JP2015135484A - 半導体装置 - Google Patents

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    • Y02E10/549Organic PV cells

Abstract

【課題】可搬性及び表示の一覧性に優れた半導体装置等を提供する。
【解決手段】可撓性を有する表示パネルと、表示パネルの第1の領域を支持する第1の筐体と、表示パネルの第2の領域を支持する第2の筐体と、第1の筐体に固着された可撓性を有する基材とを有し、表示パネルは、第1の領域と第2の領域とが略同一平面に位置する展開状態と、第1の領域と第2の領域とが重なって位置する折り畳み状態とに変形可能であり、第2の筐体は、可撓性を有する基材の一部が摺動可能な溝部を有し、展開状態において、可撓性を有する基材の一部は溝部に挿入され、折り畳み状態への変形動作において、溝部に挿入された可撓性を有する基材の少なくとも一部が引き出される半導体装置を提供する。
【選択図】図1

Description

本発明は、物、方法、又は製造装置に関する。又は、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。特に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、照明装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法に関する。特に、本発明の一態様は、表示装置を有する電子機器、情報処理装置、通信情報機器、又はそれらの製造方法に関する。
スマートフォン、タブレット、ファブレット等の携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されている。例えば、可撓性を有する表示パネルを用いた電子機器が知られている(特許文献1)。また、マルチパネル電子デバイスが知られている(特許文献2)。
特開2012−190794号公報 特開2012−502372号公報
半導体装置の有する表示領域は、大型化させることで表示する情報量を増やし、表示の一覧性を向上させることができる。一方、携帯機器用途等では、表示領域を大型化させると可搬性(ポータビリティともいう)が低下する。すなわち、表示の一覧性の向上と、高い可搬性を両立させることは困難である。
本発明の一態様は、可搬性に優れた半導体装置等を提供することを課題の一とする。又は、表示の一覧性に優れた半導体装置等を提供することを課題の一とする。又は、信頼性の高い半導体装置等を提供することを課題とする。又は、可搬性及び表示の一覧性に優れた半導体装置等を提供することを課題の一とする。又は、新規な半導体装置等を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また上記以外の課題は、明細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、可撓性を有する表示パネルと、表示パネルの第1の領域を支持する第1の筐体と、表示パネルの第2の領域を支持する第2の筐体と、第1の筐体に固着された可撓性を有する基材とを有し、表示パネルは、第1の領域と第2の領域とが略同一平面に位置する展開状態と、第1の領域と第2の領域とが重なって位置する折り畳み状態とに変形可能であり、第2の筐体は、可撓性を有する基材の一部が摺動可能な溝部を有し、展開状態では、可撓性を有する基材の一部が溝部に挿入され、折り畳み状態への変形動作において、溝部に挿入された可撓性を有する基材の少なくとも一部が引き出される半導体装置である。
上記の半導体装置において、折り畳み状態において、可撓性を有する基材は、曲面を有するように折り曲げられていてもよい。
また、本発明の一態様は、可撓性を有する表示パネルと、表示パネルの第1の領域を支持する第1の筐体と、表示パネルの第2の領域を支持する第2の筐体と、第1の筐体に固着された第1の可撓性を有する基材と、第1の筐体に固着された第2の可撓性を有する基材とを有し、表示パネルは、第1の領域と第2の領域とが略同一平面に位置する展開状態と、第1の領域と第2の領域とが重なって位置する折り畳み状態とに変形可能であり、第1の可撓性を有する基材は、表示パネルの表示面側に設けられ、第2の可撓性を有する基材は、表示パネルの表示面と逆側に設けられ、第2の筐体は、第1の可撓性を有する基材の一部が摺動可能な第1の溝部と、第2の可撓性を有する基材の一部が摺動可能な第2の溝部とを有し、展開状態では、第1の可撓性を有する基材の一部は第1の溝部に挿入され、且つ、第2の可撓性を有する基材の一部は第2の溝部に挿入され、折り畳み状態への変形動作において、第1の溝部に挿入された第1の可撓性を有する基材の少なくとも一部が引き出され、且つ、第2の溝部に挿入された第2の可撓性を有する基材の少なくとも一部が引き出される半導体装置である。
また、本発明の一態様は、可撓性を有する表示パネルと、表示パネルの第1の領域を支持する第1の筐体と、表示パネルの第2の領域を支持する第2の筐体と、第1の筐体に固着された第1の可撓性を有する基材と、第2の筐体に固着された第2の可撓性を有する基材とを有し、表示パネルは、第1の領域と第2の領域とが略同一平面に位置する展開状態と、第1の領域と第2の領域とが重なって位置する折り畳み状態とに変形可能であり、第1の可撓性を有する基材は、表示パネルの表示面側に設けられ、第2の可撓性を有する基材は、表示パネルの表示面と逆側に設けられ、第1の筐体は、第2の可撓性を有する基材の一部が摺動可能な第1の溝部を有し、第2の筐体は、第1の可撓性を有する基材の一部が摺動可能な第2の溝部を有し、展開状態では、第1の可撓性を有する基材の一部は第2の溝部に挿入され、且つ、第2の可撓性を有する基材の一部は第1の溝部に挿入され、折り畳み状態への変形動作において、第2の溝部に挿入された第1の可撓性を有する基材の少なくとも一部が引き出され、且つ、第1の溝部に挿入された第2の可撓性を有する基材の少なくとも一部が引き出される半導体装置である。
上記の半導体装置において、折り畳み状態において、第1の可撓性を有する基材及び第2の可撓性を有する基材は、それぞれ曲面を有するように折り曲げられていてもよい。
本発明の一態様によって、可搬性に優れた半導体装置等を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、表示の一覧性に優れた半導体装置等を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、信頼性の高い半導体装置等を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、可搬性及び表示の一覧性に優れた半導体装置等を提供することができる。又は、本発明の一態様によって、新規な半導体装置等を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
本発明の一態様の半導体装置の構成例を説明する斜視図。 本発明の一態様の半導体装置の構成例を説明する断面図。 本発明の一態様の半導体装置の構成例を説明する断面図及び斜視図。 本発明の一態様の半導体装置の構成例を説明する斜視図及び断面図。 本発明の一態様の半導体装置の構成例を説明する断面図。 本発明の一態様の半導体装置の構成例を説明する斜視図。 表示パネルの構成例を説明する図。 表示パネルの構成例を説明する図。 表示パネルの構成例を説明する図。 表示パネルの構成例を説明する図。 表示パネルの作製方法の一態様を説明する図。 表示パネルの作製方法の一態様を説明する図。 電子機器の例を示す図。 本発明の一態様の半導体装置の構成例を説明する断面図。 本発明の一態様の半導体装置の構成例を説明する断面図。 本発明の一態様の半導体装置の構成例を説明する断面図。 本発明の一態様の半導体装置の構成例を説明する断面図。
以下では、本発明の一態様の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、以下に説明する実施の形態において、同一部分又は同様の機能を有する部分には、同一の符号又は同一のハッチパターンを異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、膜の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
また、本明細書等にて用いる第1、第2等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第1の」を「第2の」又は「第3の」等と適宜置き換えて説明することができる。
また、本明細書等において、「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が「直上」又は「直下」であることを限定するものではない。例えば、「第1の層上の第2の層」との表現であれば、第1の層と第2の層との間に他の構成要素を含むものを除外しない。「下」についても同様である。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置について図1乃至図5を用いて説明する。本発明の一態様の半導体装置は、複数の筐体に支持された可撓性を有する表示パネルを有する。また、該表示パネルは、異なる筐体に支持された領域同士が略同一平面に位置する展開状態と、異なる筐体に支持された領域が互いに重なるように位置する折り畳み状態と、に変形することができる。以下では、2つの筐体に支持された可撓性の表示パネルを備え、該2つの筐体の間で表示パネルを湾曲させることにより、展開された状態(展開状態)と2つ折りに折りたたんだ状態(折り畳み状態)とに変形可能な半導体装置を例に挙げて説明する。
図1(A)、図1(B)、図1(C)に本発明の一態様の半導体装置100の斜視図を示す。半導体装置100は、可撓性を有する表示パネル102と、表示パネル102の領域110を支持する筐体104と、表示パネル102の領域112を支持する筐体106と、筐体104と筐体106との間に設けられた一対の可撓性を有する基材108a、108bと、を有する。一対の可撓性を有する基材108a、108bの一端は、それぞれ筐体104に固着して設けられている。
図1(A)は、表示パネル102において、筐体104に支持された領域110と筐体106に支持された領域112とが略同一平面に位置する展開状態を示している。展開状態の半導体装置100において、筐体106の筐体104と対向する面には、溝部が設けられており、筐体104に固着された一対の可撓性を有する基材108a、108bの他端は、筐体106の溝部に配置されている。
