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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6440989B2 (ja) * 2013-08-28 2018-12-19 ローム株式会社 半導体装置
JP6311723B2 (ja) * 2013-12-16 2018-04-18 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2016115698A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 トヨタ自動車株式会社 半導体装置とその製造方法
US20160172295A1 (en) * 2014-12-16 2016-06-16 Infineon Technologies Americas Corp. Power FET Having Reduced Gate Resistance
DE112015002120B4 (de) * 2014-12-19 2024-02-22 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtungsherstellungsverfahren
CN106158930B (zh) * 2015-04-28 2019-05-14 北大方正集团有限公司 高频晶体管
KR101745776B1 (ko) * 2015-05-12 2017-06-28 매그나칩 반도체 유한회사 전력용 반도체 소자
JP6566835B2 (ja) 2015-10-22 2019-08-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN105226090B (zh) * 2015-11-10 2018-07-13 株洲中车时代电气股份有限公司 一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法
JP6686398B2 (ja) 2015-12-03 2020-04-22 富士電機株式会社 半導体装置
JP6854598B2 (ja) * 2016-07-06 2021-04-07 ローム株式会社 半導体装置
JP2018022776A (ja) * 2016-08-03 2018-02-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US9923083B1 (en) 2016-09-09 2018-03-20 International Business Machines Corporation Embedded endpoint fin reveal
WO2018052098A1 (ja) 2016-09-14 2018-03-22 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
IT201600108699A1 (it) * 2016-10-27 2018-04-27 St Microelectronics Srl Dispositivo semiconduttore a canale verticale con ridotta tensione di saturazione
JP2018207058A (ja) * 2017-06-09 2018-12-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
EP3471147B1 (en) * 2017-10-10 2020-08-05 ABB Power Grids Switzerland AG Insulated gate bipolar transistor
JPWO2019103135A1 (ja) 2017-11-24 2020-11-19 ローム株式会社 半導体装置
DE102018100237B4 (de) * 2018-01-08 2022-07-21 Infineon Technologies Austria Ag Leistungshalbleiterbauelement mit dU/dt Steuerbarkeit und Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleiterbauelements
JP7530157B2 (ja) * 2018-07-18 2024-08-07 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入方法
CN110808235B (zh) * 2018-08-06 2025-10-21 珠海格力电器股份有限公司 一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构及其制作方法
JP7172328B2 (ja) * 2018-09-14 2022-11-16 富士電機株式会社 半導体装置
US11430714B2 (en) 2018-09-14 2022-08-30 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
DE102018132237B4 (de) * 2018-12-14 2025-02-06 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitervorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung
JP7085975B2 (ja) * 2018-12-17 2022-06-17 三菱電機株式会社 半導体装置
JP7120916B2 (ja) * 2018-12-27 2022-08-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP7310144B2 (ja) * 2019-01-10 2023-07-19 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置
US12148798B2 (en) 2019-05-22 2024-11-19 Rohm Co., Ltd. SiC semiconductor device
WO2020246230A1 (ja) * 2019-06-04 2020-12-10 ローム株式会社 半導体装置
GB2590716B (en) 2019-12-30 2023-12-20 Mqsemi Ag Fortified trench planar MOS power transistor
CN111276535A (zh) * 2020-02-18 2020-06-12 上海华虹宏力半导体制造有限公司 具有沟槽型栅极的器件的制作方法
US11948978B2 (en) * 2020-04-24 2024-04-02 Qualcomm Incorporated Field-effect transistors (FETs) employing edge transistor current leakage suppression to reduce FET current leakage
JP7121152B2 (ja) * 2021-02-02 2022-08-17 ローム株式会社 半導体装置
US11664436B2 (en) * 2021-03-01 2023-05-30 Wolfspeed, Inc. Semiconductor devices having gate resistors with low variation in resistance values
JP7227999B2 (ja) * 2021-03-16 2023-02-22 ローム株式会社 Ｒｃ－ｉｇｂｔ半導体装置
CN115939193B (zh) * 2022-12-09 2023-11-03 安世半导体科技(上海)有限公司 半导体器件
KR20240133029A (ko) * 2023-02-28 2024-09-04 주식회사 디비하이텍 Esd 보호 소자 및 그 제조방법

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08274321A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Rohm Co Ltd 半導体装置
WO2002058160A1 (en) 2001-01-19 2002-07-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US7045859B2 (en) 2001-09-05 2006-05-16 International Rectifier Corporation Trench fet with self aligned source and contact
DE10203164B4 (de) * 2002-01-28 2005-06-16 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2005322700A (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2007035841A (ja) 2005-07-26 2007-02-08 Toshiba Corp 半導体装置
JP5412717B2 (ja) * 2007-08-29 2014-02-12 富士電機株式会社 トレンチ型絶縁ゲート半導体装置
JP5359182B2 (ja) 2008-01-28 2013-12-04 富士電機株式会社 半導体装置
JP2009188294A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Nec Electronics Corp パワーｍｏｓｆｅｔ
JP4840482B2 (ja) 2008-10-14 2011-12-21 株式会社デンソー 半導体装置
JP5446233B2 (ja) 2008-12-08 2014-03-19 株式会社デンソー 絶縁ゲート型半導体装置の駆動回路およびそれに適した半導体装置
US8164162B2 (en) * 2009-06-11 2012-04-24 Force Mos Technology Co., Ltd. Power semiconductor devices integrated with clamp diodes sharing same gate metal pad
JP5659514B2 (ja) 2010-03-15 2015-01-28 富士電機株式会社 半導体装置
JP2012059873A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP2012064641A (ja) * 2010-09-14 2012-03-29 Toshiba Corp 半導体装置
JP5631752B2 (ja) 2011-01-12 2014-11-26 株式会社 日立パワーデバイス 半導体装置および電力変換装置
JP2014132600A (ja) 2011-04-12 2014-07-17 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP5806535B2 (ja) 2011-07-20 2015-11-10 株式会社 日立パワーデバイス 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置
JP2014063931A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Toshiba Corp 電力用半導体素子
JP5867617B2 (ja) * 2012-10-17 2016-02-24 富士電機株式会社 半導体装置
WO2014168171A1 (ja) * 2013-04-11 2014-10-16 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9082739B2 (en) 2013-05-16 2015-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device having test structure
JP6533613B2 (ja) 2013-08-28 2019-06-19 ローム株式会社 半導体装置
JP6440989B2 (ja) * 2013-08-28 2018-12-19 ローム株式会社 半導体装置
KR20150067509A (ko) * 2013-12-10 2015-06-18 삼성전자주식회사 반도체 전력 소자 및 그 제조 방법
JP6510310B2 (ja) * 2014-05-12 2019-05-08 ローム株式会社 半導体装置

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