JP2015127043A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】生産速度の向上及びコストの削減、さらに、確実なパーティクル除去を実現することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、基板Ｗ上の帯電防止膜Ｗａの表面に接触して相対移動し、その帯電防止膜Ｗａの表面を払拭するワイプ部材１１を備える。このワイプ部材１１は、基体となる弾性体１１ａと、その弾性体１１ａの表面に設けられ、相対移動する帯電防止膜Ｗａの表面に接触する布１１ｂとを具備する。
【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置に関する。

基板処理装置としては、タッチパネルなどの製造工程において、ガラスなどの基板表面を処理液（例えば薬液や機能水など）によって処理し、その後、基板表面を乾燥する基板処理装置が開発されている。タッチパネルなどで用いるガラスなどの基板表面には、指紋やその他の汚れが付着することを防止する目的で、帯電を防止する帯電防止膜（ＡＳコート）が形成されていることがある。この膜厚は、例えば数ｎｍ〜数百ｎｍである。

前述の基板処理前には、基板上の帯電防止膜からパーティクル（異物）、例えばフッ素イオンをまとうパーティクルを除去するため、人による手洗浄（一例として、液体を含む布によって基板上の帯電防止膜の表面を拭く作業など）が行われている。なお、フッ素イオンをまとうパーティクルは、前述の基板処理より前の工程（例えば成膜工程）で、基板表面に帯電防止膜を形成する際に帯電防止膜に付着したものである。

特開２００３−２０２９６０号公報

しかしながら、前述のように基板上の帯電防止膜からパーティクルを除去する場合、人による手洗浄が必要となるため、生産速度が低下してしまい、加えてコストも上昇してしまう。また、人による手洗浄でも、フッ素イオンをまとうパーティクルを完全に除去することは難しく、パーティクルが靄状（もや状）の膜となって残ってしまうことがある。このため、生産速度の向上及びコストの削減、さらに、確実なパーティクル除去の実現が求められている。

本発明が解決しようとする課題は、生産速度の向上及びコストの削減、さらに、確実なパーティクル除去を実現することができる基板処理装置を提供することである。

実施形態に係る基板処理装置は、基板上の帯電防止膜の表面に接触して相対移動し、その帯電防止膜の表面を払拭するワイプ部材を備え、ワイプ部材は、基体となる弾性体と、弾性体の表面に設けられ、相対移動する帯電防止膜の表面に接触する布とを具備する。

本発明によれば、生産速度の向上及びコストの削減、さらに、確実なパーティクル除去を実現することができる。

第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第１の実施形態に係るワイプ部の概略構成を示す図である。 第２の実施形態に係るワイプ部の概略構成を示す図である。 第３の実施形態に係るワイプ部の概略構成を示す図である。 第１および第２の実施形態に係るワイプ部における処理条件と結果を示すグラフである。

第１の実施形態について図１及び図２を参照して説明する。

図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１は、基板Ｗを搬送する搬送部２と、搬送部２によって搬送される基板Ｗを処理する処理部３と、搬送部２によって搬送される基板Ｗを洗浄する洗浄部４と、搬送部２によって搬送される基板Ｗを乾燥する乾燥部５とを備えている。

搬送部２は、基板Ｗを支持するステージ２ａと、そのステージ２ａを所定の搬送方向Ａ１（図１中の右方向）に搬送する搬送機構２ｂにより構成されている。基板Ｗはステージ２ａの載置面上に置かれ、搬送機構２ｂによってステージ２ａと共に水平面内の所定方向に搬送される。なお、搬送機構２ｂとしては、例えば、サーボモータを駆動源とする送りねじ式の移動機構やリニアモータを駆動源とするリニアモータ式の移動機構などを用いることが可能である。

ここで、基板Ｗは、例えばガラスなどの矩形状の基板であり、その基板Ｗの表面には、帯電を防止する帯電防止膜（ＡＳコート）Ｗａが形成されている。この帯電防止膜Ｗａには、フッ素イオンをまとうパーティクル（異物）が付着していることがある。このパーティクルは、例えば、基板Ｗの表面に帯電防止膜Ｗａを形成する工程（例えば成膜工程）でフッ素イオンをまとって付着したものである。

処理部３は、搬送されるステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面を払拭（ワイプ）するワイプ部３ａと、搬送されるステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面にリンス液を供給するリンス部３ｂと、搬送されるステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面をブラッシングするブラシ部３ｃと、搬送されるステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面にリンス液を供給するリンス部３ｄとを備えている。

