TW201535559A - 基板處理裝置 - Google Patents

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TW201535559A
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Rie Teshima
Akinori Iso
Takahiro Hamada
Kenji Sakashita
Yukinobu Nishibe
Ryuhei Takahara
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Shibaura Mechatronics Corp
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Abstract

提供可實現生產速度的提升及成本的削減,進而確實去除粒子的基板處理裝置。 關於實施形態的基板處理裝置,係具備接觸基板(W)上的帶電防止膜(Wa)的表面並進行相對移動,擦拭該帶電防止膜(Wa)的表面的擦拭構件(11)。該擦拭構件(11)係具備成為基體的彈性體(11a),與設置於該彈性體(11a)的表面,接觸相對移動之帶電防止膜(Wa)的表面的布(11b)。

Description

基板處理裝置
本發明的實施形態係關於基板處理裝置。
作為基板處理裝置,於觸控面板等的製造工程中,藉由處理液(例如藥液及功能水等)對玻璃等的基板表面進行處理,之後,開發對基板表面進行乾燥的基板處理裝置。於觸控面板等所用之玻璃等的基板表面,有以防止指紋或其他污垢附著為目的,形成防止帶電的帶電防止膜(AS塗層)之狀況。該膜厚係例如為數nm~數百nm。
在前述基板處理之前,為了從基板上的帶電防止膜去除粒子(異物),例如纏繞氟離子的粒子,進行人的手洗淨(作為一例,藉由包含液體的布,擦拭基板上之帶電防止膜的表面的作業等)。再者,纏繞氟離子的粒子,係在前述的基板處理之前的工程(例如成膜工程)中,於基板表面形成帶電防止膜時附著於帶電防止膜者。
然而,如上所述,從基板上的帶電防止膜去除粒子時,需要人的手洗淨,故生產速度會降低,此外,成本也會上升。又,即使是人的手洗淨,也難以完全去除纏繞氟 離子的粒子,有粒子成為霧狀(煙霧狀)的膜之狀況。因此,被要求生產速度的提升及成本的削減,進而確實去除粒子的實現。
本發明所欲解決的課題,係提供可實現生產速度的提升及成本的削減,進而確實去除粒子的基板處理裝置。
關於實施形態的基板處理裝置,係具備:擦拭構件,係接觸基板上的帶電防止膜的表面並進行相對移動,擦拭該帶電防止膜的表面;擦拭構件,係具備:彈性體,係成為基體;及布,係設置於彈性體的表面,且接觸相對移動之帶電防止膜的表面。
依據前述實施形態的基板處理裝置,可實現生產速度的提升及成本的削減,進而確實去除粒子的基板處理裝置。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧搬送部
2a‧‧‧平台
2b‧‧‧搬送機構
3‧‧‧處理部
3a‧‧‧擦拭部
3a1‧‧‧擦拭部
3a2‧‧‧擦拭部
3b‧‧‧清洗部
3c‧‧‧刷子部
3d‧‧‧清洗部
4‧‧‧洗淨部
4a‧‧‧高壓部
4b‧‧‧噴頭部
5‧‧‧乾燥部
5a‧‧‧空氣刀
11‧‧‧擦拭構件
11a‧‧‧彈性體
11a1‧‧‧彈性體
11b‧‧‧布
12‧‧‧保持構件
13‧‧‧支持臂
14‧‧‧液供給部
15‧‧‧保持框
20‧‧‧第1空氣供給機構
21‧‧‧噴頭
30‧‧‧第2空氣供給機構
31‧‧‧旋轉刷子
32‧‧‧噴頭
41‧‧‧噴頭
51‧‧‧高壓噴頭
52‧‧‧二流體縫隙噴嘴
61‧‧‧噴頭
B1‧‧‧傾斜部
B2‧‧‧延伸部
W‧‧‧基板
Wa‧‧‧帶電防止膜
[圖1]揭示關於第1實施形態的基板處理裝置之概略構造的圖。
[圖2]揭示關於第1實施形態的擦拭部之概略構造的圖。
[圖3]揭示關於第2實施形態的擦拭部之概略構造的圖。
[圖4]揭示關於第3實施形態的擦拭部之概略構造的 圖。
[圖5]揭示關於第1及第2實施形態的擦拭部之處理條件與結果的圖表。
針對第1實施形態,參照圖1及圖2來進行說明。