図1(B)は、表示パネル102の領域110と領域112とが重なって位置する折り畳み状態を図示している。折り畳み状態では、筐体104及び筐体106に支持された表示パネル102が、筐体104と筐体106との間の領域において曲面を有するように折り曲げられている。本実施の形態の半導体装置100において、隣接する筐体の一に設けられた溝部は、スライドベースとして機能し、該隣接する筐体の間に設けられた可撓性を有する基材108a、108bが、当該溝部を摺動(スライド)する。よって、図1(B)に示す折り畳み状態では、展開状態において筐体106の溝部に配置された可撓性を有する基材108a、108bの少なくとも一部が引き出され、表示パネル102と同様に曲面を有するように折り曲げられている。半導体装置100は、折り畳み状態においては、可搬性に優れ、展開状態においては、継ぎ目のない広い表示領域により、表示の一覧性に優れた半導体装置とすることができる。
図1(C)は、半導体装置100の各構成を示すための展開図である。
図2(A)に、図1(A)のA1−B1における半導体装置100の断面図を示す。また、図2(B)に、図1(B)のA2−B2における半導体装置100の断面図を示す。
図2(A)に示すように、展開状態においては、接着層111によって筐体104に固着された可撓性を有する基材108aの領域160が、筐体106の溝部105内に挿入されている。溝部105内に位置する領域160の長さは、折り曲げ状態における表示パネル102の有する曲率半径によって適宜設定することが可能である。なお、図2(A)、(B)において、可撓性を有する基材108aは、筐体104の内部において、表示パネル102の表示面又は表示面と反対側の面(裏面とも表記する)に面するように設けられているが本発明の実施の形態はこれに限られず、例えば、可撓性を有する基材108aを筐体104の外側に設けてもよい。
また、図2(B)に示すように折り畳み状態においては、筐体104の一方の面と筐体106の一方の面とが接するように、筐体104及び筐体106が重なって配置される。折り畳み状態において筐体106の溝部105内に配置される可撓性を有する基材108aの領域170の長さは、展開状態において筐体106の溝部105内に配置される可撓性を有する基材108aの領域160の長さと比較して、短い。換言すると、展開状態から折り畳み状態へ半導体装置100を変形させる動作において、溝部105内に挿入された可撓性を有する基材108aの一部が溝部105から引き出される。また、折り畳み状態において、表示パネル102は、筐体104及び筐体106と重ならない領域(断面図において筐体104及び筐体106から突出した領域)を有し、該領域において曲面を有している。同様に、折り畳み状態において、可撓性を有する基材108aは、筐体104及び筐体106と重ならない領域(断面図において筐体104及び筐体106から突出した領域)を有し、該領域において曲面を有している。可撓性を有する基材108aの有する曲面は、表示パネル102の有する曲面の外側に位置する。すなわち、折り畳み状態において、可撓性を有する基材108aの有する曲面は、表示パネル102の有する曲面を間に介して筐体104及び筐体106の側面と対向する。
展開状態と折り畳み状態との変形の際及び/又は折り畳み状態において、表示パネル102が有する曲面の外側に、可撓性を有する基材108aが曲面を有して配置されることで、表示パネル102において湾曲する領域への応力等の負荷を低減し、当該領域に損傷が生じることを抑制することができる。
なお、表示パネル102は、筐体104及び筐体106の少なくとも一に固着されて設けられていることが好ましい。図2においては、表示パネル102は筐体104に固着され、筐体106へは固着されていない場合を例に示している。このような構成の場合、半導体装置100の折り曲げ動作時に、表示パネル102が筐体106内を摺動することが可能であるため、表示パネル102の有する曲面への負荷をより低減することが可能となる。
可撓性を有する基材108aの構成は、図1または図2(A)、(B)に限られない。例えば、図2(C)に示すように、可撓性を有する基材108aの端部にアンカー部107を有する構成としてもよい。可撓性を有する基材108aの端部にアンカー部107を設けることで、展開状態から折り畳み状態への変形(又は、折り畳み状態から展開状態への変形)の際に、可撓性を有する基材108aの全ての領域が、筐体106の溝部105から引き出されることを抑制することができる。なお、図2(C)に示すように、可撓性を有する基材108aがアンカー部107を有する場合には、溝部105は少なくとも2種類の高さを有する。具体的には、可撓性を有する基材108aを筐体106の外部に引き出す領域での溝部105の高さは、可撓性を有する基材108aにおけるアンカー部107以外の領域の高さよりも高く、且つ、アンカー部107の高さよりも低い。また、アンカー部107が位置する領域での溝部105の高さは、アンカー部107の高さよりも高い。又は、可撓性を有する基材108aが筐体106から引き出される領域から遠ざかるにつれて、溝部105の高さが段階的に大きくなる構成としてもよい。なお、アンカー部107の形状は、図2(C)の構成に限られない。また、アンカー部107は、必ずしも可撓性を有さなくともよい。
また、折り畳み状態の表示パネル102において、折りたたむことで隠れた領域を非表示領域としてもよい。例えば、表示パネル102において筐体104によって支持される領域110を表示領域、筐体106によって支持される領域112を非表示領域とすることで、使用者が視認しない領域(ここでは領域112)の消費電力を低減することができる。なお、領域112を非表示領域とする場合、表示パネル102において湾曲する領域(曲面を有する領域)は表示領域としてもよいし、非表示領域としてもよい。表示領域とする場合には、当該領域と、領域110とを別々に動作させてもよいし、一続きの表示領域としてもよい。
半導体装置100における各構成要素の詳細について、以下に説明する。
筐体104及び筐体106は、表示パネル102を支持することができればよく、表示パネル102の表示面側または裏面側の少なくとも一方に設けられていればよい。図1及び図2(A)、(B)では、表示パネル102の表示面側の外周部(表示パネル102における表示領域以外の領域)と裏面側とによって表示パネル102を支持する筐体の例を示している。このように、表示パネル102の双方の面を支持する筐体を用いることで機械的強度が高められ、半導体装置100の破損を防止することができる。
各筐体は、剛性を有していてもよい。また、各筐体に筐体自体が捩りや湾曲させる力に対して変形可能な部材を用いてもよい。各筐体には少なくとも表示パネル102よりも可撓性の低い材料を用いればよく、硬質ゴムなどの弾性体などをその骨格に用いてもよい。そのほか、各筐体を構成しうる材料としては、プラスチック、アルミニウムなどの金属、ステンレスやチタン合金などの合金、シリコーンゴムなどのゴム等を用いることができる。
筐体104及び筐体106において、表示面側に位置する領域が、表示パネル102の表示領域と重ならない場合には、各筐体に透光性を有さない材料を用いても良い。表示面側に位置する領域が、表示パネル102の少なくとも一部の表示領域と重なる場合には、表示パネル102からの光を透過する材料を各筐体に用いることが好ましい。表示面とは反対側に位置する領域には、透光性を有さない材料を用いても良い。
なお、筐体104及び/又は筐体106は、内部に回路や電子部品、電池などを格納することが可能である。また、筐体104及び/又は筐体106に打撃や落下などによる衝撃から表示パネル102または内部に格納した回路や電子部品を保護する機能を持たせるために、メタル、樹脂、ゴムなどの材料もしくはこれの組み合わせなどにより各筐体を構成してもよい。
図2では、筐体104及び筐体106が、表示パネル102を保持するための空間を有するように構成された例を図示する。ただし、本発明の実施の形態はこれに限られず、筐体104及び/又は筐体106が、表示パネル102の表示面に対して垂直方向に又は平行方向に分離した構成を有していてもよい。筐体104及び/又は筐体106が、表示パネル102の表示面に対して垂直方向に又は平行方向に分離した構成を有する場合、それらの部材のそれぞれを接着剤やネジなどの固定手段により、各筐体と表示パネル102とを固定すればよい。なお、図示していないが、筐体104及び/又は筐体106の有する空間内に、制御部、電源部、蓄電池、又はアンテナなどの回路や電子部品等を格納してもよい。これらの回路や電子部品と表示パネル102の接続はFPC(フレキシブル印刷基板)を用いてもよい。
筐体104及び/又は筐体106と表示パネル102とを固着する場合、接着剤などにより直接固定してもよいし、表示パネル102と筐体との間に、可撓性基板を設けてもよい。当該可撓性基板は、例えば表示パネル102の保護用部材としての機能を有していてもよいし、配線の引き回しのための機能を有していてもよい。また、筐体と表示パネル102のいずれか2つ以上を貫通するネジや、これらを挟持するピン、クリップなどを用いて、各構成を固定してもよい。
なお、筐体の一と表示パネル102とを固着する場合、表示パネル102と接続されるFPCは、筐体の一と表示パネル102とが固着されている領域に設けられることが望ましい。このような構成を有する半導体装置の例を、図16(A)及び図16(B)に示す。図16(A)及び図16(B)では、表示パネル102が接着層111aによって筐体104に固着された場合を図示している。また、表示パネル102を介して接着層111aと重なる領域にFPC132が設けられている。このような構成とすることで、展開状態(図16(A))から折り畳み状態(図16(B))への変形、又は折り畳み状態から展開状態への変形の際に、表示パネル102におけるFPC132と接続部との位置が移動しないため、接続部の剥がれ等の不良の発生を抑制することができる。ただし、表示パネル102とFPC132との接続は、図16の構成に限られない。
