の反りによって生じる、上下間隔が狭い中央部から、上下間隔が広い外周方向へと広がる傾向にある。

そこで、第１実施形態では、電極ランド群３４１の最内周の電極ランド３３１とダミーランド群３４２の最外周のダミーランド３３２との間隔Ｄ１を、隣接する２つの電極ランド３３１，３３１同士の間隔Ｄ２よりも広く設定している。

これにより、製造時にダミーはんだ４０２となる溶融はんだが潰れて、インターポーザ２０１の外周方向にはみ出したとしても、間隔Ｄ１を設けているので、隣の電極はんだ４０１との接触を防ぐことができる。これにより、電極はんだ４０１にダミーはんだ４０２の溶融はんだが流亡するのを防ぐことができ、電極はんだ４０１同士でブリッジが発生するのを防ぐことができる。

なお、電極ランド３３１とダミーランド３３２との間隔Ｄ１は、ダミーはんだ４０２のはみ出し方の違いによって適宜変えることが可能である。例えば、プリント配線板３０１の反りが小さく、ダミーはんだ４０２のはみ出し量が少ない場合は、間隔Ｄ１を狭めてもよいし、反対に反りが大きい場合には、間隔Ｄ１を広くしておけばよい。このように選択的に間隔Ｄ１を変えることで、電極ランド３３１或いはダミーランド３３２の配置数を増やすことができる。

電極ランド３３１を増やすことは、多ピン化にとって有利な効果をもたらす。またダミーランド３３２を増やすことで、インターポーザ２０１とプリント配線板３０１との間隔を広げる効果が高まるので、より確実に電極はんだ４０１同士のブリッジの発生を防止できるようになる。

以上より、ダミーはんだ４０２が潰れたとしても、電極はんだ４０１同士のブリッジの発生を防止できるので、インターポーザ２０１の反りの影響が大きな大型の半導体パッケージを用いることが可能になる。また、小型の半導体パッケージを用いてＬＧＡ実装を行う際には、よりはんだを少量にできるので、狭ピッチでランドを配置できる。したがって、多ピン化に有利な実装構造を得ることができる。

なお、電極ランド３３１よりもダミーランド３３２の大きさ（面積）を小さくすることで、同量のはんだペーストを印刷した際に、ダミーはんだ４０２の高さを高くすることができる。こうすることで、インターポーザ２０１とプリント配線板３０１との間隔をより広げられるので、電極はんだ４０１同士のブリッジの発生をより低減できる。

また、絶縁部材２３０がソルダーレジストであるため、インターポーザ２０１において、ソルダーレジストの表面レベルがランドの表面レベルよりも高い位置にある。これにより、インターポーザ２０１に形成されたランド２２０よりもソルダーレジストの厚さ分高い位置で、ダミーはんだ４０２が接触することになる。したがって、インターポーザ２０１とプリント配線板３０１の間隔をより広げる効果が得られる。

［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係るプリント回路板について説明する。図２は、本発明の第２実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図である。図２（ａ）は、プリント回路板のプリント配線板（マザーボード）を示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿うプリント回路板を示す断面図である。なお、第２実施形態のプリント回路板１００Ａにおいて、上記第１実施形態のプリント回路板１００と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。

プリント回路板１００Ａは、上記第１実施形態と同様の構成の半導体装置である半導体パッケージ２００と、半導体パッケージ２００が実装された、上記第１実施形態とは異なる構成のプリント配線板（マザーボード）３０１Ａとを備えている。

プリント配線板３０１Ａにおいてインターポーザ２０１の面２１２に対向する面（対向面）３１１には、導電性の複数のランド３３０Ａが互いに間隔をあけて形成されている。ランド３３０Ａの周囲には、上記第１実施形態と同様、絶縁部材３５０からなる保護層が、ランド３３０Ａの表面の少なくとも一部が露出するように開口された状態で、面３１１に形成されている。開口部の形状によって、ランド３３０Ａの外形が形成される。

第２実施形態では、インターポーザ２０１及びプリント配線板３０１Ａのうち一方の基板が、プリント配線板３０１Ａであり、他方の基板が、インターポーザ２０１である。

一方の基板であるプリント配線板３０１Ａに形成された複数のランド３３０Ａは、上記第１実施形態と同様、インターポーザ２０１に形成されたランド２２０にはんだ（電極はんだ）４０１で接続された電極ランド群（第１ランド群）３４１を有している。つまり、電極ランド群３４１を構成する複数のランド（電極ランド）３３１は、ランド２２０と同じ間隔で等間隔に格子状に配置されている。そして、電極ランド３３１とランド２２０とに電極はんだ４０１が接合されて、電極ランド３３１とランド２２０とが電気的及び機械的に接続されている。

また、複数のランド３３０Ａは、インターポーザ２０１の絶縁部材２３０にはんだ（ダミーはんだ）４０２Ａで接続されたダミーランド群（第２ランド群）３４２Ａを有している。つまり、ダミーランド群３４２Ａを構成する複数のランド（ダミーランド）３３２Ａには、ダミーはんだ４０２Ａが接合されているが、ダミーランド３３２Ａはランド２２０とは電気的に絶縁状態である。

ダミーランド３３２Ａは、インターポーザ２０１の中心点Ｐｏを中心とする所定領域Ｒに対応する位置、第２実施形態では、プリント配線板３０１Ａの対向面３１１においてインターポーザ２０１の所定領域Ｒに対向する領域に配置されている。電極ランド３３１は、ダミーランド群３４２Ａを囲うようにダミーランド群３４２Ａの周囲に配置されている。ダミーランド３３２Ａは、等間隔に格子状に配置されている。

つまり、電極はんだ４０１とダミーはんだ４０２Ａの配置方法としては、半導体パッケージ２００のインターポーザ２０１の面２１２とプリント配線板３０１Ａの面３１１との間の領域内において、外側領域には電極はんだ４０１のみを配置している。内側領域には、ダミーはんだ４０２Ａのみを配置している。

第２実施形態では、ダミーランド３３２Ａの形状が上記第１実施形態と異なる。全てのダミーランド３３２Ａのうち少なくとも最外周に位置するダミーランド、第２実施形態では全てのダミーランド３３２Ａが、直線状に延びる矩形状の導体部分３６１と、導体部分３６１に交差する、直線状に延びる矩形状の導体部分３６２とを有している。第２実施形態では、第１導体部分である導体部分３６１と第２導体部分である導体部分３６２とが直交して十字形状に形成されている。第２実施形態では、導体部分３６１の中心と導体部分３６２の中心とが一致するよう形成されている。

電極ランド３３１の直径がΦ１．０［ｍｍ］であるのに対し、ダミーランド３３２Ａの外形寸法は、たとえば１．０［ｍｍ］×１．０［ｍｍ］であり、中心で交差した直線状の導体部分３６１，３６２の幅は０．３［ｍｍ］である。

ダミーランド３３２Ａは、電極ランド３３１が配置される領域の内側領域において、例えば４列×４列で配置される。即ち、ダミーランド３３２Ａ（ダミーはんだ４０２Ａ）の配置個数は、外側領域に所望の電極ランド３３１（電極はんだ４０１）を配置できる範囲であれば特に限定されないが、少なくとも４個、第２実施形態では１６個としている。

電極ランド３３１とダミーランド３３２Ａとの間隔は、電極ランド３３１同士の隣接間隔と同じにすることができ、第１実施形態では、電極ランド３３１同士の隣接間隔と同じ０．５［ｍｍ］としている。

ダミーランド３３２Ａ同士の隣接間隔は特に限定されず、ダミーはんだ４０２Ａの潰れの大きさに応じて、電極ランド３３１よりも広くすることも可能である。第１実施形態では、電極ランド３３１同士の隣接間隔と同じ０．５［ｍｍ］としている。

ダミーランド３３２Ａに接合されるダミーはんだ４０２Ａの体積は、電極はんだ４０１と同じにしてもよいし、必要に応じて異なる体積にすることができる。

ダミーはんだ４０２Ａの供給方法は、第１実施形態に前述したが、はんだペーストを用いた印刷により行われる。ここでは、ダミーランド３３２Ａに対する印刷版開口をΦ１．０［ｍｍ］とし、電極はんだ４０１とダミーはんだ４０２Ａの体積を同一にしている。

第２実施形態によれば、ダミーランド３３２Ａが矩形状の導体部分３６１と導体部分３６２とを交差させた形状、特に十字形状であるため、円形状のときと比較して、ダミーはんだ４０２Ａをはみ出しにくくさせることができる。すなわち、はんだの加熱溶融時において、インターポーザ２０１とプリント配線板３０１Ａに、上記第１実施形態と同様の反りが生じた場合にも、ダミーはんだ４０２Ａを潰れにくくできるので、ブリッジの発生を低減できる。

また、ダミーはんだ４０２Ａをはみ出しにくくさせることで、電極ランド３３１とダミーランド３３２Ａとの間隔を必要以上に設けなくてもよい。そのため、電極ランド３３１或いはダミーランド３３２Ａの配置数を増やすことができる。

