JP2007059486A - 半導体装置及び半導体装置製造用基板 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置製造用基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007059486A JP2007059486A JP2005240286A JP2005240286A JP2007059486A JP 2007059486 A JP2007059486 A JP 2007059486A JP 2005240286 A JP2005240286 A JP 2005240286A JP 2005240286 A JP2005240286 A JP 2005240286A JP 2007059486 A JP2007059486 A JP 2007059486A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- via hole
- island
- insulating substrate
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
【解決手段】 マトリックス状に配列されたビアホール26を有する絶縁性基板21と、絶縁性基板21の表面に設けられた導電性のアイランド22と、アイランド22に導電層12を介してダイボンディングされた半導体チップ11とを備え、アイランド22が設けられた領域における絶縁性基板21には、マトリックス状に配列されたビアホール26以外に、放熱用ビアホール27が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【選択図】 図1
Description
(1) マトリックス状に配列されたビアホールを有するとともに、導電性のアイランドが表面に設けられた絶縁性基板と、
上記アイランドに導電層を介してダイボンディングされた半導体チップと
を備え、
上記アイランドが設けられた領域における上記絶縁性基板には、マトリックス状に配列されたビアホール以外に、放熱用ビアホールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
(2) 上記(1)の半導体装置であって、
上記アイランドが設けられた領域における上記絶縁性基板の裏面には、上記ビアホールと電気的に接続された金属端子が形成されていることを特徴とする。
(3) 上記(1)又は(2)の半導体装置であって、
上記ビアホール及び/又は上記放熱用ビアホールには、金属充填材が充填されていることを特徴とする。
(4) マトリックス状に配列されたビアホールを有するとともに、導電性のアイランドが表面に設けられた絶縁性基板
を備え、
上記アイランドが設けられた領域における上記絶縁性基板には、マトリックス状に配列されたビアホール以外に、放熱用ビアホールが設けられていることを特徴とする半導体装置製造用基板。
従って、アイランドに導電層を介して半導体チップをダイボンディングすることにより、熱伝導性の高い導電層とアイランドとビアホール及び放熱用ビアホールとによって、半導体チップからの放熱を行うための広い熱伝導経路が確保され、優れた放熱機能を有する半導体装置を製造することができる。
(5) 上記(4)の半導体装置製造用基板であって、
上記アイランドが設けられた領域における上記絶縁性基板の裏面には、上記ビアホールと電気的に接続された金属端子が形成されていることを特徴とする。
(6) 上記(4)又は(5)の半導体装置製造用基板であって、
上記ビアホール及び/又は上記放熱用ビアホールには、金属充填材が充填されていることを特徴とする。
図1は、本発明に係る半導体装置の一例を模式的に示す平面透視図である。
図2は、図1に示した半導体装置の縦断面図(A−A線断面図)である。
絶縁性基板21の表面には、アイランド22及びボンディングパッド24を除いた表面全域を覆うソルダーレジスト層25が形成されている。
半導体チップ11の上面には、複数の電極11aが設けられていて、各電極11aとボンディングパッド24とがワイヤ14によって電気的に接続されている。図1では、説明の便宜上、電極11a及びワイヤ14を図示していない。
アイランド形成領域における絶縁性基板32には、マトリックス状(縦4個×横4個)に配列された16個のビアホール36が形成されている。また、放熱用ビアホール37が、各ビアホール36の間、すなわち、隣接する4個のビアホール36から等間隔を空けて配置されているが、放熱用ビアホール37の直径は、ビアホール36の直径より大きい。
アイランド形成領域における絶縁性基板42には、マトリックス状(縦4個×横4個)に配列された16個のビアホール46が形成されている。また、放熱用ビアホール47は、ビアホール46の直径より大きな直径を有する第一放熱用ビアホール47aと、ビアホール46の直径より小さな直径を有する第二放熱用ビアホール47bとからなり、第一放熱用ビアホール47aは、各ビアホール46の間、すなわち、隣接する4個のビアホール46から等間隔を空けて配置されている。また、第二放熱用ビアホール47bは、隣接する2つのビアホール46の中間に配置されている。
図4は、本発明に係る半導体装置製造用基板の一例を模式的に示す断面図である。
図4に示す半導体装置製造用基板20は、半導体チップ11、導電層12、ワイヤ14及び樹脂パッケージ部19を備えていない点を除くと、図1に示した半導体装置10と同じ構成を有するものである。この半導体装置製造用基板20を用いて半導体装置を製造することによって、放熱機能に優れた半導体装置を製造することができる。
さらに、アイランド23の形成領域に、ドリルやレーザ等により貫通孔(以下、第二貫通孔という)を穿設する。第二貫通孔は、放熱用ビアホール27となるものであり、第二貫通孔の直径は、特に限定されるものではない。
上記(A)〜(C)の工程を経ることにより、半導体装置製造用基板20を製造することができる(図4参照)。
続いて、半導体チップ11の上面に設けられた電極11aと、ボンディングパッド24とをワイヤを用いてワイヤボンディングする。そして、絶縁性基板21の上面全体を覆うように、エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物で樹脂パッケージ部19を形成することにより、半導体装置10を製造することができる。
11 半導体チップ
11a 電極
12 導電層
14 ワイヤ
19 樹脂パッケージ部
20 半導体装置製造用基板
21 絶縁性基板
22 アイランド
23 導体回路
24 ボンディングパッド
25、30 ソルダーレジスト層
26 ビアホール
27 放熱用ビアホール
28 導体層
29 半田パッド
31 半田バンプ
Claims (6)
- マトリックス状に配列されたビアホールを有するとともに、導電性のアイランドが表面に設けられた絶縁性基板と、
前記アイランドに導電層を介してダイボンディングされた半導体チップと
を備え、
前記アイランドが設けられた領域における前記絶縁性基板には、マトリックス状に配列されたビアホール以外に、放熱用ビアホールが設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 前記アイランドが設けられた領域における前記絶縁性基板の裏面には、前記ビアホールと電気的に接続された金属端子が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ビアホール及び/又は前記放熱用ビアホールには、金属充填材が充填されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- マトリックス状に配列されたビアホールを有するとともに、導電性のアイランドが表面に設けられた絶縁性基板
を備え、
前記アイランドが設けられた領域における前記絶縁性基板には、マトリックス状に配列されたビアホール以外に、放熱用ビアホールが設けられていることを特徴とする半導体装置製造用基板。 - 前記アイランドが設けられた領域における前記絶縁性基板の裏面には、前記ビアホールと電気的に接続された金属端子が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置製造用基板。
- 前記ビアホール及び/又は前記放熱用ビアホールには、金属充填材が充填されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体装置製造用基板。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005240286A JP5285204B2 (ja) | 2005-08-22 | 2005-08-22 | 半導体装置及び半導体装置製造用基板 |
KR1020077028545A KR20080014004A (ko) | 2005-06-06 | 2006-06-02 | 인터포저 및 반도체 장치 |
US11/921,573 US8022532B2 (en) | 2005-06-06 | 2006-06-02 | Interposer and semiconductor device |
CN2006800201220A CN101194360B (zh) | 2005-06-06 | 2006-06-02 | 接插件及半导体装置 |
PCT/JP2006/311099 WO2006132151A1 (ja) | 2005-06-06 | 2006-06-02 | インタポーザおよび半導体装置 |
TW095120063A TW200705621A (en) | 2005-06-06 | 2006-06-06 | Interposer and semiconductor device |