また、複数の筐体のそれぞれの厚さは同程度としてもよいし、各々の筐体の厚さを異ならせてもよい。2以上の筐体の厚さ、好ましくはすべての筐体の厚さを同程度とすると、半導体装置100を展開した状態における表示面の水平性を保持しやすいため好ましい。また、表示パネル102を半導体装置100の厚さ方向に対して略中央部に配置することで、半導体装置100を折り曲げるように表示パネル102を湾曲させたとき、該表示パネル102にかかる応力を最低限に留めることができる。
なお、図2では、筐体106の厚さの一部が、可撓性を有する基材108aを摺動するための溝部105の厚み分、筐体104の厚さよりも厚い場合を例に示しているが、本発明の実施の形態はこれに限られない。また、複数の筐体のうちの一つに上記各種電子部品の全部または大半を集約して、当該筐体を比較的厚さの厚い本体として用い、他の筐体の厚さを低減して、厚さを低減した筐体を単に表示パネル102を支持するための部材として用いることもできる。
表示パネル102には、少なくとも表示領域を有する可撓性のパネルを用いることができる。表示パネル102に含まれる表示素子は、発光素子、液晶素子、電気泳動素子等を適宜用いることができる。
なお、表示パネル102の表示面側の外周部(表示面側であって、表示領域以外の領域)と、裏面側とを支持する領域に保護層を設けることがより好ましい。当該領域に保護層を設けることで、湾曲部における機械的強度をより高めることができる。なお、保護層を設ける場合には、少なくとも湾曲する領域である2つの筐体の間の領域に保護層を設ければよい。その場合、例えば、展開状態において可撓性を有する基材108a、108bと表示パネル102とが重なる領域に保護層を選択的に設けることもできる。なお、保護層として透光性を有する部材を用いる場合には、表示パネル102の表示領域と重なる領域に当該透光性を有する保護層を設けることもできる。また、保護層として遮光性を有する部材を用いる場合には、例えば、表示パネル102の端部に位置する配線や駆動回路などを覆う領域に保護層を設けることができる。その場合、これらの配線や駆動回路を物理的に保護できるほか、当該配線や駆動回路を遮光することにより、当該配線や駆動回路の劣化を防止できる。さらには当該配線や駆動回路などが視認されて半導体装置自体の美感を損ねることを防止することができる。
保護層としては、例えばプラスチック、ゴム、金属、合金等を用いることができる。保護層や筐体として、プラスチック、ゴム、チタン合金などを用いると、軽量で且つ破損しにくいため好ましい。
また、保護層や筐体に、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい半導体装置を実現できる。例えば、有機樹脂や、厚さの薄い金属材料や合金材料を用いることで、軽量であり、破損しにくい半導体装置を実現できる。なお、同様の理由により、表示パネル102を構成する基板にも靱性が高い材料を用いることが好ましい。
可撓性を有する基材108a、108bには、折り畳み状態において、1mm以上100mm以下の曲率半径を有する程度に湾曲可能な材料を適用することができる。具体的には、例えばプラスチック、ゴム、金属、合金等を用いることができる。なお、可撓性を有する基材108a、108bを表示領域と重なるように設ける場合には、少なくとも表示パネル102からの光に対して透光性を有する材料を可撓性を有する基材108a、108bに適用する必要がある。ただし、可撓性を有する基材108a、108bを、表示面の裏面側に設ける、又は表示領域の外周に設ける等によって、可撓性を有する基材108a、108bと表示領域とが重ならない場合には、可撓性を有する基材108a、108bの透光性は問わない。なお、可撓性を有する基材に透光性を有する材料を用いる場合、又は、可撓性を有する基材を表示パネル102の裏面側に設ける場合には、可撓性を有する基材を必ずしも一対に分離しなくてよく、一続きの部材としてもよい。
半導体装置の折り曲げの容易さのためには、表示パネル102の可撓性は高いことが好ましい。一方、表示パネル102の可撓性を高めすぎると、表示パネル102の折り曲げ動作時に、表示パネル102に用いられる支持基板による、応力の分散が不十分となる。そうすると、表示パネル102の湾曲する領域にクラックが生じる等によって、半導体装置の信頼性が低下する恐れがある。しかしながら本発明の一態様の半導体装置では、表示パネル102の外側に、可撓性を有する基材を設けることで、当該基材によって折り曲げ動作時の表示パネル102の湾曲する領域への応力を分散することが可能となる。よって、表示パネル102の可撓性が高い場合であっても、表示パネル102の信頼性の低下を抑制することが可能となる。ここで、可撓性を有する基材108a、108bは、表示パネル102よりも可撓性が低いことが好ましい。表示パネル102の外側に、可撓性を有し、且つ表示パネル102よりも可撓性の低い基材を設けることで、半導体装置の折り曲げの容易さを保ちつつ、折り曲げに対する強度を向上させた信頼性の高い半導体装置を作製することができる。
なお、可撓性を有する基材108a、108bは、表示パネル102が湾曲しているか否かを判別するためのセンサを有していてもよい。例えば、スイッチ、MEMS圧力センサまたは感圧センサなどを用いて、当該センサを構成することができる。又は、可撓性を有する基材108a、108bに金属材料を用い、表示パネル102に当該金属材料を検出するセンサを設けることで、半導体装置の展開状態又は折り畳み状態を判別してもよい。
筐体104と、可撓性を有する基材108a、108bとを固着する接着層111には、各種接着剤を用いることができる。例えば、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。また、シート状の接着剤を用いてもよい。なお、筐体104と、可撓性を有する基材108a、108bとの固着には、必ずしも接着層を設けなくともよく、例えば可撓性を有する基材108a、108bを貫通するネジや、これらを挟持するピン、クリップなどを用いてもよい。又は、筐体を加工する工程において、可撓性を有する基材を筐体に挟み込むように固着してもよい。
本実施の形態の半導体装置100は、表示パネル102において湾曲する領域(曲面を有する領域)に対する応力等の負荷を軽減させながら展開状態または折り畳み状態への変形を行うことができる。よって、表示パネル102において折り曲がる領域での耐久性を高めることができ、信頼性の高い半導体装置とすることが可能である。また、半導体装置100の折り曲げ動作において、可撓性を有する基材108a、108bが補助的に機能することで、表示パネル102として靱性の高い部材を設けた場合であっても折り曲げ動作を操作性良く行うことが可能となる。よって、例えば、表示領域の保護用のフィルム等を設けた表示パネル102を半導体装置100に適用することが可能となるため、半導体装置の信頼性をより向上させることが可能となる。
なお、一対の可撓性を有する基材を筐体間に設け、該一対の可撓性を有する基材が摺動することで、隣接して配置された2つの筐体を近接して配置することも可能である。例えば、図3(A)及び図3(B)に示す半導体装置120のように、筐体104と筐体106とを近接して、または接するように配置してもよい。
また、図2、図3では、溝部105が隣接する筐体の一方に設けられた例を示したが、本発明の一態様はこれに限定されるものではなく、溝部を隣接する筐体の双方に設けてもよい。一例として、図14に、図2に示した構成において溝部105aを筐体104に設け、筐体104と筐体106の双方に溝部を有する構成を示す。図14に示すように、溝部105a及び105を隣接する筐体104及び106のそれぞれに設けることで、各々の筐体の厚さを同程度とすることが容易となる。上述したように、半導体装置に用いる複数の筐体の各々の厚さを同程度とすることで、半導体装置を展開した状態における表示面の水平性を保持しやすいため好ましい。なお、図14では、図2の構成において、隣接する筐体の双方に溝部を設ける場合を示したが、本明細書で開示する他の図面においても、溝部を複数設けることが可能である。
また、図4に示すように、表示パネル102の表示面側と裏面側との双方に、可撓性を有する基材をそれぞれ設けてもよい。図4(A)は、半導体装置140の展開状態における斜視図であり、図4(B)は図4(A)のA3−B3における断面図である。また、図4(C1)及び図4(C2)はそれぞれ半導体装置140の折り畳み状態における断面図である。
図4に示す半導体装置140は、筐体104及び筐体106の間に、表示パネル102の表示面側に面して、可撓性を有する基材108a、108bを有し、表示パネル102の裏面側に面して、可撓性を有する基材109aを有する。なお、表示パネル102の裏面側に面して設けられる可撓性を有する基材109aは、表示面側と同様に一対の基材としてもよいし、少なくとも表示パネル102と重なる領域に渡って連続した一つの基材としてもよい。なお、可撓性を有する基材108a、108bが透光性を有する場合には、可撓性を有する基材108a、108bは表示パネル102の表示領域と重なるように設けても構わない。ただし、該基材が透光性を有さない場合には、該基材が表示領域以外と重なるように、該基材を一対に分離することが好ましい。
図4(B)に示す断面図のように、展開状態においては、筐体104aに固着された可撓性を有する基材108aの領域172は、筐体106aの溝部105に位置し、筐体104bに固着された可撓性を有する基材109aの領域174は、筐体106bの溝部105bに位置する。
なお、図4では、筐体104は、表示パネル102の表示面と垂直方向に筐体104a、104bに分割され、接着層113によって互いに固着された構成を有し、筐体106は、表示パネル102の表示面と垂直方向に筐体106a、106bに分割され、接着層114によって互いに固着された構成を有する場合を例に示している。なお、接着層113、114に代えて、ネジ、ピン、クリップなどを用いてもよい。
また、図4では、可撓性を有する基材108a、108bの固着に接着層111を用いずに、筐体104(具体的には、筐体104a又は104b)に挟み込むように設けた場合を例に示している。
図4(C1)及び図4(C2)に半導体装置140の折り畳み状態を示す。半導体装置140は、表示パネル102の表示面側及び裏面側の双方に、可撓性を有する基材108a、108b及び109aが設けられていることで、表示パネル102の表示面が内側になるように折り曲げる(内曲げと表記する)ことも、表示面が外側になるように折り曲げる(外曲げと表記する)ことも可能となる。