インターポーザ２０１あるいはプリント配線板３０１Ａの反りの影響により、ダミーはんだ４０２Ａのはみ出しが大きい場合は、電極ランド３３１とダミーランド３３２Ａとの間隔を、電極ランド３３１同士の隣接間隔よりも広くすればよい。これにより、電極ランド３３１同士のブリッジの発生を効果的に防止することができる。

また、ダミーランド３３２Ａの形状を十字形状にすることで、円形状のときと同じ隣接間隔で配置したとしても、ダミーランド３３２Ａの面積を小さくすることができる。これにより、電極ランド３３１と同量のはんだペーストを供給した際に、ダミーはんだ４０２Ａの高さが円形状の場合よりも高く形成される。これにより、インターポーザ２０１とプリント配線板３０１Ａとの間隔をより広げることができ、はんだのブリッジの発生をより効果的に防止することができる。

［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態に係るプリント回路板について説明する。図３は、本発明の第３実施形態に係るプリント回路板のプリント配線板を示す平面図である。なお、第３実施形態のプリント回路板は、上記第２実施形態のプリント回路板１００Ａに対して、プリント配線板３０１Ｂの構成、具体的には、ダミーランド群３４２Ｂの各ダミーランド３３２Ｂの構成が異なる。なお、第３実施形態において、上記第１、第２実施形態と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。

第３実施形態では、図３に示すように、ダミーランド３３２Ｂは、配置場所に応じて、ダミーランド３３２Ｂの中心点を中心に回転して形成されている。

ダミーランド３３２Ｂは、導体部分３６１，３６２のうち少なくとも一方、第３実施形態では両方が、ダミーランド群３４２Ｂの中心点Ｐ_１から放射状に延びる仮想直線Ｌに対して交差する方向に延びて形成されている。つまり、導体部分３６１，３６２が、仮想直線Ｌに対して交差している。この仮想直線Ｌは、ダミーランド３３２Ｂの中心点を通過する直線である。

第３実施形態では、仮想直線Ｌと導体部分３６１の延びる方向の直線との成す角の角度θ_１が４５°、仮想直線Ｌと導体部分３６２の延びる方向の直線との成す角の角度θ_２が４５°である。

ここで、プリント配線板３０１Ｂにおけるダミーランド群３４２Ｂの中心点Ｐ_１は、インターポーザ２０１の中心点Ｐｏ（例えば図２（ａ）参照）に対向する点である。

導体部分３６１，３６２の少なくとも一方、第３実施形態では、両方を、仮想直線Ｌに対して交差して配置することで、ダミーランド３３２Ｂに形成したダミーはんだの放射方向（外周方向）への流動を効果的に抑制することができる。即ち、インターポーザ２０１とプリント配線板３０１Ｂの反りによって、第１実施形態と同様に、インターポーザ２０１の中央部の上下間隔が狭くなった場合でも、より効果的に、ダミーはんだのはみ出しを抑えることができる。

さらに、反り量が大きい基板を用いても、高い歩留りでＬＧＡの半導体パッケージ２００をプリント配線板３０１Ｂに実装することが可能になる。したがって低コスト化が実現できる。

ここで、図４は、第３実施形態に係るプリント配線板の変形例を示す平面図であり、図４（ａ）及び図４（ｂ）には、それぞれ別の変形例のプリント配線板３０１Ｃ，３０１Ｄを図示している。なお、半導体装置の構成は、上記第１実施形態と同様である。

図４（ａ）に示すように、十字形状のダミーランド３３２Ｃの導体部分３６１を仮想直線Ｌに対して交差（直交）させ、導体部分３６２を仮想直線Ｌに沿って形成させてもよい。その際、導体部分３６１の中心点と導体部分３６２の中心点とが図４（ａ）に示すようにずれていてもよい。

また、ダミーランド３３２Ｄが、十字形状に限らず、図４（ｂ）に示すように、放射方向（外周方向）に開くように導体部分３６１と導体部分３６２とでＶ字形状に形成されていてもよい。その際、導体部分３６１と仮想直線Ｌとの成す角の角度θ_１と、導体部分３６２と仮想直線Ｌとの成す角の角度θ_２とが、４５°であるのが好ましい。

いずれの場合であっても、はんだのブリッジの発生をより効果的に防止することができる。

［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態に係るプリント回路板について説明する。図５は、本発明の第４実施形態に係るプリント回路板のプリント配線板を示す平面図である。なお、第４実施形態のプリント回路板において、上記第２、第３実施形態のプリント回路板と異なるのは、プリント配線板のダミーランドの形状であり、その他の構成は、同様であるので、同一符号を付して詳細な説明は省略する。