US13/043,612 US20110156226A1 (en) | 2005-06-06 | 2011-03-09 | Interposer and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005240286A JP5285204B2 (ja) | 2005-08-22 | 2005-08-22 | 半導体装置及び半導体装置製造用基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007059486A true JP2007059486A (ja) | 2007-03-08 |
JP5285204B2 JP5285204B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=37922734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005240286A Active JP5285204B2 (ja) | 2005-06-06 | 2005-08-22 | 半導体装置及び半導体装置製造用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5285204B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011146513A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2012156947A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Anritsu Corp | 高周波接続配線基板、およびこれを備えた光変調器モジュール |
JP2014103152A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
US9484282B2 (en) | 2007-10-25 | 2016-11-01 | Rohm Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device |
CN113410205A (zh) * | 2020-03-16 | 2021-09-17 | 铠侠股份有限公司 | 半导体装置 |
WO2022004178A1 (ja) * | 2020-07-02 | 2022-01-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | インターポーザ、回路装置、インターポーザの製造方法、および回路装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121643A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2003297966A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2005057099A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-08-22 JP JP2005240286A patent/JP5285204B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121643A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2003297966A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2005057099A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9484282B2 (en) | 2007-10-25 | 2016-11-01 | Rohm Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device |
JP2011146513A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2012156947A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Anritsu Corp | 高周波接続配線基板、およびこれを備えた光変調器モジュール |
JP2014103152A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
CN113410205A (zh) * | 2020-03-16 | 2021-09-17 | 铠侠股份有限公司 | 半导体装置 |
CN113410205B (zh) * | 2020-03-16 | 2024-03-12 | 铠侠股份有限公司 | 半导体装置 |
WO2022004178A1 (ja) * | 2020-07-02 | 2022-01-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | インターポーザ、回路装置、インターポーザの製造方法、および回路装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5285204B2 (ja) | 2013-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8022532B2 (en) | Interposer and semiconductor device | |
KR100698526B1 (ko) | 방열층을 갖는 배선기판 및 그를 이용한 반도체 패키지 | |
US8994168B2 (en) | Semiconductor package including radiation plate | |
KR101069499B1 (ko) | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 | |
JPH11307689A (ja) | 半導体装置、半導体装置用基板及びこれらの製造方法並びに電子機器 | |
JP2008091714A (ja) | 半導体装置 | |
JP5285204B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置製造用基板 | |
JP4494249B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI495078B (zh) | 連接基板及層疊封裝結構 | |
US10134665B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5000105B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR101697684B1 (ko) | 임베딩된 다이를 갖는 집적 회로 패키지 내의 열 비아들 | |
JP2000232186A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US11482507B2 (en) | Semiconductor package having molding member and heat dissipation member | |
JP2007036035A (ja) | 半導体装置 | |
JPH11220055A (ja) | Bga型半導体装置及び該装置に用いるスティフナー | |
JP2001168226A (ja) | 半導体パッケージ及び半導体装置 | |
TWI384606B (zh) | 嵌埋半導體元件之封裝結構及其製法 | |
JP2007081150A (ja) | 半導体装置及び基板 | |
KR20040037561A (ko) | 반도체패키지 | |
JP2012199283A (ja) | 半導体装置 | |
US20070209830A1 (en) | Semiconductor chip package having a slot type metal film carrying a wire-bonding chip | |
JPH09148482A (ja) | 半導体装置 | |
JP2001267460A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007049154A (ja) | チップ埋め込み型パッケージ構造およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070831 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20071004 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20071004 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071121 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110715 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111227 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120803 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120813 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20121019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130403 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130531 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5285204 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |