JP2015091135A5 - - Google Patents

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  1. パッケージ化電子デバイスであって、
    1つ以上の構成要素を受けるように構成されるセラミック基板を備え、前記セラミック基板は接地平面と電気的に接する導電層を含み、さらに
    集積回路を有するダイを備え、前記ダイは前記セラミック基板の表面上に実装され、さらに
    前記ダイ上および前記セラミック基板の側方端縁まで延在する前記セラミック基板の前記表面上に実現されて遮蔽機能性を与えるコンフォーマル導電性コーティングと、
    前記コンフォーマル導電性コーティングと前記導電層との間の電気的接続部とを備える、パッケージ化電子デバイス。
  2. 前記コンフォーマル導電性コーティングは前記ダイの実質的にすぐ上に実現される、請求項1に記載のパッケージ化電子デバイス。
  3. 前記ダイはフリップチップデバイスとして構成される、請求項2に記載のパッケージ化電子デバイス。
  4. 前記フリップチップデバイスと前記セラミック基板との間に実現されるアンダーフィルをさらに備える、請求項3に記載のパッケージ化電子デバイス。
  5. 前記アンダーフィルは、前記フリップチップデバイスの側壁と前記セラミック基板の前記表面との間の角度付けられた遷移を設けるように構成される端縁プロファイルを含む、請求項4に記載のパッケージ化電子デバイス。
  6. 前記アンダーフィルの前記角度付けられた遷移プロファイルは、前記フリップチップデバイスと前記セラミック基板との間の前記コンフォーマル導電性コーティングの改良された被覆を容易にするように構成される、請求項5に記載のパッケージ化電子デバイス。
  7. 前記集積回路は無線周波数(RF)スイッチング回路を含む、請求項2に記載のパッケージ化電子デバイス。
  8. 前記ダイはシリコンオンインシュレータ(SOI)ダイである、請求項7に記載のパッケージ化電子デバイス。
  9. 前記導電層は、前記導電層の端縁が前記コンフォーマル導電性コーティングと電気的に接するように、前記セラミック基板の対応の前記側方端縁に沿った端縁を含む、請求項に記載のパッケージ化電子デバイス。
  10. 前記導電層は、前記セラミック基板の前記対応の側方端縁に沿った導電性ストリップを含む、請求項に記載のパッケージ化電子デバイス。
  11. 前記導電性ストリップは、前記導電性ストリップと前記コンフォーマル導電性コーティングとの間の電気的接触を容易にするように前記セラミック基板の前記対応の側方端縁上に十分に露出する端縁を含む、請求項1に記載のパッケージ化電子デバイス。
  12. 前記導電層は、前記セラミック基板の各々の端縁が前記コンフォーマル導電性コーティ
    ングと電気的に接する前記導電性ストリップの対応の露出した前記端縁を含むように配置される複数の前記導電性ストリップを含む、請求項1に記載のパッケージ化電子デバイス。
  13. 前記コンフォーマル導電性コーティングは、金属性塗料層または堆積によって形成される導電層を含む、請求項1に記載のパッケージ化電子デバイス。
  14. 前記セラミック基板は低温同時焼成セラミック(LTCC)基板を含む、請求項1に記載のパッケージ化電子デバイス。
  15. 前記セラミック基板の下側に実現される複数のコンタクトパッドをさらに備え、前記コンタクトパッドは回路板上への前記パッケージ化電子デバイスの実装を可能にするように構成される、請求項1に記載のパッケージ化電子デバイス。
  16. 前記ダイのすぐ上の前記コンフォーマル導電性コーティングの結果、前記パッケージ化電子デバイスが低プロファイル遮蔽デバイスとなる、請求項2に記載のパッケージ化電子デバイス
  17. オーバーモールドの表面上に前記コンフォーマルコーティングが実現されるように前記ダイの上に実現されるオーバーモールドをさらに備える、請求項1に記載のパッケージ化電子デバイス
  18. 前記オーバーモールドは、その側壁が前記セラミック基板の対応の側壁にほぼ整列するように寸法決めされる、請求項17に記載のパッケージ化電子デバイス
  19. RF信号を処理するように構成されるRFモジュールであって
    1つ以上の構成要素を受けるように構成されるセラミック基板を含み、前記セラミック基板は接地平面と電気的に接する導電層を含み、さらに
    集積回路を有するダイを含み、前記ダイは前記セラミック基板の表面上に実装され、さらに
    前記ダイ上および前記セラミック基板の側方端縁まで延在する前記セラミック基板の前記表面上に実現されて遮蔽機能性を与えるコンフォーマル導電性コーティングと、
    前記コンフォーマル導電性コーティングと前記導電層との間の電気的接続部とを含む、RFモジュール
  20. 前記導電層は、前記導電層の端縁が前記コンフォーマル導電性コーティングと電気的に接するように、前記セラミック基板の対応の側方端縁に沿った端縁を含む、請求項19に記載のRFモジュール
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