プリント配線板３０１Ｅには、複数のダミーランド３３２Ｅで構成されるダミーランド群３４２Ｅが形成されている。全てのダミーランド３３２Ｅのうち少なくとも最外周に位置するランド、第４実施形態では全てのダミーランド３３２Ｅが、導体部分３６１と導体部分３６２とで外形がＴ字形状に形成されている。導体部分３６１は、仮想直線Ｌに対して交差（直交）する方向に延びて形成された矩形状の基部である。導体部分３６２は、導体部分３６１に接続され、導体部分３６１に対して中心点Ｐ_１とは反対方向に仮想直線Ｌに沿う方向に延びて形成された矩形状の突出部である。

第４実施形態では、ダミーランド３３２ＥがＴ字形状に形成されているので、導体部分３６１は、中心点Ｐ_１の側に形成された端辺３６３を有する。この端辺３６３は、ダミーランド３３２Ｅの中心よりも中心点Ｐ_１側に形成された辺である。ダミーランド３３２Ｅは、ダミーランド３３２Ｅの仮想直線Ｌに交差（直交）する方向の幅が、端辺３６３で最も広く、中心点Ｐ_１から遠ざかるに連れて狭くなるように形成されている。つまり、絶縁部材３５０は、ダミーランド３３２Ｅよりもはんだの濡れ性が低いので、ダミーランド３３２Ｅに集まりやすく、また、ダミーランド３３２Ｅの幅の広いところに集まりやすい。したがって、ダミーランド３３２Ｅの幅の広いところほど、溶融はんだの高さが高くなりやすい。よって、端辺３６３に近い側にはんだが集まるので、はんだが外周方向に押し潰されたとしても、外周方向にはみ出すはんだの量が少なくなる。従って、はんだのブリッジが発生しにくい。

電極ランド３３１は、直径が例えばΦ１．０［ｍｍ］の円形状であり、ダミーランド３３２Ｅは、外形寸法が例えば１．０［ｍｍ］×１．０［ｍｍ］に形成されるＴ字形状である。導体部分３６１，３６２は、０．３［ｍｍ］×１．０［ｍｍ］で形成されている。導体部分３６１の中心を起点として導体部分３６２が導体部分３６１に対して直交して配置されている。ダミーランド３３２Ｅは、電極ランド３３１が配置される領域の内側領域において、例えば４列×４列で１６個、配置される。ダミーランド３３２Ｅは、ダミーランド群３４２Ｅの中心点Ｐ_１（インターポーザ２０１の中心点Ｐｏに対向する点）とダミーランド３３２Ｅの外形に対する中心点とを結ぶ仮想直線Ｌ上に、導体部分３６２の頂点が重なる向きで配置される。

電極ランド３３１とダミーランド３３２Ｅとの間隔は、電極ランド３３１同士の隣接間隔と同じにすることができ、第４実施形態では、電極ランド３３１同士の隣接間隔と同じ０．５［ｍｍ］としている。

ダミーランド３３２Ｅに接合されるダミーはんだ４０２（図１（ｂ）参照）の体積は、電極はんだ４０１（図１（ｂ）参照）と同じにしてもよいし、必要に応じて異なる体積にしてもよい。ダミーはんだ４０２の供給方法は、上記第１実施形態と同様、はんだペーストを用いた印刷により行われる。第４実施形態では、電極ランド３３１とダミーランド３３２Ｅに対する印刷版開口を、どちらもΦ１．０［ｍｍ］とし、同一体積が得られるようにしている。

第４実施形態では、ダミーランド３３２Ｅを上記第１〜第３実施形態と同様、インターポーザ２０１の中央部に対向する位置に配置している。従って、上記第１〜第３実施形態と同様、インターポーザ２０１とプリント配線板３０１Ｅの反りによって、インターポーザ２０１の中央部の上下間隔が狭くなった場合でも、効果的にダミーはんだ４０２のはみ出しを抑制できる。即ち、はんだの加熱溶融時において、インターポーザ２０１とプリント配線板３０１Ｅに、上記第１実施形態で説明した反りが生じた場合にも、ダミーはんだ４０２を潰れにくくできる。

また、第４実施形態では、ダミーランド３３２ＥがＴ字形状に形成されているので、円形状のランドを用いる場合よりもはんだのブリッジの発生を低減できる。そのため、半導体パッケージ２００として、反りの影響が大きな大型の半導体パッケージを用いることが可能になる。