如圖1所示,關於第1實施形態的基板處理裝置1,係具備搬送基板W的搬送部2、處理藉由搬送部2搬送之基板W的處理部3、對藉由搬送部2搬送之基板W進行洗淨的洗淨部4、及對藉由搬送部2搬送之基板W進行乾燥的乾燥部5。
搬送部2係藉由支持基板W的平台2a,與將該平台2a往所定搬送方向A1(圖1中的右方向)搬送的搬送機構2b所構成。基板W係被置放於平台2a的載置面上,藉由搬送機構2b,與平台2a一起往水平面內的所定方向搬送。再者,作為搬送機構2b,例如可使用以伺服電動機作為驅動源的進給螺旋式的移動機構或以線性電動機作為驅動源的線性電動機式的移動機構等。
在此,基板W係例如玻璃等之矩形狀的基板,於該基板W的表面,形成有防止帶電的帶電防止膜(AS塗層)Wa。於該帶電防止膜Wa,有纏繞氟離子的粒子(異物)附著之狀況。該粒子係例如在於基板W的表面形成帶電防止膜Wa的工程(例如成膜工程)中纏繞氟離子而附著者。
處理部3係具備擦拭(wipe)被搬送之平台2a上的基板W的帶電防止膜Wa之表面的擦拭部3a、對被搬送之平台2a上的基板W的帶電防止膜Wa之表面供給清洗液的清洗部3b、對被搬送之平台2a上的基板W的帶電防止膜Wa之表面進行刷洗的刷子部3c、及對被搬送之平台2a上的基板W的帶電防止膜Wa之表面供給清洗液的清洗部3d。
擦拭部3a係如圖2所示,具有擦拭被搬送之平台2a上的基板W的帶電防止膜Wa之表面的擦拭構件11、保持該擦拭構件11的保持構件12、及支持該保持構件12的支持臂13。
擦拭構件11係藉由成為基體的彈性體11a,與設置於該彈性體11a的表面,亦即基板W的搬送方向A1(圖2中的右方向)之上游側(以下,僅稱為基板W的搬送方向上游側)的表面的布11b所構成。
彈性體11a係例如形成為長方形的板形狀,該長邊係為基板W的寬度(與搬送方向A1正交的寬度)以上。該彈性體11a係以該長邊與基板W的搬送方向A1正交之方式,進而,以往基板W的搬送方向上游側倒下,對於平台2a上的基板W的表面以所定角度傾斜之方式設置。作為彈性體11a,例如可使用橡膠等的各種彈性體。
布11b係以覆蓋彈性體11a之基板W的搬送方向上游側的表面整體之方式設置。作為該布11b,例如可使用綿等可吸入液體的各種布。
保持構件12係與彈性體11a相同形成為板形狀,於該保持構件12的表面,亦即基板W的搬送方向上游側的表面,安裝有彈性體11a。該保持構件12係與彈性體11a相同在傾斜之狀態下被支持臂13支持。作為保持構件12的材料,例如可使用不鏽鋼等的金屬材料。
支持臂13係例如形成為長方形的板形狀,於該支持臂13的端部,安裝有保持構件12。該支持臂13係被固定於設置在不妨礙平台2a的移動之位置的柱子等的支柱。作為支持臂13的材料,例如可使用不鏽鋼等的金屬材料。
又,於擦拭部3a,設置有對前述擦拭構件11之布11b的一部分,供給處理液的液供給部14。作為成為該液供給對象之布11b的一部分,例如可舉出上端部,但是並不限定於此。處理液藉由液供給部14供給給布11b,布11b維持為因處理液而濕潤之狀態(包含處理液的狀態)。
作為液供給部14的處理液,例如使用可去除纏繞氟離子之粒子的藥液或功能水(作為一例,包含乙醇的液體)等。該處理液溫度係例如維持在40~80℃的範圍內(範圍以內)為佳。
在此種擦拭部3a中,擦拭構件11因應平台2a的移動,以所定壓力接觸該平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面並相對性移動(相對移動),藉由包含處理液的布11b,擦拭平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的 表面。此時,擦拭構件11係在布11b接觸平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面之狀態下,因應平台2a的移動(平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的相對移動),彈性體11a產生變形。