図4(C1)は、半導体装置140を表示面が外側になるように、折り曲げた状態を示している。上述したように折り畳み状態では、溝部105、105b内に配置された可撓性を有する基材108a、109aがそれぞれ引き出される。半導体装置140を外曲げにする場合、可撓性を有する基材108aは、表示パネル102の外側に位置する。その場合、溝部105に位置する可撓性を有する基材108aの領域176の長さは、溝部105bに位置する可撓性を有する基材109aの領域178の長さよりも短い。
一方、図4(C2)は、半導体装置140を表示面が内側になるように折り曲げた状態を示している。半導体装置140を内曲げにする場合、可撓性を有する基材108aは、表示パネル102の内側に位置する。その場合、溝部105に位置する可撓性を有する基材108aの領域182の長さは、溝部105bに位置する可撓性を有する基材109aの領域184の長さよりも長い。
半導体装置を外曲げ可能とすることで、表示形態を多様化することが可能となる。また、半導体装置を内曲げ可能とすることで、搬送時等に表示面に傷や汚れが付くことを抑制することができる。例えば、衣服のポケットやカバンに入れて半導体装置を持ち運ぶ際等には好適である。
なお、図4では、筐体104に可撓性を有する基材を固着し、筐体106にこれらが摺動する溝部を設ける場合を例に示したが、本発明の実施の形態はこれに限られない。例えば、図5に示すように、表示パネル102の一方の面(例えば表示面)側に位置する可撓性を有する基材108aを筐体104aに固着し、筐体106aに設けられた溝部105で摺動する構成とし、表示パネル102の他方の面(例えば裏面)側に位置する可撓性を有する基材109aを筐体106bに固着し、筐体104bに設けられた溝部105cで摺動する構成としてもよい。
なお、上記では、可撓性を有する基材が、隣接する筐体の一方と固着され、他方と固着されていない場合を示したが、本発明の一態様はこれに限定されるものではなく、可撓性を有する基材が隣接する筐体の双方に対して接着された領域を有していてもよい。この場合の半導体装置の構成例を図15(A)に示す。図15(A)では、可撓性を有する基材108aと、筐体104とが弾性体130aを介して接着され、可撓性を有する基材108aと、筐体106とが弾性体130bを介して接着されている半導体装置の展開状態を示している。このような半導体装置を折り曲げると、図15(B)に示すように、弾性体130a及び弾性体130bが延伸して、表示パネル102の湾曲した領域への応力の集中を緩和することができるため、折り曲げ動作を操作性よく行うことが可能となる。弾性体の例としては、ばね、ゴム、有機樹脂等が挙げられる。なお、図15(A)及び図15(B)では、図14に示す構成において弾性体を設けた場合を例に示したが、他の図面に示す構成においても、弾性体を適用することが可能である。一例として、図2(A)に示す半導体装置において、弾性体130bを設けた場合の例を図15(C)に示す。
また、表示パネル102は、弾性体を介して筐体と接着されていてもよい。一例として、図17(A)に、表示パネル102が、弾性体130cを介して筐体104と接着され、且つ、弾性体130dを介して筐体106と接着された半導体装置の展開状態を示す。図17(B)は、図17(A)に示す半導体装置の折り畳み状態である。図17(B)に示すように、弾性体130c及び弾性体130dが延伸するため、半導体装置の折り曲げ動作を操作性良く行うことができる。
また、上記では、表示パネル102を支持する筐体として、筐体104及び筐体106の2つの筐体を有し、2つに折り曲げることが可能な半導体装置を示したが、本発明の実施の形態はこれに限られない。例えば、図6に示すように、表示パネル102を筐体104、筐体103及び筐体106によって支持し、隣接する筐体間に可撓性を有する基材117a、117b、118a、118bを配置することで、3つに折りたたむことが可能な半導体装置180とすることができる。
図6(A)は、半導体装置180の展開状態を示し、図6(B)は半導体装置180が折りたたまれる様子を図示している。また、図6(C)は半導体装置180の折り畳み状態を示している。半導体装置180において、可撓性を有する基材117a、117bは、一端が筐体106及び筐体103の一方に固着され、他端が筐体106及び筐体103の他方に設けられた溝部を摺動する。また、可撓性を有する基材118a、118bは、一端が筐体103及び筐体104の一方に固着され、他端が筐体103及び筐体104の他方に設けられた溝部を摺動する。
なお、表示パネル102を支持する筐体の数をn個(nは2以上の整数)とすることで、n個に折り曲げることが可能な半導体装置とすることができる。詳細は、先に示した2つに折りたたむことが可能な半導体装置と同様である。
以上示したように、本実施の形態の半導体装置は、可撓性を有する表示パネルを支持する隣接した筐体間に可撓性を有する基材を設け、且つ筐体の一方に該可撓性を有する基材を固着し、他方に対して摺動可能な構成とすることで、可搬性、表示の一覧性、及び信頼性の高い半導体装置とすることができる。
なお、本実施の形態で示す各図の構成等は、それぞれ他の図面の構成等と適宜組み合わせて用いることができる。
以上、本実施の形態の構成、方法などは、他の実施の形態の構成、方法等と適宜組み合わせて用いることができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に適用可能な可撓性を有する表示パネルの一例としてEL素子を用いたアクティブマトリクス型の表示パネルを図7乃至図12を用いて説明する。なお、表示パネルとしては、EL素子を有する表示パネルのみならず、液晶素子、電気泳動素子などの表示素子を含む表示パネルを適用してもよい。
<具体例1>
図7(A)に可撓性を有する表示パネルの平面図を示し、図7(A)における一点鎖線A4−B4間の断面図の一例を図7(B)に示す。
図7(B)に示す表示パネルは、素子層1101、接着層1105、基板1103を有する。素子層1101は、基板1201、接着層1203、絶縁層1205、複数のトランジスタ1240、導電層1157、絶縁層1207、絶縁層1209、複数の発光素子1230、絶縁層1211、封止層1213、絶縁層1261、着色層1259、遮光層1257、及び絶縁層1255を有する。
導電層1157は、接続体1215を介してFPC1108と電気的に接続する。
発光素子1230は、下部電極1231、EL層1233、及び上部電極1235を有する。EL層は有機の発光材料を有する。下部電極1231は、トランジスタ1240のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極1231の端部は、絶縁層1211で覆われている。発光素子1230はトップエミッション構造である。上部電極1235は透光性を有し、EL層1233が発する光を透過する。
発光素子1230と重なる位置に、着色層1259が設けられ、絶縁層1211と重なる位置に遮光層1257が設けられている。着色層1259及び遮光層1257は絶縁層1261で覆われている。発光素子1230と絶縁層1261の間は封止層1213で充填されている。
表示パネルは、光取り出し部1104及び駆動回路部1106に、複数のトランジスタを有する。トランジスタ1240は、絶縁層1205上に設けられている。絶縁層1205と基板1201は接着層1203によって貼り合わされている。また、絶縁層1255と基板1103は接着層1105によって貼り合わされている。絶縁層1205や絶縁層1255に透水性の低い膜を用いると、発光素子1230やトランジスタ1240に水等の不純物が侵入することを抑制でき、表示パネルの信頼性が高くなるため好ましい。接着層1203は、接着層1105と同様の材料を用いることができる。
具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層1205やトランジスタ1240、発光素子1230を作製し、該作製基板を剥離し、接着層1203を用いて基板1201上に絶縁層1205やトランジスタ1240、発光素子1230を転置することで作製できる表示パネルを示している。また、具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層1255、着色層1259及び遮光層1257を作製し、該作製基板を剥離し、接着層1105を用いて基板1103上に絶縁層1255、着色層1259及び遮光層1257を転置することで作製できる表示パネルを示している。
基板に、透水性が高く耐熱性が低い材料(樹脂など)を用いる場合、作製工程で基板に高温をかけることができないため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制限がある。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成することができる。そして、それらを基板1103や基板1201へと転置することで、信頼性の高い表示パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高いアクティブマトリクス型表示パネルを実現することができる。その作製方法の詳細は後述する。
基板1103及び基板1201には、それぞれ、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい表示パネルとすることができる。例えば、基板1103を有機樹脂基板とし、基板1201を厚さの薄い金属材料や合金材料を用いた基板とすることで、基板にガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい表示パネルを構成することができる。
金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示パネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板の厚さは、10μm以上200μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下であることがより好ましい。
また、基板1201に、熱放射率が高い材料を用いると表示パネルの表面温度が高くなることを抑制でき、表示パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板1201を金属基板と熱放射率の高い層(例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる)の積層構造としてもよい。なお、以下の各具体例では、具体例1と同様の構成については説明を省略する。
