JP2013207213A - 電子部品モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子部品モジュール100は、基板1に実装された電子部品2とその基板1の表面を覆うようにモールド樹脂3が設けられており、さらに、そのモールド樹脂3を覆うように導電性シールド51が形成されたものである。この導電性シールド51は、互いに異なる第1のフィラー及び第2のフィラーを含み、且つ、基板1の側面12に露出する接地用配線11に接続されている。また、第1のフィラーの平均粒径は、接地用配線11の厚さの1/2以下とされており、さらに、第2のフィラーとして、250℃以下の温度領域で金属結合を形成するものが用いられている。
【選択図】図3
Description
平均粒径6μmのCuコートAgを金属フィラーとして含む導電性ペースト(タツタ電線社製AE1244)を用い、図3に示す本発明による電子部品モジュール100と同様の構成を有する電子部品モジュールを作製した。
第1のフィラー(ベースフィラー)としての平均粒径5μmのAg扁平粉、第2のフィラーとしての平均粒径30nmのAgナノフィラー、エポキシ樹脂(液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂及びイミダゾール)、及び、ブチルカルビトールアセテートから導電性ペーストを調製した。この導電性ペーストにおける第1のフィラー及び第2のフィラーの合計含有量は、エポキシ樹脂に対し90質量%であった。この導電性ペーストを、メタルマスク印刷を用いて、基板1及びモールド樹脂3上に印刷した後、それを、70℃で30分、及び、160℃で60分で加熱硬化させて導電性シールド51の硬化被膜を形成し、図3に示す電子部品モジュール100と同様の構成を有する本発明による電子部品モジュールを作製した。
第1のフィラーとして平均粒径5μmのCuコートAg扁平粉を用い、第2のフィラーとして平均粒径5μmのSn−Bi球状粉を用いたこと以外は、実施例1と同様にして本発明による電子部品モジュールを作製した。導電性ペーストにおける第1のフィラー及び第2のフィラーの合計含有量は、エポキシ樹脂に対し90質量%であった。
図4並びに図5(A)及び(B)は、それぞれ、比較例1並びに実施例1及び実施例2で得た電子部品モジュールにおける導電性シールドの断面を拡大して示す電子顕微鏡写真である。なお、これらの図4並びに図5(A)及び(B)に示す写真に記載されているスケールの1目盛りは20μmである。図4に示す結果より、比較例1の電子部品モジュールの導電性シールドにおいては、個々の金属フィラー(写真において、比較的明るい灰色の個々の円状領域)が単に物理的に接触している状態が確認された。
比較例1並びに実施例1及び実施例2で調製した導電性ペーストを用い、それぞれ、比較例2並びに実施例3及び実施例4の電子部品モジュールとしてのパワーマネジメントモジュールを作製した。モジュール個品の外形寸法は、11mm×11mmとした。作製手順は、先述した実施形態で述べたのと同様に、基板(集合基板)上に電子部品を実装し、それをモールド樹脂で覆った後、XY方向にスリットをダイシングで形成し、真空印刷にて、モールド樹脂の天面、並びに、モールド樹脂及び基板の側面に、導電性ペーストを塗布し、それを加熱硬化させてから、個品化した。
比較例2並びに実施例3及び実施例4で得たパワーマネジメントモジュールに対し、1〜1000MHzの周波数領域において近傍磁界評価を実施した。また、導電性シールドを有しないこと以外は、比較例2並びに実施例3及び実施例4と同様に作製したパワーマネジメントモジュール(ブランク)、及び、導電性ペーストから形成した導電性シールドに代えて金属ケースシールドを有するパワーマネジメントモジュール(参照例)についても、同様の近傍磁界評価を実施した。図6は、比較例2、実施例4、ブランク、及び、参照例のパワーマネジメントモジュールに対するシールド特性を近傍磁界で評価した結果を示すグラフである。