ワイプ部３ａは、図２に示すように、搬送されるステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面を払拭するワイプ部材１１と、そのワイプ部材１１を保持する保持部材１２と、その保持部材１２を支持する支持アーム１３とを有している。

ワイプ部材１１は、基体となる弾性体１１ａと、その弾性体１１ａの表面、すなわち基板Ｗの搬送方向Ａ１（図２中の右方向）の上流側（以下、単に基板Ｗの搬送方向上流側という）の表面に設けられた布１１ｂとにより構成されている。

弾性体１１ａは、例えば長方形の板形状に形成されており、その長辺は基板Ｗの幅（搬送方向Ａ１と直交する幅）以上になっている。この弾性体１１ａは、その長辺が基板Ｗの搬送方向Ａ１と直交するように、さらに、基板Ｗの搬送方向上流側に倒されてステージ２ａ上の基板Ｗの表面に対して所定角度で傾斜するように設けられている。弾性体１１ａとしては、例えばゴムなどの各種弾性体を用いることが可能である。

布１１ｂは、弾性体１１ａにおける基板Ｗの搬送方向上流側の表面全体を覆うように設けられている。この布１１ｂとしては、例えば綿などの液体を吸い込むことができる各種布を用いることが可能である。

保持部材１２は、弾性体１１ａと同じ板形状に形成されており、その保持部材１２の表面、すなわち基板Ｗの搬送方向上流側の表面に弾性体１１ａが取り付けられている。この保持部材１２は、弾性体１１ａと同じように傾けられた状態で支持アーム１３により支持されている。保持部材１２の材料としては、例えばステンレスなどの金属材料を用いることが可能である。

支持アーム１３は、例えば長方形の板形状に形成されており、その支持アーム１３の端部に保持部材１２が取り付けられている。この支持アーム１３は、ステージ２ａの移動を妨げない位置に設けられたコラムなどの支柱に固定されている。支持アーム１３の材料としては、例えばステンレスなどの金属材料を用いることが可能である。

また、ワイプ部３ａには、前述のワイプ部材１１の布１１ｂの一部分に処理液を供給する液供給部１４が設けられている。この液供給対象となる布１１ｂの一部分としては、例えば上端部が挙げられるが、これに限るものではない。処理液が液供給部１４によって布１１ｂに供給され、布１１ｂは処理液により濡れた状態（処理液を含んだ状態）に維持されている。

液供給部１４の処理液としては、例えば、フッ素イオンをまとうパーティクルを除去することが可能である薬液や機能水（一例としてアルコールを含む液体）などを用いる。この処理液温度は、例えば４０〜８０℃の範囲内（範囲以内）に維持されていることが望ましい。

このようなワイプ部３ａでは、ワイプ部材１１が、ステージ２ａの移動に応じ、そのステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に所定圧力で接触して相対的に移動（相対移動）し、処理液を含む布１１ｂによってステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面を払拭する。このとき、ワイプ部材１１は、布１１ｂがステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に接触している状態で、ステージ２ａの移動（ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの相対移動）に応じて弾性体１１ａが変形する。

ここで、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に対するワイプ部材１１の荷重は、ワイプ部材１１が基板Ｗから帯電防止膜Ｗａを剥離せずに帯電防止膜Ｗａの表面上のパーティクルを除去することが可能となる荷重であり、一例として、５〜３０ｋｇの範囲内である。また、例えば、弾性体１１ａの硬度は１０〜５０°（ＪＩＳ規格Ｋ６２５３タイプＡデュロメータによる測定）の範囲内であり、保持部材１２の下端と帯電防止膜Ｗａの表面との垂直離間距離ａは３ｍｍであり、保持部材１２の下端とワイプ部材１１の下端との垂直離間距離ｂは１０ｍｍであり、帯電防止膜Ｗａの表面に対する保持部材１２の角度ｃは１０〜８０°の範囲内である。

図１に戻り、リンス部３ｂは、下方に向けてリンス液（例えば超純水など）を放出するシャワーノズル２１を有しており、そのシャワーノズル２１からリンス液を搬送機構２ｂによって搬送されているステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に供給する。

ブラシ部３ｃは、搬送されるステージ２ａ上の基板Ｗをブラッシングする回転ブラシ３１と、その回転ブラシ３１に処理液を供給するシャワーノズル３２とを有している。このブラシ部３ｃは、シャワーノズル３２から回転ブラシ３１に処理液を供給しながら、搬送機構２ｂによって搬送されているステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面を回転ブラシ３１によってブラッシングする。