<具体例2>
図8(A)に表示パネルにおける光取り出し部1104の別の例を示す。図8(A)の表示パネルは、タッチ操作が可能な表示パネルである。
図8(A)に示す表示パネルは、素子層1101、接着層1105、基板1103を有する。素子層1101は、基板1201、接着層1203、絶縁層1205、複数のトランジスタ1240、絶縁層1207、絶縁層1209、複数の発光素子1230、絶縁層1211、スペーサー1217、封止層1213、絶縁層1261、着色層1259、遮光層1257、複数の受光素子1250、導電層1281、導電層1283、絶縁層1291、絶縁層1293、絶縁層1295、及び絶縁層1255を有する。
具体例2では、絶縁層1211上にスペーサー1217を有する。スペーサー1217を設けることで、基板1103と基板1201の間隔を調整することができる。
図8(A)では、絶縁層1255及び封止層1213の間に受光素子1250を有する例を示す。基板1201側の非発光領域(例えばトランジスタ1240や配線が設けられた領域)に重ねて受光素子1250を配置することができるため、画素(発光素子)の開口率を低下させることなく表示パネルにタッチセンサを設けることができる。
表示パネルの有する受光素子1250には、例えば、pn型又はpin型のフォトダイオードを用いることができる。本実施の形態では、受光素子1250として、p型半導体層1271、i型半導体層1273、及びn型半導体層1275を有するpin型のフォトダイオードを用いる。
なお、i型半導体層1273は、含まれるp型を付与する不純物及びn型を付与する不純物がそれぞれ1×1020cm−3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100倍以上である。i型半導体層1273には、周期表第13族もしくは第15族の不純物元素を有するものもその範疇に含む。すなわち、i型の半導体は、価電子制御を目的とした不純物元素を意図的に添加しないときに弱いn型の電気伝導性を示すので、i型半導体層1273は、p型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図的に添加されたものをその範疇に含む。
遮光層1257は、基板1103に近い面側で受光素子1250と重なる。受光素子1250と封止層1213との間に位置する遮光層1257によって、発光素子1230の発する光が受光素子1250に照射されることを抑制できる。
導電層1281及び導電層1283は、それぞれ受光素子1250と電気的に接続する。導電層1281は、受光素子1250に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層1283は、受光素子1250に入射する光を遮光する導電層を用いることが好ましい。
光学式タッチセンサを基板1103と封止層1213の間に有すると、発光素子1230の発光の影響を受けにくく、S/N比を向上させることができるため、好ましい。
<具体例3>
図8(B)に表示パネルにおける光取り出し部1104の別の例を示す。図8(B)の表示パネルは、タッチ操作が可能な表示パネルである。
図8(B)に示す表示パネルは、素子層1101、接着層1105、基板1103を有する。素子層1101は、基板1201、接着層1203、絶縁層1205、複数のトランジスタ1240、絶縁層1207、絶縁層1209a、絶縁層1209b、複数の発光素子1230、絶縁層1211、スペーサー1217、封止層1213、着色層1259、遮光層1257、複数の受光素子1250、導電層1280、導電層1281、及び絶縁層1255を有する。
図8(B)では、絶縁層1205及び封止層1213の間に受光素子1250を有する例を示す。受光素子1250を絶縁層1205及び封止層1213の間に設けることで、トランジスタ1240を構成する導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子1250と電気的に接続する導電層や受光素子1250を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加させることなく、タッチ操作が可能な表示パネルを作製できる。
<具体例4>
図9(A)に表示パネルの別の例を示す。図9(A)の表示パネルは、タッチ操作が可能な表示パネルである。
図9(A)に示す表示パネルは、素子層1101、接着層1105、基板1103を有する。素子層1101は、基板1201、接着層1203、絶縁層1205、複数のトランジスタ1240、導電層1156、導電層1157、絶縁層1207、絶縁層1209、複数の発光素子1230、絶縁層1211、スペーサー1217、封止層1213、着色層1259、遮光層1257、絶縁層1255、導電層1272、導電層1274、絶縁層1276、絶縁層1278、導電層1294及び導電層1296を有する。
図9(A)では、絶縁層1255及び封止層1213の間に静電容量式のタッチセンサを有する例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層1272及び導電層1274を有する。
導電層1156及び導電層1157は、接続体1215を介してFPC1108と電気的に接続する。導電層1294及び導電層1296は、導電性粒子1292を介して導電層1274と電気的に接続する。したがって、FPC1108を介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。
<具体例5>
図9(B)に表示パネルの別の例を示す。図9(B)の表示パネルは、タッチ操作が可能な表示パネルである。
図9(B)に示す表示パネルは、素子層1101、接着層1105、基板1103を有する。素子層1101は、基板1201、接着層1203、絶縁層1205、複数のトランジスタ1240、導電層1156、導電層1157、絶縁層1207、絶縁層1209、複数の発光素子1230、絶縁層1211、スペーサー1217、封止層1213、着色層1259、遮光層1257、絶縁層1255、導電層1270、導電層1272、導電層1274、絶縁層1276、及び絶縁層1278を有する。
図9(B)では、絶縁層1255及び封止層1213の間に静電容量式のタッチセンサを有する例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層1272及び導電層1274を有する。
導電層1156及び導電層1157は、接続体1215aを介してFPC1108aと電気的に接続する。導電層1270は、接続体1215bを介してFPC1108bと電気的に接続する。したがって、FPC1108aを介して発光素子1230やトランジスタ1240を駆動し、FPC1108bを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。
<具体例6>
図10(A)に表示パネルにおける光取り出し部1104の別の例を示す。
図10(A)に示す光取り出し部1104は、基板1103、接着層1105、基板1202、絶縁層1205、複数のトランジスタ1240、絶縁層1207、導電層1208、絶縁層1209a、絶縁層1209b、複数の発光素子1230、絶縁層1211、封止層1213、及び着色層1259を有する。
発光素子1230は、下部電極1231、EL層1233、及び上部電極1235を有する。下部電極1231は、導電層1208を介してトランジスタ1240のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極1231の端部は、絶縁層1211で覆われている。発光素子1230はボトムエミッション構造である。下部電極1231は透光性を有し、EL層1233が発する光を透過する。
発光素子1230と重なる位置に、着色層1259が設けられ、発光素子1230が発する光は、着色層1259を介して基板1103側に取り出される。発光素子1230と基板1202の間は封止層1213で充填されている。基板1202は、前述の基板1201と同様の材料を用いて作製できる。
<具体例7>
図10(B)に表示パネルの別の例を示す。
図10(B)に示す表示パネルは、素子層1101、接着層1105、基板1103を有する。素子層1101は、基板1202、絶縁層1205、導電層1310a、導電層1310b、複数の発光素子1230、絶縁層1211、導電層1212、及び封止層1213を有する。
導電層1310a及び導電層1310bは、表示パネルの外部接続電極であり、FPC等と電気的に接続させることができる。
発光素子1230は、下部電極1231、EL層1233、及び上部電極1235を有する。下部電極1231の端部は、絶縁層1211で覆われている。発光素子1230はボトムエミッション構造である。下部電極1231は透光性を有し、EL層1233が発する光を透過する。導電層1212は、下部電極1231と電気的に接続する。
基板1103は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。
導電層1212は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極1231の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極1235と電気的に接続する導電層を絶縁層1211上に設けてもよい。
導電層1212は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層1212の膜厚は、0.1μm以上3μm以下とすることができ、好ましくは、0.1μm以上0.5μm以下である。
上部電極1235と電気的に接続する導電層の材料にペースト(銀ペーストなど)を用いると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く隙間の多い構成となり、EL層1233が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と補助配線との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。
<材料の一例>
次に、表示パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本実施の形態で先に説明した構成については説明を省略する。
