JP2011522406A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 基板、第１の電極、少なくとも１つの有機機能層、および、第２の電極を含む
   電子デバイスにおいて、
   前記有機機能層は、前記第１の電極と前記第２の電極とのあいだに配置されており、かつ、少なくとも、第１のマトリクス材料、第２のマトリクス材料および第３のマトリクス材料を含み、ここで、
   前記第３のマトリクス材料は、前記第１のマトリクス材料の最低非占有分子軌道ＬＵＭＯおよび前記第２のマトリクス材料の最低非占有分子軌道ＬＵＭＯよりもエネルギの低い最低非占有分子軌道ＬＵＭＯを有しており、
   前記第２のマトリクス材料は、前記第１のマトリクス材料の最高占有分子軌道ＨＯＭＯおよび前記第３のマトリクス材料の最高占有分子軌道ＨＯＭＯよりもエネルギの高い最高占有分子軌道ＨＯＭＯを有しており、
   前記有機機能層は少なくとも１つの発光材料をドープされた発光層である
   ことを特徴とする電子デバイス。
2. 前記第１のマトリクス材料は、前記第２のマトリクス材料の最低非占有分子軌道ＬＵＭＯおよび前記第３のマトリクス材料の最低非占有分子軌道ＬＵＭＯよりもエネルギの高い最低非占有分子軌道ＬＵＭＯと、前記第２のマトリクス材料の最高占有分子軌道ＨＯＭＯおよび前記第３のマトリクス材料の最高占有分子軌道ＨＯＭＯよりもエネルギの低い最高占有分子軌道ＨＯＭＯを有している、請求項１記載の電子デバイス。
3. 前記第２のマトリクス材料は、前記第３のマトリクス材料の最低非占有分子軌道ＬＵＭＯよりもエネルギの高い最低非占有分子軌道ＬＵＭＯと、前記第３のマトリクス材料の最高占有分子軌道ＨＯＭＯよりもエネルギの高い最高占有分子軌道ＨＯＭＯとを有している、請求項２記載の電子デバイス。
4. 前記第１のマトリクス材料は前記第２のマトリクス材料および前記第３のマトリクス材料の電荷担体移動度よりも小さい電荷担体移動度を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の電子デバイス。
5. 前記第２のマトリクス材料は正孔輸送材料を含む、請求項１から４までのいずれか１項記載の電子デバイス。
6. 前記第３のマトリクス材料は電子輸送材料を含む、請求項１から５までのいずれか１項記載の電子デバイス。
7. 前記有機機能層は、発光層、電子輸送層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、正孔注入層、電子注入層および中間層を含むグループから選択される、請求項１から６までのいずれか１項記載の電子デバイス。
8. 前記発光層の前記発光材料は１０重量％以下の濃度を有する、請求項１から７までのいずれか１項記載の電子デバイス。
9. 前記発光材料の前記濃度は前記発光層内で所定の勾配を有する、請求項８記載の電子デバイス。
10. 前記発光材料は、前記第１のマトリクス材料の最低非占有分子軌道ＬＵＭＯおよび前記第２のマトリクス材料の最低非占有分子軌道ＬＵＭＯおよび前記第３のマトリクス材料の最低非占有分子軌道ＬＵＭＯよりもエネルギの低い最低非占有分子軌道ＬＵＭＯと、前記第１のマトリクス材料の最高占有分子軌道ＨＯＭＯおよび前記第２のマトリクス材料の最高占有分子軌道ＨＯＭＯおよび前記第３のマトリクス材料の最高占有分子軌道ＨＯＭＯよりもエネルギの高い最高占有分子軌道ＨＯＭＯとを有する、請求項１から９までのいずれか１項記載の電子デバイス。
11. 当該の電子デバイスが光形成装置として構成されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の電子デバイス。
12. 当該の電子デバイスが、有機光形成装置として構成されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の電子デバイス。
13. 請求項１から１２までのいずれか１項記載の電子デバイスを製造するための
    電子デバイスの製造方法であって、
    Ａ）基板を設けるステップ、
    Ｂ）第１の電極および第２の電極を設けるステップ、および
    Ｃ）前記第１の電極と前記第２の電極とのあいだに少なくとも１つの有機機能層を配置するステップ
    を有しており、
    前記ステップＣ）で、少なくとも、第１のマトリクス材料、第２のマトリクス材料および第３のマトリクス材料を同時に被着する
    ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
14. 前記ステップＣ）で、前記第１のマトリクス材料、前記第２のマトリクス材料および前記第３のマトリクス材料を蒸着法により被着する、請求項１３記載の電子デバイスの製造方法。