在此,平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面相對之擦拭構件11的荷重,係擦拭構件11可不從基板W剝離帶電防止膜Wa,去除帶電防止膜Wa的表面上之粒子的荷重,作為一例,是5~30kg的範圍內。又,例如彈性體11a的硬度為10~50°(JIS規格K6253TypeA硬度計所致之測定)的範圍內,保持構件12的下端與帶電防止膜wa的表面的垂直離開距離a為3mm,保持構件12的下端與擦拭構件11的下端的垂直離開距離b為10mm,帶電防止膜Wa的表面相對之保持構件12的角度c為10~80°的範圍內。
回到圖1,清洗部3b係具有朝向下方放出清洗液(例如超純水等)的噴頭21,從該噴頭21將清洗液供給給藉由搬送機構2b搬送之平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面。
刷子部3c係具有對被搬送之平台2a上的基板W進行刷洗的旋轉刷子31,與對該旋轉刷子31供給處理液的噴頭32。該刷子部3c係一邊從噴頭32對旋轉刷子31供給處理液,一邊藉由旋轉刷子31對藉由搬送機構2b搬送之平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面進行刷洗。
作為噴頭32的處理液,例如使用可去除纏繞氟離子之粒子的藥液或功能水(作為一例,包含乙醇的液體)等。該處理液溫度係例如維持在40~80℃的範圍內為佳。
清洗部3d係與前述清洗部3b相同構造,具有朝向下方放出清洗液(例如超純水等)的噴頭41,從該噴頭41將清洗液供給給藉由搬送機構2b搬送之平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面。
洗淨部4係藉由對被搬送之平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面以高壓供給洗淨液的高壓部4a,與對被搬送平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面供給洗淨液的噴頭部4b。
高壓部4a係具有朝向下方以高壓噴射洗淨液(例如超純水等)的高壓噴頭51,與混合氣體與液體,朝向下方噴射的二流體縫隙噴嘴52。該高壓部4a係朝向藉由搬送機構2b搬送之平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面,從高壓噴頭51噴射洗淨液(一流體),進而從雙流體縫隙噴嘴52噴射氣液混合體(二流體)。
高壓噴頭51及二流體縫隙噴嘴52,係在處理部3所致之處理後,用以去除浮上(析出)於基板W的帶電防止膜Wa的表面之粒子的構件。該高壓噴頭51及二流體縫隙噴嘴52,係以該等前端的噴射口朝向下方,對於被搬送之平台2a上的基板W的表面垂直之方式設置。用以從高壓噴頭51噴射洗淨液的泵壓為10Mpa以上。
作為二流體縫隙噴嘴52的氣體,例如可使用空氣、氧或氮、氦、氫等,作為二流體縫隙噴嘴52的液體,例如可使用碳酸水、氨水溶液或純水等,可自由組合氣體及液體。
噴頭部4b係具有朝向下方放出洗淨液(例如超純水等)的噴頭61,從該噴頭61將洗淨液供給給藉由搬送機構2b搬送之平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面。
乾燥部5係具有朝向下方放出乾燥用的氣體(例如空氣或氮氣等)的空氣刀5a,從該空氣刀5a將乾燥用的氣體朝向藉由搬送機構2b搬送之平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面放出。再者,空氣刀5a係以該前端的噴射口朝向下方,往基板W的搬送方向下游側倒下,對於平台2a上之基板W的表面,以所定角度傾斜之方式設置。
接著,針對前述基板處理裝置1所進行之基板處理進行說明。