素子層1101は、少なくとも表示素子を有する。表示素子として発光素子を用いる場合には、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機EL素子、無機EL素子等を用いることができる。
素子層1101は、表示素子を駆動するためのトランジスタや、タッチセンサ等をさらに有していてもよい。
表示パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または、In−Ga−Zn系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
表示パネルが有する発光素子は、一対の電極(下部電極1231及び上部電極1235)と、該一対の電極間に設けられたEL層1233とを有する。該一対の電極の一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。
発光素子は、トップエミッション構造、ボトムエミッション構造、デュアルエミッション構造のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とITOの積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。
下部電極1231及び上部電極1235の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、EL層1233に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はEL層1233において再結合し、EL層1233に含まれる発光物質が発光する。
EL層1233は少なくとも発光層を有する。EL層1233は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック性を有する物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質)等を含む層をさらに有していてもよい。
EL層1233には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。EL層1233を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
素子層1101において、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑制できる。
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、1×10−5g/m・day以下、好ましくは1×10−6g/m・day以下、より好ましくは1×10−7g/m・day以下、さらに好ましくは1×10−8g/m・day以下とする。
基板1103は透光性を有し、少なくとも素子層1101が有する発光素子の発する光を透過する。基板1103は可撓性を有していてもよい。また、基板1103には、屈折率が、大気の屈折率よりも高い基板を適用する。なお、ガラスに比べて有機樹脂は重量が軽いため、基板1103として有機樹脂を用いた基板を適用すると、ガラスを用いる場合に比べて半導体装置を軽量化でき、好ましい。
可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
基板1103としては、上記材料を用いた層が、表示パネルの表面を傷などから保護するハードコート層(例えば、窒化シリコン層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、アラミド樹脂層など)等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による発光素子の寿命の低下等を抑制するために、前述の透水性の低い絶縁膜を有していてもよい。
接着層1105は、透光性を有し、少なくとも素子層1101が有する発光素子の発する光を透過する。また、接着層1105の屈折率は、大気の屈折率よりも高い。
接着層1105には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物(酸化カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が発光素子に侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラー(酸化チタン等)を混合することにより、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができ、好ましい。
また、接着層1105には、光を散乱させる散乱部材を有していてもよい。例えば、接着層1105には、上記樹脂と上記樹脂と屈折率が異なる粒子との混合物を用いることもできる。該粒子は光の散乱部材として機能する。
樹脂と、該樹脂と屈折率の異なる粒子は、屈折率の差が0.1以上あることが好ましく、0.3以上あることがより好ましい。具体的には樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、シリコーン等を用いることができる。また粒子としては、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト等を用いることができる。
酸化チタンおよび酸化バリウムの粒子は、光を散乱させる性質が強く好ましい。またゼオライトを用いると、樹脂等の有する水を吸着することができ、発光素子の信頼性を向上させることができる。
絶縁層1205、絶縁層1255には、無機絶縁材料を用いることができる。特に、前述の透水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高い表示パネルを実現できるため好ましい。
絶縁層1207は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。絶縁層1207としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
絶縁層1209、絶縁層1209a、及び絶縁層1209bとしては、それぞれ、トランジスタ起因等の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を複数積層させてもよい。
絶縁層1211は、下部電極1231の端部を覆って設けられている。絶縁層1211の上層に形成されるEL層1233や上部電極1235の被覆性を良好なものとするため、絶縁層1211の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。
絶縁層1211の材料としては、樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁層1211の作製が容易となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい。
絶縁層1211の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷等)等を用いればよい。
スペーサー1217は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、又は金属材料等を用いて形成することができる。例えば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂などを用いることができる。また、金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることができる。スペーサー1217に導電材料を用い、スペーサー1217と上部電極1235とを電気的に接続させる構成とすることで、上部電極1235の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサー1217は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
絶縁層1276、絶縁層1278、絶縁層1291、絶縁層1293、絶縁層1295は、それぞれ、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層1278や絶縁層1295は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いることが好ましい。
封止層1213には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を用いることができる。封止層1213に乾燥剤が含まれていてもよい。また、封止層1213を通過して発光素子1230の光が表示パネルの外に取り出される場合は、封止層1213に屈折率の高いフィラーや散乱部材を含むことが好ましい。乾燥剤、屈折率の高いフィラー、散乱部材については、接着層1105に用いることができる材料と同様の材料が挙げられる。
導電層1156、導電層1157、導電層1294、及び導電層1296は、それぞれ、トランジスタ又は発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、導電層1280は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。
例えば、上記導電層は、それぞれ、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上記導電層は、それぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In等)、酸化スズ(SnO等)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、インジウム亜鉛酸化物(In−ZnO等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
また、導電層1208、導電層1212、導電層1283、並びに、導電層1310a及び導電層1310bも、それぞれ、上記金属材料、合金材料、又は導電性の金属酸化物等を用いて形成できる。
導電層1272及び導電層1274、及び導電層1281は、透光性を有する導電層である。例えば、酸化インジウム、ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層1270は導電層1272と同一の材料、同一の工程で形成できる。