また、小型の半導体パッケージを用いてＬＧＡ実装を行う際には、よりはんだを少量にできるので、狭ピッチでランドを配置できる。したがって、多ピン化に有利な実装構造を得ることができる。また、ダミーはんだ４０２をはみ出しにくくさせることで、電極ランド３３１とダミーランド３３２Ｅとの間隔を必要以上に設けなくてもよい。そのため、電極ランド３３１あるいはダミーランド３３２Ｅの配置数を増やすことができる。

インターポーザ２０１又はプリント配線板３０１Ｅの反りの影響により、ダミーはんだ４０２のはみ出しが大きい場合は、電極ランド３３１とダミーランド３３２Ｅの間隔を、電極ランド３３１同士の隣接間隔よりも広げることで、ブリッジの発生を回避できる。

また、ダミーランド３３２Ｅの形状をＴ字形状にすることで、円形状のときと同じ隣接間隔で配置したとしても、ランドの面積を小さくすることができる。これにより、電極ランド３３１と同量のはんだペーストを供給した際に、ダミーはんだの高さが高く形成されるので、インターポーザ２０１とプリント配線板３０１Ｅとの間隔をより広げることができ、はんだのブリッジの発生をより低減することができる。さらに、反り量が大きな基板を用いても、高い歩留りでＬＧＡを実装することが可能になる。したがって低コスト化が実現できる。

ここで、図６は、第４実施形態に係るプリント配線板の変形例を示す平面図であり、図６（ａ）及び図６（ｂ）には、それぞれ別の変形例のプリント配線板３０１Ｆ，３０１Ｇを図示している。なお、半導体装置の構成は、上記第１実施形態と同様である。図６（ａ）及び図６（ｂ）には、図５のプリント配線板３０１Ｅと同様、中心点Ｐ_１側の端辺３６３を有するダミーランドの例を示している。ダミーランドの外形は、端辺３６３を１辺とする多角形状に形成されており、図６（ａ）では三角形、図６（ｂ）では四角形を例示している。

ダミーランド３３２Ｆ，３３２Ｇが端辺３６３を有することにより、溶融はんだが表面張力により端辺３６３に引き寄せられやすくなるので、効果的にはんだのブリッジを防止することができる。

そして、ダミーランド３３２Ｆ，３３２Ｇの形状を、多角形のうち三角形又は四角形とすることにより、端辺３６３から放射方向（外周方向）に向かうに連れて、幅が狭くなる又は同一となる。そのため、幅が広がる場合よりも効果的に端辺３６３側に溶融したはんだを引き寄せることができ、効果的にはんだのブリッジを防止することができる。特に、ダミーランド３３２Ｆの形状が三角形であるので、端辺３６３から放射方向（外周方向）に向かうに連れて幅が狭くなる。そのため、より効果的に端辺３６３側に溶融したはんだを引き寄せることができ、より効果的にはんだのブリッジを防止することができる。

［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態に係る積層型半導体装置について説明する。図７は、本発明の第５実施形態に係る積層型半導体装置を示す断面図である。上記第１〜第４実施形態では、プリント配線板（マザーボード）に半導体装置が実装されたプリント回路板について説明した。第５実施形態では、プリント回路板のプリント配線板に別の半導体素子を実装させて、プリント配線板と別の半導体素子とで別の半導体装置を構成した装置、即ち半導体装置と半導体装置とが積層して構成された積層型半導体装置について説明する。

積層型半導体装置５００は、第１半導体装置である上記第１実施形態と同様の構成の半導体パッケージ２００と、半導体パッケージ２００とは別の第２半導体装置である半導体パッケージ３００とを備えている。積層型半導体装置５００は、これら半導体パッケージ２００，３００が積層方向に積層されて構成されている。

半導体パッケージ３００は、インターポーザ２０１とは別のインターポーザとして、プリント配線板であるインターポーザ３０１Ｈと、半導体素子２０２とは別の半導体素子（半導体チップ）３０２とを有している。半導体素子３０２は、インターポーザ３０１Ｈの面（インターポーザ２０１の面２１２に対向する対向面）３１１とは反対側の面３１２に実装されている。したがって、インターポーザ３０１Ｈは、半導体パッケージ２００と同様、半導体素子３０２が実装された面とは反対側の面３１１が凸、即ち上向きに凸の形状となる反りが生じる。なお、インターポーザ３０１Ｈの面３１２には、他の基板のランドにはんだで接合されるランド３３３が形成されている。