置放基板W的平台2a藉由搬送機構2b沿著所定搬送方向A1搬送。平台2a上的基板W到達擦拭部3a時,平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面會接觸擦拭構件11的布11b。之後,伴隨平台2a的移動,擦拭構件11的彈性體11a的前端部逐漸彎曲,沿著基板W的搬送方向而變形。藉由該彈性體11a,布11b係成為對於平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面,以所定荷重壓 頂之狀況,伴隨平台2a的移動而擦拭帶電防止膜Wa的表面。此時,布11b係因為液供給部14所致之處理液的供給而成為濕潤之狀態。藉由包含該處理液的布11b,擦拭平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面,從該帶電防止膜Wa去除纏繞氟離子的粒子。平台2a上的基板W通過了擦拭構件11時,擦拭構件11則回復成原來的形狀。
平台2a上的基板W到達清洗部3b時,從噴頭21朝向平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面放出清洗液,伴隨平台2a的移動來洗淨帶電防止膜Wa的表面。接下來,平台2a上的基板W到達刷子部3c時,對旋轉之旋轉刷子31,從噴頭32供給處理液,藉由因處理液濕潤之狀態的旋轉刷子31,對平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面進行刷洗。藉此,從平台2a上的基板W的帶電防止膜Wa,去除纏繞氟離子的粒子。然後,平台2a上的基板W到達清洗部3d時,從噴頭41朝向平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面放出清洗液,伴隨平台2a的移動來洗淨帶電防止膜Wa的表面。
如此,藉由在比擦拭部3a更靠下游側,設置清洗部3b與刷子部3c,可去除因擦拭部3a所產生之帶電防止膜Wa的表面的粒子。
平台2a上的基板W到達高壓部4a時,從高壓噴頭51朝向平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面,以所定壓力(例如10Mpa以上的高壓)放出洗淨液,接下 來,從二流體縫隙噴嘴52朝向平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面,以所定壓力噴射氣液混合體(二流體),伴隨平台2a的移動來洗淨帶電防止膜Wa的表面。藉此,從平台2a上的基板W的帶電防止膜Wa,去除浮上(析出)該帶電防止膜Wa的表面的粒子。
平台2a上的基板W到達噴頭部4b時,從噴頭61朝向平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面放出洗淨液,伴隨平台2a的移動來洗淨帶電防止膜Wa的表面。然後,平台2a上的基板W到達乾燥部5時,從空氣刀5a朝向平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面放出乾燥用的氣體,伴隨平台2a的移動,使帶電防止膜Wa的表面逐漸乾燥。
依據此種基板處理工程,包含處理液的布11b伴隨平台2a的移動,一邊藉由彈性體11a被壓頂至平台2a上的帶電防止膜Wa的表面,一邊擦拭基板W上的帶電防止膜Wa的表面。藉此,可從平台2a上的基板W的帶電防止膜Wa,去除纏繞氟離子的粒子。進而,因處理液而濕潤之狀態的旋轉刷子,係一邊旋轉一邊刷洗基板W上的帶電防止膜Wa的表面,故可從平台2a上的基板W的帶電防止膜Wa,確實去除纏繞氟離子的粒子。又,伴隨平台2a的移動,高壓噴頭51朝向平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面放出洗淨液,接下來,二流體縫隙噴嘴52朝向平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面噴射氣液混合體。藉此,可從平台2a上的基板W的帶電防止 膜Wa,去除浮上(析出)該帶電防止膜Wa的表面的粒子。
如以上所說明般,依據第1實施形態,藉由設置接觸基板W上的帶電防止膜Wa的表面並進行相對移動,擦拭該帶電防止膜Wa的表面的擦拭構件11,可從基板W上的帶電防止膜Wa,去除粒子。藉此,不需要人的手洗淨,故可提升生產速度,此外,也可抑制成本。進而,可抑制纏繞氟離子的粒子成為霧狀(煙霧狀)的膜而殘留,可實現確實的粒子去除。
(第2實施形態)
針對第2實施形態,參照圖3來進行說明。
