JP2014531435A5

JP2014531435A5 -

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Publication number: JP2014531435A5
Application number: JP2014529956A
Authority: JP
Filing date: 2012-09-10
Publication date: 2015-10-08
Anticipated expiration: 2032-09-10

Description

本教示は、半導体材料、ならびに、本明細書に開示されている化合物および半導体材料を組み込んだ種々の組成物、複合体およびデバイスを製造する方法も提供する。
本発明の実施形態において、例えば以下の項目が提供される。
（項目１）
式Ｉ：

［式中：
Ｘは、Ｓ、Ｏ、およびＣＨ＝ＣＨから選択され；
Ｙは、Ｓ、Ｏ、およびＣＨ＝ＣＨから選択され；
Ｚは、ＨまたはＣＨＲ ^１Ｒ ^１ ’であり；
Ｒ ^１、Ｒ ^１ ’、Ｒ ^２、およびＲ ^２ ’は独立に、直鎖Ｃ _１〜４０アルキル基、直鎖Ｃ _２〜４０アルケニル基、および直鎖Ｃ _１〜４０ハロアルキル基から選択され；
ｍは、各存在において、独立に、０、１、２、３、および４から選択される］
を有する化合物。
（項目２）
式ＩＩ：

［式中、Ｚ、Ｒ ^２、Ｒ ^２ ’、およびｍは項目１に記載の通りである］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目３）
式ＩＩＩ：

［式中、Ｚ、Ｒ ^２、Ｒ ^２ ’、およびｍは項目１に記載の通りである］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目４）
式ＩＶ：

［式中、Ｚ、Ｒ ^２、Ｒ ^２ ’、およびｍは項目１に記載の通りである］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目５）
ＺがＣＨＲ ^１Ｒ ^１ ’であり、それぞれのｍが独立に１、２、および３から選択される、項目２〜４のいずれか一項に記載の化合物。
（項目６）
Ｒ ^１およびＲ ^２が独立に、直鎖Ｃ _３−４０アルキル基、直鎖Ｃ _３−４０アルケニル基、および直鎖Ｃ _３−４０ハロアルキル基から選択され；Ｒ ^１ ’およびＲ ^２ ’が独立に、ＣＨ _３、ＣＦ _３、Ｃ _２Ｈ _５、ＣＨ _２ＣＦ _３、ＣＦ _２ＣＨ _３、およびＣ _２Ｆ _５から選択される、項目５に記載の化合物。
（項目７）
式ＩＩａ、ＩＩＩａ、またはＩＶａ：

［式中、Ｒ ^１およびＲ ^２は独立に、Ｃ _２Ｈ _５、ｎ−Ｃ _３Ｈ _７、ｎ−Ｃ _４Ｈ _９、ｎ−Ｃ _５Ｈ _１１、ｎ−Ｃ _６Ｈ _１３、ｎ−Ｃ _７Ｈ _１５、ｎ−Ｃ _８Ｈ _１７、ｎ−Ｃ _９Ｈ _１９、ｎ−Ｃ _１０Ｈ _２１、ｎ−Ｃ _１１Ｈ _２３、およびｎ−Ｃ _１２Ｈ _２５から選択され；ｍ ^１およびｍ ^２は独立に、０、１、および２から選択される］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目８）
式ＩＩｂ、ＩＩＩｂ、ＩＶｂ、ＩＩｃ、ＩＩＩｃ、またはＩＶｃ：

［式中、Ｒ ^１およびＲ ^２は独立に、Ｃ _２Ｈ _５、ｎ−Ｃ _３Ｈ _７、ｎ−Ｃ _４Ｈ _９、ｎ−Ｃ _５Ｈ _１１、ｎ−Ｃ _６Ｈ _１３、ｎ−Ｃ _７Ｈ _１５、ｎ−Ｃ _８Ｈ _１７、ｎ−Ｃ _９Ｈ _１９、ｎ−Ｃ _１０Ｈ _２１、ｎ−Ｃ _１１Ｈ _２３、およびｎ−Ｃ _１２Ｈ _２５から選択され；ｍ ^１およびｍ ^２は独立に、０、１、および２から選択される］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目７）
式Ｖ、ＶＩ、またはＶＩＩ：

［式中、Ｒ ^２は、直鎖Ｃ _３〜４０アルキル基、直鎖Ｃ _３〜４０アルケニル基、および直鎖Ｃ _３−４０ハロアルキル基から選択され；Ｒ ^２ ’は、ＣＨ _３、ＣＦ _３、Ｃ _２Ｈ _５、ＣＨ _２ＣＦ _３、ＣＦ _２ＣＨ _３、およびＣ _２Ｆ _５から選択され；ｍ ^１およびｍ ^２は独立に、０、１、および２から選択される］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目８）
式Ｖａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ、Ｖｂ、ＶＩｂ、またはＶＩＩｂ：