シャワーノズル３２の処理液としては、例えば、フッ素イオンをまとうパーティクルを除去することが可能である薬液や機能水（一例としてアルコールを含む液体）などを用いる。この処理液温度は、例えば４０〜８０℃の範囲内に維持されていることが望ましい。

リンス部３ｄは、前述のリンス部３ｂと同じ構造であり、下方に向けてリンス液（例えば超純水など）を放出するシャワーノズル４１を有しており、そのシャワーノズル４１からリンス液を搬送機構２ｂによって搬送されているステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に供給する。

洗浄部４は、搬送されるステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に洗浄液を高圧で供給する高圧部４ａと、搬送されるステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に洗浄液を供給するシャワー部４ｂとにより構成されている。

高圧部４ａは、下方に向けて洗浄液（例えば超純水など）を高圧で噴射する高圧シャワーノズル５１と、気体と液体を混合して下方に向けて噴射する二流体スリットノズル５２とを有している。この高圧部４ａは、高圧シャワーノズル５１から洗浄液（一流体）を、さらに、二流体スリットノズル５２から気液混合体（二流体）を搬送機構２ｂによって搬送されているステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に向けて噴射する。

高圧シャワーノズル５１及び二流体スリットノズル５２は、処理部３による処理後、基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に浮上（析出）したパーティクルを除去するための部材である。この高圧シャワーノズル５１及び二流体スリットノズル５２は、それらの先端の噴射口が下方に向けられ、搬送されるステージ２ａ上の基板Ｗの表面に対して垂直になるように設けられている。高圧シャワーノズル５１から洗浄液を噴射するためのポンプ圧は１０Ｍｐａ以上である。

二流体スリットノズル５２の気体としては、例えば空気、酸素又は窒素、ヘリウム、水素などを用いることが可能であり、二流体スリットノズル５２の液体としては、例えば炭酸水や、アンモニア水溶液又は純水などを用いることが可能であり、気体及び液体を自由に組み合わせることができる。

シャワー部４ｂは、下方に向けて洗浄液（例えば超純水など）を放出するシャワーノズル６１を有しており、そのシャワーノズル６１から洗浄液を搬送機構２ｂによって搬送されているステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に供給する。

乾燥部５は、下方に向けて乾燥用の気体（例えば空気や窒素ガスなど）を噴射するエアーナイフ５ａを有しており、そのエアーナイフ５ａから乾燥用の気体を搬送機構２ｂによって搬送されているステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に向けて放出する。なお、エアーナイフ５ａは、その先端の噴射口が下方に向けられて基板Ｗの搬送方向下流側に倒され、ステージ２ａ上の基板Ｗの表面に対して所定角度で傾斜するように設けられている。

次に、前述の基板処理装置１が行う基板処理について説明する。

基板Ｗが置かれたステージ２ａが搬送機構２ｂにより所定の搬送方向Ａ１に沿って搬送される。ステージ２ａ上の基板Ｗがワイプ部３ａに到達すると、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面がワイプ部材１１の布１１ｂに接触する。その後、ステージ２ａの移動に伴い、ワイプ部材１１の弾性体１１ａの先端部は徐々に曲がって基板Ｗの搬送方向に沿うように変形していく。この弾性体１１ａにより布１１ｂはステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に対して所定荷重で押し付けられることになり、ステージ２ａの移動に伴って帯電防止膜Ｗａの表面を払拭する。このとき、布１１ｂは、液供給部１４による処理液の供給によって濡れた状態になっている。この処理液を含む布１１ｂによってステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面が払拭され、その帯電防止膜Ｗａからフッ素イオンをまとうパーティクルが除去される。ステージ２ａ上の基板Ｗがワイプ部材１１を通り過ぎると、ワイプ部材１１は元の形状に戻る。

ステージ２ａ上の基板Ｗがリンス部３ｂに到達すると、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に向けてシャワーノズル２１からリンス液が放出され、ステージ２ａの移動に伴って帯電防止膜Ｗａの表面が洗浄されていく。次いで、ステージ２ａ上の基板Ｗがブラシ部３ｃに到達すると、回転している回転ブラシ３１にシャワーノズル３２から処理液が供給され、処理液によって濡れた状態の回転ブラシ３１によってステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面がブラッシングされていく。これにより、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａからフッ素イオンをまとうパーティクルが除去される。そして、ステージ２ａ上の基板Ｗがリンス部３ｄに到達すると、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に向けてシャワーノズル４１からリンス液が放出され、ステージ２ａの移動に伴って帯電防止膜Ｗａの表面が洗浄されていく。