導電性粒子1292は、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。
接続体1215としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の材料を用い、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状となった粒子を用いることが好ましい。
着色層1259は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用いることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
また、隣接する着色層1259の間に、遮光層1257が設けられている。遮光層1257は隣接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、着色層1259の端部を、遮光層1257と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層1257は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図7(A)に示すように、遮光層1257を駆動回路部1106などの光取り出し部1104以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
また、着色層1259と遮光層1257を覆う絶縁層1261を設けると、着色層1259や遮光層1257に含まれる顔料などの不純物が発光素子等に拡散することを抑制できるため好ましい。絶縁層1261は透光性の材料を用い、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いることができる。絶縁層1261に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。
<表示パネルの作製方法>
表示パネルの作製方法を図11及び図12を用いて例示する。ここでは、具体例1(図7(B))の構成の表示パネルを例に挙げて説明する。
まず、作製基板1301上に剥離層1303を形成し、剥離層1303上に絶縁層1205を形成する。次に、絶縁層1205上に複数のトランジスタ1240、導電層1157、絶縁層1207、絶縁層1209、複数の発光素子1230、及び絶縁層1211を形成する。なお、導電層1157が露出するように、絶縁層1211、絶縁層1209、及び絶縁層1207は開口する(図11(A))。
また、作製基板1305上に剥離層1307を形成し、剥離層1307上に絶縁層1255を形成する。次に、絶縁層1255上に遮光層1257、着色層1259、及び絶縁層1261を形成する(図11(B))。
作製基板1301及び作製基板1305としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。
また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が730℃以上のものを用いるとよい。
作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
剥離層1303及び剥離層1307としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
剥離層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等により形成できる。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(NO)プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能である。
各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマCVD法によって成膜温度を250℃以上400℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
その後、作製基板1305の着色層1259等が設けられた面又は作製基板1301の発光素子1230等が設けられた面に封止層1213となる材料を塗布し、封止層1213を介して該面同士を貼り合わせる(図11(C))。
そして、作製基板1301を剥離し、露出した絶縁層1205と基板1201を、接着層1203を用いて貼り合わせる。また、作製基板1305を剥離し、露出した絶縁層1255と基板1103を、接着層1105を用いて貼り合わせる。図12(A)では、基板1103が導電層1157と重ならない構成としたが、導電層1157と基板1103が重なっていてもよい。
なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やNF、BrF、ClF等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等を含む膜(例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など)を用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成された作製基板を機械的に削除又は溶液やNF、BrF、ClF等のフッ化ガスによるエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくともよい。
また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメスなどによる機械的な削除を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、物理的な力(機械等による)によって剥離を行うこともできる。
また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離してもよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。
なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド等の有機樹脂を形成し、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
最後に、絶縁層1255及び封止層1213を開口することで、導電層1157を露出させる(図12(B))。なお、基板1103が導電層1157と重なる構成の場合は、基板1103及び接着層1105も開口する(図12(C))。開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビームスパッタリング法などを用いればよい。また、導電層1157上の膜に鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。
以上により、表示パネルを作製することができる。
本実施の形態の表示パネルは、基板1103と、基板1201又は基板1202と、の2枚の基板で構成される。さらにタッチセンサを含む構成であっても、2枚の基板で構成することができる。基板の数を最低限とすることで、光の取り出し効率や表示の鮮明さが容易となる。
以上、本実施の形態の構成、方法などは、他の実施の形態の構成、方法等と適宜組み合わせて用いることができる。
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置が適用された電子機器の例について、図面を参照して説明する。
フレキシブルな形状を備える表示装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置(テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、大型ゲーム機などが挙げられる。
図13(A)および図13(B)は、2つ折り可能なタブレット型端末9600を例示している。なお、ここでは、2つ折りの例を示したが、3つ折りや4つ折りなど、折り数の多いものに対しても適用できる。図13(A)は、タブレット型端末9600を開いた状態であり、タブレット型端末9600は、筐体9630、表示部9631、表示モード切り替えスイッチ9626、電源スイッチ9627、省電力モード切り替えスイッチ9625、留め具9629、操作スイッチ9628、を有する。
筐体9630は、筐体9630aと筐体9630bを有し、筐体9630aと筐体9630bは、可撓性を有する基材9639により結合されている。また、筐体9630は、可撓性を有する基材9639により2つ折り可能となっている。
また、筐体9630a及び筐体9630bによって支持された可撓性を有する表示パネルによって、表示部9631が構成される。可撓性を有する表示パネルとしては、先の実施の形態で示した表示パネルを用いることができる。表示パネルの湾曲部の外側に、曲面を有するように可撓性を有する基材9639を配置することによって、折り畳み状態への変形の際における表示パネルの湾曲部への負荷を軽減することができ、当該領域にクラック等の損傷が生じることを抑制することができる。したがって、信頼性の高いタブレット型端末を提供することが可能となる。
表示部9631は、一部をタッチセンサ領域9632とすることができ、表示された操作キー9638にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部9631は、例えば、半分の領域が表示のみの機能を有する構成とし、もう半分の領域がタッチセンサ機能を有する構成とすることができる。また、表示部9631全ての領域がタッチセンサ機能を有する構成としてもよい。例えば、表示部9631の全面にキーボードボタン表示させて、データ入力端末とすることもできる。
また、表示モード切り替えスイッチ9626は、縦表示又は横表示などの表示の向きを切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えスイッチ9625は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光センサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を内蔵させてもよい。