第５実施形態では、インターポーザ３０１Ｈは、上記第１実施形態と同様、複数のランド３３０が形成されている。複数のランド３３０は、上記第１実施形態と同様、複数の電極ランド３３１からなる電極ランド群３４１と、複数のダミーランド３３２からなるダミーランド群３４２とからなる。そして、電極ランド３３１及びランド２２０には、電極はんだ４０１が接合されて電極ランド３３１とランド２２０とが電気的に接続されている。ダミーランド３３２には、ダミーはんだ４０２が接合されているが、ダミーはんだ４０２はランド２２０には非接合である。そして、ダミーはんだ４０２は、上記第１実施形態と同様、インターポーザ２０１の面２１２の複数のランド２２０の内側領域である所定領域に接触して、インターポーザ２０１，３０１Ｈ間の間隔を保持する。

よって、第５実施形態によれば、上記第１実施形態と同様、ダミーはんだ４０２と電極はんだ４０１とのブリッジ、電極はんだ４０１同士のブリッジを防止することができる。

［実施例］
続いて、ダミーランドの形状を変えたときのはんだの広がり量を調べた実験結果を図８に示す。図８（ａ）は測定方法を説明するための図、図８（ｂ）は測定結果を示すグラフである。

本実験では、半導体パッケージとプリント配線板の反りによって、幅３２［ｍｍ］のパッケージを実装する領域において、中央部と端部に２００［μｍ］の高低差が生じた場合を想定した。このとき、インターポーザとプリント配線板との間では、およそ０．７［°］の傾斜角度ではんだが上方から押し潰されるものとして単純モデル化した。

プリント配線板を想定した基板には、ガラスエポキシ材からなる有機基板を使用した。基板上には、寸法が０．５［ｍｍ］×０．１５［ｍｍ］の矩形を２つ組み合わせて形成される、十字形状とＴ字形状のランドをそれぞれ設けた。また、直径がΦ０．５［ｍｍ］の円形状のランドを形成した。

ランド上にはソルダーレジストを設けておらず、ランドの外形はＣｕ箔のエッチングのみにより形成されているが、溶融したはんだと基板とのぬれ性は、ソルダーレジストと同様に極めて低いことから、本結果への影響は考慮していない。

上記の基板上に、インターポーザを想定したガラス板の一端を支点になるよう固定し、支点から８［ｍｍ］の位置の基板上に厚さ０．１［ｍｍ］のスペーサを設けた。上記のスペーサは、ガラス板を押し込んだ際に、０．１［ｍｍ］の高さで停止するようにし、ガラス板と基板との間の傾斜角度を一定とするためのものである。

なお、ガラス板を押し当てた際のはんだを、およそ６０［μｍ］の高さに形成するため、上記のガラス板の支点は、ランドの外形寸法に対する中心Ｐｅの位置から、５［ｍｍ］の間隔を離した位置で固定させるものとした。

各ランド上には、融点が１４０［℃］であるΦ０．４［ｍｍ］のはんだボールを、予め加熱溶融させて搭載しておいた。

以上のように作製したサンプルを用いて、はんだを加熱溶融させた後、はんだ上部からガラス板を押し当てながら、はんだが潰れた状態で冷却および固化させた。加熱方法はホットプレートを用い、設定温度は２００［℃］とした。

ガラス板を押し当てる際は、はんだ溶融後に、基板を冷却用のアルミプレート上に移し、はんだが固化する前に行った。その後、図８（ａ）に示すように、固化したはんだ４００の先端から後端までの長さを全長として、光学顕微鏡により測定し、比較を行った。

図８（ｂ）に示すように、円形状のランドの場合のはんだの全長は、平均０．９６［ｍｍ］であり、十字形状のランドの場合のはんだの全長は、平均０．９４［ｍｍ］であった。この実験結果から、円形状のランドの場合と比較して、十字形状のランドでははんだの全長が短くなっていることが確認された。よって、上記第２実施形態で示したように、ダミーランド３３２Ａの形状を十字形状にした場合では、円形状よりもはんだのはみ出し量を抑制する効果が高いことが示された。

さらに、十字形状のランド３３２Ａをはんだのはみ出し方向に対して４５°回転させた上記第３実施形態のランド３３２Ｂとした場合では、はんだの全長が平均０．９０［ｍｍ］であったので、はんだの全長がさらに短くなることがわかった。この結果から、はんだのはみ出し方向に対して回転させない場合よりも、広がり量を抑制する効果が、より高められることが明らかとなった。

また、上記第４実施形態で示したＴ字形状のランド３３２Ｅでは、はんだの全長が平均０．８６［ｍｍ］であり、他のランド形状と比較して、最もはんだの全長が短くなることが示された。

上述した効果が得られる理由は以下のとおりと考えられる。一つ目の理由として、基板とガラス板との上下間隔が平行でない状態ではんだが押し潰されると、ランドの表面付近では、はんだがランドにぬれて安定している。これに対し、ランド表面から離れた上方のはんだでは、ランドの面内を自由に流動できる状態となる。

ランドの形状が十字形状やＴ字形状の場合、押し潰されたはんだが、ランド表面と基板表面の両方と接触した状態となる。そのため、溶融したはんだとぬれ性が低い基板表面では、はんだがはみ出そうとする方向に対して、押し戻す力が同時に発生する。その結果、はみ出そうとする方向と直交する向きにはんだが広がりやすくなるため、はみ出し方向に対するはんだの全長が低減される。特に、Ｔ字形状の場合、仮想直線Ｌに対して交差（直交）する方向の幅が外周方向に向かって狭くなるように配置しているので、中心点Ｐ_１に近い端辺３６３側にはんだが集まりやすい。したがって、仮想直線Ｌに沿う外周方向に向かってはんだがはみ出すのを抑制することができる。

またもう一つの理由として、はんだはランドとのぬれによって拘束されているため、はんだが押し潰されたとしても、ランドから逸脱してしまうことは無く、はみ出し方向と反対側のランドの端点を起点に広がろうとする。そのため、上記の起点の幅がはみ出し方向と直交する向きに広い程、はみ出し方向と反対側にはんだ体積を留まらせることができる。十字形状を４５°回転させたランドや、Ｔ字形状を逆さに配置したものでは、はみ出し方向に対するランドの最後部において、上記の起点の幅が広いことから、このような効果がより高まったと考えられる。

上述した理由から、十字形状とＴ字形状では角部が形成されている必要は無く、曲線の組合せによって形成される、略十字形状や、略Ｔ字形状であっても同様の効果が得られる。

また、Ｔ字形状を用いる場合は、はんだのはみ出し方向に対して、正反対であることがより好ましいが、必ずしも正反対に配置しなければ、円形状のときよりも効果が得られないものではない。例えば、Ｔ字形状の基部が、０．３［ｍｍ］×１．０［ｍｍ］で形成される場合、Ｔ字形状の外形サイズに対する中心点を基準として、±１６［°］以内の範囲で回転させたとしても、円形状よりも高い効果が期待できる。上述した結果は、それぞれランド単体での評価結果であるが、プリント配線板上に、ダミーランドとして複数配置した際にも、同様の効果を発揮できると考えられる。

また、インターポーザとプリント配線板の間隔が広がる方向に対し、十字形状あるいはＴ字形状のランドを、向きを変えて複数配置させることにより、ダミーはんだのはみ出し抑制効果をより高めることができ、より確実にブリッジ発生を低減できる。

なお、本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。

上記第１〜第４実施形態では、ダミーランド３３２〜３３２Ｇをプリント配線板に形成し、インターポーザ２０１のダミーランドに対向する部分には、絶縁部材２３０が形成されている場合について説明したが、逆の構成であってもよい。即ち、インターポーザ２０１にダミーランドを形成し、プリント配線板の絶縁部材３５０をダミーランドに対向させて、ダミーはんだを絶縁部材３５０に接続（接触）させてもよい。

その際、インターポーザ２０１の面２１２の中心点Ｐｏを中心とする所定領域Ｒに対応する位置とは、上記実施形態では、プリント配線板の、所定領域Ｒに対向する領域であったが、この場合はインターポーザ２０１の面２１２の所定領域Ｒそのものである。つまり、この場合、ダミーランド群を構成するダミーランドは、インターポーザ２０１の中心点Ｐｏを中心とする所定領域Ｒに配置されている。

また、この場合、絶縁部材３５０がソルダーレジストであるため、プリント配線板において、ソルダーレジストの表面レベルがランドの表面レベルよりも高い位置にある。これにより、プリント配線板に形成されたランドよりもソルダーレジストの厚さ分高い位置で、ダミーはんだが接触することになる。したがって、インターポーザとプリント配線板の間隔をより広げる効果が得られる。

更にまた、上記第１実施形態では、電極ランド３３１とダミーランド３３２との間隔が、電極ランド３３１同士の間隔よりも広い場合について説明したが、同一の間隔であってもよい。

また、上記第２〜第４実施形態において、電極ランドとダミーランドとの間隔を、電極ランド同士の間隔よりも広くすれば、はんだのブリッジの発生を更に効果的に防止することができる。

また第５実施形態では、インターポーザ３０１Ｈが上記第１実施形態のプリント配線板３０１と略同様の構成、即ちインターポーザ３０１Ｈのダミーランドの形状及び配置が上記第１実施形態と同様の場合について説明したがこれに限定するものではない。インターポーザ３０１Ｈのダミーランドの形状及び配置を、上記第２〜第４実施形態と同様としてもよい。