このように、ワイプ部３ａよりも下流側にリンス部３ｂとブラシ部３ｃとを設けることによって、ワイプ部３ａで発生した帯電防止膜Ｗａの表面のパーティクルを除去することができるようになっている。

ステージ２ａ上の基板Ｗが高圧部４ａに到達すると、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に向けて高圧シャワーノズル５１から所定圧力（例えば１０Ｍｐａ以上の高圧）で洗浄液が放出され、次いで、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に向けて二流体スリットノズル５２から所定圧力で気液混合体（二流体）が噴射され、ステージ２ａの移動に伴って帯電防止膜Ｗａの表面が洗浄されていく。これにより、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａから、その帯電防止膜Ｗａの表面に浮上（析出）したパーティクルが除去される。

ステージ２ａ上の基板Ｗがシャワー部４ｂに到達すると、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に向けてシャワーノズル６１から洗浄液が放出され、ステージ２ａの移動に伴って帯電防止膜Ｗａの表面が洗浄されていく。そして、ステージ２ａ上の基板Ｗが乾燥部５に到達すると、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に向けてエアーナイフ５ａから乾燥用の気体が放出され、ステージ２ａの移動に伴って帯電防止膜Ｗａの表面が乾燥されていく。

このような基板処理工程によれば、処理液を含む布１１ｂがステージ２ａの移動に伴って弾性体１１ａによりステージ２ａ上の帯電防止膜Ｗａの表面に押し付けられながら、基板Ｗ上の帯電防止膜Ｗａの表面を払拭する。これにより、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａからフッ素イオンをまとうパーティクルを除去することができる。さらに、処理液により濡れた状態の回転ブラシは回転しながら基板Ｗ上の帯電防止膜Ｗａの表面をブラッシングするため、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａからフッ素イオンをまとうパーティクルを確実に除去することができる。また、ステージ２ａの移動に伴って高圧シャワーノズル５１がステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に向けて洗浄液を放出し、次いで、二流体スリットノズル５２がステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に向けて気液混合体を噴射する。これにより、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａから、その帯電防止膜Ｗａの表面に浮上（析出）したパーティクルを除去することができる。

以上説明したように、第１の実施形態によれば、基板Ｗ上の帯電防止膜Ｗａの表面に接触して相対移動し、その帯電防止膜Ｗａの表面を払拭するワイプ部材１１を設けることによって、基板Ｗ上の帯電防止膜Ｗａからパーティクルを除去することが可能となる。これにより、人による手洗浄が不要となるため、生産速度を向上させることができ、加えてコストも抑えることができる。さらに、フッ素イオンをまとうパーティクルが靄状（もや状）の膜となって残ってしまうことを抑えることが可能となるので、確実なパーティクル除去を実現することができる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態について図３を参照して説明する。

第２の実施形態は基本的に第１の実施形態と同様である。このため、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点（ワイプ部３ａ１）について説明し、第１の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。

図３に示すように、第２の実施形態に係るワイプ部３ａ１において、ワイプ部材１１の弾性体１１ａは、基板Ｗの搬送方向Ａ１（図３中の右方向）の上流側に倒されてステージ２ａ上の基板Ｗの表面に対して所定角度で傾斜する傾斜部Ｂ１と、その傾斜部Ｂ１につながって基板Ｗの搬送方向Ａ１に沿って所定距離（例えば基板Ｗの搬送方向Ａ１の長さ以上の距離）だけ伸びる延伸部Ｂ２とを有している。また、布１１ｂは、傾斜部Ｂ１及び延伸部Ｂ２における搬送機構２ｂ側の表面（図３中の下側の面）に設けられている。

このワイプ部材１１を保持するため、保持部材１２と協力してワイプ部材１１を保持する保持フレーム１５が設けられている。この保持フレーム１５は保持部材１２と一緒に支持アーム１３により支持されている。

図３に示すように、延伸部Ｂ２の基板Ｗの搬送方向Ａ１の長さは、基板Ｗの搬送方向Ａ１の長さ（基板Ｗの長手方向長さ）以上でなくても良いが、基板Ｗの長手方向長さ以上であることが好ましい。この場合、基板が延伸部Ｂ２の下を通過するときに、基板Ｗの長手方向長さ全体が延伸部Ｂ２に覆われることになる。これによって延伸部Ｂ２に均等に力が加わることになるため、基板Ｗの表面全体がワイプ部材１１に均一な力で押し付けられ、均等なワイピングが行われる。