［式中、Ｒ ^２は、直鎖Ｃ _３〜４０アルキル基、直鎖Ｃ _３〜４０アルケニル基、および直鎖Ｃ _３〜４０ハロアルキル基から選択され；Ｒ ^２ ’は、ＣＨ _３、ＣＦ _３、Ｃ _２Ｈ _５、ＣＨ _２ＣＦ _３、ＣＦ _２ＣＨ _３、およびＣ _２Ｆ _５から選択され；ｍ ^１およびｍ ^２は独立に、０、１、および２から選択される］
を有する、項目１に記載の化合物。
（項目９）
項目１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含む、薄膜半導体。
（項目１０）
基板と、前記基板上に堆積された項目９に記載の薄膜半導体とを含む、複合材料。
（項目１１）
項目９に記載の薄膜半導体を含む、電子デバイス、光学デバイス、または光電子デバ
イス。
（項目１２）
項目１０に記載の複合材料を含む、電子デバイス、光学デバイス、または光電子デバ
イス。
（項目１３）
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、誘電体材料に接触する項目９に記載の薄膜半導体とを含む、電界効果トランジスターデバイス。
（項目１４）
前記電界効果トランジスターが、トップゲートボトムコンタクト構造、ボトムゲートトップコンタクト構造、トップゲートトップコンタクト構造、およびボトムゲートボトムコンタクト構造から選択される構造を有する、項目１３に記載の電界効果トランジスター
デバイス。
（項目１５）
前記誘電体材料が有機誘電体材料を含む、項目１３または１４に記載の電界効果トランジスターデバイス。
（項目１６）
前記誘電体材料が、無機誘電体材料またはハイブリッド有機／無機誘電体材料を含む、項目１３または１４に記載の電界効果トランジスターデバイス。
（項目１７）
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、誘電体材料と、項目１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含む光活性成分とを含み、前記光活性成分が前記誘電体材料に接触している、発光トランジスターデバイス。
（項目１８）
前記光活性成分が２層以上の積層体を含む、項目１７に記載の発光トランジスターデバイス。
（項目１９）
前記積層体が、発光層と１つまたは複数の有機電荷輸送層とを含む、項目１９に記載の発光トランジスターデバイス。
（項目２０）
項目１〜８のいずれか一項に記載の化合物がブレンド材料中に存在する、項目１９に記載の発光トランジスターデバイス。
（項目２１）
電界効果トランジスターデバイスの製造方法であって、基板を、項目１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含む流体媒体と、約５０℃未満の温度で接触させて、前記基板上に薄膜半導体を形成するステップを含む、方法。
（項目２２）
前記温度が約４０℃未満である、項目１７に記載の方法。
（項目２３）
前記流体が非塩素化溶媒を含む、項目１７に記載の方法。
（項目２４）
前記流体媒体が非ハロゲン化溶媒を含む、項目１７に記載の方法。

Claims

式（ＩＩａ）：

［式中、Ｒ ^１およびＲ ^２は独立に、直鎖Ｃ _４〜４０アルキル基であり、ｍ ^１およびｍ ^２は１である］
を有する化合物。
式（ＩＩｂ）または（ＩＩｃ）：

を有する、請求項１に記載の化合物。
Ｒ ^１およびＲ ^２が独立に、ｎ−Ｃ _４Ｈ _９、ｎ−Ｃ _５Ｈ _１１、ｎ−Ｃ _６Ｈ _１３、ｎ−Ｃ _７Ｈ _１５、ｎ−Ｃ _８Ｈ _１７、ｎ−Ｃ _９Ｈ _１９、ｎ−Ｃ _１０Ｈ _２１、ｎ−Ｃ _１１Ｈ _２３、およびｎ−Ｃ _１２Ｈ _２５から選択される、請求項１または請求項２に記載の化合物。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物を含む、薄膜半導体。
基板と、前記基板上に堆積された請求項４に記載の薄膜半導体とを含む、複合材料。
請求項４に記載の薄膜半導体を含む、電子デバイス、光学デバイス、または光電子デバ
イス。
請求項５に記載の複合材料を含む、電子デバイス、光学デバイス、または光電子デバ
イス。
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、誘電体材料に接触する請求項４に記載
の薄膜半導体とを含む、電界効果トランジスターデバイス。
前記電界効果トランジスターが、トップゲートボトムコンタクト構造、ボトムゲートト
ップコンタクト構造、トップゲートトップコンタクト構造、およびボトムゲートボトムコ
ンタクト構造から選択される構造を有する、請求項８に記載の電界効果トランジスター
デバイス。
前記誘電体材料が有機誘電体材料を含む、請求項８または９に記載の電界効果トラ
ンジスターデバイス。
前記誘電体材料が、無機誘電体材料またはハイブリッド有機／無機誘電体材料を含む、
請求項８または９に記載の電界効果トランジスターデバイス。
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、誘電体材料と、請求項１〜３のいずれ
か一項に記載の化合物を含む光活性成分とを含み、前記光活性成分が前記誘電体材料に接
触している、発光トランジスターデバイス。
前記光活性成分が２層以上の積層体を含む、請求項１２に記載の発光トランジスターデ
バイス。
前記積層体が、発光層と１つまたは複数の有機電荷輸送層とを含む、請求項１３に記載
の発光トランジスターデバイス。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物がブレンド材料中に存在する、請求項１４に記載の発光トランジスターデバイス。
電界効果トランジスターデバイスの製造方法であって、基板を、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物を含む流体媒体と、５０℃未満の温度で接触させて、前記基板上に薄膜半導体を形成するステップを含む、方法。
前記温度が４０℃未満である、請求項１６に記載の方法。
前記流体が非塩素化溶媒を含む、請求項１６に記載の方法。
前記流体媒体が非ハロゲン化溶媒を含む、請求項１６に記載の方法。