第2實施形態係基本上與第1實施形態相同。因此,在第2實施形態中,針對與第1實施形態的不同點(擦拭部3a1)進行說明,與第1實施形態中說明之部分相同的部分以相同符號表示,也省略該說明。
如圖3所示,於第2實施形態的擦拭部3a1中,擦拭構件11的彈性體11a係具有往基板W的搬送方向A1(圖3中的右方向)之上游側倒下,對於平台2a上的基板W的表面,以所定角度傾斜的傾斜部B1,與連接該傾斜部B1,沿著基板W的搬送方向A1,僅延伸所定距離(例如基板W的搬送方向A1之長度以上的距離)的延伸部B2。又,布11b係設置於傾斜部B1及延伸部B2之搬送機構2b側的表面(圖3中的下側之面)。
為了保持該擦拭構件11,設置與保持構件12協力,保持擦拭構件11的保持框15。該保持框15係與保持構件12一起被支持臂13支持。
如圖3所示,延伸部B2的基板W之搬送方向A1的長度,係不是基板W之搬送方向A1的長度(基板W的長邊方向長度)以上亦可,但是,基板W的長邊方向以上為佳。此時,基板通過延伸部B2下時,基板W的長邊方向長度整體被延伸部B2覆蓋。藉此,應力均等地施加於延伸部B2,故基板W的表面整體以均勻的應力被推頂至擦拭構件11,進行均等的擦拭。
於該擦拭構件11的布11b,藉由液供給部14來供給處理液,但是,在第2實施形態中,僅布11b的一部分維持為包含處理液而濕潤之狀態。詳細說明的話,布11b係包含與帶電防止膜Wa的表面接觸之部分,基板W的搬送方向上游側的區域(上游區域)因處理液而濕潤,該基板W的搬送方向下游側的區域(下游區域)是乾燥之狀態。為了獲得該狀態,從液供給部14供給給布11b的處理液,係例如是乙醇的話,也考慮其為揮發性,以覆蓋彈性體11a之延伸部B2的布11b之例如基板W的搬送方向下游側一半的區域被保持為乾燥之狀態之方式調整該量。
在此種擦拭部3a1中,平台2a上的基板W到達擦拭部3a1時,平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面會接觸擦拭構件11的布11b。之後,伴隨平台2a的移動,擦拭構件11的彈性體11a係以厚度從基板W的搬送 方向上游側逐漸變薄之方式變形。藉由該彈性體11a,布11b係成為對於平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面,以所定荷重壓頂之狀況,伴隨平台2a的移動而擦拭帶電防止膜Wa的表面。此時,布11b係其上游區域成為藉由液供給部14所致之處理液的供給而包含處理液之狀態,其下游區域成為乾燥之狀態。
藉由包含該處理液之上遊區域的布11b,擦拭平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面,進而之後,藉由乾燥之下游區域的布11b,擦拭平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面。藉此,執行因處理液而濕潤之狀態的布所致之第一段的擦拭,與乾燥之狀態的布所致之第二段的擦拭。在第二段的擦拭中,擦乾存在於平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面之處理液。藉由此種連續的擦拭,從平台2a上的基板W的帶電防止膜Wa,確實去除纏繞氟離子的粒子。再者,平台2a上的基板W通過了擦拭構件11時,擦拭構件11則回復成原來的形狀。
如以上所說明般,依據第2實施形態,可獲得與第1實施形態相同的效果。進而,藉由包含該處理液之上遊區域的布11b,擦拭平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面,之後,藉由乾燥之下游區域的布11b,擦拭平台2a上的基板W之帶電防止膜Wa的表面,藉此可更確實去除纏繞氟離子的粒子,故可實現更去的粒子去除。
(第3實施形態)
針對第3實施形態,參照圖4來進行說明。
第3實施形態係基本上與第2實施形態相同。因此,在第3實施形態中,針對與第2實施形態的不同點(擦拭部3a2)進行說明,與第2實施形態中說明之部分相同的部分以相同符號表示,也省略該說明。