このワイプ部材１１の布１１ｂには、液供給部１４によって処理液が供給されているが、第２の実施形態では、布１１ｂの一部分だけが処理液を含んで濡れた状態に維持されている。詳述すると、布１１ｂは、帯電防止膜Ｗａの表面と接触する部分を含み基板Ｗの搬送方向上流側の領域（上流領域）が処理液によって濡れており、その基板Ｗの搬送方向下流側の領域（下流領域）が乾燥している状態である。この状態を得るために、液供給部１４から布１１ｂに供給される処理液は、たとえばアルコールであればそれが揮発性であることも考慮し、弾性体１１ａの延伸部Ｂ２を覆う布１１ｂの、例えば基板Ｗの搬送方向下流側半分の領域が乾燥した状態に保たれるようにその量が調整される。

このようなワイプ部３ａ１では、ステージ２ａ上の基板Ｗがワイプ部３ａ１に到達すると、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面がワイプ部材１１の布１１ｂに接触する。その後、ステージ２ａの移動に伴い、ワイプ部材１１の弾性体１１ａは基板Ｗの搬送方向上流側から徐々に厚さが薄くなるように変形していく。この弾性体１１ａによって布１１ｂはステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に対して所定荷重で押し付けられ、ステージ２ａの移動に伴って帯電防止膜Ｗａの表面を払拭する。このとき、布１１ｂは、その上流領域が液供給部１４による処理液の供給によって処理液を含んだ状態になり、その下流領域が乾燥した状態になっている。

この処理液を含む上流領域の布１１ｂによってステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面が払拭され、さらにその後、乾燥した下流領域の布１１ｂによってステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面が払拭される。これにより、処理液により濡れた状態の布による一段目のワイプと、乾燥した状態の布による二段目のワイプとが実行される。二段目のワイプでは、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に存在する処理液が拭き取られることになる。このような連続したワイプにより、ステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａからフッ素イオンをまとうパーティクルが確実に除去される。なお、ステージ２ａ上の基板Ｗがワイプ部材１１を通り過ぎると、ワイプ部材１１は元の形状に戻る。

以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、処理液を含む上流領域の布１１ｂによってステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面を払拭し、その後、乾燥した下流領域の布１１ｂによってステージ２ａ上の基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面を払拭することによって、フッ素イオンをまとうパーティクルをより確実に除去することが可能となるため、より確実なパーティクル除去を実現することができる。

（第３の実施形態）
第３の実施形態について図４を参照して説明する。

第３の実施形態は基本的に第２の実施形態と同様である。このため、第３の実施形態では、第２実施形態との相違点（ワイプ部３ａ２）について説明し、第２の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。

図４に示すように、第３の実施形態に係るワイプ部３ａ２は、第２の実施形態と同様、ワイプ部材１１の弾性体１１ａ１が、傾斜部Ｂ１と延伸部Ｂ２とを有し、布１１ｂは傾斜部Ｂ１及び延伸部Ｂ２における搬送機構２ｂ側の表面に設けられている。また、先に述べた下流領域に対応する延伸部Ｂ２の上面に接するように、第１のエア供給機構２０が設けられる。さらに弾性体１１ａ１の延伸部Ｂ２には、その厚さ方向に延び、かつ厚さ方向両端部に開口する図示しない複数の微細孔が設けられており、第１のエア供給機構２０からのエアが微細孔を通って布１１ｂに供給されるようになっている。さらに、ワイプ部３ａ２の下流側には、第２のエア供給機構３０が設けられ、この第２のエア供給機構３０は、ワイプ部３ａ２の延伸部Ｂ２の布１１ｂ表面に対してエアを供給することが可能なように設けられている。第２の実施形態と同様、布１１ｂはその上流領域が液供給部１４による処理液の供給によって処理液を含んだ状態となり、その下流領域が乾燥した状態となっている。布１１ｂには帯電防止膜Ｗａの表面を払拭することによって、帯電防止膜Ｗａの表面に付着していたパーティクルが付着する。特に、下流側ほど上流側で払拭されたパーティクルが押し寄せられ、多数のパーティクルが付着しやすくなる。第１のエア供給機構２０および第２のエア供給機構３０は、このパーティクルを吹き飛ばすための機構であって、基板Ｗが搬送されていないときに、布１１ｂに向かってエアを吹き付けることによって布１１ｂの表面に付着したパーティクルが除去される。さらに、布１１ｂの下流側を常に乾燥させることができるので、処理液に濡れた状態の布１１ｂによる一段目ワイプと乾燥した状態の布１１ｂでの二段目のワイプとを連続して実行できる。さらに、このように、濡れた状態の布１１ｂでのワイプと乾燥した状態の布１１ｂでのワイプとの間の時間が少ない方が、パーティクルの除去が効果的に行える。これは、濡れた状態の布１１ｂでワイプされることによって布１１ｂに供給された処理液が基板Ｗの表面に付着して基板Ｗの表面が濡れた状態となり、さらにこの処理液中に基板Ｗ表面に付着しているパーティクルが浮き出た状態となって、基板Ｗの表面が乾燥してしまう前に、乾燥した状態の布１１ｂで二段目のワイプを連続的に行うことによって、浮き出たパーティクルを除去することができるためである。

