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  1. 陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層を有し、
    前記陽極からｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層とｍ＋１番目のＥＬ層の間には、
    前記ｍ番目のＥＬ層と接する、第１のドナー性物質を含む第１の層と、
    前記第１の層と接する、電子輸送性物質及び第２のドナー性物質を含む第２の層と、
    前記第２の層及び前記ｍ＋１番目のＥＬ層と接する、正孔輸送性物質及びアクセプター性物質を含む第３の層と、を有する発光素子。
  2. 陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層を有し、
    前記陽極からｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層とｍ＋１番目のＥＬ層の間には、
    前記ｍ番目のＥＬ層と接する、第１の電子輸送性物質及び第１のドナー性物質を含む第１の層と、
    前記第１の層と接する、前記第１の電子輸送性物質よりも最低空分子軌道準位が低い第２の電子輸送性物質及び第２のドナー性物質を含む第２の層と、
    前記第２の層及び前記ｍ＋１番目のＥＬ層と接する、正孔輸送性物質及びアクセプター性物質を含む第３の層と、を有する発光素子。
  3. 請求項２において、
    前記第１の層が、前記第１の電子輸送性物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率で前記第１のドナー性物質を添加した層である発光素子。
  4. 請求項２または請求項３において、
    前記第２の電子輸送性物質のＬＵＭＯ準位が−５．０ｅＶ以上である発光素子。
  5. 請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
    前記第２の電子輸送性物質は、ペリレン誘導体又は含窒素縮合芳香族化合物である発光素子。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
    前記第１のドナー性物質及び前記第２のドナー性物質が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、または希土類金属化合物である発光素子。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
    前記第３の層が、前記正孔輸送性物質に対して質量比で、０．１以上４．０以下の比率で前記アクセプター性物質を添加した層である発光素子。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
    前記アクセプター性物質は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物である発光素子。
  9. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
    前記アクセプター性物質は、酸化モリブデンである発光素子。
  10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の発光素子を用いて作製された発光装置。
  11. 請求項１０に記載の発光装置を含む電子機器。
  12. 請求項１０に記載の発光装置を含む照明装置。
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