如圖4所示,第3實施形態的擦拭部3a2係與第2實施形態相同,擦拭構件11的彈性體11a1具有傾斜部B1與延伸部B2,布11b係設置於傾斜部B1及延伸部B2之搬送機構2b側的表面。又,以接觸對應先前所述之下游區域的延伸部B2之上面之方式,設置第1空氣供給機構20。進而,於彈性體11a1的延伸部B2,設置有延伸於其厚度方向,且開口於厚度方向兩端部之未圖示的複數細微孔,來自第1空氣供給機構20的空氣通過細微孔而被供給給布11b。進而,於擦拭部3a2的下游側,設置第2空氣供給機構30,該第2空氣供給機構30係以可對於擦拭部3a2的延伸部B2之布11b表面,供給空氣之方式設置。與第2實施形態相同,布11b係其上游區域成為藉由液供給部14所致之處理液的供給而包含處理液之狀態,其下游區域成為乾燥之狀態。於布11b,因為擦拭帶電防止膜Wa的表面,會附著附著於帶電防止膜Wa的表面之粒子。尤其,越下游側,在上游側擦拭的粒子越被集中,容易附著多數粒子。第1空氣供給機構20及第2空氣供給機構30係用以吹飛該粒子的機構,在未搬送基板W時,藉由朝向布11b吹附空氣,去除附著於布11b的表面 之粒子。進而,因為可經常使布11b的下游側乾燥,所以,連續執行被處理液弄濕之狀態的布11b所致之第1段擦拭與乾燥之狀態的布11b的第二段擦拭。進而,如此,利用濕潤狀態之布11b的擦拭與利用乾燥狀態之布11b的擦拭之間的時間較少的話,可有效地進行粒子的去除。此係因為藉由利用濕潤狀態的布11b進行擦拭,被供給給布11b的處理液會附著於基板W的表面,基板W的表面成為濕潤狀態,進而,於該處理液中附著於基板W表面的粒子成為浮起狀態,到基板W的表面乾燥之前,藉由利用乾燥狀態的布11b來連續進行第二段的擦拭,可去除浮起的粒子。
(其他實施形態)
於前述第1乃至第3實施形態中,作為搬送部2,使用平台2a及搬送機構2b,但是,並不限定於此,例如,將複數搬送滾筒以所定間隔平行地並排使用亦可。
又,於前述第1乃至第3實施形態中,對於基板W的上面(圖1中)進行處理、洗淨及乾燥(單面處理),但是,並不限定於此,例如,對於基板W的上下面(圖1中)兩面進行處理、洗淨及乾燥亦可(兩面處理),除了基板W的上面側之外,於基板W的下面側,設置噴頭21及旋轉刷子31、各噴頭32、41及61、空氣刀5a等亦可。此時,作為搬送部2,例如利用使用前述複數搬送滾筒,可進行基板W的下面的處理。
又,於前述第1或第2實施形態中,為了去除浮上(析出)於基板W的帶電防止膜Wa的表面之粒子,故設置高壓噴頭51及二流體縫隙噴嘴52雙方,但是,並不限定於此,僅任一方亦可。又,清洗部3b、刷子部3c、清洗部3d、洗淨部4係採用使基板W浸漬於液體,施加超音波的超音波洗淨等,或其他公知的洗淨方法,又組合該等亦可。
進而,於前述實施形態中,擦拭部3a(3a1,3a2)之液供給部14,係使用如圖3所示,分歧成兩股的噴嘴N為佳,且使該分歧成兩股之噴嘴N連結複數個的形狀為佳。該連結之擦拭構件N沿著與擦拭構件11(第2實施形態、第3實施形態中為傾斜部B1)之基板W的搬送方向A1正交的方向,設置複數個。複數噴嘴N各別的配置位置,係於與布11b的搬送方向A1正交的方向中,以無間隙地供給處理液之方式配置,從各噴嘴N同時吐出。來自噴嘴N的供給壓、噴嘴內徑係如圖5所示,有最佳條件,藉由調整供給壓與噴嘴內徑,來控制供給給布11b之處理液的量。再者,如上所述,從液供給部14供給的處理液為包含處理液的液體為佳。包含乙醇的處理液具有揮發性,故供給給布11b之後開始蒸發。根據與該蒸發速度的均衡,決定來自噴嘴N的處理液吐出量,進而決定來自噴嘴N的供給壓、噴嘴內徑。進而,於第2實施形態及第3實施形態中,以到框15的基板W搬送方向A1之上游側一端的正下為止,使布11b包含處理液之方式供給處理 液為佳。
圖5係表示擦拭部3a(3a1,3a2)之來自液供給部14的供擠壓、液供給部14的液吐出口的內徑、其處理結果。○表示處理良好(獲得清淨的基板),△表示某種程度良好,×表示處理不良(以目視確認)。又,該測定條件係從液供給部14供給的液體是包含乙醇的液體,從液供給部14的液吐出口到布11b為止的距離為0.3~3.0mm,布11b之塗布區域係寬度(與基板W的搬送方向A1正交之方向的長度)為15~40mm,高度(與寬度方向正交之方向的長度)為15~70mm,來自液供給部14的液吐出時機是基板W的表面接觸擦拭構件11的0.3~5秒前進行之狀況。