（他の実施形態）
前述の第１乃至第３の実施形態においては、搬送部２として、ステージ２ａ及び搬送機構２ｂを用いているが、これに限るものではなく、例えば、複数の搬送ローラを所定間隔で平行に並べて用いるようにしても良い。

また、前述の第１乃至第３の実施形態においては、基板Ｗの上面（図１中）に対して処理、洗浄及び乾燥を行っているが（片面処理）、これに限るものではなく、例えば、基板Ｗの上下面（図１中）の両面に対して処理、洗浄及び乾燥を行うようにしても良く（両面処理）、基板Ｗの上面側に加え、基板Ｗの下面側にシャワーノズル２１や回転ブラシ３１、各シャワーノズル３２、４１及び６１、エアーナイフ５ａなどを設けるようにしても良い。この場合には、搬送部２として、例えば、前述の複数の搬送ローラを用いることで、基板Ｗの下面への処理を可能とすることができる。

また、前述の第１又は第２の実施形態においては、基板Ｗの帯電防止膜Ｗａの表面に浮上（析出）したパーティクルを除去するため、高圧シャワーノズル５１及び二流体スリットノズル５２の両方を設けているが、これに限るものではなく、どちらか一方のみでも良い。また、リンス部３ｂ、ブラシ部３ｃ、リンス部３ｄ、洗浄部４は、基板Ｗを液体に浸漬させて超音波を印加する超音波洗浄など、その他の公知の洗浄方法を採用したり、またそれらを組み合わせたりするようにしても良い。

さらに、上記実施形態において、ワイプ部における液供給部は、図３に示すような、二股に分岐したノズルＮを採用することが好ましく、この二股に分岐したノズルＮをいくつも連結させた形状が好ましい。この連結されたノズルＮが、ワイプ部材１１（第２の実施形態、第３の実施形態においては傾斜部Ｂ１）の基板Ｗの搬送方向Ａ１と直交する方向に沿って複数設けられている。複数のノズルそれぞれの配置位置は、布１１ｂの搬送方向Ａ１と直交する方向において、隙間なく処理液が供給されるように配置され、それぞれのノズルから同時に吐出される。ノズルからの吐出圧、ノズル内径は、図５に示すように最適な条件があり、吐出圧とノズル内径を調整することによって、布１１ｂに供給される処理液の量を制御している。なお、前述の通り、液供給部１４から供給される処理液はアルコールを含む液体であることが好ましい。アルコールを含む処理液は揮発性を有するため、布１１ｂに供給された直後から蒸発が始まる。この蒸発の速度との兼ね合いからノズルからの処理液吐出量、ひいてはノズルからの吐出圧、ノズル内径が決定される。さらに、第２の実施形態および第３の実施形態においては、フレーム１５の基板Ｗ搬送方向Ａ１の上流側一端の真下まで、布１１ｂに処理液を含ませるように処理液を供給することが好ましい。

図５は、ワイプ部における液供給部からの吐出圧、液供給部の液吐出口の内径と、その処理結果を表している。○は、処理が良好である（清浄な基板が得られる）ことを表し、△はある程度処理が良好、×は処理が不良であることを表す（目視にて確認）。また、この測定の条件は、液供給部から供給される液体がアルコールを含む液体であり、液供給部の液吐出口から布１１ｂまでの距離が０．３〜３．０ｍｍであり、布１１ｂにおける塗布領域は、幅（基板Ｗの搬送方向Ａ１と直交する方向の長さ）が１５〜４０ｍｍ、高さ（幅方向と直交する方向の長さ）が１５〜７０ｍｍ、であり、液供給部１４からの液吐出タイミングがワイプ部材１１に基板Ｗの表面が接触する０．３〜５秒前に行われる場合における。