図13(B)は、タブレット型端末9600を閉じた状態であり、タブレット型端末9600は、筐体9630、太陽電池9633、充放電制御回路9634を有する。なお、図13(B)では充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ9636を有する構成について示している。
表示部9631に先の実施の形態で示した表示パネルを用いることにより、表示部9631を折りたたむことができる。例えば、タブレット型端末9600は2つ折り可能なため、未使用時に筐体9630を閉じた状態にすることができる。従って、可搬性に優れ、また、筐体9630を閉じることで表示部9631を保護できるため、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末とすることができる。
また、この他にも図13(A)及び図13(B)に示したタブレット型端末は、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を有することができる。
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池9633によって、電力をタッチパネル、表示部、又は映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池9633は、筐体9630の片面又は両面に設けることができ、バッテリー9635の充電を効率的に行う構成とすることができる。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
また、図13(B)に示す充放電制御回路9634の構成、及び動作について図13(C)にブロック図を示し説明する。図13(C)には、太陽電池9633、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3、表示部9631について示しており、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3が、図13(B)に示す充放電制御回路9634に対応する箇所となる。
まず外光により太陽電池9633により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようDCDCコンバータ9636で昇圧又は降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に太陽電池9633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9637で表示部9631に必要な電圧に昇圧又は降圧をすることとなる。また、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。
なお太陽電池9633については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧電素子(ピエゾ素子)や熱電変換素子(ペルティエ素子)などの他の発電手段によるバッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線(非接触)で電力を送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。
なお、本発明の一態様の表示装置を具備していれば、上記で示した電子機器に特に限定されないことは言うまでもない。
以上、本実施の形態の構成、方法などは、他の実施の形態の構成、方法等と適宜組み合わせて用いることができる。
100 半導体装置
102 表示パネル
103 筐体
104 筐体
104a 筐体
104b 筐体
105 溝部
105a 溝部
105b 溝部
105c 溝部
106 筐体
106a 筐体
106b 筐体
107 アンカー部
108a 基材
108b 基材
109a 基材
110 領域
111 接着層
111a 接着層
112 領域
113 接着層
114 接着層
117a 基材
117b 基材
118a 基材
118b 基材
120 半導体装置
130a 弾性体
130b 弾性体
130c 弾性体
130d 弾性体
132 FPC
140 半導体装置
160 領域
170 領域
172 領域
174 領域
176 領域
178 領域
180 半導体装置
182 領域
184 領域
1101 素子層
1103 基板
1104 光取り出し部
1105 接着層
1106 駆動回路部
1108 FPC
1108a FPC
1108b FPC
1156 導電層
1157 導電層
1201 基板
1202 基板
1203 接着層
1205 絶縁層
1207 絶縁層
1208 導電層
1209 絶縁層
1209a 絶縁層
1209b 絶縁層
1211 絶縁層
1212 導電層
1213 封止層
1215 接続体
1215a 接続体
1215b 接続体
1217 スペーサー
1230 発光素子
1231 下部電極
1233 EL層
1235 上部電極
1240 トランジスタ
1250 受光素子
1255 絶縁層
1257 遮光層
1259 着色層
1261 絶縁層
1270 導電層
1271 p型半導体層
1272 導電層
1273 i型半導体層
1274 導電層
1275 n型半導体層
1276 絶縁層
1278 絶縁層
1280 導電層
1281 導電層
1283 導電層
1291 絶縁層
1292 導電性粒子
1293 絶縁層
1294 導電層
1295 絶縁層
1296 導電層
1301 作製基板
1303 剥離層
1305 作製基板
1307 剥離層
1310a 導電層
1310b 導電層
9600 タブレット型端末
9625 スイッチ
9626 スイッチ
9627 電源スイッチ
9628 操作スイッチ
9629 留め具
9630 筐体
9630a 筐体
9630b 筐体
9631 表示部
9632 タッチセンサ領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9637 コンバータ
9638 操作キー
9639 基材

Claims (5)

  1. 可撓性を有する表示パネルと、
    前記表示パネルの第1の領域を支持する第1の筐体と、
    前記表示パネルの第2の領域を支持する第2の筐体と、
    前記第1の筐体に固着された可撓性を有する基材とを有し、
    前記表示パネルは、前記第1の領域と前記第2の領域とが略同一平面に位置する展開状態と、前記第1の領域と前記第2の領域とが重なって位置する折り畳み状態とに変形可能であり、
    前記第2の筐体は、前記可撓性を有する基材の一部が摺動可能な溝部を有し、
    前記展開状態では、前記可撓性を有する基材の一部が前記溝部に挿入され、
    前記折り畳み状態への変形動作において、前記溝部に挿入された前記可撓性を有する基材の少なくとも一部が引き出されることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項1において、
    前記折り畳み状態において、前記可撓性を有する基材は、曲面を有するように折り曲げられることを特徴とする半導体装置。
  3. 可撓性を有する表示パネルと、
    前記表示パネルの第1の領域を支持する第1の筐体と、
    前記表示パネルの第2の領域を支持する第2の筐体と、
    前記第1の筐体に固着された第1の可撓性を有する基材と、
    前記第1の筐体に固着された第2の可撓性を有する基材とを有し、
    前記表示パネルは、前記第1の領域と前記第2の領域とが略同一平面に位置する展開状態と、前記第1の領域と前記第2の領域とが重なって位置する折り畳み状態とに変形可能であり、
    前記第1の可撓性を有する基材は、前記表示パネルの表示面側に設けられ、
    前記第2の可撓性を有する基材は、前記表示パネルの表示面と逆側に設けられ、
    前記第2の筐体は、前記第1の可撓性を有する基材の一部が摺動可能な第1の溝部と、前記第2の可撓性を有する基材の一部が摺動可能な第2の溝部とを有し、
    前記展開状態において、前記第1の可撓性を有する基材の一部は前記第1の溝部に挿入され、且つ、前記第2の可撓性を有する基材の一部は前記第2の溝部に挿入され、
    前記折り畳み状態への変形動作において、前記第1の溝部に挿入された前記第1の可撓性を有する基材の少なくとも一部が引き出され、且つ、前記第2の溝部に挿入された前記第2の可撓性を有する基材の少なくとも一部が引き出されることを特徴とする半導体装置。
  4. 可撓性を有する表示パネルと、
    前記表示パネルの第1の領域を支持する第1の筐体と、
    前記表示パネルの第2の領域を支持する第2の筐体と、
    前記第1の筐体に固着された第1の可撓性を有する基材と、
    前記第2の筐体に固着された第2の可撓性を有する基材とを有し、
    前記表示パネルは、前記第1の領域と前記第2の領域とが略同一平面に位置する展開状態と、前記第1の領域と前記第2の領域とが重なって位置する折り畳み状態とに変形可能であり、
    前記第1の可撓性を有する基材は、前記表示パネルの表示面側に設けられ、
    前記第2の可撓性を有する基材は、前記表示パネルの表示面と逆側に設けられ、
    前記第1の筐体は、前記第2の可撓性を有する基材の一部が摺動可能な第1の溝部を有し、
    前記第2の筐体は、前記第1の可撓性を有する基材の一部が摺動可能な第2の溝部を有し、
    前記展開状態において、前記第1の可撓性を有する基材の一部は前記第2の溝部に挿入され、且つ、前記第2の可撓性を有する基材の一部は前記第1の溝部に挿入され、
    前記折り畳み状態への変形動作において、前記第2の溝部に挿入された前記第1の可撓性を有する基材の少なくとも一部が引き出され、且つ、前記第1の溝部に挿入された前記第2の可撓性を有する基材の少なくとも一部が引き出されることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項3又は4において、
    前記折り畳み状態において、前記第1の可撓性を有する基材及び前記第2の可撓性を有する基材は、それぞれ曲面を有するように折り曲げられることを特徴とする半導体装置。
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