擦拭部3a(3a1,3a2)之來自液供給部14的液供給壓,係0.05~0.8MPa為佳,0.5MPa最佳。液供給部14的液吐出口的內徑為0.5~1.0mm為止為佳,進而0.8mm最佳。
進而,於前述實施形態中,藉由於平台2a支持、搬送基板W來進行處理,但是,並不限定於此,對於固定設置的基板W,擦拭部3a(3a1,3a2)進行移動亦可,只要基板W與擦拭部3a(3a1,3a2)相對性移動即可。
以上,已說明本發明的幾個實施形態,但是,該等實施形態係作為範例而提示者,並無意圖限定發明的範圍。該等新穎的實施形態係可利用其他各種形態來實施,在不脫出發明之要旨的範圍內,可進行各種省略、置換、變 更。該等實施形態及其變形係包含於變形的範圍及要旨,並且包含於申請專利範圍所記載之發明與其均等的範圍。
2‧‧‧搬送部
2a‧‧‧平台
2b‧‧‧搬送機構
3a‧‧‧擦拭部
11‧‧‧擦拭構件
11a‧‧‧彈性體
11b‧‧‧布
12‧‧‧保持構件
13‧‧‧支持臂
14‧‧‧液供給部

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置,其特徵為:具備:擦拭構件,係接觸基板上的帶電防止膜的表面並進行相對移動,擦拭該帶電防止膜的表面;前述擦拭構件,係具備:彈性體,係成為基體;及布,係設置於前述彈性體的表面,且接觸相對移動之前述帶電防止膜的表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置,其中,前述擦拭構件,係以於前述布接觸前述帶電防止膜的表面之狀態中,因應前述帶電防止膜的相對移動而前述彈性體變形之方式設置。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置,其中,相對於前述帶電防止膜的表面之前述擦拭構件的荷重,係前述擦拭構件可不從前述基板剝離前述帶電防止膜,去除前述帶電防止膜的表面上之粒子的荷重。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置,其中,前述彈性體,係具有:傾斜部,係往前述帶電防止膜的相對移動方向的上游側倒下,對於前述帶電防止膜的表面傾斜;及 延伸部,係沿著前述帶電防止膜的相對移動方向延伸;前述布,係設置於位於相對移動之前述帶電防止膜側的前述傾斜部的表面及前述延伸部的表面。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之基板處理裝置,其中,前述布,係包含與前述帶電防止膜的表面接觸之部分且前述帶電防止膜的相對移動方向之上游側的區域藉由處理液而濕潤,前述帶電防止膜的相對移動方向之下游側的區域為乾燥之狀態。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置,其中,更具備:液供給部,係對前述布供給處理液。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之基板處理裝置,其中,前述處理液,係乙醇。
  8. 如申請專利範圍第4項所記載之基板處理裝置,其中,於前述彈性體的至少前述延伸部,設置有延伸於其厚度方向,且開口於厚度方向兩端部的複數細微孔;更具備:空氣供給機構,係設置於與前述延伸部之設置前述布的表面相反的表面,對前述布,透過前述複數細微孔來供給空氣。
  9. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置,其中,更具備:空氣供給機構,係設置於前述基板的搬送方向中前述帶電防止膜的相對移動方向之下游側,藉由對於與前述布的前述帶電防止膜的表面接觸之部分供給空氣,去除附著於前述布的表面之粒子。
  10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所記載之基板處理裝置,其中,更具備:洗淨部,係藉由液體的一流體,或液體及氣體的二流體,來洗淨前述帶電防止膜的表面;及乾燥部,係朝向前述帶電防止膜的表面,放出氣體。
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