ワイプ部における液供給部１４からの液供給の圧は、０．０５〜０．８ＭＰａであることが好ましく、０．５ＭＰａであることが最も好ましい。液供給部１４の液吐出口の内径は、０．５〜１．０ｍｍまでであることが好ましく、さらに、０．８ｍｍであることが最も好ましい。

さらに、上記実施の形態においては、ステージ２ａに基板Ｗを支持し、搬送することによって処理を行うが、これに限らず、固定設置された基板Ｗに対してワイプ部側が移動しても良く、基板Ｗとワイプ部とが相対的に移動可能であれば良い。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１ 基板処理装置
１１ ワイプ部材
１１ａ 弾性体
１１ｂ 布
１４ 液供給部
４ 洗浄部
５ 乾燥部
Ｂ１ 傾斜部
Ｂ２ 延伸部
Ｗ 基板
Ｗａ 帯電防止膜

上記の実施形態に係る基板処理装置によれば、生産速度の向上及びコストの削減、さらに、確実なパーティクル除去を実現することができる。

図４に示すように、第３の実施形態に係るワイプ部３ａ２は、第２の実施形態と同様、ワイプ部材１１の弾性体１１ａ１が、傾斜部Ｂ１と延伸部Ｂ２とを有し、布１１ｂは傾斜部Ｂ１及び延伸部Ｂ２における搬送機構２ｂ側の表面に設けられている。また、先に述べた下流領域に対応する延伸部Ｂ２の上面に接するように、第１のエア供給機構２０が設けられる。さらに弾性体１１ａ１の延伸部Ｂ２には、その厚さ方向に延び、かつ厚さ方向両端部に開口する図示しない複数の微細孔が設けられており、第１のエア供給機構２０からのエアが微細孔を通って布１１ｂに供給されるようになっている。さらに、ワイプ部３ａ２の下流側には、第２のエア供給機構３０が設けられ、この第２のエア供給機構３０は、ワイプ部３ａ２の延伸部Ｂ２の布１１ｂ表面に対してエアを供給することが可能なように設けられている。第２の実施形態と同様、布１１ｂはその上流領域が液供給部１４による処理液の供給によって処理液を含んだ状態となり、その下流領域が乾燥した状態となっている。布１１ｂには、帯電防止膜Ｗａの表面を払拭することによって、帯電防止膜Ｗａの表面に付着していたパーティクルが付着する。特に、下流側ほど上流側で払拭されたパーティクルが押し寄せられ、多数のパーティクルが付着しやすくなる。第１のエア供給機構２０および第２のエア供給機構３０は、このパーティクルを吹き飛ばすための機構であって、基板Ｗが搬送されていないときに、布１１ｂに向かってエアを吹き付けることによって布１１ｂの表面に付着したパーティクルが除去される。さらに、布１１ｂの下流側を常に乾燥させることができるので、処理液に濡れた状態の布１１ｂによる一段目ワイプと乾燥した状態の布１１ｂでの二段目のワイプとを連続して実行できる。さらに、このように、濡れた状態の布１１ｂでのワイプと乾燥した状態の布１１ｂでのワイプとの間の時間が少ない方が、パーティクルの除去が効果的に行える。これは、濡れた状態の布１１ｂでワイプされることによって布１１ｂに供給された処理液が基板Ｗの表面に付着して基板Ｗの表面が濡れた状態となり、さらにこの処理液中に基板Ｗ表面に付着しているパーティクルが浮き出た状態となって、基板Ｗの表面が乾燥してしまう前に、乾燥した状態の布１１ｂで二段目のワイプを連続的に行うことによって、浮き出たパーティクルを除去することができるためである。

さらに、上記実施形態において、ワイプ部３ａ（３ａ１、３ａ２）における液供給部１４は、図３に示すような、二股に分岐したノズルＮを採用することが好ましく、この二股に分岐したノズルＮをいくつも連結させた形状が好ましい。この連結されたノズルＮが、ワイプ部材１１（第２の実施形態、第３の実施形態においては傾斜部Ｂ１）の基板Ｗの搬送方向Ａ１と直交する方向に沿って複数設けられている。複数のノズルＮそれぞれの配置位置は、布１１ｂの搬送方向Ａ１と直交する方向において、隙間なく処理液が供給されるように配置され、それぞれのノズルＮから同時に吐出される。ノズルＮからの供給圧、ノズル内径は、図５に示すように最適な条件があり、供給圧とノズル内径を調整することによって、布１１ｂに供給される処理液の量を制御している。なお、前述の通り、液供給部１４から供給される処理液はアルコールを含む液体であることが好ましい。アルコールを含む処理液は揮発性を有するため、布１１ｂに供給された直後から蒸発が始まる。この蒸発の速度との兼ね合いからノズルＮからの処理液吐出量、ひいてはノズルＮからの供給圧、ノズル内径が決定される。さらに、第２の実施形態および第３の実施形態においては、フレーム１５の基板Ｗ搬送方向Ａ１の上流側一端の真下まで、布１１ｂに処理液を含ませるように処理液を供給することが好ましい。