比較例2並びに実施例3及び実施例4で調製した導電性ペーストを用い、厚さが互いに異なる4層の配線導体(接地用配線層に相当)を有する基板(集合基板)を用いたこと以外は、基本的に、比較例2並びに実施例3及び実施例4と同様にして、比較例3並びに実施例5及び実施例6の電子部品モジュールを作製した。
比較例3並びに実施例5及び実施例6で得た電子部品モジュールにおける導電性シールドと4層の配線導体との断面を電子顕微鏡写真により拡大観察した。導電性シールドと各配線導体と接続状態の評価結果を表1に示す。表中、「○」は良好、「△」は不十分、「×」は不良であったことを示す。
平均粒径6μmのAgコートCuを金属フィラーとして含む導電性ペースト(タツタ電線社製AE3030)を用い、図3に示す本発明による電子部品モジュール100と同様の構成を有する電子部品モジュールを作製した。
第1のフィラーとして平均粒径5μmのCuコートAg扁平粉を用い、第2のフィラーとして平均粒径5μmのSn−Bi球状粉を用い、ブチルカルビトールアセテート及びカルボン酸を用いたこと、導電性ペーストを150℃で20分及び180℃で60分の条件で加熱したこと、並びに、導電性ペーストの加熱硬化時の雰囲気中の酸素濃度を500ppm以下に制御したこと以外は、実施例1と同様にして本発明による電子部品モジュールを作製した。
比較例4並びに実施例7で得た電子部品モジュールにおける導電性シールドの断面を、試験評価1と同様に、電子顕微鏡により拡大観察した。その結果、比較例4の電子部品モジュールの導電性シールドにおいては、上述した比較例1と同様に、個々の金属フィラー(写真において、比較的明るい灰色の個々の円状領域)が単に物理的に接触している状態が確認された。一方、実施例7の電子部品モジュールの導電性シールドにおいては、上述した実施例2と同様に、第1にフィラー及び第2のフィラーの個々の粒子を明瞭に弁別することはできず、第1のフィラーに複数の第2のフィラーの粒子が金属結合によってネックグロースし、一体に接合されたもの同士が、金属結合によって更に接合されて連結している状態が確認された。
Claims (6)
- 基板と、
前記基板の表面に実装された電子部品と、
前記基板の表面及び前記電子部品を覆うように設けられたモールド樹脂と、
前記モールド樹脂を覆うように設けられた導電性シールドと、
を備え、
前記導電性シールドは、互いに異なる第1のフィラー及び第2のフィラーを含み、且つ、前記基板の側面に露出する接地用配線に接続されており、
前記第1のフィラーの平均粒径が、前記接地用配線の厚さの1/2以下であり、
前記第2のフィラーが、250℃以下の温度領域で金属結合を形成するものである、
電子部品モジュール。 - 前記導電性シールドが、樹脂又は樹脂組成物を含んでおり、
前記第2のフィラーが、前記樹脂又は樹脂組成物の硬化温度未満の温度領域で金属結合を形成するものである、
請求項1記載の電子部品モジュール。 - 前記第1のフィラーが、主として、Ag、Cu、及びNiのうちの少なくも1種の金属を含み、
前記第2のフィラーが、主として、Sn、Ag、Cu、Bi、In、Zn、及びSbのうちの少なくも1種の金属を含む、
請求項1又は2記載の電子部品モジュール。 - 前記第2のフィラーが、ナノフィラー又は低温で溶融する金属フィラーである、
請求項1〜3の何れか1項記載の電子部品モジュール。 - 前記導電性シールドにおける前記第1のフィラー及び前記第2のフィラーの含有割合が、50〜95質量%である、
請求項1〜4の何れか1項記載の電子部品モジュール。 - 基板を準備する工程と、
前記基板の表面に電子部品を実装する工程と、
前記基板の表面及び前記電子部品を覆うようモールド樹脂を設ける工程と、
前記モールド樹脂を覆うように導電性シールドを設ける工程と、
を有し、
前記導電性シールドを設ける工程においては、前記導電性シールドとして、互いに異なる第1のフィラー及び第2のフィラーを含むものを用い、且つ、前記導電性シールドを前記基板の側面に露出する接地用配線に接続し、
前記第1のフィラーの平均粒径が、前記接地用配線の厚さの1/2以下であり、
前記第2のフィラーが、250℃以下の温度領域で金属結合を形成するものである、
電子部品モジュールの製造方法。
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