また、上記第１〜第５実施形態では、半導体パッケージがＬＧＡ型の場合について説明したが、これに限定するものではなく、半導体パッケージがＢＧＡ型の場合についても本発明は適用可能である。なおＬＧＡ型の半導体パッケージの実装構造の場合は、ＢＧＡ型の半導体パッケージの実装構造の場合よりも基板間隔が小さくブリッジが生じやすいため、本発明を適用することにより、効果的にブリッジの発生を防止することができる。

１００…プリント回路板、２００…半導体パッケージ、２０１…インターポーザ、２０２…半導体素子、２１１…一方の面、２１２…他方の面、２２０…ランド、２３０…絶縁部材、３０１…プリント配線板、３１１…対向面、３３０…ランド、３４１…電極ランド群（第１ランド群）、３４２…ダミーランド群（第２ランド群）、３５０…絶縁部材

Claims (17)

1. 半導体素子、及び一方の面に前記半導体素子が実装され、他方の面に導電性の複数のランドが形成されたインターポーザを有する半導体装置と、
   前記インターポーザの他方の面に対向する対向面に導電性の複数のランドが形成されたプリント配線板と、を備え、
   前記インターポーザ及び前記プリント配線板のうち一方の基板に形成された複数のランドは、他方の基板に形成されたランドにはんだで接続された第１ランド群と、前記他方の基板の絶縁部材にはんだで接続された第２ランド群と、を有し、
   前記第２ランド群を構成するランドが、前記インターポーザの他方の面の中心点を中心とする所定領域に対応する位置に配置されており、
   前記第１ランド群を構成するランドが、前記第２ランド群を囲うように前記第２ランド群の周囲に配置されていることを特徴とするプリント回路板。
2. 前記第１ランド群を構成するランドと前記第２ランド群を構成するランドとの間隔が、前記第１ランド群を構成するランド同士の間隔よりも広いことを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板。
3. 前記第２ランド群を構成するランドが円形状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント回路板。
4. 前記第２ランド群を構成するランドのうち少なくとも最外周に位置するランドが、矩形状の第１導体部分と、前記第１導体部分に交差する矩形状の第２導体部分とを有することを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント回路板。
5. 前記第１導体部分及び前記第２導体部分のうち少なくとも一方が、前記第２ランド群の中心点から放射状に延びる仮想直線に対して交差する方向に延びて形成されていることを特徴とする請求項４に記載のプリント回路板。
6. 前記第１導体部分及び前記第２導体部分が、前記第２ランド群の中心点から放射状に延びる仮想直線に対して交差する方向に延びて形成されていることを特徴とする請求項４に記載のプリント回路板。
7. 前記第１導体部分と前記仮想直線との成す角度、及び前記第２導体部分と前記仮想直線との成す角度が、４５°であることを特徴とする請求項５又は６に記載のプリント回路板。
8. 前記少なくとも最外周に位置するランドが、前記第１導体部分と前記第２導体部分とで十字形状に形成されていることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載のプリント回路板。
9. 前記少なくとも最外周に位置するランドが、前記第１導体部分と前記第２導体部分とでＶ字形状に形成されていることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載のプリント回路板。
10. 前記第２ランド群を構成するランドのうち少なくとも最外周に位置するランドが、前記第２ランド群の中心点から放射状に延びる仮想直線に対して交差し、かつ前記第２ランド群の中心点の側に形成された端辺を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント回路板。
11. 前記少なくとも最外周に位置するランドが、前記端辺を有し前記仮想直線に対して交差する方向に延びる矩形状の基部と、前記基部に接続され、前記仮想直線に沿う方向に延びる突出部とでＴ字形状に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載のプリント回路板。
12. 前記少なくとも最外周に位置するランドが、前記端辺を１辺とする多角形状に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載のプリント回路板。
13. 前記多角形が三角形であることを特徴とする請求項１２に記載のプリント回路板。
14. 前記多角形が四角形であることを特徴とする請求項１２に記載のプリント回路板。
15. 前記一方の基板が前記プリント配線板であり、前記他方の基板が前記インターポーザであることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のプリント回路板。
16. 前記絶縁部材がソルダーレジストであることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のプリント回路板。
17. 請求項１乃至１６のいずれか１項に記載のプリント回路板と、
    前記半導体素子とは別の半導体素子と、を備え、
    前記プリント配線板は、前記対向面とは反対側の面に前記別の半導体素子が実装された、前記インターポーザとは別のインターポーザであり、
    前記別の半導体素子と前記別のインターポーザとを有して、前記半導体装置とは別の半導体装置が構成されていることを特徴とする積層型半導体装置。

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