図５は、ワイプ部３ａ（３ａ１、３ａ２）における液供給部１４からの供給圧、液供給部１４の液吐出口の内径と、その処理結果を表している。○は、処理が良好である（清浄な基板が得られる）ことを表し、△はある程度処理が良好、×は処理が不良であることを表す（目視にて確認）。また、この測定の条件は、液供給部１４から供給される液体がアルコールを含む液体であり、液供給部１４の液吐出口から布１１ｂまでの距離が０．３〜３．０ｍｍであり、布１１ｂにおける塗布領域は、幅（基板Ｗの搬送方向Ａ１と直交する方向の長さ）が１５〜４０ｍｍ、高さ（幅方向と直交する方向の長さ）が１５〜７０ｍｍであり、液供給部１４からの液吐出タイミングがワイプ部材１１に基板Ｗの表面が接触する０．３〜５秒前に行われる場合である。

ワイプ部３ａ（３ａ１、３ａ２）における液供給部１４からの液供給の圧は、０．０５〜０．８ＭＰａであることが好ましく、０．５ＭＰａであることが最も好ましい。液供給部１４の液吐出口の内径は、０．５〜１．０ｍｍまでであることが好ましく、さらに、０．８ｍｍであることが最も好ましい。

さらに、上記実施の形態においては、ステージ２ａに基板Ｗを支持し、搬送することによって処理を行うが、これに限らず、固定設置された基板Ｗに対してワイプ部３ａ（３ａ１、３ａ２）側が移動しても良く、基板Ｗとワイプ部３ａ（３ａ１、３ａ２）とが相対的に移動可能であれば良い。

Claims (10)

1. 基板上の帯電防止膜の表面に接触して相対移動し、その帯電防止膜の表面を払拭するワイプ部材を備え、
   前記ワイプ部材は、
   基体となる弾性体と、
   前記弾性体の表面に設けられ、相対移動する前記帯電防止膜の表面に接触する布と、
   を具備することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記ワイプ部材は、前記布が前記帯電防止膜の表面に接触している状態において、前記帯電防止膜の相対移動に応じて前記弾性体が変形するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記帯電防止膜の表面に対する前記ワイプ部材の荷重は、前記ワイプ部材が前記基板から前記帯電防止膜を剥離せずに前記帯電防止膜の表面上のパーティクルを除去することが可能となる荷重であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記弾性体は、
   前記帯電防止膜の相対移動方向の上流側に倒されて前記帯電防止膜の表面に対して傾斜する傾斜部と、
   前記帯電防止膜の相対移動方向に沿って伸びる延伸部と、
   を有しており、
   前記布は、相対移動する前記帯電防止膜側に位置する前記傾斜部の表面及び前記延伸部の表面に設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記布は、前記帯電防止膜の表面と接触する部分を含み前記帯電防止膜の相対移動方向の上流側の領域が処理液により濡れており、前記帯電防止膜の相対移動方向の下流側の領域が乾燥している状態であることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記布に処理液を供給する液供給部をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記処理液はアルコールであることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記弾性体の少なくとも前記延伸部に、その厚さ方向に延び、かつ厚さ方向両端部に開口する複数の微細孔が設けられ、
   前記延伸部の布が設けられる表面とは反対の表面にエア供給機構が設けられていることを特徴とする請求項４乃至７記載の基板処理装置。
9. 前記基板の搬送方向において前記帯電防止膜の相対移動方向の下流側に設けられ、前記布の前記帯電防止膜の表面と接する部分に対してエアを供給することによって前記布の表面に付着したパーティクルを除去する第２のエア供給機構が設けられていることを特徴とする請求項１乃至８記載の基板処理装置。
10. 前記帯電防止膜の表面を液体の一流体、又は、液体及び気体の二流体により洗浄する洗浄部と、
    前記帯電防止膜の表面に向けて気体を放出する乾燥部と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか一項に記載の基板処理装置。

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